Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device
Номер патента: US20210098485A1
Опубликовано: 01-04-2021
Автор(ы): Dong-Chul Yoo, Hye-Hyeon BYEON, Il-Young Kwon, Jin-Ho Bin
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-04-2021
Автор(ы): Dong-Chul Yoo, Hye-Hyeon BYEON, Il-Young Kwon, Jin-Ho Bin
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same
Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.