Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1
Опубликовано: 13-10-2016
Автор(ы): Anton Mauder, Erich Griebl, Hans-Joachim Schulze, Johannes Georg Laven
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with rear-side insert structure

Номер патента: US09997359B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rear-side insert structure

Номер патента: US9640401B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor Device with Insert Structure at a Rear Side and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150236142A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor Device with Insert Structure at a Rear Side and Method of Manufacturing

Номер патента: US20150236142A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Griebl Erich. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor Device and RC-IGBT with Zones Directly Adjoining a Rear Side Electrode

Номер патента: US20150236143A1. Автор: Frank Pfirsch,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method for making electrical contact with a rear side of a semiconductor substrate during its processing

Номер патента: US20010055858A1. Автор: Volker Lehmann,Martin Franosch,Albert Birner,Matthias Goldbach,Jorn Lutzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-27.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rear-Side Insert Structure

Номер патента: US20160300719A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Griebl Erich. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a heterostructure or a stacked semiconductor structure having a silicon-germanium interface

Номер патента: US12027592B2. Автор: Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200212183A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Process for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having improved characteristics

Номер патента: US20220005702A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Alfio Russo,Nicolo' Piluso,Andrea Severino,Leonardo Caudo,Stefania RINALDI Beatrice,AngeloAnnibale MAZZEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of manufacturing electronic device, substrate and semiconductor device

Номер патента: US7829378B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US10825734B2. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20190355622A1. Автор: Volker Dudek. Владелец: 35 Power Electronics GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of making gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US11894443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20220085153A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9245753B2. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150348783A1. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: US20240297043A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190245044A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US11616120B2. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20230207616A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Electronic devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3813125A1. Автор: Hyangsook LEE,Junghwa KIM,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Eunha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-28.

Electronic devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230268385A1. Автор: Hyangsook LEE,Junghwa KIM,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Eunha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a trench

Номер патента: US20050260820A1. Автор: Kouzou Watanabe,Norio Suzuki,Norio Ishitsuka,Kenji Kanamitsu. Владелец: Kenji Kanamitsu. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a trench

Номер патента: US6967141B2. Автор: Kouzou Watanabe,Norio Suzuki,Norio Ishitsuka,Kenji Kanamitsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-22.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a trench

Номер патента: US20050014340A1. Автор: Kouzou Watanabe,Norio Suzuki,Norio Ishitsuka,Kenji Kanamitsu. Владелец: Kenji Kanamitsu. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11876122B2. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with silicon-germanium gate electrode and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20060138518A1. Автор: Akiyoshi Mutou,Hiroshi Ohji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Method and device for filling a rear-side cavity of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240222129A1. Автор: Christian Huber,Jonas Ott,Holger Wuest,Jens Baringshaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Ceramic film and method of manufacturing the same, ferroelectric capacitor, semiconductor device, and other element

Номер патента: US20060051601A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device

Номер патента: US20200013853A1. Автор: Suhwan Kim,Sunmin Moon,Young-Lim Park,Kyuho Cho,Jong-bom Seo,Sangyeol KANG,Joohyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254051A1. Автор: Yukio Tsuzuki,Makoto Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100227472A1. Автор: Takuya Futase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing a double gate transistor

Номер патента: EP2050140A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-22.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8421155B2. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120193717A1. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220293432A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240312923A1. Автор: Jeonggi Jin,Byeongchan KIM,Jumyong Park,Solji Song,Chungsun Lee,Jinho AN,Juil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device with penetration electrodes that protrude from a rear side of a substrate formed by thinning the substrate

Номер патента: US6875672B2. Автор: Masahiro Sunohara,Yoshihiko Nemoto,Tomonori Fujii,Tomotoshi Sato. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-05.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20170236786A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US11798814B2. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20210210360A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US12021034B2. Автор: Jeonggi Jin,Byeongchan KIM,Jumyong Park,Solji Song,Chungsun Lee,Jinho AN,Juil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Redistribution structure for integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11854994B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked image sensor device and method of forming same

Номер патента: US20230197760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting diode having a curved side surface for coupling out light

Номер патента: US5923053A. Автор: HELMUT Fischer,Wolf Jakowetz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-07-13.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of electrochemically processing a substrate

Номер патента: EP4202978A1. Автор: Jean-Pierre Raskin,Gilles SCHEEN,Jonathan RASSON. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2023-06-28.

Apparatus and method of detecting wafer edge using laser scanner, and semiconductor transfer device

Номер патента: US20240063039A1. Автор: Ki Won Han,Sang Oh Kim,Wan Hee JEONG,Chan Young Choi,Hee Jae Byun,Kyo Bong KIM,Chang Rak Baek. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230411457A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor devices with system on chip devices

Номер патента: US11856800B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of electrochemically processing a substrate and integrated circuit device

Номер патента: EP3769335A1. Автор: Jean-Pierre Raskin,Gilles SCHEEN,Jonathan RASSON. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of electrochemically processing a substrate and integrated circuit device

Номер патента: US11538689B2. Автор: Jean-Pierre Raskin,Gilles SCHEEN,Jonathan RASSON. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2022-12-27.

Method of electrochemically processing a substrate and integrated circuit device

Номер патента: WO2019180237A1. Автор: Jean-Pierre Raskin,Gilles SCHEEN,Jonathan RASSON. Владелец: UNIVERSITE CATHOLIQUE DE LOUVAIN. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device having a capacitor

Номер патента: US6638811B2. Автор: Satoru Yamada,Masayuki Suzuki,Masayoshi Saito,Toshihiro Sekiguchi,Yoshitaka Nakamura,Hideo Aoki,Hidekazu Goto,Naoki Fukuda,Yoshitaka Tadaki,Keizo Kawakita,Takuya Fukuda,Isamu Asano,Tsuyoshi Tamaru,Masayoshi Hirasawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-10-28.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20220336289A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Dopant profile control in gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210391220A1. Автор: Chia-Ming Tsai,Chandrashekhar Prakash SAVANT,Tien-Wei YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230040346A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Tzu-Li Lee,Yu-Chia LIANG,Hsiang-Pi Chang,Wen-Chung Liu,Chun-I Wu,Duen-Huei HOU,Chun-Chun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient with monotonic decreasing doping concentration, as well as a corresponding method of manufacturing such a vertical oriented semiconductor device

Номер патента: US20240030315A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: EP2748842A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-02.

A method of making a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate, and a memory cell made thereby

Номер патента: WO2013028358A1. Автор: Zufa Zhang,Yi Zhang,Chunming Wang,Wen-Juei Lu,Baowei Qiao,Shiuh Luen Wang. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US20190109088A1. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: WO2020180910A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-09-10.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor wafer and method for processing a semiconductor wafer

Номер патента: US20240194743A1. Автор: Kristina Vogt,Bernhard Polzinger,Christian Foerster,Jens Buettner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device having a gate electrode of polycrystal layer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5381032A. Автор: Yasuna Nakamura,Katsuhiko Tamura,Kenji Kusakabe,Tohru Koyama,Yoshiko Kokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-10.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor wafer composed of single-crystal silicon and process for producing a semiconductor wafer composed of single-crystal silicon

Номер патента: US20200240039A1. Автор: Timo Mueller,Michael Gehmlich,Andreas Sattler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for manufacturing photovoltaic cells with a rear side polysilicon passivating contact

Номер патента: EP3559999A1. Автор: Lambert Johan Geerligs,Yu Wu,Martijn LENES,Maciej Krzyszto STODOLNY,Martien Koppes. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-30.

Method for manufacturing photovoltaic cells with a rear side polysilicon passivating contact

Номер патента: WO2018117832A1. Автор: Lenes Martijn,Lambert Johan Geerligs,Yu Wu,Maciej Krzyszto STODOLNY,Martien Koppes. Владелец: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing photovoltaic cells with a rear side polysilicon passivating contact

Номер патента: US20200028023A1. Автор: Lambert Johan Geerligs,Yu Wu,Martijn LENES,Martien Koppes,Maciej STODOLNY. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110254095A1. Автор: Yoshiaki Ito,Koichiro Kamata,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-20.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200395478A1. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230307285A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jui-Chien Huang,Cheng-Yin WANG,Sandy Szuya Liao,Wei-Chen Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US10707213B2. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101082719B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: EP4386854A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having an extrinsic base region with a monocrystalline region and method therefor

Номер патента: US20240204086A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101093241B1. Автор: 최재욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-14.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing silicon on insulator substrate

Номер патента: US20170278741A1. Автор: Tetsuya Yamada,Shinjirou Uchida,Masamitsu Fukuda,Hiromichi Kinpara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Double-sided marking of semiconductor wafers and method of using a double-sided marked semiconductor wafer

Номер патента: GB201014264D0. Автор: . Владелец: DOUBLECHECK SEMICONDUCTORS Pte Ltd. Дата публикации: 2010-10-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Centrifuge and method for centrifuging a semiconductor wafer

Номер патента: US20020170576A1. Автор: Roland Brunner,Hans-Joachim Luthe,Franz Sollinger,Georg-Friedrich Hohl,Susanne Bauer-Mayer,Gunther Brunner. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240120207A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Chieh-Ning Feng,Lung-Kai MAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Semiconductor Integrated Circuit Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20090209078A1. Автор: Hideki Yasuoka,Susumu Ishida,Masami Kouketsu,Kazunari Saitou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Conductive feature with non-uniform critical dimension and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935816B2. Автор: Shing-Yih Shih,Jheng-Ting JHONG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278857A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of manufacturing semiconductor element and semiconductor element

Номер патента: US20240178066A1. Автор: Kazuki Yamaguchi,Yoshitaka Sumitomo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

A method of trimming the resistance of a semiconductor resistor device

Номер патента: DE3176458D1. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-10-22.

