Method for production of semiconductor devices

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW521350B. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-21.

Method for forming a metal plug of a semiconductor device

Номер патента: US20030013299A1. Автор: Jung Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for fabricating a local interconnect in a semiconductor device

Номер патента: US09881872B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Jui-Yao Lai,Ying-Yan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon phosphide semiconductor device

Номер патента: US11749567B2. Автор: Tuoh Bin Ng,Tzu-Ching Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming the contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100480233B1. Автор: 최동구,김준동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-04-06.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for forming metal wiring layer of semiconductor device

Номер патента: KR100594276B1. Автор: 이상우,김락환,최길현,한성호,전형민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for forming barrier metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100342826B1. Автор: 진성곤,김춘환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for forming barrier metal layer of semiconductor device

Номер патента: TW417205B. Автор: Sung-gon Jin,Kyeong-Bock Lee. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09893071B2. Автор: Jae Soo Kim,Jae Chun Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for filling a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100252883B1. Автор: 조광두. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100268443B1. Автор: 조창현,김기남,정태영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for forming the metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100632115B1. Автор: 김승현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: US20240249936A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for reducing micro and macro scalloping on semiconductor devices

Номер патента: WO2024158449A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim. Владелец: Ling, Mang-Mang. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for forming a contact window in a semiconductor device

Номер патента: WO2003028084A1. Автор: Dev Alok,Juanita A. Barone,Regina Conrad. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-04-03.

Method for forming lead wires in hybrid-bonded semiconductor devices

Номер патента: WO2019037584A1. Автор: Meng Yan,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for the insulation of polysilicon film in semiconductor device

Номер патента: US5376576A. Автор: Sang H. Park,Chang S. Moon,Dae I. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20080138958A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for Forming Device Isolation Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR100557533B1. Автор: 최용수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-03.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100980260B1. Автор: 정연우. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-09-06.

METHOD FOR FABRICATING FIN OF FINFET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170033012A1. Автор: Walke Amey Mahadev,Dhong Sang Hoo,HSIEH Ho-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Method for forming element isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100950749B1. Автор: 김형식,최명규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-05.

Method for manufacturing shallow trench isolation of semiconductor devices

Номер патента: KR100315443B1. Автор: 박건욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for Manufacturing Shallow Trench Isolation of Semiconductor Device

Номер патента: KR101037510B1. Автор: 정종구,유철휘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-26.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Method for manufacturing an interconnect structure for stacked semiconductor device

Номер патента: US20020074670A1. Автор: Tadatomo Suga. Владелец: Tadatomo Suga. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US20050142829A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods for planarizing a metal layer

Номер патента: US7192869B2. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-20.

Method for preventing Cu contamination and oxidation in semiconductor device manufacturing

Номер патента: TWI272677B. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Boq-Kang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-02-01.

Manufacturing method for metal line contact plug of semiconductor devices

Номер патента: KR100447254B1. Автор: 정종구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-07.

Method for forming the copper wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100557652B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming a metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR20060018374A. Автор: 오준환,이정일,김미영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-02.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100635872B1. Автор: 권병호,권성수. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-10-18.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100421280B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-09.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100632041B1. Автор: 박태희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100358569B1. Автор: 권세한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: TWI243417B. Автор: Jong-Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-11.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347375A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming isolation film

Номер патента: US6656851B1. Автор: Young-Kuk Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-02.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100647397B1. Автор: 신민정,곽병일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-23.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100461329B1. Автор: 박성기,김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Method for forming device isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100312987B1. Автор: 원대희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-01-15.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100569510B1. Автор: 진승우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-07.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006086A. Автор: 김영복. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing device isolation barrier of semiconductor device

Номер патента: KR100517351B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100876785B1. Автор: 이호석,서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100596876B1. Автор: 이성준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-04.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR20040002201A. Автор: 박성기,김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-07.

Method for forming device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR20050119431A. Автор: 진승우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-21.

Method for forming device isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100559590B1. Автор: 권영민. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100451319B1. Автор: 박동수,정승훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR101006508B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-07.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100979233B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100567352B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-04.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR20050011488A. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-01-29.

Method for forming field oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100297098B1. Автор: 장세억. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100842506B1. Автор: 이동준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100687859B1. Автор: 남기봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100572211B1. Автор: 강진아. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-18.

The method for forming the isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100949867B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-25.

Method for fabricating shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100561515B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for Forming Shallow Trench Isolation of Semiconductor Device

Номер патента: KR100960477B1. Автор: 김승범,김종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-01.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for etching organic film, manufacture of semiconductor device and pattern forming method

Номер патента: CN1203533C. Автор: 中川秀夫. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-25.

Method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR101046717B1. Автор: 이성권,정태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

A method for forming self-aligned contact of semiconductor device

Номер патента: KR100276387B1. Автор: 이재구,조창현,정홍식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-12-15.

Method for manufacturing a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100405934B1. Автор: 이창석,이철승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-14.

Method for forming a metal line of semiconductor device using a damascene process

Номер патента: KR100723465B1. Автор: 강호규,김성호,구주선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

A method for forming dual damascene structure of semiconductor device

Номер патента: KR100657756B1. Автор: 이강현. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100226216B1. Автор: 이병석,정의삼,송일석. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for forming storage node contact of semiconductor device

Номер патента: KR100668843B1. Автор: 김형환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100641484B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

A method for forming a damascene structure of semiconductor device

Номер патента: KR100640407B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-31.

Method for forming inter-layer dielectrics of semiconductor device

Номер патента: KR100620153B1. Автор: 명정학. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-01.

Fabricating method for self-aligned contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100300053B1. Автор: 강정원,채민철. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-10-19.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: TW394987B. Автор: Se-Aug Jang,Byung-Jin Cho,Jong-Choul Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2000-06-21.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: GB9722444D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-24.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12057342B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: CN100477148C. Автор: 李相敦. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100461328B1. Автор: 김우진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Methods for trench device isolation layers of semiconductor devices

Номер патента: KR100515057B1. Автор: 박규찬,최정달,조성순,김홍수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-14.

Method for manufacturing field oxygen film of semiconductor device

Номер патента: KR100241508B1. Автор: 김우진,공영택. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for forming element isolating layer of semiconductor device

Номер патента: KR100511925B1. Автор: 이가원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-05.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100486111B1. Автор: 이원권. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-29.

Method for manufacturing field oxidation film of semiconductor device

Номер патента: KR100248346B1. Автор: 김종철,김영복,여인석,장세억. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming Shallow Trench Isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100461330B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-14.

Method for forming the isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100460043B1. Автор: 황영호,박효식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-04.

Method for manufacturing field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR950021358A. Автор: 노광명,황성민,고요환,박찬광. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881917B2. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh,Teck-Chong Lee,Hsu-Chiang Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with etched landing pad surface

Номер патента: US20240023307A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153902A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure having a profile modifier

Номер патента: US20230253214A1. Автор: Shih-En LIN,Jui-Lin Chin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Multi-layer wiring structure, method for manufacturing multi-layer wiring structure, and semiconductor device

Номер патента: US20190088672A1. Автор: Takahiro TOMIMATSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Method for manufacturing a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR100416657B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-01-31.

Method for forming a metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR100607753B1. Автор: 박태희. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating inter metal dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100562319B1. Автор: 김래성. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-22.

Method for Forming Interlayer Insulating Film of Semiconductor Device

Номер патента: KR101017052B1. Автор: 박상종. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-23.

Method for manufacturing intermetal dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100459063B1. Автор: 김창규,김완식. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Method for planarization of intermediate layer of semiconductor device

Номер патента: KR100920036B1. Автор: 신주한. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-10-07.

Method for manufacturing a landing plug of semiconductor device by using selective epitaxial growth

Номер патента: KR100405936B1. Автор: 이상호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-14.

A method for forming a metal line of semiconductor device

Номер патента: KR100576464B1. Автор: 진성곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-08.

