Method for production of semiconductor devices
Номер патента: US4506434A
Опубликовано: 26-03-1985
Автор(ы): Nobuo Toyokura, Tetsuya Ogawa
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-03-1985
Автор(ы): Nobuo Toyokura, Tetsuya Ogawa
Принадлежит: Fujitsu Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device
Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.