Method of manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: DE102017201744B4. Автор: Takashi Kanazawa,Kenichi Hamano,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Improvements in or relating to methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB991291A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-05-05.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method of manufacturing patterns for a semiconductor device

Номер патента: KR101094486B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-19.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240234510A9. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor Device with Auxiliary Structure Including Deep Level Dopants

Номер патента: US20160111528A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Josef Niedernostheide,Roman Baburske,Antonio Vellei,Andre Rainer Stegner,Christian Jaege. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Precursor composition, method of manufacturing precursor composition, inkjet coating ink, method of manufacturing ferroelectric film, piezoelectric device, semiconductor device, piezoelectric actuator, inkjet recording head, and inkjet printer

Номер патента: US20060138382A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

SiC MOSFET POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20240136404A1. Автор: Seung Hyun Kim,Hee Bae Lee,Jae Yuhn MOON. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of making a piezoelectric sensor with increased sensitivity and devices having the same

Номер патента: US20230130082A1. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Guofeng Chen,Humberto CAMPANELLA-PINEDA. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20190267252A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Etching stop structure, method of manufacturing the etching stop structure, semiconductor device having the etching stop structure and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100655774B1. Автор: 신원식,박재영,유영섭,임헌형,남석우,장원준,이현덕,임기빈,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Process for etching an insulating layer and forming a semiconductor device

Номер патента: EP1085563A3. Автор: Ganesh Rajagopalan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Method of forming a bump of a semiconductor element

Номер патента: TW328146B. Автор: Yoshihiro Ishida,Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-11.

Phase Changeable Memory Device Having Dielectric Layer for Isolating Contact Structures Formed by Growth, Semiconductor Memory Device Having The Same, And Methods of Manufacturing The Same and The Semiconductor Device

Номер патента: KR101019986B1. Автор: 장헌용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-09.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of storing GaN substrate, stored substrate, and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: TW200805549A. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-01-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5661068A. Автор: Mitsuru Sekiguchi,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa,Yuka Terai,Isao Miyanaga,Shuji Hirao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-08-26.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US9666789B2. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having pinned layer with enhanced thermal endurance

Номер патента: US20150280108A1. Автор: Jeong-Heon Park,Jae-hoon Kim,Ki-Woong Kim,Hee-Ju SHIN,Se-Chung Oh,Woo-Jin Kim,Yun-Jae Lee,Joon-Myoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of forming alignment marks in a semiconductor body

Номер патента: DE3563148D1. Автор: Paul Edmand Cade. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-07.

Method of manufacturing and operating a semiconductor device with piezoelectric stress liner

Номер патента: DE102006062916B3. Автор: Rudolf Stierstorfer,Matthias Hierlemann,Jingyu Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor power component and a method of producing same

Номер патента: US6949439B2. Автор: Robert Plikat,Wolfgang Feiler,Peter Flohrs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285401A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146107A1. Автор: Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120149157A1. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Hemt device and method of making

Номер патента: WO2006031654A2. Автор: Michel E. Aumer,Rowland C. Clarke. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2006-03-23.

A method of manufacturing a trench gated vdmos

Номер патента: EP1145436A3. Автор: Raymond J. E. Hueting,Godefridus A. M. Hurkx,Adam R. Brown. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Photovoltaic device having a semiconductor grade silicon layer formed on a metallurgical grade substrate

Номер патента: US5455430A. Автор: Hiroshi Iwata,Keiichi Sano,Shigeru Noguchi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-03.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method of semiconductor apparatus

Номер патента: US20240096702A1. Автор: Yuta Sugimoto,Kenta Kuroda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210111085A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device, battery management system and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20240030502A1. Автор: Paul Frank,Mark Pavier,Sandra Ebner,Evelyn Napetschnig,Christian Ranacher,Stanislav VITANOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device, battery management system and method of producing a semiconductor device

Номер патента: EP4310891A1. Автор: Paul Frank,Mark Pavier,Sandra Ebner,Evelyn Napetschnig,Christian Ranacher,Stanislav VITANOV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor chips and methods of forming the same

Номер патента: US20120119376A1. Автор: Byung-lyul Park,Kwangjin Moon,Dosun Lee,Deok-Young Jung,Gilheyun CHOI,Dong-Chan Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device

Номер патента: US20100052124A1. Автор: Takeshi Sasaki,Masahiro Shindo. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180157781A1. Автор: PARK Chul-hong,YANG Jae-Seok,KUCHANURI Subhash,RASTOGI Sidharth. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: US7982281B2. Автор: Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-19.

Extremely thin semiconductor-on-insulator (etsoi) integrated circuit with on-chip resistors and method of forming the same

Номер патента: US20120187493A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11664289B2. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200176345A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20140117543A1. Автор: Chan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170032074A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of manufacturing interconnection structure applied to semiconductor device

Номер патента: TW200406871A. Автор: Takashi Yamashita,Hiroki Takewaka,Takeshi Masamitsu. Владелец: Ryoden Semiconductor Syst Eng. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device package mold flow control system and method

Номер патента: US12062625B2. Автор: Hua Tan,Jerry Tang,Hope Chiu,Weiting Jiang,Simon Dong,Kent Yang,Rosy Zhao,Yuequan Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: US20140225280A1. Автор: Shiqun Gu,Brian M. Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Semiconductor device having stacked memory elements and method of stacking memory elements on a semiconductor device

Номер патента: KR101615276B1. Автор: 시쿤 구,브라이언 엠. 헨더슨. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2016-04-25.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor chip having a supporting member, tape substrate, semiconductor package having the semiconductor chip and the tape substrate, and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20030017654A1. Автор: Naofumi Iwamoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor Device and Method for Forming Passive Circuit Elements With Through Silicon Vias to Backside Interconnect Structures

Номер патента: US20130015554A1. Автор: Qing Zhang,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Stacked Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20210242173A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of forming electroconductive domains in integrated monolithic semiconductor devices, and high package density semiconductor device manufactured by said method

Номер патента: DE3366507D1. Автор: Richard Percival,Ernst Uhlmann. Владелец: Lasarray Holding Ag. Дата публикации: 1986-11-06.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a plurality of semiconductor devices and carrier substrate

Номер патента: EP1949433A1. Автор: Greja J. A. M. Verheijden,Ronald Dekker,Cornelis A. H. A. Mutsaers,Carolus J. Van Der Poel,Theodorus M. Michielsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-30.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100564526B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-29.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100577529B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US9640513B2. Автор: JONGHO LEE,Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100947458B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6838320B2. Автор: Takafumi Tokunaga,Makoto Yoshida,Fumio Ootsuka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-04.

Overlapping contacts for semiconductor device

Номер патента: US8940634B2. Автор: Brett H. Engel,Lindsey Hall,Randolph F. Knarr,Steven R. Soss,Jin Z. Wallner,David F. Hilscher. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-01-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Manufacturing method of optoelectronic apparatus, optoelectronic apparatus, manufacturing method semiconductor device, semiconductor device, projection type display apparatus, and electronic machine

Номер патента: TWI226124B. Автор: Masahiro Yasukawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

Power mosfet device, structures employing the same and methods of fabrication

Номер патента: US20020117716A1. Автор: Prabjit Singh,Steven Mazzuca,Frank Bosco,George Galyon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH A REAR SIDE METALLIZATION OF A SEMICONDUCTOR CHIP CONNECTING AN INTERNAL NODE

Номер патента: US20150380348A1. Автор: Hoeglauer Josef,Noebauer Gerhard. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Flexible display and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266440A1. Автор: Sang-Joon SEO,Dong-Un Jin,Hoon-Kee Min,Sung-Guk An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083033A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11989497B2. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Light emission device, method of manufacturing the light emission device, and display device having the light emission device

Номер патента: US20080100196A1. Автор: Sang-jin Lee,Su-Joung Kang. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Method of forming fiber-shaped structure, fiber-shaped structure, and device having the fiber-shaped structure

Номер патента: US20220025551A1. Автор: LEI Wei,Zhe Wang,Zhixun Wang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of Making a Nanogap for Variable Capacitive Elements, and Device having a Nanogap

Номер патента: US20040209435A1. Автор: Thomas Kenny,Markus Lutz,Aaron Partridge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of driving a display element for a portable display device having a cholesteric liquid crystal

Номер патента: EP2290641A1. Автор: Shunji Baba,Fumio Yamagishi,Junji Tomita,Shigeru Hashimoto,Kenzo Nishide,Masaki Nose,Yoshiyasu Sugimura,Yoshikazu Yabe,Tomohisa Shingai,Takahiro Hirano,Futoshi Kisuno. Владелец: Fujitsu Frontech Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

Method of bonding a metal connection to an electrode including a core having a fiber or foam-type structure for an electrochemical cell, and a resulting electrode

Номер патента: US5558681A. Автор: Roelof Verhoog,Claude Precigout,Marie-Th er ese Loustau. Владелец: SAFT Societe des Accumulateurs Fixes et de Traction SA. Дата публикации: 1996-09-24.