Method for fabrication of conduction pattern of semiconductor device having tungsten layer

Номер патента: KR101027337B1. Автор: 한상엽,권판기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for forming a test pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100403319B1. Автор: 김길호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for forming aluminum alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970072322A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11862672B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for forming align key pattern of semiconductor device

Номер патента: KR0155835B1. Автор: 조윤희. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-12-01.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for forming a shielding layer on a semiconductor device

Номер патента: US20240332209A1. Автор: KyoWang Koo,JiSik MOON,Hyunseok Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming a gate insulating film for semiconductor devices

Номер патента: US6303481B2. Автор: Dong Su Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for fabricating the gate dielectric of semiconductor device

Номер патента: KR100605175B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Method for Measuring Mirror Polishing Amount of Semiconductor Device

Номер патента: KR19980066760A. Автор: 정성학. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-10-15.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for etching a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20040154186A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

A method for forming a meterial layer in a semiconductor device using liquid phase deposition

Номер патента: SG54195A1. Автор: Faivel S Pintchovski. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200294802A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: WO2020185391A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US11217448B2. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US6949480B2. Автор: Sung Hoon Jung,Hyung Kyun Kim,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating hydrogen treated surface of semiconductor device with buried gate

Номер патента: US11929410B2. Автор: Jin Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Methods for reducing transfer pattern defects in a semiconductor device

Номер патента: US20200357639A1. Автор: LIN Zhou,Regina FREED,Steven R. Sherman,Nadine Alexis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20060035473A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20040185677A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20050279283A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TW200515494A. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-01.

Method for manufacturing gate structure for use in semiconductor device

Номер патента: TWI223338B. Автор: Yi-Nan Chen,Chang-Rong Wu,Kuo-Chien Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for fabricating the multi-gate of semiconductor device

Номер патента: KR100600244B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-13.

METHOD FOR MANUFACTURING TiSiN SILICIDE LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: KR100818397B1. Автор: 전동기. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for producing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7576352B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Method for reducing pillar structure dimensions of a semiconductor device

Номер патента: WO2009045347A1. Автор: Michael Chan,Steven J. Radigan,Yung-Tin Chen,Paul Poon. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US20060001044A1. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: US7208387B2. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-24.

Method for making a quad leadframe for a semiconductor device

Номер патента: US5339518A. Автор: Truoc T. Tran,Wilhelm Sterlin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Method for manufacturing compound semiconductor wafer and compound semiconductor device

Номер патента: EP1542288A4. Автор: Hisashi Yamada,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120007172A1. Автор: Seung Wan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Method for forming ruthenium storage node of semiconductor device

Номер патента: TW200408060A. Автор: Geun-Min Choi,Dee-Joon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for forming dual gate of a semiconductor device

Номер патента: US20020164857A1. Автор: Jae-Hee Ha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Method for etching metal layer of a semiconductor device using hard mask

Номер патента: US6008135A. Автор: Yong-Tak Lee,Sang-Jeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-28.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming an insulating layer of a semiconductor device

Номер патента: IE55741B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-01-02.

Method for forming triple well structure in a semiconductor device

Номер патента: TW432499B. Автор: Jung-Hoon Lee,Bon-Seong Koo,Yoon-Nam Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-01.

Method for forming vertical channel transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100971411B1. Автор: 김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-21.

Gate polysilicon etching method for forming dual gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100272182B1. Автор: 김승준. Владелец: 아남반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for forming a conductor pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100382312B1. Автор: 백인혁. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4046595A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1977-09-06.

Manufacturing method for glass substrate and glass substrate

Номер патента: US12068181B2. Автор: Yuichi Yoshida,Keisuke Hanashima,Yuha KOBAYASHI. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for forming pad oxide layer of semiconductor integrated circuit

Номер патента: TW559882B. Автор: Chung-Chi Chang,Hsin-Yi Chen,Liang-Tien Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: TW200802539A. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-01.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming a metal wire of semiconductor device

Номер патента: KR100800892B1. Автор: 이인건. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing a front electrode of a semiconductor device

Номер патента: US20160260851A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Advanced Materials Technology Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for manufacturing capacitor array, capacitor array, and semiconductor device

Номер патента: US20230231007A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for manufacturing capacitor lower electrodes of semiconductor memory

Номер патента: US8088668B2. Автор: Chung-Yi Chang,Shin Bin Huang,Jung-Hung Wang. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-01-03.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices

Номер патента: US4745354A. Автор: Douglas S. Fraser. Владелец: FTS Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-17.

Method for manufacturing cured product of thermosetting resin composition and cured product obtained therby

Номер патента: MY156479A. Автор: Mizuki Yamamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-26.

Manufacturing method for a finished product of a heat sink composite having heat dissipation function

Номер патента: US20210094087A1. Автор: Shih Pao Chien. Владелец: Trusval Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatus and methods for effecting a burn-in procedure on semiconductor devices.

Номер патента: MY100200A. Автор: S Fraser Douglas. Владелец: Fts System Inc. Дата публикации: 1990-04-10.

Package structure for semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US12040241B2. Автор: CHEN Liu,Yuming Zhang,Hongliang LV. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230223320A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Discharge device and method for use in processing semiconductor devices

Номер патента: CA1118535A. Автор: John J. Zasio,Michael W. Samuels. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4148769A4. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for improving the electrical characteristics of germanium semiconductor devices

Номер патента: US3227580A. Автор: Clarence G Thornton. Владелец: Philco Ford Corp. Дата публикации: 1966-01-04.

Method for forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: TW200814145A. Автор: Jae-Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures

Номер патента: US7037854B2. Автор: Robert Z. Bachrach,Jeffrey D. Chinn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-05-02.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057458A1. Автор: Hong Kwon,LEE Jong Min,HAN Ji Hye,Park Hyung Soon,KIM Hyung Hwan,LEE Geun Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for forming a cleaved facet of semiconductor device

Номер патента: KR101883843B1. Автор: 한영훈,유동한. Владелец: 엘지이노텍 주식회사. Дата публикации: 2018-08-01.

Method for forming PE-TEOS layer of semiconductor device

Номер патента: KR100491396B1. Автор: 장봉준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-25.

Method For Forming Bit Line Spacer Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100871368B1. Автор: 박동수,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-02.

Method for forming dual gate electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100835430B1. Автор: 조은상. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2008-06-04.

Method for purging of product of product and inert fluids from a fuel cell stack

Номер патента: WO2001082392A3. Автор: Trung Van Nguyen. Владелец: Trung Van Nguyen. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Detection and reduction of dielectric breakdown in semiconductor devices

Номер патента: WO2005031850A3. Автор: William A Goddard Iii,Masayasu Miyata,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Jamil Tahir-Kheli. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: US11728620B2. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices and methods for producing the same

Номер патента: EP3732707A1. Автор: Qing Wang,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device including line-type active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120146121A1. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258404A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including multiple spacers and a method for preparing the same

Номер патента: US20240258405A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312940A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ying-Ching Shih,Hung-Wei TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100213617A1. Автор: Seung Bum Kim,Jong Kuk KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Heater for annealing trapped charge in a semiconductor device

Номер патента: US20060103007A1. Автор: Philip Oldiges,John Aitken,Ethan Cannon,Alvin Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105715A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including vertical supporting structure

Номер патента: US20240105714A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure including a bonding structure

Номер патента: US20240153900A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Reservoir capacitor of semiconductor device

Номер патента: US9263452B2. Автор: Ae Rim JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for forming a cleaved facet of semiconductor device

Номер патента: US20130217209A1. Автор: Young Hun Han,Dong Han Yoo. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and process of production of same

Номер патента: US20020003285A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for controlling an opening width in a semiconductor device and related structure

Номер патента: TW521347B. Автор: Klaus F Schuegraf. Владелец: Conexant Systems Inc. Дата публикации: 2003-02-21.

Methods for fabricating high voltage transistor and the semiconductor device

Номер патента: TW201236081A. Автор: Sen Zhang,yan-jun Li. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Method for Manufacturing Heat Dissipation Bulk of Semiconductor Device

Номер патента: US20120149138A1. Автор: Chun-Liang Lin,Kuan-Chun Chen,Yan-Kuin Su. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2012-06-14.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20120276675A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for forming a storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100660830B1. Автор: 원석준,유차영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR960019732A. Автор: 박현철,남기원,김상익. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-06-17.

