Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method of fabricating monos semiconductor device

Номер патента: US20140264553A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Chia-Shiung Tsai, Chung-Chiang Min, Shih-Chang Liu, Tsung-Hsueh Yang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

The manufacturing method of the stacking polysilicon grating structure of semiconductor devices

Номер патента: CN109216438A. Автор: 祁树坤. Владелец: CSMC Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of fabricating high voltage metal oxide semiconductor device

Номер патента: US7462532B2. Автор: Chih-Hua Lee,Ming-I Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-09.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming lightly doped regions in a semiconductor device

Номер патента: US20020061626A1. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of fabricating epitaxial gate dielectrics and semiconductor device of the same

Номер патента: US09853150B1. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Ken-Ichi Goto. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210217665A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098876A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor devices

Номер патента: US12009404B2. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20170179246A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274685A1. Автор: Seokhoon Kim,Heung-Soon Lee,Yonghee PARK,Seungkyu KIM,Dong-Gwan SHIN,Hongseon Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11869935B2. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

method of fabricating thin film transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100314800B1. Автор: 인성욱. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Quasi-surrounding gate and a method of fabricating a silicon-on-insulator semiconductor device with the same

Номер патента: US6359311B1. Автор: Carlos H. Diaz,Jean Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20160293703A1. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4350779A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Preparation method of low-on-resistance groove type power semiconductor device

Номер патента: CN112838010A. Автор: 李健,黄传伟,诸建周,胡盖,夏华秋,夏华忠. Владелец: Wuxi Roum Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-05-25.

Method of making a gate electrode on a semiconductor device

Номер патента: US20040266115A1. Автор: Bor-Wen Chan,Fang-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method of making a strained structure of a semiconductor device

Номер патента: US09577071B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating spacers in a strained semiconductor device

Номер патента: US8143131B2. Автор: Harry Chuang,Chen-Pin Hsu,Kong-Beng Thei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Ohmic electrode for sic semiconductor, method of manufacturing ohmic electrode for sic semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2667648A1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of forming a selective spacer in a semiconductor device

Номер патента: US20080157131A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Willy Rachmady,Rajwinder Singh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACT STRUCTURES FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A LARGER METAL SILICIDE CONTACT AREA AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150340457A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of manufacturing a trench contact of a semiconductor device

Номер патента: KR100988775B1. Автор: 김희대. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-10-20.

METHODS OF FORMING A MASKING PATTERN AND A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Baars Peter,Moll Hans-Peter. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Method of forming a gate spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100833440B1. Автор: 현찬순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: TWI263268B. Автор: Cha-deok Dong,Kwang-Chul Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09425153B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240290869A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US20150357246A1. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming the gate electrode of field effect transistor

Номер патента: US09812551B2. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Yi-An Lin,Chun-Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09679775B2. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device including merged-unmerged work function metal and variable fin pitch

Номер патента: US09437499B2. Автор: Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device

Номер патента: US09418846B1. Автор: Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Deborah A. Neumayer,Young-Hee Kim,Tsong-Lin Tai,Uzma Rana,Marinus J. P. HOPSTAKEN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

A method of fabricating gate electrodes of a semiconductor device fabricated by a hardmask and double exposure in conjunction with a size reduction spacer

Номер патента: DE102010040066B4. Автор: Klaus Gebauer,Sven Beyer,Andreas Hellmich,Steffen Laufer. Владелец: GlobalFoundries Dresden Module One LLC and Co KG. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20180145149A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Ju-Yuan TZENG,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device gate structure and method of fabricating thereof

Номер патента: US20190088763A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Shu-Hui Wang,Kuo-Hua Pan,Ju-Yuan TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Contact structure having silicide layers, semiconductor device employing the same, and methods of fabricating the contact structure and semiconductor device

Номер патента: US20070059931A1. Автор: Je-min Park,Byung-Yoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US20160343631A1. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US11315845B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US10804175B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230335613A1. Автор: Hsien-Ming Lee,Chin-You Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Contact plug structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11894435B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20210226033A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11996466B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Ryan Chia-Jen Chen,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,An Chyi Wei,Shu-Uei JANG,Shao-Hua Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210367056A1. Автор: Hsien-Ming Lee,Chin-You Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Contact plug structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20230387228A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11721740B2. Автор: Hsien-Ming Lee,Chin-You Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of forming double gate dielectric layers and semiconductor device having the same

Номер патента: US7378319B2. Автор: Yong Soo Ahn. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120282745A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100273304A1. Автор: Hideo Yamamoto,Kei Takehara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260813A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352548A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210376099A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: EP3692576A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-08-12.