Component having a reflector and method of producing components

Номер патента: US20190165225A1. Автор: Alexander Linkov,Michael Kühnelt. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-30.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US11177233B2. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-16.

Solder pads of variable thickness in an optoelectronic semiconductor chip, on a connection substrate for mounting a semiconductor chip, method of producing an optoelectronic component, and optoelectronic component having the solder pads

Номер патента: US20210057369A1. Автор: Christian Leirer,Martin Rudolf Behringer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Solar module with optimized interconnection and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363780A1. Автор: Susanne Blankemeyer,Henning Schulte-Huxel,Marc Köntges,Thomas Daschinger. Владелец: Institut fuer Solarenergieforschung GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component

Номер патента: US20210005786A1. Автор: Wolfgang Schmid,Petrus Sundgren. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-01-07.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor light detection device and method of detecting light of specific wavelength

Номер патента: US20190103502A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Light-emitting element package and lighting device having same

Номер патента: US20240313188A1. Автор: Young Jae Choi,Moon Ryong PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230393092A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Wei Lee,Kuan-Lun Cheng,Ke-Wei Su,Pei-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor package having a solder wetting structure

Номер патента: US20240250056A1. Автор: Subaramaniym Senivasan,Mohd Afiz Hashim,Varun PARTHASARATHY,Zhi Yuan Goh,Azmil Abdullah,Kah Wai Lau,Ahmad Zulkarnain Samsudin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20050236676A1. Автор: Tohru Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Chemical bath deposition apparatus, method of forming buffer layer and method of manufacturing photoelectric conversion device

Номер патента: US20140186988A1. Автор: Hiroshi Arai,Tetsuo Kawano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

A dual junction solar cell with light management features for space use, a photovoltaic assembly for space use including a dual junction solar cell, a satellite including the photovoltaic assembly and a method for manufacturing a dual junction solar cell for space use

Номер патента: EP4224537A1. Автор: Claus Zimmermann. Владелец: Airbus Defence and Space GmbH. Дата публикации: 2023-08-09.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Optoelectronic component and method of producing same

Номер патента: US20170200875A1. Автор: Abdul Manaf Shahrol Izzanni,David John Lacey. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing photo detector

Номер патента: US20240063249A1. Автор: Takeshi Okada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US7470590B2. Автор: Werner Juengling,Kunal R. Parekh,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20060231528A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050255701A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

METHODS OF DESIGNING A LAYOUT OF A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180173836A1. Автор: Baek Sanghoon,Lim Jinyoung,DO Jung-ho,SONG TAEJOONG,YANG GIYOUNG,CHO SUNGWE. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Light-emitting element package and lighting device having same

Номер патента: EP4300607A1. Автор: Moo Ryong Park,Young Jae Choi. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Solar cell systems and methods of making the same

Номер патента: US20230238470A1. Автор: Christopher Dwight Barnes. Владелец: Taka Solar Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Solar cell systems and methods of making the same

Номер патента: US20230402234A1. Автор: Christopher Dwight Barnes. Владелец: Taka Solar Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Solar cell systems and methods of making the same

Номер патента: US11776764B2. Автор: Christopher Dwight Barnes. Владелец: Taka Solar Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200098717A1. Автор: Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Capacitive element, method of manufacture of the same, and semiconductor device

Номер патента: US8264063B2. Автор: Kazuaki Kurihara,John David Baniecki,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Method of manufacturing electronic apparatus

Номер патента: US20180012861A1. Автор: Sang Seok Lee,Jae Bon Koo,Soon Won Jung,Chan Woo Park,Bock Soon Na,Ji-Young Oh,Keunsoo Lee,Joo Yeon Kim,Chi-Sun Hwang,Nae-Man Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-01-11.

Substrate for oled, method of fabricating the same and organic light-emitting device having the same

Номер патента: US20140141958A1. Автор: Jaeho Lee,Jhee-Mann Kim,Seong-Sik PARK,Eun Young Cho,Kiyeon Lee,Joosok Kim,Myeongjin Ahn. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Fan-out semiconductor device

Номер патента: US20180350747A1. Автор: Ki Jung SUNG,Jun Oh Hwang,Kwang Yun KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1061582A3. Автор: Yasuhiro Uemoto,Keisaku Nakao,Atsushi Noma. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-19.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038868A1. Автор: Ryota Miwa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatuses including electrodes having a conductive barrier material and methods of forming same

Номер патента: US20140239245A1. Автор: Andrea Gotti,Swapnil A. Lengade,John M. Meldrim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED MEMORY ELEMENTS AND METHOD OF STACKING MEMORY ELEMENTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150102509A1. Автор: Gu Shiqun,Henderson Brian M.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Display screen assembly and display device having the same

Номер патента: US10314181B2. Автор: Yu Zhao,Jianzhou Gou,Xuechao Sun. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US20200135821A1. Автор: Hae Kwan Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Display screen assembly and display device having the same

Номер патента: US20170202098A1. Автор: Yu Zhao,Jianzhou Gou,Xuechao Sun. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Display screen assembly and display device having the same

Номер патента: CA2939500A1. Автор: Yu Zhao,Jianzhou Gou,Xuechao Sun. Владелец: Leyard Optoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-12.

Process for manufacturing a solar cell string, solar cell string, processing device for a solar cell string, and use of such a processing device for manufacturing a solar cell string

Номер патента: US20240178332A1. Автор: Andreas Brand,Jan Nekarda,Jan Tobias PASCHEN. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-05-30.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of designing layouts of semiconductor devices

Номер патента: US20210064807A1. Автор: Jin Kim,Jaehwan Kim,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20170250135A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20200286826A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Rear side layer system for thin-film solar modules, thin-film solar module, and method for producing a rear side layer system

Номер патента: EP2494609A2. Автор: Christian Koitzsch,Andre Hedler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-09-05.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US5304844A. Автор: Hiromichi Suzuki,Kanji Otsuka,Hajime Hasebe,Osamu Horiuchi,Takayuki Okinaga,Gen Murakami,Takashi Emata,Yuuji Shirai. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method of detecting a defect in a simiconductor device

Номер патента: US20060019419A1. Автор: Sang-oh Park,Hyun-Beom Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having a memory cell portion and a logic portion

Номер патента: US5608241A. Автор: Osamu Matsumoto,Masayuki Yoshida,Sachiko Shibuya,Nobuyoshi Chida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device interconnect

Номер патента: WO2002093648A2. Автор: Anthony Stamper,Edward Cooney, III. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230309296A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

METHODS OF MANUFACTURING OPTICAL SHEETS, ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICES HAVING OPTICAL SHEETS AND METHODS OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICES HAVING OPTICAL SHEETS

Номер патента: US20130299785A1. Автор: Baek Jong-In,KIM Ki-Seo,Mok Rang-Kyun. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of manufacturing capacitors of a semiconductor device

Номер патента: DE19607351A1. Автор: Young Jin Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-29.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110136272A1. Автор: Akio Hasebe,Hideyuki Matsumoto,Masayoshi Okamoto,Akira Yabushita,Yoshiaki Hasegawa,Yasunori Narizuka,Ryuji Shibata,Toshiyuki Majima,Yasuhiro Motoyama,Shingo Yorisaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Method of manufacturing substrates having asymmetric buildup layers

Номер патента: US20110225813A1. Автор: Andrew Leung,Liane Martinez,Yip Seng Low,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2011-09-22.

A method of manufacturing substrates having asymmetric buildup layers

Номер патента: EP2460393A1. Автор: Andrew Leung,Liane Martinez,Yip Seng Low,Roden Topacio. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2012-06-06.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230098143A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Zhi Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100483203B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-14.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100889555B1. Автор: 곽성호. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2009-03-23.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR100568419B1. Автор: 최경근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns

Номер патента: US5700732A. Автор: Mark E. Jost,David J. Hansen,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of manufacturing and testing a semiconductor device

Номер патента: US6972202B2. Автор: Kunio Kobayashi,Ryouji Nishihashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

A cavity slotted-waveguide antenna array and a method of manufacturing a cavity slotted-waveguide antenna array

Номер патента: EP4376219A3. Автор: Siete Hamminga,Rob VAN DER MEER. Владелец: ROBIN RADAR FACILITIES BV. Дата публикации: 2024-10-23.

Winding-type electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100073850A1. Автор: Kazumasa Fujimoto. Владелец: Saga Sanyo Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

A cavity slotted-waveguide antenna array, a method of manufacturing a cavity slotted-waveguide antenna array, and a radar antenna module comprising cavity slotted-waveguide antenna arrays

Номер патента: WO2018086998A1. Автор: Siete Hamminga,Rob VAN DER MEER. Владелец: ROBIN RADAR FACILITIES BV. Дата публикации: 2018-05-17.

A cavity slotted-waveguide antenna array and a method of manufacturing a cavity slotted-waveguide antenna array

Номер патента: EP4376219A2. Автор: Siete Hamminga,Rob VAN DER MEER. Владелец: ROBIN RADAR FACILITIES BV. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Display device, tiling display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11793046B2. Автор: Youngho Kim,Hanseok Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing a cap for accommodating a laser diode, a cap, and a light source device

Номер патента: US20230170665A1. Автор: Yoshihiro Kimura,Tadaaki Miyata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of manufacturing a low-pressure mercury vapor discharge lamp and low-pressure mercury vapor discharge lamp manufactured by this method

Номер патента: US4545774A. Автор: Wilhelmus M. J. Van Gils,Adrianus J. T. Mollet,Johannes A. M. Ridders. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1985-10-08.