Method for forming the Isolation Layer of Semiconductor Device

Номер патента: KR100857575B1. Автор: 백운석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-09-09.

Device and method for coal thermal production of aluminium

Номер патента: RU2486268C2. Автор: Джералд Е. КАРКИН,Джозеф А. ЛЕПИШ. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods for the autonomous production of videos from multi-sensored data

Номер патента: CA2761187C. Автор: FAN CHEN,Christophe De Vleeschouwer. Владелец: KEEMOTION SA. Дата публикации: 2023-01-17.

Method for producing cured product of heat-curable maleimide resin composition

Номер патента: US20230340299A1. Автор: Yoshihiro Tsutsumi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Computer-implemented methods for categorizing the activity of a worker

Номер патента: US20240146822A1. Автор: Benjamin Traub. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Systems and Methods for Generating Compact Multiangle Video

Номер патента: US20110085777A1. Автор: Bill Schultz,Albert Azout,Ari Goldberg. Владелец: Stylecaster Media Group LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

Systems and methods for machine sensing and communication

Номер патента: US20170369032A1. Автор: Jason E. Hill,David R. Lathrop,Thomas E. Fogarty. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 2017-12-28.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TW200820264A. Автор: Seung-Wook Kwack. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Circuit and method for generating column path control signals in semiconductor device

Номер патента: TWI366831B. Автор: Seung Wook KWACK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

DEVICE AND METHOD FOR CARBON-THERMAL PRODUCTION OF ALUMINUM

Номер патента: RU2013106316A. Автор: Джералд Е. КАРКИН,Джозеф А. ЛЕПИШ. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2014-08-20.

Method for forming charge storage electrode of semiconductor device

Номер патента: KR970063735A. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for large-scale production of proteoglycan

Номер патента: RU2592850C2. Автор: Йодзи КАТО. Владелец: Хиросаки Юниверсити. Дата публикации: 2016-07-27.

Method for large-scale production of viral antigen

Номер патента: RU2314344C2. Автор: Манфред Райтер,Вольфганг Мундт. Владелец: Бакстер Хелткэр С.А.. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for synthesizing a product of Pauli rotations

Номер патента: US20220222320A1. Автор: Simon Martiel,Timothee GOUBAULT DE BRUGIERE. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2022-07-14.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for synthesizing a product of pauli rotations

Номер патента: EP4030356A1. Автор: Simon Martiel,Timothee GOUBAULT DE BRUGIERE. Владелец: BULL SAS. Дата публикации: 2022-07-20.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods for large-scale production of magnetosomes

Номер патента: WO2024095237A1. Автор: AHARON Eyal,John Randall Phillips,Bryan P. Tracy,Hadar GILARY,Biniam MARU,Carrissa WIEDEL. Владелец: Superbrewed Food Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Biological devices and methods for increasing the production of lycopene from plants

Номер патента: US09828609B2. Автор: Raul CUERO RENGIFO. Владелец: INTERNATIONAL PARK OF CREATIVITY Co. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods for increasing the production of phenolic compounds from theobroma cacao

Номер патента: EP2877584A2. Автор: Raul CUERO RENGIFO. Владелец: Casa Luker SA. Дата публикации: 2015-06-03.

Method for Improving Spore Production of Plant Fusarium Oxysporum with Nano-TiO2

Номер патента: NL2030988B1. Автор: Wu Jun,Fang Li,Wang Hanrong,Xie Yunye,Wang Lianping. Владелец: Zhejiang Acad Agricultural Sci. Дата публикации: 2023-07-07.

A method for the microbial production of fatty acids and lipids

Номер патента: WO2019211448A1. Автор: Robert L. SHAHAB,Michael H.-P. STUDER. Владелец: BERNER FACHHOCHSCHULE. Дата публикации: 2019-11-07.

Method for Improving Spore Production of Plant Fusarium Oxysporum with Nano-TiO2

Номер патента: NL2030988A. Автор: Wu Jun,Fang Li,Wang Hanrong,Xie Yunye,Wang Lianping. Владелец: Zhejiang Acad Agricultural Sci. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-s-methylbutyric acid from acetone and acetyl-coa

Номер патента: EP2478109A1. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for analyzing and production of sirs

Номер патента: CA1267080C. Автор: Thomas M Aune,H William Schnaper. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-03-27.

Method for producing culture product of lactobacillus plantarum

Номер патента: SG11201901406QA. Автор: Satoru Ozaki,Keisuke Furuichi,Takayuki Toshimitsu. Владелец: Meiji Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for producing culture product of lactobacillus plantarum

Номер патента: US20200016221A1. Автор: Satoru Ozaki,Keisuke Furuichi,Takayuki Toshimitsu. Владелец: Meiji Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

System and method for calculating a productivity of an industrial installation

Номер патента: US10628776B2. Автор: Francesco Montrone. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-04-21.

Method for catalyst-free production of cyanophenols from methoxybenzonitriles

Номер патента: US20060173207A1. Автор: GOMEZ Mario,Franz Thalhammer,Hans-Georg Erben,Jürgen SANS. Владелец: Degussa GmbH. Дата публикации: 2006-08-03.

Methods for the improved production of psilocybin and intermediates

Номер патента: WO2023081829A3. Автор: John Andrew Jones,Madeline MCKINNEY. Владелец: MIAMI UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for controlling the production of a print product

Номер патента: US8319996B2. Автор: Thomas Reichhart. Владелец: Hewlett Packard GmbH Austria. Дата публикации: 2012-11-27.

Method for producing culture product of Lactobacillus plantarum

Номер патента: US11173185B2. Автор: Satoru Ozaki,Keisuke Furuichi,Takayuki Toshimitsu. Владелец: Meiji Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-16.

Method for controlling the production of a print product

Номер патента: US20090185216A1. Автор: Thomas Reichhart. Владелец: Hiflex Software GmbH. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for producing hydrogenolysis product of polyhydric alcohol

Номер патента: US20110046418A1. Автор: Taku Mimura,Nobuyoshi Suzuki,Masazumi Tamura. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: US12065677B2. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for enhancing the production of interferon in cell culture

Номер патента: US20010055791A1. Автор: Allan Lau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Methods for enhancing the production of interferon in cell culture

Номер патента: US20040219642A1. Автор: Allan Lau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Photosensitive resin composition, production method for cured relief pattern using it, and semiconductor device

Номер патента: US7598009B2. Автор: Kenichiro Sato,Naoya Sugimoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-s-methylbutyric acid from acetone and acetyl-coa

Номер патента: US20120220001A1. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-3-methylbutyric acid from acetone and acetyl-coa

Номер патента: US9017977B2. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2015-04-28.

Method for the automatic production of a segment brush and accessory for carrying out the method

Номер патента: US8845033B2. Автор: Rudolf Brenken. Владелец: WOEHLER BRUSH TECH GmbH. Дата публикации: 2014-09-30.

Method for high-efficiency production of pinoresinol using an H2O2 auto-scavenging cascade

Номер патента: US10392634B2. Автор: Jian Chen,Jingwen Zhou,Guocheng Du,Yongkun Lv. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-27.

Method for in-line production of insulating panels

Номер патента: WO2021124197A1. Автор: Rogerio Borsato,Simone Borsato. Владелец: Robor Srl. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods for high yield production of terpenes

Номер патента: EP2850193A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Toni M. Kutchan,Xiaohong Feng. Владелец: Kutchan Toni M. Дата публикации: 2015-03-25.

A method for the additive production of an article

Номер патента: AU2019382600A1. Автор: Antonella DIMATTEO. Владелец: Nuovo Pignone Technologie Srl. Дата публикации: 2021-06-10.

A method for the additive production of an article

Номер патента: EP3883712A1. Автор: Antonella DIMATTEO. Владелец: Nuovo Pignone Technologie Srl. Дата публикации: 2021-09-29.