Embedded sonos with a high-k metal gate and manufacturing methods of the same

Номер патента: WO2019070383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US20050260821A1. Автор: Bart Van Zeghbroeck,John Torvik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of forming a polycide electrode in a semiconductor device

Номер патента: US6630409B2. Автор: Hiroshi Murase. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-07.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496335B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Layer structure for mounting semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972564B2. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device having multiple active area layers and its formation thereof

Номер патента: US09716172B2. Автор: Tsung-Hsing Yu,Ken-Ichi Goto,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160035825A1. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of manufacturing a charge-trapping dielectric and method of manufacturing a SONOS-type non-volatile semiconductor device

Номер патента: TW200715485A. Автор: Jae-Young Ahn,Ju-Wan Lim,Ki-Hyun Hwang,Sang-Ryol Yang,Sung-Hae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-16.

METHODS OF FORMING DOPED EPITAXIAL SiGe MATERIAL ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160118251A1. Автор: Fronheiser Jody A.,AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Method of forming source/drain regions in a semiconductor device

Номер патента: US6720227B1. Автор: Basab Bandyopadhyay,Jon D. Cheek,Daniel Kadosh,James F. Buller. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-13.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Methods of forming integrated circuit devices having stacked gate electrodes

Номер патента: US7998810B2. Автор: Sang-Woo Lee,Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jin-ho Park,Chang-Won Lee,Eun-ji Jung,Jeong-gil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-16.

MANUFACTURE METHOD OF GATE INSULATING FILM FOR SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170243732A1. Автор: Fujii Takeshi,SATO Mariko,Inamoto Takuro. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Method of manufacturing self-aligned contact opening and semiconductor device

Номер патента: TW200701307A. Автор: Pin-Yao Wang,Liang-Chuan Lai,Jeng-Huan Yang. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-01.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09543410B2. Автор: Wu Meng-Chuan,Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Li-Te Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of forming doped epitaxial SiGe material on semiconductor devices

Номер патента: US09455140B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of fabricating a multi-gate device

Номер патента: US11955554B2. Автор: Zhiqiang Wu,Ying-Keung Leung,Chung-Cheng Wu,Yi-Ming Sheu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20170330791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20080303104A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of fabricating dual fin structures and semiconductor device structures with dual fins

Номер патента: US20090026530A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of fabricating a gate electrode in semiconductor device

Номер патента: KR100219515B1. Автор: 조학주,하정민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-09-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US20240136438A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US11855214B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having an air gap along a gate spacer

Номер патента: US11817491B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145535A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming shallow trench isolations for a semiconductor device

Номер патента: US9559017B2. Автор: Kuan Xu,Wujia Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a gate structure in a semiconductor device and method of manufacturing a cell gate structure in non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100583609B1. Автор: 이재동,김정환,유영섭,나기수,임헌형,이웅,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming a conductive structure in a semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090280615A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin-Gyun Kim,Dong-kak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor Devices with Reduced Parasitic Capacitance

Номер патента: US20210020757A1. Автор: Yen-Ming Chen,Wei-Yang Lee,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

METHODS OF FORMING SILICON-CONTAINING DIELECTRIC MATERIALS AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20150004805A1. Автор: Omstead Thomas R.,Franklin Cole S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

METHOD OF MAKING A STRAINED STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027897A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,LEE Tsung-Lin,YEH Chih Chieh,YUAN Feng,PENG Cheng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

A method for forming a semiconductor structure, a method of forming a mask set for forming semiconductor devices, a resistor

Номер патента: TW200743161A. Автор: Chih-Sheng Chang,Michael Yu,Chih-Ping Chao,Chun-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

METHODS OF FORMING A CHANNEL REGION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A TRIPLE CLADDING PROCESS

Номер патента: US20160005834A1. Автор: Behin-Aein Behtash,Pawlak Bartlomiej Jan,Salmani-Jelodar Mehdi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: WANG Mei-Yun,Yang Fu-Kai,LEE Chen-Ming,Wu I-Wen,Wang Jia-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Chen Yen-Ming,Yang Feng-Cheng,LEE Wei-Yang,HSU Tzu-Hsiang,Chen Ting-Yeh. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of Forming a Silicon-Insulator Layer and Semiconductor Device Having the Same

Номер патента: US20190385842A1. Автор: Storbeck Olaf,Hirschler Joachim,Hutzler Michael,Plappert Mathias,Roesner Michael,Erbert Christoffer,KRIVEC Stefan,Ehrentraut Georg,Neumann Ingmar,Heinrici Markus,Goeschl Klaus,Koell Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451039B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR101128890B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2012-03-26.