Color cathode ray tube and method for manufacturing a shadow mask for a color cathode ray tube

Номер патента: US20010020815A1. Автор: Katsumi Mitsuda,Hiroo Terada. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Locomotive positive power bus contactor method of assembly

Номер патента: US20150082630A1. Автор: John Franklin KRAL,Sidarta Fornari BELTRAMIN. Владелец: Progress Rail Services Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Locomotive positive power bus contactor method of assembly

Номер патента: US20130167753A1. Автор: John Franklin KRAL,Sidarta Fornari BELTRAMIN. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of fabricating field emission array type light emitting unit

Номер патента: US20080102547A1. Автор: Ho-Suk Kang,Sun-Il Kim,Deuk-seok Chung,Jun-hee Choi,Chan-Wook Baik,Shang-hyeun Park,Byong-Gwon Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

A method of manufacturing an active optical fibre and the active optical fibre

Номер патента: EP3339261A8. Автор: Ryszard Buczynski,Dariusz Pysz,Ryszard Stepien,Rafał Kasztelanic,Mariusz Klimczak,Marcin Franczyk. Владелец: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych. Дата публикации: 2018-08-29.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Control devices having independently suspended buttons for controlled actuation

Номер патента: US20240222046A1. Автор: James Harrison,Stephen Phillips,Nikhil Vithal Bhate,Rich DESTREMPS,Jason Edward JENNINGS,Eric Jonathan Mace. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Plasma display device including a chassis member having a plurality of divided base metal plates

Номер патента: US7768202B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Minoru Kobayashi,Keiji Uchida,Tomio Shiota. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-03.

Control devices having independently suspended buttons for controlled actuation

Номер патента: US11935709B2. Автор: James Harrison,Stephen Phillips,Nikhil Vithal Bhate,Rich DESTREMPS,Jason Edward JENNINGS,Eric Jonathan Mace. Владелец: Lutron Technology Co LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Connector-mount having a locking piece to secure a connector to a bracket

Номер патента: US8235743B2. Автор: Ryuichi Fujisaki. Владелец: Sumitomo Wiring Systems Ltd. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of making a composite article including a body having a decorative metal plate attached thereto

Номер патента: US4604786A. Автор: Robert K. Howie, Jr.. Владелец: Grigoleit Co. Дата публикации: 1986-08-12.

Manufacturing method of a transparent conductive film, a manufacturing method of a transparent electrode of an organic electroluminescence device, an organic electroluminescence device and the manufacturing method

Номер патента: US20070231939A1. Автор: Yutaka Kuriya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Improvements in or relating to methods of manufacturing frame grids for use in electron tubes

Номер патента: GB969313A. Автор: . Владелец: Philips Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1964-09-09.

Amplifier remote controllable at a front and a rear side

Номер патента: US20080279396A1. Автор: Te-Wei Kung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of designing a printed circuit board, and package test device having the printed circuit board

Номер патента: US20110004861A1. Автор: Jae-hoon Jeong,Chang-woo Ko,Ki-Jae Song,Hun-Kyo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Mobile phone comprising an audio system having a rear-side secondary opening

Номер патента: US20210044688A1. Автор: Ferruccio Bottoni,Andrea Rusconi Clerici Beltrami. Владелец: USound GmbH. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of driving a display panel that includes a first display region having a first resolution and a second display region being adjacent to the first display region and having a second resolution higher than the first resolution

Номер патента: US11929004B2. Автор: Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of striking and maintenance of an electric arc in a medium having a great dielectric strength

Номер патента: GB389946A. Автор: . Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1933-03-30.

Method of reinforcing a hollow part which is formed in an earth and sand ground at a rear side of retaining wall

Номер патента: WO2006088309A1. Автор: Jeong Hun Choi,Kyeong Sik Choi. Владелец: In Co, Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: AU2023202248B2. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: CA3219398A1. Автор: Markus Müller,Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2024-05-21.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: CA3195808A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: AU2023202248A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-26.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: CA3195804A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: AU2023202249A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-26.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: AU2023202249B2. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2024-07-18.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: US20240165695A1. Автор: Markus Müller,Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of mounting components on a plurality of abutted circuit board

Номер патента: US20030075589A1. Автор: Szu-Hsiung Ko. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of manufacturing a concrete element

Номер патента: CA3075596A1. Автор: Isabelle Dubois-Brugger,Gerard Molines,Laurent Meunier,Matthieu Horgnies,Fabienne LEGRAND. Владелец: Holcim Technology Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Photovoltaic panel with integrated functional component for installation on a building and method of manufacturing a photovoltaic panel

Номер патента: EP4350982A1. Автор: Laurin Hahn. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2024-04-10.

Photovoltaic panel with integrated functional component for installation on a building and method of manufacturing a photovoltaic panel

Номер патента: WO2024074650A1. Автор: Laurin Hahn. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Organic electroluminescent element, method of manufacturing a substrate having a prism structure and an organic electroluminescent element using the substrate having a prism structure

Номер патента: US20060043880A1. Автор: Shun-ichi Ishikawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341027A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Micro-oscillator, method of manufacturing micro-oscillator, and apparatus for processing micro-oscillator

Номер патента: US12121996B2. Автор: Yuji Ito,Yuuki Inagaki,Yuki Ichihashi. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Magnetic sensor and torque sensing device having the same

Номер патента: US11808648B2. Автор: Ken Tanaka,Toshiro Suzuki,Shigetoshi Fukaya. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Display device having a support plate

Номер патента: US11812655B2. Автор: Kyu Young Kim,Yong Kwan Kim,Hyun Jun Cho,Han Sun Ryou,Yong Hyuck Lee,Soh Ra Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Component having a micro-mechanical microphone structure and method for producing the component

Номер патента: US20120189152A1. Автор: Jochen Reinmuth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Vehicle and method of controlling the same

Номер патента: US20230406101A1. Автор: Hyunsang Kim,Yun Sup ANN. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Display device having integrated, optically operating proximity sensor system

Номер патента: US11953770B2. Автор: Rüdiger Schmidt,Jeah-Sheng Wu,Tobias Schwab,Alberto SÁNCHEZ CASTILLO,Willem HOFMAN. Владелец: Behr Hella Thermocontrol GmbH. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20220038536A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20210211497A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: EP3846415A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11146636B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11765229B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Brackets and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: US20230228347A1. Автор: Dale Harrison,Thomas Wouters,Chris Willette. Владелец: Diversitech Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Brackets and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: CA3187207A1. Автор: Dale Harrison,Thomas Wouters,Chris Willette. Владелец: Diversitech Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Brackets and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: US12078271B2. Автор: Dale Harrison,Thomas Wouters,Chris Willette. Владелец: Diversitech Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Display device and control method of display device

Номер патента: US11895790B2. Автор: Jangyeol Yoon,Byeonghee Won,Jungtae Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Display device and control method of display device

Номер патента: US20220346247A1. Автор: Jangyeol Yoon,Byeonghee Won,Jungtae Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Display device and control method of display device

Номер патента: US20240188237A1. Автор: Jangyeol Yoon,Byeonghee Won,Jungtae Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of designing a piezoelectric component

Номер патента: US6543108B1. Автор: Yasuhiro Itasaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Scanner and method of using the scanner during a stain assessment

Номер патента: EP4143621A1. Автор: David Brettle,Darren Treanor. Владелец: Leeds Teaching Hospitals NHS Trust. Дата публикации: 2023-03-08.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160320789A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US20160011620A1. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US9417647B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of accessing a fingerprint recognition process

Номер патента: PH12019000336A1. Автор: Chandra LUIS,Corporation Innolux. Владелец: Corporation Innolux. Дата публикации: 2020-03-23.

Unit cell structure, method of manufacturing the same, non-volatile semiconductor device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile semiconductor device

Номер патента: US20070018219A1. Автор: Sung-Ho Park,Jung-hyun Lee,Han-jin Lim,Kyu-Ho Cho,Jin-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Attachment arrangement for attaching a luminous diode to a rear side of a printed circuit board illuminated from behind has a casing carcass linked to the circuit board, front sides and a rear wall

Номер патента: DE102005018282A1. Автор: Werner Kallee. Владелец: Wuerth Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-10-19.

Camera head, connecting method of camera head and endoscope apparatus

Номер патента: US20150358519A1. Автор: Takatoshi Kamei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

System and method of dissipating heat from an information handling system

Номер патента: US20240098942A1. Автор: Qinghong He,Allen B. McKittrick. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic device and method of producing the same

Номер патента: US20170223855A1. Автор: Keisuke Nakayama,Yuji Kodama,Satoshi Waga,Ryosuke Suzuki,Hisanao Takahara. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Methods of manufacturing optical sheets, organic light emitting display devices having optical sheets, and methods of manufacturing organic light emitting display devices having optical sheets

Номер патента: CN103390729A. Автор: 白种仁,金基栖,睦朗均. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-13.

