반도체소자의 소자분리절연막 형성방법
Номер патента: KR970003775A
Опубликовано: 28-01-1997
Автор(ы): 김승준, 신기수
Принадлежит: 김주용, 현대전자산업 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-01-1997
Автор(ы): 김승준, 신기수
Принадлежит: 김주용, 현대전자산업 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of forming a semiconductor device
Номер патента: US09953878B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Pei-Yi Lin,Sheng-Wen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.