Method of forming ti silicide layer on a semiconductor device

Номер патента: KR100231904B1. Автор: 송오성. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming a nanostructure comprising nanowires and semiconductor device including the nanostructure

Номер патента: EP3141523B1. Автор: Yeongtek OH,Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-21.

A method of forming exchange fins for a FinFET semiconductor device performing a replacement growth process

Номер патента: DE102014211026B4. Автор: Jody Fronheiser,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara,Murat K. Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Methods of forming a channel region for a semiconductor device by performing a triple cladding process

Номер патента: TWI578524B. Автор: 巴特羅梅 詹 帕拉克,本塔旭 本漢艾影塔,傑羅達 邁赫迪 沙曼尼. Владелец: 格羅方德半導體公司. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming a metal gate in a semiconductor device

Номер патента: TW516131B. Автор: Dae-Gyu Park,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-01.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Manufacturing method of optoelectronic apparatus, optoelectronic apparatus, manufacturing method semiconductor device, semiconductor device, projection type display apparatus, and electronic machine

Номер патента: TWI226124B. Автор: Masahiro Yasukawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-01.

METHOD OF FABRICATING SPACERS IN A STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228790A1. Автор: Thei Kong-Beng,Chuang Harry,HSU Chen-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Method of fabricating an ultra-narrow channel semiconductor device

Номер патента: US6897098B2. Автор: Robert Chau,Scott A. Hareland. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Method of fabricating an ultra-narrow channel semiconductor device

Номер патента: KR100676020B1. Автор: 로버트 차우,스코트 헤어랜드. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11943936B2. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Wen Zhang Lin,Chrong Jung Lin,May-Be Chen,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of forming III-V group material layer, semiconductor device comprising III-V group material layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101867999B1. Автор: 조영진,이상문. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-06-18.

METHODS OF FORMING REPLACEMENT GATE STRUCTURES FOR NFET SEMICONDUCTOR DEVICES AND DEVICES HAVING SUCH GATE STRUCTURES

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Liu Huang,Laloe Jean-Baptiste,Kim Wonwoo. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

Transistor and method of manufacturing the same, electro-optical device, semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: KR100570405B1. Автор: 가와타히로타카,야스카와마사히로. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-04-11.

Electro-optical device, method of manufacturing the same, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20070087534A1. Автор: Masahiro Yasukawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Methods of forming memory cells, memory cells, and semiconductor devices

Номер патента: US20120043611A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Method of manufacturing a solid-state device and solid-state device, particularly semiconductor device

Номер патента: WO1991009425A1. Автор: Peter Teleki. Владелец: Teleki Péter. Дата публикации: 1991-06-27.

METHODS OF FORMING METAL SILICIDE REGIONS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140319617A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of fabricating buried control elements in semiconductor devices

Номер патента: US5700703A. Автор: Christine Thero,Jenn-Hwa Huang,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-12-23.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of fabricating a recess channel in semiconductor device

Номер патента: KR100687874B1. Автор: 김우진,오훈정,윤효근,조한우,윤효섭,최백일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-27.

Methods of fabricating and contacting ultra-small semiconductor devices

Номер патента: US5956568A. Автор: Sung P. Pack,Kumar Shiralagi. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-09-21.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of fabricating contact pads of a semiconductor device

Номер патента: US6458680B2. Автор: Tae-Young Chung,Gwan-Hyeob Koh,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-01.

Charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1267975A. Автор: Jan W. Slotboom,Henricus G. R. Maas,Geert J. T. Davids,Kazimierz Osinski. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-04-17.

Method of forming a salicide layer for a semiconductor device

Номер патента: US7763533B2. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-27.

Method of Forming a Salicide Layer for a Semiconductor Device

Номер патента: US20090221121A1. Автор: Hyun Su SHIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: US5573978A. Автор: Gyeong S. Cho. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Method of forming a polycide gate of a semiconductor device

Номер патента: US5908791A. Автор: Sang-jin Lee,Seok-hyun Han,Kyoung-bo Shim,Dae-sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: US20090068834A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of manufacturing a wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: US5846878A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of routing an electrical connection on a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY134889A. Автор: Hun Kwang Lee,Hong Ing Ooi. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-12-31.