Method for manufacturing a DRAM with reduced cell area

Номер патента: US5677223A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument

Номер патента: US6720236B2. Автор: Shinichi Yotsuya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method of electronic device using the same

Номер патента: US20150365049A1. Автор: Takashi Nakamura,Susumu Abe,Osamu Ozawa,Masaaki Tanimura,Soshiro NISHIOKA,Kazuya Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Deposition mask, method of manufacturing the same, and method of manufacturing display panel

Номер патента: US11950489B2. Автор: Sangha Park,Jaemin Hong,Hwi Kim,Eunbee Jo,Jeongkuk Kim,Kyu Hwan Hwang,Areum Lee,Da-Hee Jeong,Kanghyun Nam,Seungmin Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Liquid crystal display substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US7298436B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Katsunori Misaki,Seiji Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of laying a channel in the incinerator and a device having such a channel

Номер патента: RU2647752C2. Автор: Йоханнес МАРТИН,Торальф ВЕБЕР. Владелец: Мартин ГмбХ Фюр Умвельт-Унд Энергитехник. Дата публикации: 2018-03-19.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of operating sound recognition device identifying speaker and electronic device having the same

Номер патента: US20240203446A1. Автор: Seung Eun CHUNG,Jeong Muk LIM,Kyoung Ju NOH,Hyun Tae JEONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-20.

Gas turbine combustor with fuel nozzles shaped with a diameter decreasing and increasing toward a rear side thereof

Номер патента: US11846427B2. Автор: Eun Seong Cho,Young Jun Shin. Владелец: Doosan Enerbility Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Electronic paper panel and method of manufacturing the same and electronic paper display device having the same

Номер патента: GB201002048D0. Автор: . Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

Consumable product for an aerosol generating device and methods of filling and manufacturing a consumable product for an aerosol generating device

Номер патента: US12016367B2. Автор: Yves Jordil,Rui Nuno BATISTA,Clément BESSO,Dorothy Tritz,Nazan Gunduz,Joanne VENOUIL. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Methods of manufacturing alignment substrate and liquid crystal display device having the alignment substrate

Номер патента: US20110221098A1. Автор: Kee-han Uh,Won-Sang Park,Sin-Doo Lee,Yeun-Tae Kim,Jun-Hee NA,Kyung-Mo KOO. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: US20230315931A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of designing and manufacturing a hydraulic valve block based on selective laser melting

Номер патента: US20220250156A1. Автор: Pengfei Chen,Bing He,Yajie Liu. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of fabricating color filter substrate for liquid crystal display device having patterned spacers

Номер патента: US20050243266A1. Автор: Sang-Chul Ryu. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for manufacturing a cerium-doped lutetium oxyorthosilicate scintillator boule having a graded decay time

Номер патента: US20010008116A1. Автор: Michael Casey,Ronald Nutt,Charles Melcher. Владелец: CTI Inc A Corp OF TENNESSEE. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of producing valve metal electrode with valve metal oxide semiconductive coating having a chlorine discharge catalyst in said coating

Номер патента: US3846273A. Автор: G Bianchi,A Nidola,V Nora,P Gallone. Владелец: Electronor Corp. Дата публикации: 1974-11-05.

Method of generating sealing steam for a steam turbine, steam power plant having a steam turbine and method of starting up a steam turbine.

Номер патента: MY129600A. Автор: Neubert Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-04-30.

Master disk for magnetic transfer, a method of drawing a magnetic transfer pattern, and a magnetic recording medium having a transferred magnetic transfer pattern

Номер патента: US20110096429A1. Автор: Hiroto Kikuchi. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Process and arrangement for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: WO2024091174A1. Автор: Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-05-02.

Process for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: US20240253295A1. Автор: Per Nygren,Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-08-01.

Process and arrangement for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: US20230417063A1. Автор: Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2023-12-28.

Positive Displacement Pump With Improved Sealing Arrangement and Related Method of Making

Номер патента: US20140065002A1. Автор: Bob Garner,James G. Rankel. Владелец: AMPCO PUMPS CO. Дата публикации: 2014-03-06.

Building surface panels with foam backing and method of manufacture

Номер патента: US20240141654A1. Автор: David J. Stucky,Eishaan Gakhar,Jay M. Tudor,Ashley A. Schultz,Dev B. Barpanda. Владелец: Certainteed LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Impact resistant door skin, door including the same, and method of manufacturing an impact resistant door skin from a pre-formed door skin

Номер патента: US20150038032A1. Автор: James Pfau,James Bryant,Stephen Hart. Владелец: Masonite Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Method of manufacturing heat radiating fin

Номер патента: US8161646B2. Автор: Kuo-Sheng Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-24.

Screen, projection system, and method of manufacturing the screen

Номер патента: US20090225417A1. Автор: Koichi Akiyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatuses for manufacturing glass and methods of managing pulling forces applied to glass ribbon

Номер патента: WO2014051993A1. Автор: Gautam Narendra Kudva,Michael Yoshiya Nishimoto,Chris Scott KOGGE. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-03.

Lighting device, interior trim assembly including the lighting device and method of manufacturing a trim assembly

Номер патента: US20240336190A1. Автор: Carter Scott Cannon,Robert GORFER. Владелец: International Automotive Components Group North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Device with backlit colored display and method of manufacture

Номер патента: US20240262126A1. Автор: Jianqiao Yang,Chulong Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-08.

A toilet brush washing system and a method of installing a toilet brush washing system

Номер патента: EP4391881A1. Автор: Claus Dyre Nielsen. Владелец: Dyre+co Aps. Дата публикации: 2024-07-03.

Wearable assistance devices and methods of operation

Номер патента: EP4431759A2. Автор: Erik LAMERS,Karl ZELIK,Matthew YANDELL,Dustin HOWSER. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-18.

Liquid injection head, method of manufacturing liquid injection head, and liquid injection device

Номер патента: US20160318302A1. Автор: Yuzuru Kubota. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2016-11-03.

Replacement unit for electrophotographic imaging device having positioning elements for electrical contacts

Номер патента: RU2683819C1. Автор: Джереми Кит ПЭЙН,Эдвард Линн ТРИПЛЕТТ. Владелец: Лексмарк Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2019-04-02.

Catcher's mitt and related methods of use

Номер патента: US20190366192A1. Автор: Joseph Douglas Lopez,Jason Ryan Jett. Владелец: Wetsu Sports LLC. Дата публикации: 2019-12-05.

Piston, cartridge and method of venting a cartridge

Номер патента: US12070768B2. Автор: Philipp Seiler,Manfred Obrist,Renato BRUNNER. Владелец: Medmix Switzerland AG. Дата публикации: 2024-08-27.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Personal case system with interchangeable touchless tool feature and method of its use

Номер патента: WO2021262793A1. Автор: Christopher Edward BARES,Lauren Elizabeth DAVIS. Владелец: Davis Lauren Elizabeth. Дата публикации: 2021-12-30.

Personal case system with interchangeable touchless tool feature and method of its use

Номер патента: US12030172B2. Автор: Christopher Edward BARES,Lauren Elizabeth DAVIS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Piston, cartridge and method of venting a cartridge

Номер патента: EP3700681A1. Автор: Philipp Seiler,Manfred Obrist,Renato BRUNNER. Владелец: Sulzer Mixpac AG. Дата публикации: 2020-09-02.

A method of assembling wall or floor elements

Номер патента: WO2002057556A1. Автор: Henning Larsen. Владелец: TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK. Дата публикации: 2002-07-25.

Brush article and method of its production

Номер патента: RU2740026C2. Автор: Мартин ЦВИМПФЕР,Рето ШТРЕХЛЕР,Йост ЛЁТШЕР,Оскар ТРЕВИЗАН. Владелец: Триза Холдинг Аг. Дата публикации: 2020-12-30.

Radiological image detection apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130284933A1. Автор: Yasuhisa Kaneko,Kei Miura,Haruyasu Nakatsugawa,Makoto Kitada,Keiichirou SATO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Retaining wall system, method of supporting same, and kit for use in constructing same

Номер патента: CA2925768C. Автор: Robert Gordon McIntosh,Brent Lester Paul Loates,Calum James Buchan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-05.

Piston, cartridge and method of venting a cartridge

Номер патента: US20200306778A1. Автор: Philipp Seiler,Manfred Obrist,Renato BRUNNER. Владелец: Sulzer Mixpac AG. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing a screw connector

Номер патента: US6001294A. Автор: Masayuki Yamamoto,Shigemitsu Inaba. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Method of playing amusement game in a traveling vehicle

Номер патента: US20010016464A1. Автор: Alan Hochfeld. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Plastic article with faux stitching and method of forming same

Номер патента: US20240227651A1. Автор: Michael Vogler,Robert Price. Владелец: THERMOFLEX CORP. Дата публикации: 2024-07-11.

Plastic article with faux stitching and method of forming same

Номер патента: WO2024151796A1. Автор: Michael Vogler,Robert Price. Владелец: Thermoflex Corp.. Дата публикации: 2024-07-18.

Self sticking bibs and method of making

Номер патента: EP2088878A2. Автор: Frank Friedland,Michael B. Chasan. Владелец: Napkleen LLC. Дата публикации: 2009-08-19.

Self sticking bibs and method of making

Номер патента: IL198842A0. Автор: . Владелец: Friedland Frank. Дата публикации: 2010-02-17.

Self sticking bibs and method of making

Номер патента: WO2008064196A2. Автор: Frank Friedland,Michael B. Chasan. Владелец: Napkleen LLC. Дата публикации: 2008-05-29.

