Etching method for semiconductor device
Номер патента: EP1511067A3
Опубликовано: 31-08-2005
Автор(ы): Fujio Masuoka, Shinji Horii, Takashi Yokoyama, Takuji Tanigami
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-08-2005
Автор(ы): Fujio Masuoka, Shinji Horii, Takashi Yokoyama, Takuji Tanigami
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Etching method and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US8143168B2. Автор: Shinya Sasagawa,Shigeharu Monoe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.