Method of forming a barrier layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070117382A1. Автор: Sangwook Park,Kyeongmo Koo,Jaihyung Won,Hyeonill Um,Junhyuk Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods of fabrication of submicron features in semiconductor devices

Номер патента: EP0782183A3. Автор: Saied N. Tehrani,Majid M. Hashemi,Sung P. Pack. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-16.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

method of forming a multi-layer in a semiconductor device and method of forming a capacitor and a gate dielectric layer using the same

Номер патента: KR100505056B1. Автор: 김경석,박영욱,최한메,임은택,강동조. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-29.

Method of Elevated Salicide Source/Drain Region Using method of Forming T-Shape Isolation Layer and Semiconductor Device using thereof

Номер патента: KR100338766B1. Автор: 구자흠,안동호,홍석훈,김철성,최철준,유재윤. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

METHODS OF FORMING A PROTECTION LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20150364326A1. Автор: Xie Ruilong,Cai Xiuyu,Park Chanro. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of treating substrate and process for producing semiconductor device

Номер патента: WO2003090268A1. Автор: Hiroshi Shinriki,Shintaro Aoyama,Masanobu Igeta. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of making ohmic contacts to a complementary semiconductor device

Номер патента: EP0631324A1. Автор: Jaeshin Cho,Jonathan K. Abrokwah,Jenn-Hwa Huang. Владелец: Motorola Energy Systems Inc. Дата публикации: 1994-12-28.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating hafnium oxide layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US09831085B2. Автор: Deok Sin Kil,Jae Sung Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09997404B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of patterning nickel silicide layers on a semiconductor device

Номер патента: WO2020086582A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,He REN,Jong Mun Kim,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device

Номер патента: US09431297B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chia-Tien Wu,Yung-Sung Yen,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US09460967B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: WO2000016378A2. Автор: Soo-Jin Chua,Xiong Zhang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2000-03-23.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Resist reflow measurement key and method of forming a fine pattern of a semiconductor device using the same

Номер патента: US20050089776A1. Автор: Gi-sung Yeo,Doo-Youl Lee,Han-ku Cho,Jung-Hyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of fabricating a resin mold type semiconductor device

Номер патента: US4523371A. Автор: Yoshiaki Wakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-18.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus

Номер патента: US20090095962A1. Автор: Yoshio Inagaki,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming a via plug in a semiconductor device

Номер патента: USRE36475E. Автор: Kyeon K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Method of manufacturing an isolation region of a semiconductor device with advanced planarization

Номер патента: US5851901A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming a wiring layer for a semiconductor device

Номер патента: US5633207A. Автор: Hiroyuki Yano,Katsuya Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: US20060088977A1. Автор: Young Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Methods of patterning nickel silicide layers on a semiconductor device

Номер патента: US20200135492A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas D. Nemani,He REN,Jong Mun Kim,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US10410976B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming an interconect structure of a semiconductor device

Номер патента: US20230377956A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Huang-Ming Chen,Shih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device

Номер патента: US20140162427A1. Автор: Byoung-Yong Gwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having improved doping profiles and a method of improving the doping profiles of a semiconductor device

Номер патента: US20040137687A1. Автор: Manfred Horstmann,Rolf Stephan,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

A method of reducing bipolar degradation in a SiC semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: DE102015111213A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-12.

Method of manufacturing a gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR20000003963A. Автор: 김현수,박창서. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-01-25.

METHODS OF FORMING MEMORY CELLS, MEMORY CELLS, AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150037942A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Mouli Chandra V.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

Method of forming an EPI - channel in a semiconductor device

Номер патента: US20020001907A1. Автор: Seung Hahn,Dae Weon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of manufacturing a non emitting iii-nitride semiconductor device

Номер патента: KR20230102801A. Автор: 송준오. Владелец: 웨이브로드 주식회사. Дата публикации: 2023-07-07.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US09540539B2. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of forming a bump having a rugged side, a semiconductor device having the bump, and a method of mounting a semiconductor unit and a semiconductor device

Номер патента: US5545589A. Автор: Yoshihiro Bessho,Yoshihiro Tomura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-13.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of obtaining an initial guess for a semiconductor device simulation