Image forming device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080013115A1. Автор: Takashi Nakano. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 2008-01-17.

Method of Manufacturing Pneumatic Tire

Номер патента: US20150321433A1. Автор: Hideki Seto. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Segmented wall systems having tail blocks and methods of manufacturing

Номер патента: CA3231739A1. Автор: Robert John Lundell. Владелец: KEYSTONE RETAINING WALL SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Segmented wall systems having tail blocks and methods of manufacturing

Номер патента: AU2022345187A1. Автор: Robert John Lundell. Владелец: KEYSTONE RETAINING WALL SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: EP4017428A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-06-29.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: WO2021032227A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing pipe packing

Номер патента: US20240271726A1. Автор: Kuk Jin Kim. Владелец: Hi-Sten Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Appratus for and method of transferring vehicle communication content

Номер патента: US20230166753A1. Автор: Seung Woo BAEK,Ban Suk CHOI,Jun Hyuk CHA,Hyoung Jin CHOI. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Image forming apparatus, control method of the same, recording medium for the same, and image forming system

Номер патента: US20100226680A1. Автор: Tatsuo Yoshikawa. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Building surface panels with aged foam backing and method of manufacture

Номер патента: US20240110386A1. Автор: David J. Stucky,Eishaan Gakhar,Jay M. Tudor,Ashley A. Schultz,Dev B. Barpanda. Владелец: Certainteed LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Composite footwear upper and method of manufacturing a composite footwear upper

Номер патента: WO2000051458A9. Автор: Edward J Norton,Zenon O Smotrycz. Владелец: Zenon O Smotrycz. Дата публикации: 2002-01-31.

Methods of Repositioning a Transcatheter Heart Valve After Full Deployment

Номер патента: US20140249564A1. Автор: Aaron J. Chalekian,Jacob John Daly. Владелец: St Jude Medical Cardiology Division Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Pressure sensor and manufacturing method of pressure sensor

Номер патента: US20030213308A1. Автор: Koichi Kusuyama,Masao Tsukada. Владелец: Hitachi Unisia Automotive Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Hoof shoe and method for manufacturing a hoof shoe

Номер патента: US20240081312A1. Автор: Mia Guldhov. Владелец: Guldhov International AB. Дата публикации: 2024-03-14.

Liquid crystal display device using dual light unit and method of fabricating the same

Номер патента: US7391485B2. Автор: Hoon Kang,Kyeong Jin Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-24.

Hoof shoe and method for manufacturing a hoof shoe

Номер патента: EP4294182A1. Автор: Mia Guldhov. Владелец: Guldhov International AB. Дата публикации: 2023-12-27.

Wearable assistance devices and methods of operation

Номер патента: US20240016647A1. Автор: Erik LAMERS,Karl ZELIK,Matthew YANDELL,Dustin HOWSER. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Wearable assistance devices and methods of operation

Номер патента: EP3571018A1. Автор: Erik LAMERS,Karl ZELIK,Matthew YANDELL,Dustin HOWSER. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-11-27.

Wearable assistance devices and methods of operation

Номер патента: US11980563B2. Автор: Erik LAMERS,Karl ZELIK,Matthew YANDELL,Dustin HOWSER. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-14.

Device with backlit colored display and method of manufacture

Номер патента: US11987071B2. Автор: Jianqiao Yang,Chulong Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Side door structure of vehicle, side door, vehicle, and method of forming side door

Номер патента: EP3922497A1. Автор: Yukihiro Moriyama. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2021-12-15.

Flying machine and control method of flying machine

Номер патента: US20190329884A1. Автор: Yoshiro Hada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Driving apparatus, control method of driving apparatus, and program

Номер патента: EP4032387A1. Автор: Hiroyuki Endo,Yoichi Miyahara,Hiroshi Momiyama,Akira TAKEKOSHI. Владелец: Yamabiko Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Process for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: WO2024162883A1. Автор: Per Nygren,Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-08-08.

Lighting device, interior trim assembly including the lighting device and method of manufacturing a trim assembly

Номер патента: WO2023017088A1. Автор: Robert GORFER,Carter Cannon. Владелец: INTERNATIONAL AUTOMOTIVE COMPONENTS GROUP GMBH. Дата публикации: 2023-02-16.

Perpendicular magnetic recording head and method of manufacturing the same

Номер патента: US7796360B2. Автор: Young-hun Im,Yong-su Kim,Hoo-san Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-14.

Liquid injection head, method of manufacturing liquid injection head, and liquid injection device

Номер патента: US9610769B2. Автор: Yuzuru Kubota. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method of assembling cellular radiation detector

Номер патента: RU2510520C2. Автор: Тимен ПОРТЕР,Йоррит ЙОРРИТСМА,Герардус Ф. К. М. ЛИЙТЕН,РОСМАЛЕН Йоханнес Х. М. ВАН,Мартинус М. СЕНС,Тимон Р. ГРОБ,ЛАК Михаэль Й. Ф. М. ТЕР. Владелец: Трикселль. Дата публикации: 2014-03-27.

Golf clubs and golf club heads having a configured shape

Номер патента: US09937396B2. Автор: Gary G. Tavares,John T. Stites. Владелец: Karsten Manufacturing Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Home appliance having a low back rear vent trim

Номер патента: US20210102710A1. Автор: Ben Braden,Timothy Russell,Ian Mciver,Josiah Fronckowiak,Ronald Allen Diehl. Владелец: BSH Home Appliances Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for manufacturing a folded panel, and a folded panel

Номер патента: EP4374740A3. Автор: Christophe Naeyaert,Mark Cappelle,Ewan Demaegdt. Владелец: UNILIN BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of manufacturing an Al—Mg—Mn alloy plate product having an improved corrosion resistance

Номер патента: US12091735B2. Автор: Achim Burger,Bernd JACOBY,Nele Mareike Knaack,Otmar Martin Müller. Владелец: Novelis Koblenz GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of self-cleaning of continuous dishwasher

Номер патента: RU2434570C1. Автор: Денис ЛЕМАНН. Владелец: Майко Машиненбау Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-11-27.

Indoor unit of air conditioner and method of controlling the air conditioner

Номер патента: EP2679920A2. Автор: Jin Baek Kim,Jung Ho Kim,Joon Ho Yoon,Moon Sun Shin,Jun Hwang,Yeon Seob Yun,Jin Woo Hong,Woo Seog Song,Min Gi Cho,Dong Gi Han,Tae Duk Kim,Hae Gyun Shin,Sun Muk Choi,Ki Pyo Ahn,Jae Youn Cho,Hyoung Seo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-01.

Driver assistant system and method of controlling the same

Номер патента: US11840223B2. Автор: Junhyeok YANG. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Trim assembly for a rear side of a flexible display unit which can be moved between a retracted and an extended state and display device having the display unit and the trim assembly, and motor vehicle

Номер патента: US20240326593A1. Автор: Christian Wall,Jens Schirmer,Johannes Herold. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Perforated acoustic panel, method of producing, and use of the same

Номер патента: US20240019116A1. Автор: Michael VIEBAHN,Wolfgang Rumler,Markus Rießler,Goetz VIERING. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of aligning structures on opposite sides of a wafer

Номер патента: EP1285879A3. Автор: Luc Ouellet. Владелец: Dalsa Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Retaining wall system, method of supporting same, and kit for use in constructing same

Номер патента: CA3205450A1. Автор: Robert Gordon McIntosh,Brent Lester Paul Loates,Calum James Buchan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-30.

Semiconductor transducer device with multilayer diaphragm and method of manufacturing a semiconductor transducer device with multilayer diaphragm

Номер патента: US11946822B2. Автор: Jörg Siegert,Remco Henricus Wilhelmus Pijnenburg,Willem Frederik Adrianus Besling,Alessandro Faes. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Casting mold for the production of a casting having a front and a back from a hardenable casting compound

Номер патента: US20230321882A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Leak-proof seamless underwear having a fabric-made leak-protection pad

Номер патента: EP4329692A1. Автор: Ralph Roland JANSEN. Владелец: Great Pacific Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Minimally invasive splaying microfiber electrode array and methods of fabricating and implanting the same

Номер патента: WO2015003185A2. Автор: William LIBERTI,Timothy James Gardner,Jeffrey Markowitz,Grigori GUITCHOUNTS. Владелец: TRUSTEES OF BOSTON UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-08.

Extreme ultraviolet mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240280889A1. Автор: SunPyo LEE,Minchang KIM,Yoontaek Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Lighting device having a reflector and an aperture

Номер патента: US9243770B2. Автор: Oliver Hering,Stephan SCHWAIGER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2016-01-26.

Self-sticking bibs and method of making

Номер патента: CA2670087C. Автор: Frank Friedland,Michael B. Chasan. Владелец: Napkleen LLC. Дата публикации: 2016-02-02.

Side flexing modular conveyor belt and hinge pin therefor, as well as method of transferring tensile load in a side flexing modular conveyor belt

Номер патента: NL2031591B1. Автор: Hendrik Mijndert Menke Cornelis,Adrianus Catharinus Cornelissen Leonardus. Владелец: Rexnord Flattop Europe Bv. Дата публикации: 2023-11-06.