System and method for the continuous production of curved preforms

Номер патента: US20170312940A1. Автор: Arne Stahl,Henrik Borgwardt,Sascha Dehn. Владелец: Deutsches Zentrum fuer Luft und Raumfahrt eV. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for the additive production of an article

Номер патента: US12065716B2. Автор: Antonella DIMATTEO. Владелец: Nuovo Pignone Technologie Srl. Дата публикации: 2024-08-20.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: MY196897A. Автор: Michael Koepke,Rasmus Jensen. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Compositions and methods for increasing microbial production of coenzyme q

Номер патента: WO2010009392A3. Автор: Vincent Martin,Adam Burja,Corinne Cluis,Andy Ekins. Владелец: Valorbec Societe En Commandite. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for in-vitro production of a cohesive cartilage construct

Номер патента: US20240352421A1. Автор: Oddmund Johannes Johansen. Владелец: Chondro Engineering AS. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for the rapid production of blocked prepolymers

Номер патента: US20240239948A1. Автор: Andrew Gordon Wright. Владелец: Carbon Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing a product of thermoplastic resin and /or thermoplastic elastomer

Номер патента: US20030030171A1. Автор: Toshihiko Suenaga. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-13.

Microorganism and method for the improved production of valine

Номер патента: EP4433603A1. Автор: Perrine Vasseur,Thomas Desfougeres,Céline RAYNAUD. Владелец: Metabolic Explorer SA. Дата публикации: 2024-09-25.

Machine and relating method for the continuous production of metal ingots

Номер патента: WO2015083135A1. Автор: Luca Fiorini. Владелец: Tera Automation S.R.L.. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for the additive production of relief printing plates

Номер патента: US20180304609A1. Автор: Thomas Telser,Eva Freudenthaler. Владелец: Flint Group Germany GmbH. Дата публикации: 2018-10-25.

Novel Method for the Synthesis/Production of Acrylic Films

Номер патента: US20080050572A1. Автор: GERARD Pierre,Olivier Guerret. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for the biotechnological production of flavone glycoside dihydrochalcones

Номер патента: US10538797B2. Автор: Jakob Ley,Uwe Bornscheuer,Egon Gross,Maren Thomsen,Winfried Hinrichs. Владелец: SYMRISE AG. Дата публикации: 2020-01-21.

Method for the enzymatic production of 3-buten-2-one

Номер патента: EP3017051A2. Автор: Philippe Marliere,Mathieu Allard,Maria Anissimova. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2016-05-11.

Machine and relating method for the continuous production of metal ingots

Номер патента: EP3077139A1. Автор: Luca Fiorini. Владелец: TERA AUTOMATION Srl. Дата публикации: 2016-10-12.

Methods for inhibiting the production of TSST-1

Номер патента: US20030157148A1. Автор: Richard Proctor,Rae Syverson. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for the enzymatic production of 3-buten-2-one

Номер патента: US09850504B2. Автор: Philippe Marliere,Mathieu Allard,Maria Anissimova. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for the radiation production of films from unsaturated polyester resins

Номер патента: US3562125A. Автор: Rene Leopold Eduard Van Gasse. Владелец: Synres Chemische Industrie NV. Дата публикации: 1971-02-09.

Method for the enzymatic production of isoprenol using mevalonate as a substrate

Номер патента: US09879286B2. Автор: Marc Delcourt,Philippe Marliere,Maria Anissimova. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for the fermentative production of l-cysteine and derivatives of said amino acid

Номер патента: US20150232897A1. Автор: Tobias Dassler,Guenter Wich,Walfred Leinfelder. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for the mass production of multimeric mannose binding lectin

Номер патента: WO2006046786A1. Автор: Joo Youn Lee,Jaeseung Yoon,Hong Mo Moon,Byung Cheol Ahn,Jung Sun Yum. Владелец: Dobeel Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-05-04.

Methods for the biocatalytic production of acetaldehyde

Номер патента: US20230295670A1. Автор: Thomas Binder,Alan Martin Allgeier,Victor Kumar Sharma. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for mold-free production of a reliefed component and reliefed component

Номер патента: EP4433238A1. Автор: Michael Philipp Rzepecki. Владелец: Ipu Ingenieurgesellschaft Braunschweig Mbh. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for the batch production of steel in an oxygen steel converter with scrap input

Номер патента: US4933006A. Автор: Nico Plazier. Владелец: Hoogovens Groep Bv. Дата публикации: 1990-06-12.

Semiconductor memory and method for density configuring of bank of semiconductor memory

Номер патента: US11875045B2. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor memory and method for density configurion of bank of semiconductor memory

Номер патента: US20230012916A1. Автор: Jixing Chen,Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for the microbial production of 8-methyl nonanoic acid

Номер патента: EP3559219A1. Автор: Hui Chen,Xiaodan Yu. Владелец: Conagen Inc. Дата публикации: 2019-10-30.

Method for high rate production of composite laminate structures

Номер патента: US12049048B2. Автор: Max U. Kismarton. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for increasing dairy productivity of cattle

Номер патента: RU2744195C1. Автор: . Владелец: Задорожный Артем Анатольевич. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for inducing endogenous production of tissue plasminogen activator (tpa)

Номер патента: CA1319610C. Автор: David F. Carmichael,David A. Moscatelli,Daniel B. Rifkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-06-29.

Method for determining a matched routing arrangement for semiconductor devices

Номер патента: US20040044977A1. Автор: Michael Lee,Brooklin Gore,Matthew Priest. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Method for large scale production of antibodies using a cell-free protein synthesis system

Номер патента: EP4211156A1. Автор: Gang Yin. Владелец: Sutro Biopharma Inc. Дата публикации: 2023-07-19.

A method for the continuous production of a composition comprising rubber, hydrocarbon resin and solvent

Номер патента: EP1539457B1. Автор: Gianfranco Maris. Владелец: Maris Fratelli SpA. Дата публикации: 2006-08-30.

Method for the continuous production of needled multi-ply materials

Номер патента: US3827112A. Автор: A Betere. Владелец: Fabricas Lucia Antonio Betere SA FLABESA. Дата публикации: 1974-08-06.

Method for the enzymatic production of d-erythrose and acetyl phosphate

Номер патента: CA2947212A1. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2015-12-03.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-3 methylbutyric acid from acetone and acetyl coa

Номер патента: MY159420A. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2017-01-13.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-3-methylbutyric acid from acetone and acetyl-coa

Номер патента: CA2772279C. Автор: Philippe Marliere. Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for the mass production of rotors for electric motors

Номер патента: US5161597A. Автор: L. Ranney Dohogne. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1992-11-10.

Method for the continuous production of aldehydes

Номер патента: US20070004939A1. Автор: Wolfgang Ahlers,Wolfgang Richter,Rocco Paciello,Martin Volland,Thomas Mackewitz,Ansgar Schafer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for the microlithographic production of microstructured components

Номер патента: US10802403B2. Автор: Michael Patra. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-10-13.

Method for the microlithographic production of microstructured components

Номер патента: US20190243248A1. Автор: Michael Patra. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for the continuous production of composite formwork panel elements

Номер патента: US20130333192A1. Автор: Michael Mueller. Владелец: VST Building Tech AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for the electrolytic production of lead

Номер патента: CA1219546A. Автор: Marco V. Ginatta. Владелец: Elettrochimica Marco Ginatta SpA. Дата публикации: 1987-03-24.

Methods for the commercial production of transgenic plants

Номер патента: CA2974319C. Автор: Rene Quadt,Kenneth A. Dallmier,Aron Louis Silverstone. Владелец: SYNGENTA PARTICIPATIONS AG. Дата публикации: 2019-04-30.

Method for large scale production of virus antigen

Номер патента: CA2469644C. Автор: Manfred Reiter,Wolfgang Mundt. Владелец: Baxter Healthcare SA. Дата публикации: 2013-07-23.

Method for increasing the production of hydrocarbon liquids and gases

Номер патента: CA2560851C. Автор: Norman R. Morrow,Zhengxin Tong. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2012-11-27.

Method for the continuous production of a multiaxial contexture web

Номер патента: CA2851567C. Автор: Klaus Szukat,Friedhelm Scholten. Владелец: Fibraforce AG. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for the centrifugal production of metal tubes

Номер патента: US3814168A. Автор: A Royer. Владелец: Pont a Mousson SA. Дата публикации: 1974-06-04.

