반도체 소자의 소자분리막 형성방법
Номер патента: KR100557533B1
Опубликовано: 03-03-2006
Автор(ы): 최용수
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-03-2006
Автор(ы): 최용수
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Device isolation insulating film formation method of semiconductor device
Номер патента: KR970013198A. Автор: 장세억,송태식. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1997-03-29.