Cooking appliance having a flue

Номер патента: US11933501B2. Автор: Timothy Patrick Vanantwerp,James R. Chisholm,Jessica Buschman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Side flexing modular conveyor belt and hinge pin therefor, as well as method of transferring tensile load in a side flexing modular conveyor belt

Номер патента: WO2023200334A1. Автор: Leonardus Adrianus Catharinus Cornelissen,Cornelis Hendrik Mijndert Menke. Владелец: Rexnord Flattop Europe B.V.. Дата публикации: 2023-10-19.

Cooking appliance having a flue

Номер патента: US20240167696A1. Автор: Timothy Patrick Vanantwerp,James R. Chisholm,Jessica Buschman. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Storage system using a semiconductor memory and methods for managing files stored in the system

Номер патента: WO2000024003A1. Автор: Han Young Kim,Myoung Hwan Jung,Kil Sul Kim,Yeon Sang Yim. Владелец: Yeon Sang Yim. Дата публикации: 2000-04-27.

Method of designing a last used for manufacturing an article of footwear with reverse upper process

Номер патента: EP4052603A1. Автор: Giuseppe SANTONI. Владелец: Santoni SpA. Дата публикации: 2022-09-07.

Vehicle interior trim part and method for manufacturing a vehicle interior trim part

Номер патента: US20240157765A1. Автор: Christophe Wagner,Hugo Bonvalet. Владелец: FAURECIA INNENRAUM SYSTEME GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Personal mobility, loading apparatus for personal mobility, and loading method of personal mobility

Номер патента: US11873055B2. Автор: Seunghyun Woo,Jae Yul Woo,Soobin KIM,Rowoon An,Ilsun Song. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Cell culture arrangement, device and method of use

Номер патента: US20230313097A1. Автор: Frederik DOUCET,Nick J. JACOBS,François COLLARD. Владелец: Pall Life Sciences Belgium BV. Дата публикации: 2023-10-05.

Cell culture arrangement, device and method of use

Номер патента: EP4253518A1. Автор: Frederik DOUCET,Nick J. JACOBS,François COLLARD. Владелец: Pall Life Sciences Belgium BV. Дата публикации: 2023-10-04.

Process and arrangement for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: US20240140061A1. Автор: Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-05-02.

Seal for doctor blade devices and doctor blade device having a seal

Номер патента: US20150001806A1. Автор: Sven Butschko,Joerg Schilfahrt. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2015-01-01.

Improved nanopore sensing device, components and method of manufacture

Номер патента: GB2590775A. Автор: Anthony Clarke James,Robert Hyde Jason,Miguel Ortiz Bahamon Pedro,Raymond Mackett Paul,Greasty Robert,Edward McKendry Jonathan,david jackson Mark,Kenneth John Wiltshire Richard,Rhys Davies Rhodri,Hyland Mark,Singh Sanghera Gurdial. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Pseudoporous surface of implantable materials and methods of making the same

Номер патента: US20150343204A1. Автор: Sandeep Negi,Rajmohan Bhandari. Владелец: University of Utah Research Foundation UURF. Дата публикации: 2015-12-03.

Gas filter having a foamed thermoplastic frame

Номер патента: CA2786431C. Автор: Ernst Kjell-Ake Enbom. Владелец: Camfil AB. Дата публикации: 2018-05-15.

Module having a retaining member for use in a modular conveyor mat

Номер патента: CA2261226C. Автор: George Johannes Van Zijderveld,Franciscus Josephus Maria Van Esch. Владелец: MCC Nederland BV. Дата публикации: 2007-04-17.

Vehicle having a vehicle body structure comprising a reinforcing member

Номер патента: EP4344986A1. Автор: Yan Li,Chunmei Fan,Fanhui Zhang,Yipeng Zhu,Shanghui Li. Владелец: Stellantis Auto Sas. Дата публикации: 2024-04-03.

Process and arrangement for manufacturing a board element comprising cavities

Номер патента: WO2023249536A1. Автор: Per Josefsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2023-12-28.

Micromechanical sensor device having an ASIC chip integrated into a capping unit and corresponding manufacturing method

Номер патента: US11906383B2. Автор: Stefan Pinter,Nico GREINER. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-20.

Apparatus for altering a temperature state of a liquid within a container and method of use

Номер патента: US20060239667A1. Автор: Frank Young,Stacey Young. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Double-layered type nematic liquid crystal display device and method of inspecting transparent substrates

Номер патента: EP1359460A3. Автор: Werner Fertig,Masao Asahi Glass Comp. Ltd. Ozeki,Christian Lauenstein. Владелец: Kyocera Display Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Calibration method of apparatus installation parameter and related surveillance device

Номер патента: US20240185443A1. Автор: Chao-Tan HUANG. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of designing and manufacturing cam device and three-dimensional design-support computer program for the same

Номер патента: US20110202158A1. Автор: Satoshi Nakamura,Hiroyoshi Kako,Akihito Ishizaka. Владелец: Sankyo Oilless Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE HAVING A MEMS ELEMENT

Номер патента: US20130193536A1. Автор: ARAI Koichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of Manufacturing A Semiconductor Integrated Circuit Device Having A MEMS Element

Номер патента: US20140339659A1. Автор: ARAI Koichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-20.

Package structure for thin display apparatus and method of packing thin display apparatus

Номер патента: EP2289818A1. Автор: Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

Security element having a color-effect-producing structure

Номер патента: CA2879832C. Автор: Hans Lochbihler. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2020-02-18.

Method of producing a booklet, data page produced by this method and booklet produced by the method

Номер патента: US8336915B2. Автор: Stefan Egli,Stephan Hofstetter,Paul Christen,Christof Stutz,Oliver Fankhauser. Владелец: Trueb Ag. Дата публикации: 2012-12-25.

Coated panel and method for manufacturing a coated panel

Номер патента: CA3033081C. Автор: Dieter DÖHRING,Manfred Biehler. Владелец: Lignum Technologies AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Guide element comprising fastening to a seat cushion, seat cushion, vehicle seat and vehicle having a guide element of this type

Номер патента: US11760239B2. Автор: Jürgen Beckett,Michael Daniel Weber. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-09-19.

Driving Apparatus, Control Method Of Driving Apparatus, And Non-Transitory Computer Readable Media Storing Program

Номер патента: US20220232761A1. Автор: Hiroyuki Endo,Yoichi Miyahara,Hiroshi Momiyama,Akira TAKEKOSHI. Владелец: Yamabiko Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for manufacturing a micropump and micropump

Номер патента: US20110034873A1. Автор: Franz Laermer,Michael Stumber,Julia Cassemeyer,Ralf Reichenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: EP3911283A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2021-11-24.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: WO2021032228A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Process Of Designing And Manufacturing A Prosthetic Socket

Номер патента: US20220339008A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-10-27.

An impact attenuator fixable to a rear side of a lorry

Номер патента: WO2017175105A1. Автор: Pasquale Impero. Владелец: Pasquale Impero. Дата публикации: 2017-10-12.

Method of packaging optical fiber for simultaneous temperature and strain measurement facilitating industrial asset management

Номер патента: US20230324238A1. Автор: Aaron Avagliano,Holger Stibbe,Paul Wysocki,Navin Sakthivel,Juan Franco. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: US12042409B2. Автор: Ji{hacek over (r)}í Rosický,Tomá{hacek over (s)} Bouma,Ale{hacek over (s)} Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2024-07-23.

Thermally insulated transportation container having a harness

Номер патента: WO2023187344A1. Автор: James Roland Vann,Harry Turner MOSELEY,Martin Chistopher HAWES. Владелец: Tower Cold Chain Solutions Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

Systems and methods of blade tip repair and manufacturing using field assisted sintering

Номер патента: US20240263557A1. Автор: Xuan Liu,Brian T. Hazel,Michael J. Minor,Steven Ivory,Christopher J. Bischof,Nicholas M. LoRicco,Brian Richard Craig,Luke Henry Rettberg,Stewart S. Fowler. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Partition-based method of analysis

Номер патента: US12090480B2. Автор: Kevin D. Ness,Donald A. Masquelier,Benjamin J. Hindson,Billy W. Colston, Jr.. Владелец: Bio Rad Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Photographic Work Wallet Having a Documentation Part

Номер патента: GB2083003A. Автор: . Владелец: Haag & Sohn R GmbH. Дата публикации: 1982-03-17.

Magnetic head slider and method of production thereof

Номер патента: US6122148A. Автор: Shinobu Yoshida,Toshihiko Shimizu,Keiko Watanabe,Tetsuya Hamaguchi,Toshihiro Arisaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-09-19.

Diffuser and hair dryer having a diffuser

Номер патента: US11832699B2. Автор: Hyunchul Kim,Kyoungtae Kim,Dongwon Kim,Rayoung Park,Yunhee KU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-05.

Casting mold for the production of a casting having a front and a back from a hardenable casting compound

Номер патента: US20230321877A1. Автор: Rudolf Paternoster,Xaver Pledl,Alois Probst. Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Leak-Proof Seamless Underwear having a Fabric-Made Leak-Protection Pad

Номер патента: US20240207112A1. Автор: Ralph Roland JANSEN. Владелец: Great Pacific Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device

Номер патента: US5494834A. Автор: Antonius H. J. Venhuizen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Diffuser and hair dryer having a diffuser

Номер патента: US11844408B2. Автор: Hyunchul Kim,Kyoungtae Kim,Dongwon Kim,Rayoung Park,Yunhee KU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-12-19.