Method for the combined production of ammonia and urea

Номер патента: CA1238651A. Автор: Walter Schramm,Gerhard Ranke. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 1988-06-28.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: US20230265471A1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Apparatus and method for the electrolytic production of hypochlorous acid

Номер патента: WO2022040813A1. Автор: Ihsen BEN SALAH,Mohamed Laaroussi. Владелец: E2Metrix, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for determining hydrocarbon production of a reservoir

Номер патента: WO2020157535A1. Автор: Pascal HENON. Владелец: TOTAL SA. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: AU2021303704A1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-03-09.

Systems and methods for the targeted production of a therapeutic protein within a target cell

Номер патента: CA2940123C. Автор: Matthew R. Scholz. Владелец: OISIN BIOTECHNOLOGIES. Дата публикации: 2023-10-10.

Apparatus and method for large-scale production of graphene

Номер патента: US20230357017A1. Автор: Marius Andreassen Jakobsen,Vitali Datsyuk. Владелец: CealTech AS. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: EP4179099A1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-05-17.

Plant and method for the continuous production of soap in sheets

Номер патента: EP4341372A1. Автор: Matteo Lena. Владелец: Comas SpA. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: ZA202301312B. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: ZA202301314B. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2023-10-25.

Method for water-efficient production of graphite from paper

Номер патента: US11981572B1. Автор: David Klein. Владелец: Nippon Kornmeyer Carbon Group GmbH. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: EP4077695A1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: AU2020410242A1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for in-vitro production of a cohesive cartilage construct

Номер патента: CA3151216A1. Автор: Oddmund Johannes Johansen. Владелец: Chondro Engineering AS. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: US11999982B2. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-06-04.

Apparatus and method for the electrolytic production of hypochlorous acid

Номер патента: CA3191040A1. Автор: Ihsen BEN SALAH,Mohamed Laaroussi. Владелец: Groupe Oxwell Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatus and method for the electrolytic production of hypochlorous acid

Номер патента: US20230313389A1. Автор: Ihsen BEN SALAH,Mohamed Laaroussi. Владелец: Groupe Oxwell Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatus and method for the electrolytic production of hypochlorous acid

Номер патента: EP4204606A1. Автор: Ihsen BEN SALAH,Mohamed Laaroussi. Владелец: Groupe Oxwell Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Method for water-efficient production of graphite from paper

Номер патента: US20240140806A1. Автор: David Klein. Владелец: Nippon Kornmeyer Carbon Group GmbH. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method for calculating a productivity of an industrial installation

Номер патента: US20170161654A1. Автор: Francesco Montrone. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for in-vitro production of a cohesive cartilage construct

Номер патента: EP4031203A1. Автор: Oddmund Johannes Johansen. Владелец: Chondro Eng AS. Дата публикации: 2022-07-27.

Method for the natural production of formic acid or formate

Номер патента: CA2198432A1. Автор: Patrick Taillade,Pascal Loubiere,Emmanuel Vidor,Nicolas Lindley. Владелец: Lesaffre Developpement. Дата публикации: 1997-08-27.

Method for the continuous production of potassium tert-butoxide

Номер патента: US5053560A. Автор: Hans-Joachim Vahlensieck,Hartwig Rauleder,Rheinhard Matthes. Владелец: Huels AG. Дата публикации: 1991-10-01.

A method for the commercial production of iron

Номер патента: CA2659559C. Автор: Derek Roy Oldnall,Gerard Pretorius. Владелец: Iron Mineral Beneficiation Services Pty Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Method for the simultaneous production of organic acid chlorides and chlorinated unsaturated hydrocarbons

Номер патента: US3899532A. Автор: Jean-Claude Lanet. Владелец: Rhone Progil SA. Дата публикации: 1975-08-12.

Method for promoting the productivity of animals, plants and microorganisms

Номер патента: GB2145317A. Автор: Kazumi Masaki. Владелец: Hayashibara Ken. Дата публикации: 1985-03-27.

Method for reducing the production of water from oil wells

Номер патента: US3939912A. Автор: Derry D. Sparlin,Harry A. Wahl. Владелец: Continental Oil Co. Дата публикации: 1976-02-24.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: EP3728614A1. Автор: Michael Koepke,Rasmus Jensen. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Methods for the rapid production of blocked prepolymers

Номер патента: EP4347679A1. Автор: Andrew Gordon Wright. Владелец: Carbon Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: AU2018393075B2. Автор: Michael Koepke,Rasmus Jensen. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for processing by-product of zinc hydrometallurgical process with reduced carbon emission

Номер патента: AU2023222948B1. Автор: Hyun Lee,Heon Sik CHOI. Владелец: Korea Zinc Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for the generative production of a 3-dimensional component

Номер патента: US10821556B2. Автор: Pierre Foret,Dominik Bauer,Eric HULTSTEIN. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: CA3079761C. Автор: Michael Koepke,Rasmus Jensen. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: ZA202004080B. Автор: Koepke Michael,Jensen Rasmus. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for improving the productivity of grinding plants

Номер патента: CA3100098C. Автор: Helmut Prihoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-12.

Microorganisms and methods for the biological production of ethylene glycol

Номер патента: AU2024201435A1. Автор: Michael Koepke,Rasmus Jensen. Владелец: Lanzatech Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for optimising the production of a cluster of wells

Номер патента: CA2645902A1. Автор: Jan Jozef Maria Briers,Keat-Choon Goh,Charles Edward Moncur,Peter Overschee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

System and method for low-cost production of expanded graphite

Номер патента: US20230406710A1. Автор: Anshul KUMAR SHARMA,Syed SHAJAR ALI IMAM. Владелец: Log 9 Materials Scientific Pvt Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for processing by-product of zinc hydrometallurgical process with reduced carbon emission

Номер патента: CA3211940A1. Автор: Hyun Lee,Heon Sik CHOI. Владелец: Korea Zinc Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-24.

A method for the combined production of at least two target products

Номер патента: EP3941963A1. Автор: Thomas Heitz,Joerg Erbes,Johann Diedrich Brand. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2022-01-26.

Methods for in vitro production of platelets and compositions and uses thereof

Номер патента: EP3277293A1. Автор: Jeffrey Thomas Loh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-07.

Microorganism and method for the improved production of alanine

Номер патента: EP4208574A1. Автор: Céline RAYNAUD,Laurence Dumon-Seignovert. Владелец: Metabolic Explorer SA. Дата публикации: 2023-07-12.

Method for increasing the production of propionate in the gastrointestinal tract

Номер патента: US7091194B1. Автор: Florence Rochat,Daniel Schmid,Alfred Jann,Eva Arrigoni,Anne Bauche. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2006-08-15.

Methods for regulating endogenous production of lactoferrin and sub-peptides thereof

Номер патента: US11891429B2. Автор: Bradley G. Thompson. Владелец: Cellastra Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods For High Yield Production of Terpenes

Номер патента: US20140081058A1. Автор: Yasuhiro Higashi,Xiaohong Feng,Toni Kutchan. Владелец: DONALD DANFORTH PLANT SCIENCE CENTER. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for processing by-product of zinc hydrometallurgical process with reduced carbon emission

Номер патента: US20240218479A1. Автор: Hyun Lee,Heon Sik CHOI. Владелец: Korea Zinc Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Microorganism and method for the improved production of alanine

Номер патента: US20230357808A1. Автор: Céline RAYNAUD,Laurence Dumon-Seignovert. Владелец: Metabolic Explorer SA. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for in-vitro production of a cohesive cartilage construct

Номер патента: AU2020350127A1. Автор: Oddmund Johannes Johansen. Владелец: Chondro Eng AS. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for in-vitro production of a cohesive cartilage construct

Номер патента: AU2020350127B2. Автор: Oddmund Johannes Johansen. Владелец: Chondro Eng AS. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods for recombinant microbial production of bpi-fusion proteins and bpi-derived peptides

Номер патента: CA2249180C. Автор: Marc D. Better. Владелец: Xoma Corp. Дата публикации: 2002-05-14.

