Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate
Номер патента: US11616120B2
Опубликовано: 28-03-2023
Автор(ы): Fuyuma ITO, Hakuba KITAGAWA, Hiroki Nakajima, Naomi Yanai, Takaumi Morita, Tatsuhiko Koide, Tomohiko Sugita
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-03-2023
Автор(ы): Fuyuma ITO, Hakuba KITAGAWA, Hiroki Nakajima, Naomi Yanai, Takaumi Morita, Tatsuhiko Koide, Tomohiko Sugita
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures
Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.