Underwear, and System and Method of Producing Underwear

Номер патента: US20220145501A1. Автор: Eli Almog,Suzanna Haratz,Ester Ben Moshe,Tali Attias. Владелец: Delta Galil Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Illumination control method of led lamp for ink-jet printer

Номер патента: US20230034155A1. Автор: Yoshio Asami,Yoshiyuki Tsukui. Владелец: Mutoh Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Back light assembly and display device having the same

Номер патента: US20120140514A1. Автор: Seung Bum Kim,Jun Seok An,Dae Hyoun Byoun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing a folded panel, and a folded panel

Номер патента: EP4374740A2. Автор: Christophe Naeyaert,Mark Cappelle,Ewan Demaegdt. Владелец: UNILIN BV. Дата публикации: 2024-05-29.

Illumination control method of LED lamp for ink-jet printer

Номер патента: US11897253B2. Автор: Yoshio Asami,Yoshiyuki Tsukui. Владелец: Mutoh Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Use of a metal sheet material which is surface-hardened by peening for manufacturing a metal sheet product, and metal sheet product comprising a metal sheet material which is surface-hardened by peening

Номер патента: CA2922443C. Автор: Markus SCHIEBOL. Владелец: Blanco GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-05-11.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: IL302032A. Автор: . Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-11-01.

Power tool having a first handle, a second handle, and a main body

Номер патента: US20240001526A1. Автор: Roland Meuer,Michael Lanzinger. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Casting mold for producing a casting having a front side and a rear side from a curable casting compound

Номер патента: IL302035A. Автор: . Владелец: Schock GmbH. Дата публикации: 2023-11-01.

Headrest having a speaker

Номер патента: US12122278B2. Автор: Tae Hoon Lee,Ji Hwan Kim,Sang Ho Kim,Sang Hoon Park,Jae Ho Song,Seon Chae Na,Young Sun Choi,Won Kee Kim,Byeong Seon SON. Владелец: Hyundai Transys Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of producing long workpiece for production of helical spring, helical spring and method of production thereof

Номер патента: RU2739737C1. Автор: Андрей Николаевич Скворцов. Владелец: Андрей Николаевич Скворцов. Дата публикации: 2020-12-28.

Window element for a side door, in particular a rear side door, of a motor vehicle

Номер патента: CA2768925C. Автор: Luciano Castagnola,Eckbert Link,Thomas Mueck. Владелец: Richard Fritz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-12-02.

guide rail to guide the movements of a vehicle window glass, rear side window, method for forming a rear side window, vehicle door, and, vehicle

Номер патента: BR112015010334B1. Автор: LU LIU. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2021-03-02.

Manufacturing of a metal mold for replicating a component having a predetermined three-dimensional shape

Номер патента: EP4063333A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik KOTZ. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2022-09-28.

Vehicle and Method of Controlling the Same

Номер патента: US20220126838A1. Автор: Hyeon Seok Hwang,Myoungwon LEE. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Manufacturing of a Metal Mold for Replicating a Component Having a Predetermined Three-Dimensional Shape

Номер патента: US20240157608A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik Kotz-Helmer. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing of a metal mold for replicating a component having a predetermined three-dimensional shape

Номер патента: AU2022242780A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik Kotz-Helmer. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Manufacturing of a metal mold for replicating a component having a predetermined three-dimensional shape

Номер патента: CA3212590A1. Автор: Bastian RAPP,Frederik Kotz-Helmer. Владелец: Glassomer GmbH. Дата публикации: 2022-09-29.

Vehicle and method of controlling the same

Номер патента: US11801846B2. Автор: Hyeon Seok Hwang,Myoungwon LEE. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Agricultural machine having accident prevention function and method of operating same

Номер патента: US20240051551A1. Автор: Min Gyu Kim,Jung Hyo Lee,Yong Min MOON. Владелец: Inplab Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Liquid crystal device including backlight lamps having different spectral characteristics for adjusting display color and method of adjusting display color

Номер патента: US6050704A. Автор: Eui-Yeul Park. Владелец: Samsung Display Devices Co Ltd. Дата публикации: 2000-04-18.

Method of Reinforcing a Hollow Part Which Is Formed in an Earth and Sand Ground at a Rear Side of Retaining Wall

Номер патента: US20080267720A1. Автор: Jeong Hun Choi,Kyeong Sik Choi. Владелец: IN Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and assembly for manufacturing a board element comprising a recycled material

Номер патента: EP4314439A1. Автор: Per Josefsson,Christoffer Nilsson. Владелец: CERALOC INNOVATION AB. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for manufacturing a trim element

Номер патента: US20230302781A1. Автор: Martin Schmidt,Claudia Wengert. Владелец: Joysonquin Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a group of bicycles

Номер патента: US20140151975A1. Автор: Christopher P. D'Aluisio. Владелец: Specialized Bicycle Components Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Massage apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US20240033154A1. Автор: Chanyoung Park,Jiho JEONG,Daesung KI,Sunggyun PARK,Taeseob LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing pipe packing

Номер патента: US12013058B2. Автор: Kuk Jin Kim. Владелец: Hi-Sten Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

System and method of notifying an owner of a lost item in a vehicle

Номер патента: US20230245550A1. Автор: Ke Liu,Jingyan Wan,Omer Tsimhoni,Ron Hecht. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of applying preservative on crop during baling

Номер патента: RU2543290C2. Автор: Тимоти Дж. Краус. Владелец: ДИР ЭНД КОМПАНИ. Дата публикации: 2015-02-27.

Method of manufacturing a porous magnesium, or magnesium alloy, biomedical implant or medical appliance.

Номер патента: EP2149414A1. Автор: Roland Alexander Korbee,Wilhelmus Hubertina Sillekens,Müge Erinc,Robert Jan Werkhoven,Petrus Johannes Toonssen. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2010-02-03.

Method of manufacturing a cushion article

Номер патента: US6017407A. Автор: Paul M. Yates. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-25.

Method of manufacturing inductor in a semiconductor device

Номер патента: KR101016341B1. Автор: 김영근. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of manufacturing threaded joint for oil well pipe

Номер патента: EP1371892A1. Автор: Jun Maeda. Владелец: Vallourec Mannesmann Oil and Gas France SA. Дата публикации: 2003-12-17.

Method of manufacturing parts made of a composite material having a metallic matrix

Номер патента: US5419868A. Автор: Yves C. L. A. Honnorat. Владелец: Societe Nationale dEtude et de Construction de Moteurs dAviation SNECMA. Дата публикации: 1995-05-30.

Composite footwear upper and method of manufacturing a composite footwear upper

Номер патента: CA2362758A1. Автор: Edward J. Norton,Zenon O. Smotrycz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-09-08.

Method of manufacturing padding cloth for belts having latent warping property

Номер патента: CA1099208A. Автор: Nobuhiro Michimae,Ryuzo Michimae. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-04-14.

Method of manufacturing nozzle plate, liquid ejection head and image forming apparatus

Номер патента: US8043518B2. Автор: Shuji Takahashi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPEAKER AND METHOD OF ASSEMBLING SAME

Номер патента: US20120002837A1. Автор: OUCHI Tomoharu. Владелец: MINEBEA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING DEVICE HAVING CHARGING WIRE CLEANING MECHANISM

Номер патента: US20120002999A1. Автор: Itabashi Nao. Владелец: BROTHER KOGYO KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Articles of manufacture relating to ic modules and smart cards

Номер патента: WO2024196307A1. Автор: Eng Seng Ng,Sze Yong Pang. Владелец: Smartflex Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE HAVING HART COMMUNICATIONS FUNCTIONS

Номер патента: US20120002734A1. Автор: . Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU4410768A. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU430044B2. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEEDING APPARATUS AND METHOD OF DETERMINING A SEED SPACING VARIABILITY VALUE

Номер патента: US20120004768A1. Автор: Walter Jason D.,Peterson James R.,Schweitzer John M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming cavity in gallium arsenide substrate

Номер патента: RU2488189C1. Автор: Владимир Владимирович Волков,Валентина Петровна Иванова,Елена Владимировна Кочанова. Владелец: Закрытое акционерное общество "Светлана-Электронприбор". Дата публикации: 2013-07-20.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: SG181188A1. Автор: Chih-Hung Lin,Tzu-Yun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TWI280635B. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TW200618171A. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of making a mount for a semiconductor

Номер патента: CA812503A. Автор: E. Dijkmeijer Henricus. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-05-13.

Standoff for and method of supporting a coil in a semiconductor fabrication system, and standoff for coupling RF current

Номер патента: TW447016B. Автор: Sergio Edelstein,Howard Grunes,Bradley O Stimson,Anantha Subramani,John C Forster. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-07-21.

Method of making a junction in a semiconductor body

Номер патента: CA852397A. Автор: R. Sivertsen David,B. Cecil Olin,R. Haberecht Rolf. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-09-22.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TWI222702B. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of fabricating contact structures on a semiconductor chip

Номер патента: TW200428571A. Автор: Yi-Nan Chen,Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-16.

METHOD FOR MANUFACTURING OF ELECTRICAL CONTACTS ON A SOLAR CELL, SOLAR CELL, AND METHOD FOR MANUFACTURING A REAR SIDE CONTACT OF A SOLAR CELL

Номер патента: US20120006394A1. Автор: Weber Torsten,Richter Philipp. Владелец: SOLARWORLD INDUSTRIES AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.