Method for the catalytic production of hydrocodone and hydromorphone

Номер патента: CA2545052C. Автор: Peter Xianqi Wang,Carl Ray White. Владелец: Mallinckrodt Inc. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for the continuous production of a multiaxial contexture web

Номер патента: CA2659555C. Автор: Klaus Szukat,Friedhelm Scholten. Владелец: MD Fibertech Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Methods for the recombinant production of antifusogenic peptides

Номер патента: CA2443365C. Автор: Erhard Kopetzki,Stefan Seeber,Christian Schantz,Alexandra Kaczmarek. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2010-01-12.

Method for the continuous production of unsaturated carboxylic acid anhydrides

Номер патента: CA2655820C. Автор: Hermann Siegert,Dirk Broell. Владелец: Evonik Roehm GmbH. Дата публикации: 2014-06-10.

Device and method for separating plant products of admixtures

Номер патента: EP3132669A1. Автор: Julien Vansteenland,Eddy Dezeure,Siel Himpens. Владелец: Dezeure Nv. Дата публикации: 2017-02-22.

A method for the electrolytic production of iron from iron sulphate solutions

Номер патента: GB667528A. Автор: . Владелец: Orkla Grube AS. Дата публикации: 1952-03-05.

Methods for inhibiting the production of slime in aqueous systems

Номер патента: US5611939A. Автор: Roy Hernandez-Mena,Patric L. Friend,Richard J. Sujdak. Владелец: BetzDearborn Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

Method for stimulating the production of immunoglobulin and total complement

Номер патента: US4212857A. Автор: Leslie L. Balassa,John F. Prudden. Владелец: Lescarden Ltd. Дата публикации: 1980-07-15.

Method for producing hydrogenolysis product of polyhydric alcohol

Номер патента: US20110040130A1. Автор: Nobuyoshi Suzuki,Masazumi Tamura. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Systems and methods for the catalytic production of hydrogen from ammonia on-board motor vehicles

Номер патента: US11840449B1. Автор: II James L. Wall. Владелец: First Ammonia Motors Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for the recombinant production of a polypeptide in prokaryotic cells

Номер патента: EP3027777A1. Автор: Christian Schantz. Владелец: F Hoffmann La Roche AG. Дата публикации: 2016-06-08.

System and method for optimizing energy production of a solar farm

Номер патента: WO2023220430A1. Автор: Rachit Gupta. Владелец: Vistra Zero LLC. Дата публикации: 2023-11-16.

Angler kit and method for personalized hand production of fishing lures

Номер патента: US20170181416A1. Автор: Richard Eugene Hunter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-29.

Cultivation systems and methods for large-scale production of cultured food

Номер патента: EP3963052A1. Автор: Didier TOUBIA,Yoav ROTH,Neta LAVON,Moshe Aviv. Владелец: Aleph Farms Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Recombinant host cells and methods for the anaerobic production of L-aspartate and beta-alanine

Номер патента: AU2016353242A1. Автор: Jeffrey Dietrich. Владелец: Lygos Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for inducing dopamine production of dopaminergic cells

Номер патента: US10206966B2. Автор: Chen-Yu LEE,Dueng-Yuan Hueng,Yan-Chih Liao,Kang-Wei Chang,Chuang-Hsin Chiu,Yuan-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-19.

Methods for the improved production of psilocybin and intermediates

Номер патента: AU2022382392A1. Автор: John Andrew Jones,Madeline MCKINNEY. Владелец: MIAMI UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for the microbial production of 8-methyl nonanoic acid

Номер патента: US20190390231A1. Автор: Hui Chen,Xiaodan Yu. Владелец: Conagen Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for the microbial production of specific natural capsaicinoids

Номер патента: US11946083B2. Автор: Hui Chen,Hongxue Wang,Xiaodan Yu,Min Wang,Lanlan ZHOU. Владелец: Conagen Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Pizza crust and a method for making a pizza type product

Номер патента: SE539725C2. Автор: Kjensmo Owe Inger. Владелец: Orkla Foods Norge As. Дата публикации: 2017-11-07.

Pizza crust and a method for making a pizza type product

Номер патента: WO2015044861A1. Автор: Inger Kjensmo Owe. Владелец: Orkla Foods Norge As. Дата публикации: 2015-04-02.

Compositions and methods for production of organic acids

Номер патента: US20190264243A1. Автор: Ian GRAVES,Jeremy Minty,Xiaoxia Nina Lin,Scott A. Scholz. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2019-08-29.

Method for parallel synthesis and transfer of molecules to a substrate

Номер патента: AU2002254994A1. Автор: Andre Bernard,Stefan Dübel. Владелец: LIFEBITS AG. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Process model predictive control system and method for promoting production of anaerobic digestion gas

Номер патента: MY191055A. Автор: Min Soo Kim,Dan Li,Hyun Ook KIM. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2022-05-30.

Method for producing maackiain by using plant cell fermentation

Номер патента: CA3138136A1. Автор: Jiajia Wu,Xianneng Cai,Liangli Lin,Yunting Qiu. Владелец: Hainan Xinopen Source Medical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-04.

Method for producing documents

Номер патента: WO2009110837A2. Автор: Peter Werkander,Thomas Werkander. Владелец: Strömberg Distribution Ab. Дата публикации: 2009-09-11.

Method for producing documents

Номер патента: EP2250616A2. Автор: Peter Werkander,Thomas Werkander. Владелец: Strömberg Distribution Ab. Дата публикации: 2010-11-17.

Method for continuous production of carbon nanotubes

Номер патента: EP4242175A1. Автор: Hee Chung HWANG. Владелец: Korbon Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for continuous production of carbon nanotubes

Номер патента: US20230406707A1. Автор: Hee Chung HWANG. Владелец: Korbon Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for estimating the early failure rate of semiconductor devices

Номер патента: US20060107094A1. Автор: Thomas Anderson,John Carulli. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Method for estimating a convolution product

Номер патента: US20170146626A1. Автор: Laurent LAMALLE. Владелец: UNIVERSITE GRENOBLE ALPES. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and device for the production of lactide

Номер патента: AU2021428925B2. Автор: Jianjun SUI. Владелец: Polywin Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Compositions and methods for improving soil quality

Номер патента: WO2015082884A2. Автор: Marc Redmile-Gordon,Philip Brookes. Владелец: ROTHAMSTED RESEARCH LIMITED. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for the production of glutaconate

Номер патента: WO2010081885A3. Автор: Oskar Zelder,Wolfgang Buckel,Ivana Djurdjevic. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2011-01-13.

Method for the Production of Glutaconate

Номер патента: US20120021472A1. Автор: Oskar Zelder,Wolfgang Buckel,Ivana Djurdjevic. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2012-01-26.

Method for the production of seamless dna vectors

Номер патента: WO2022191779A8. Автор: Peter Droge,Sabrina d/o PETER,Suki ROY. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-13.

System and method for continuous manufacture of molded parts with insert pieces

Номер патента: WO2001021376A1. Автор: Peter D. Huggins. Владелец: Huggins Peter D. Дата публикации: 2001-03-29.

Methods for converting solid polyurethane articles

Номер патента: AU2023243139A1. Автор: Xue Liu,Willie G. Wesley,Patrick Neal HAMILTON. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for converting solid polyurethane articles

Номер патента: WO2023192573A8. Автор: Xue Liu,Willie G. Wesley,Patrick Neal HAMILTON. Владелец: BASF CORPORATION. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for the obtaining cost effective powder

Номер патента: EP3887081A1. Автор: ISAAC Valls Anglés. Владелец: Innomaq 21 SL. Дата публикации: 2021-10-06.

Method for the obtaining cost effective powder

Номер патента: WO2020021122A8. Автор: ISAAC Valls Anglés. Владелец: INNOMAQ 21, S.L.. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for the obtaining cost effective powder

Номер патента: US20230103154A1. Автор: ISAAC Valls Anglés. Владелец: Innomaq 21 SL. Дата публикации: 2023-03-30.

A method for improving stem volume growth and biomass production in trees

Номер патента: EP3090054A1. Автор: Yrjo Helariutta,Kaisa Nieminen,Juha Immanen. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2016-11-09.

Production of isoprenoids

Номер патента: US11725225B2. Автор: Rika Regentin,Hiroko Tsuruta,Jacob R. Lenihan. Владелец: Amyris Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for improving hydrocarbon-water compatibility in a subsurface hydrocarbon-contaminated site

Номер патента: EP2180963A2. Автор: Robert D. Fallon. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2010-05-05.

Compositions and methods for reducing calcification of heart valves

Номер патента: US20210393856A1. Автор: Zain KHALPEY,Raymond RUNYAN. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for crucible-free zone melting of semiconductor crystal rods

Номер патента: US3923468A. Автор: Wolfgang Keller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1975-12-02.

System, and method for calculating product of constant and mixed number power of two

Номер патента: US20050165877A1. Автор: Arun Rao,Sunoj Koshy. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Cells for the production of viruses and methods of using the same

Номер патента: US20220010285A1. Автор: Jia Liu. Владелец: BioVentures LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Cells for the production of viruses and methods of using the same

Номер патента: WO2020106880A1. Автор: Jia Liu. Владелец: BioVentures, LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and system for managing the production of an artificial snowmaking plant

Номер патента: WO2020079546A1. Автор: Walter Rieder. Владелец: Technoalpin Holding S.p.A.. Дата публикации: 2020-04-23.

Method and system for managing the production of an artificial snowmaking plant

Номер патента: EP3867838A1. Автор: Walter Rieder. Владелец: Technoalpin Holding SpA. Дата публикации: 2021-08-25.

Methods for regulating endogenous production of checkpoint molecule antagonists

Номер патента: WO2019104429A1. Автор: Bradley G. Thompson. Владелец: Wyvern Pharmaceutical Inc.. Дата публикации: 2019-06-06.

Optimisation of production of packaging products

Номер патента: RU2573373C2. Автор: Никлас ПЕТТЕРССОН. Владелец: ПЭКСАЙЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-01-20.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040002175A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Methods for producing beta-cyclodextrins

Номер патента: WO2023236204A1. Автор: Eli Groban,Karl HU. Владелец: Beren Therapeutics P.B.C.. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods for producing gamma-cyclodextrins

Номер патента: WO2023238101A2. Автор: Eli Groban,Karl HU. Владелец: Beren Therapeutics P.B.C. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming product of compressible material by molding device

Номер патента: US12059860B2. Автор: Sheng-Nan Lin. Владелец: Kemflo International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method and tubular bag machine for the continuous production of block-bottom bags

Номер патента: US20240351301A1. Автор: Gunter Brueck. Владелец: Rovema GmbH. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for producing gamma-cyclodextrins

Номер патента: WO2023238101A3. Автор: Eli Groban,Karl HU. Владелец: Beren Therapeutics P.B.C. Дата публикации: 2024-01-18.

Production of acetyl-coenzyme a derived isoprenoids

Номер патента: US09914941B2. Автор: Kristy Michelle Hawkins,Adam Leon Meadows,Annie Ening Tsong,Yoseph Tsegaye,Timothy Stevens Gardner. Владелец: Amyris Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Improved method for the production of natural vanillin

Номер патента: WO2024094678A2. Автор: Wolfgang Kroutil,Christian WILLRODT,Elisa LAFRANCHI,Valerio FERRARIO. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-05-10.

Microbiological method for synthesizing cinnamoyl amide derivatives of amino acids

Номер патента: US20120142778A1. Автор: Jean Lorquin. Владелец: Institut de Recherche pour le Developpement IRD. Дата публикации: 2012-06-07.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: WO2021175564A1. Автор: Angus Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen GmbH. Дата публикации: 2021-09-10.

Analyzing an operation of a power semiconductor device

Номер патента: EP3875973A1. Автор: Angus Toby Bryant. Владелец: Maschinenfabrik Reinhausen Gebrueder Scheubeck GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-09-08.

Lipid nanoparticle compositions and methods for mrna delivery

Номер патента: US20230285592A1. Автор: Michael Heartlein,Braydon Charles Guild,Frank DeRosa. Владелец: Translate Bio Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lipid nanoparticle compositions and methods for mrna delivery

Номер патента: US20230285593A1. Автор: Michael Heartlein,Braydon Charles Guild,Frank DeRosa. Владелец: Translate Bio Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods for marking a sintered product and for fabricating magnetic head substrate

Номер патента: US20030007286A1. Автор: Takayuki Morikawa,Shinji Tsujimoto. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Apparatus, system, and method for high speed production of food product

Номер патента: AU2019262774B2. Автор: Alan G. Miller. Владелец: RISCO USA Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device having pda function

Номер патента: US20240242756A1. Автор: Chikara Kondo. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Extracellular production of glycosylated products

Номер патента: US20240294958A1. Автор: Joeri Beauprez,Sofie De Maeseneire,Yatti DE NIJS,Tom DELMULLE. Владелец: Inbiose NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for the continuous production of methoxyamine hydrochloride

Номер патента: AU3160900A. Автор: Horst Hartmann,Michael Keil,Josef Wahl,Frank Heimann,Werner Peschel,Bernd Bartenbach. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2000-10-04.

Method for production of transfected cells

Номер патента: US5824547A. Автор: Ikunoshin Kato,Hideyuki Matsushita,Kimikazu Hashino. Владелец: Takara Shuzo Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for producing colored particles

Номер патента: WO2023139186A1. Автор: Øivind Grue,Jan BØYESEN. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for the automated production of t-shirts

Номер патента: EP2991519A1. Автор: Damiano BONACCHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-09.

Method for producing colored particles

Номер патента: EP4215510A1. Автор: Øivind Grue,Jan BØYESEN. Владелец: Yara International ASA. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for X-raying products

Номер патента: US09869642B2. Автор: Theo Düppre. Владелец: Wipotec GmbH. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for determining excess carrier lifetime in semiconductor devices

Номер патента: US3697873A. Автор: Robert G Mazur. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1972-10-10.

Production of heteromultimeric proteins using mammalian cells

Номер патента: US12030926B2. Автор: Whitney SHATZ,Justin Scheer,Domingos Ng. Владелец: Genentech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for the growth of semiconductor ribbons

Номер патента: EP1743055A1. Автор: Antonio Vallera,Joao Serra,Jorge Maia Alves,Miguel Brito,Roberto Gamboa,João HENRIQUES. Владелец: Universidade de Lisboa. Дата публикации: 2007-01-17.

Machine and method for the automated production of straws

Номер патента: US12090726B2. Автор: Fiorenzo Draghetti. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for the continuous production of proplyene glycol

Номер патента: US20060025637A1. Автор: Peter Rudolf,Hans-Georg Gobbel,Peter Babler,Joaquim Teles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Sialyltransferases for the production of 6'-sialyllactose

Номер патента: WO2021023745A1. Автор: Stefan Jennewein,Dirk Wartenberg. Владелец: JENNEWEIN BIOTECHNOLOGIE GMBH. Дата публикации: 2021-02-11.

Biotechnological production of cannabinoids

Номер патента: CA3106581A1. Автор: Oliver Kayser,Felix-Oliver STEHLE. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DORTMUND. Дата публикации: 2020-01-23.

Machine and method for the automated production of straws

Номер патента: US12103265B2. Автор: Fiorenzo Draghetti. Владелец: IMA Industria Macchine Automatiche SpA. Дата публикации: 2024-10-01.

Fast rf power measurement apparatus for production testing

Номер патента: US20240069140A1. Автор: Anant Verma. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for the continuous production of propylene glycol

Номер патента: US20060216216A1. Автор: Peter Bassler,Peter Rudolf,Hans-Georg Gobbel,Joaquim Teles. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2006-09-28.

Microbial production of coq10

Номер патента: US20060088920A1. Автор: Ghislain Schyns,Markus Huembelin,Rual Lopez-Ulibarri,John Perkkins. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2006-04-27.

MICROBIAL PRODUCTION OF C sb O /sb Q10

Номер патента: EP1594967A1. Автор: John B. Perkins,Ghislain Schyns,Markus Huembelin,Rual Lopez-Ulibarri. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2005-11-16.

Microbial production of coq10

Номер патента: WO2004074487A1. Автор: John B. Perkins,Ghislain Schyns,Markus Huembelin,Rual Lopez-Ulibarri. Владелец: DSM IP ASSETS B.V.. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for making hydrogenation products of ketones of the pyridine and piperidine series

Номер патента: US1980638A. Автор: Scheuing Georg,Winterhalder Ludwig. Владелец: FIRM OF C H BOEHRINGER SOHN. Дата публикации: 1934-11-13.

Method for detecting central position of pellet in semiconductor device

Номер патента: JPS57125307A. Автор: Takashi Kamiharashi. Владелец: Kaijo Denki Co Ltd. Дата публикации: 1982-08-04.

Method for production of ethyl alcohol

Номер патента: US5766895A. Автор: George N. Valkanas,Nicolas P. Valkanas,Apostolos G. Vlyssides,Athanassios G. Theodoropoulos. Владелец: Innoval Management Ltd. Дата публикации: 1998-06-16.

Methods and cells for production of volatile compounds

Номер патента: US20240026391A1. Автор: Alex Toftgaard Nielsen,Ivan Pogrebnyakov. Владелец: Danmarks Tekniskie Universitet. Дата публикации: 2024-01-25.

A method for the continuous production of laminates

Номер патента: PT78324A. Автор: . Владелец: A C I Australia Ltd. Дата публикации: 1984-04-01.

A method for the continuous production of laminates

Номер патента: PT78324B. Автор: . Владелец: A C I Australia Ltd. Дата публикации: 1986-04-30.

Method for the recombinant production of magnetic nanoparticles

Номер патента: EP2197902B1. Автор: Dirk SCHÜLER,André SCHEFFEL. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2014-09-03.

Method for stimulating the production of oil from a producing well

Номер патента: CA999729A. Автор: Leroy W. Holm,Julius P. Gallus. Владелец: Union Oil Company of California. Дата публикации: 1976-11-16.

Method for increasing the productivity of chemical reactors

Номер патента: CA998229A. Автор: John E. Wilkalis,Charles G. Barbaz,Horace Q. Trout. Владелец: Allied Chemical Corp. Дата публикации: 1976-10-12.

Method for increasing the productivity of a formation penetrated by a well

Номер патента: US3131146A. Автор: Edward J Griffith. Владелец: Monsanto Chemicals Ltd. Дата публикации: 1964-04-28.

Method for the selective production of n-methyl-para-anisidine

Номер патента: EP2784056B1. Автор: Alexander Yurievich Frolov,Yuriy Alexandrovich Ivanov,Nikolay Grigorievich Beliakov. Владелец: Ifotop LLC. Дата публикации: 2018-09-12.

Biocompatible container and method for in situ production of functional platelets lacking immunogenicity

Номер патента: ZA858940B. Автор: Richard A Kahn,Glenn E Rodey. Владелец: American Nat Red Cross. Дата публикации: 1986-07-30.

Method for the fermentative production of guanidinoacetic acid

Номер патента: EP4077695B1. Автор: Frank Schneider,Frank Jankowitsch. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for the enzymatic production of 3-hydroxy-3-methylbutyric acid from acetone and acetyl-coa

Номер патента: IL218245A. Автор: . Владелец: Scientist Of Fortune Sa. Дата публикации: 2016-11-30.

Method for the continuous production of methoxyamine hydrochloride

Номер патента: HU225876B1. Автор: Horst Hartmann,Josef Wahl,Michael Dr Keil,Werner Peschel,Frank Dr Heimann,Bernd Bartenbach. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 2007-11-28.

Method for the biotechnological production of l-alaninol

Номер патента: AU4652101A. Автор: Thomas Leisinger,Susana Ivone De Azevedo Wasch,Andreas M. Kiener,Tere Maire,Jan Van Der Ploeg. Владелец: Lonza AG. Дата публикации: 2001-10-08.

Method for in vitro production of hyaline cartilage tissue

Номер патента: EP4013466B1. Автор: Vannary Tieng. Владелец: Vanarix Sa. Дата публикации: 2024-10-16.

Device simulation method for use in numerical analysis of semiconductor devices

Номер патента: KR970071333A. Автор: 이꾸히로 요꼬따. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming element isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100532969B1. Автор: 강명희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-01.

Method for forming copper metal line of semiconductor device

Номер патента: KR20030096828A. Автор: 고상태. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2003-12-31.

Method for forming a contact hole of semiconductor device

Номер патента: KR101102963B1. Автор: 안준규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-01-11.

METHOD FOR THE CONTINUOUS PRODUCTION OF SILANE TERMINATED PRE-POLYMERS

Номер патента: US20120004374A1. Автор: STANJEK Volker,Wewers Wolfgang. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming metal wire layer of semiconductor process

Номер патента: TW499736B. Автор: Matthew Tsai,Yu-Ting Lai,Chong-Shyeng Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-21.

Method for fabricating a coarse surface of semiconductor

Номер патента: TW201228028A. Автор: Zhong-Shan Gao. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-01.

A method for the electrolytic production of a polyvalent metal and equipment for carrying out the method

Номер патента: MW8490A1. Автор: . Владелец: Ginatta Torno Titanium Spa. Дата публикации: 1991-03-13.

Method for the continuous production of medicaments for inhalation

Номер патента: AU2002252987A1. Автор: Bernd Zierenberg,Jörg SCHIEWE. Владелец: Boehringer Ingelheim Pharma GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-11-05.

A method for use inthe production of dentures

Номер патента: AU1694962A. Автор: C. Smith Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-10-31.

Method for calculating fracturing productivity of complex fracture networks in fractured horizontal wells

Номер патента: ZA202200360B. Автор: Qingdong Zeng. Владелец: Univ Shandong Science & Tech. Дата публикации: 2022-05-25.

Method for the continuous production of fiber plates

Номер патента: AU2002338917A1. Автор: Peter Beck. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2002-12-03.

Methods for the industrial production of transparent coatings,easy to be led on glass surfaces

Номер патента: GR57945B. Автор: R Rigopoulos. Владелец: R Rigopoulos. Дата публикации: 1977-07-08.

A new or improved method for the electrolytic production of titanium metal

Номер патента: AU156968B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1952-12-04.

A new or improved method for the electrolytic production of titanium metal

Номер патента: AU1304452A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1952-12-04.

Method for manufacturing curing product of phenolic resin spherical particle

Номер патента: TW200842145A. Автор: Wan-Fa Shen. Владелец: Costech Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Improvement to methods for the continuous production of acetic acid and/or methyl acetate

Номер патента: AU2002327872A1. Автор: Daniel Thiebaut. Владелец: Acetex Chimie SAS. Дата публикации: 2003-05-22.

Method for the continuous production of pure lactams

Номер патента: CA524273A. Автор: Kahr Kurt. Владелец: Inventa AG fuer Forschung und Patentverwertung. Дата публикации: 1956-04-24.

Method for increasing the production of propionatein the gastro-intestinal tract.

Номер патента: HK1035301A1. Автор: Florence Rochat,Daniel Schmid,Alfred Jann,Eva Arrigoni. Владелец: Nestle SA. Дата публикации: 2001-11-23.

Method for the continuous production of salt mixtures

Номер патента: AU2002254948A1. Автор: Hans-Leonhard Ohrem. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2002-10-28.

Method for manufacturing extruded products of plastic resin

Номер патента: JPS56123843A. Автор: Sadao Arai. Владелец: TOYO PLASTIC SEIKOU KK. Дата публикации: 1981-09-29.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006091A. Автор: 박용준,이동덕. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for fabricating device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR980006092A. Автор: 윤수식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

METHOD FOR FORMING A CLEAVED FACET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130217162A1. Автор: HAN Young Hun,Yoo Dong Han. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

METHOD FOR FORMING A CLEAVED FACET OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130217209A1. Автор: HAN Young Hun,Yoo Dong Han. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing inter-element separator of semiconductor device

Номер патента: KR970053405A. Автор: 윤현구,조광행,조성갑. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970072319A. Автор: 정우영,김용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for forming interlayer insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR970053555A. Автор: 조성수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Method for manufacturing gate insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR950007037A. Автор: 권명연. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-03-21.