Номер патента: US20240078367A1. Автор: Sung Min Hong,Kwang-Woon Lee. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit boa and electronic instrument

Номер патента: US6908776B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device

Номер патента: US4877756A. Автор: Isamu Yamamoto,Jiro Fukushima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312829A1. Автор: Sung Hoon Lee,Dae Il Kim,Sang Il Hwang,Young Joon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

METHOD OF FABRICATING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES USING SELECTIVE ETCHING

Номер патента: KR950701582A. Автор: 로날드 디. 렘바,폴 이. 브루네미터,부르스 씨. 슈무클러,월터 에이. 스트리플러,다니엘 에이치. 로젠블래트. Владелец: 외트킨스-존슨 캠패니. Дата публикации: 1995-04-28.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR100349343B1. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of fabricating a transistor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010093012A. Автор: 장명준,박성형. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type cdte, and method of preparation

Номер патента: CA1162283A. Автор: Yuan-Sheng Tyan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-02-14.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11929392B2. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US11791332B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of forming fin isolation regions on finfet semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US20160225659A1. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

METHODS OF FORMING FIN ISOLATION REGIONS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES USING AN OXIDATION-BLOCKING LAYER OF MATERIAL AND BY PERFORMING A FIN-TRIMMING PROCESS

Номер патента: US20160225677A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,DORIS Bruce,JACOB Ajey Poovannummoottil,RIM Kern. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Methods of forming single crystal silicon structures and semiconductor device structures including single crystal silicon structures

Номер патента: US20120168898A1. Автор: Whonchee Lee,Janos Fucsko,David H. Wells,Patrick Flynn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

METHODS OF FORMING ALTERNATIVE CHANNEL MATERIALS ON FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160064526A1. Автор: AKARVARDAR Murat Kerem,JACOB Ajey Poovannummoottil. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: KIM Hong-Rae,LEE Jun-Soo,LEE Jeon-Il. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

METHODS OF FORMING ISOLATION REGIONS FOR BULK FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140315371A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

Method of forming the trench isolation layer for semiconductor device

Номер патента: KR100972691B1. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-27.

METHOD OF SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SELF-CONDUCTING SEMICONDUCTOR

Номер патента: FR2663157A1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1991-12-13.

Method of forming silicon nitride (SiN) film and semiconductor device having SiN film

Номер патента: CN109881177B. Автор: 住吉和英. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Methods of forming alternative channel materials on FinFET semiconductor devices

Номер патента: US9425289B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

A method of manufacturing an ohmic contact and a semiconductor device having such an ohmic contact

Номер патента: KR100406247B1. Автор: 칼 크론룬드 버틸. Владелец: 텔레폰아크티에볼라게트 엘엠 에릭슨. Дата публикации: 2004-03-18.

Method of manufacturing a laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20010051400A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of forming self-aligned contacts for a semiconductor device

Номер патента: US8927407B2. Автор: Peter Baars,Andy Wei,Martin Mazur,Erik Geiss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Method of manufacturing a two-phase charge coupled semiconductor device

Номер патента: DE2725154C3. Автор: Michel Grenoble Bourrat,Daniel Grenoble Woehrn. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-01-28.

Semiconductor device with reduced power and method of manufacturing the same

Номер патента: US11797745B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Group III nitride semiconductor free-standing substrate and method of manufacturing the same, group III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN101949058B. Автор: 藤仓序章,江利健. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor device with reduced power

Номер патента: US20240020453A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

A method of estimating initial values of potential in semiconductor device simulation

Номер патента: EP0701221A2. Автор: Shigetaka Kumashiro,Ikuhiro Yokota. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-13.

METHODS OF FORMING SPACERS ON FINFETS AND OTHER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150145071A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Method of manufacturing a semiconductor structure having stacked semiconductor devices

Номер патента: US6531337B1. Автор: Salman Akram,Jerry Michael Brooks. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-03-11.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US09711399B2. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming an interconnect pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20020142614A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW444299B. Автор: Sung-Gyu Pyo,Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-07-01.

Method of fabricating dual poly-gate in semiconductor device

Номер патента: KR101168334B1. Автор: 박지용,윤효근,이선진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-07-24.

Method of fabricating the dual gate in semiconductor device

Номер патента: KR20070111668A. Автор: 김규현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-22.

Method of fabricating the dual gate in semiconductor device

Номер патента: KR100721200B1. Автор: 김규현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-23.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US6787468B2. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of an apparatus for forming thin film for semiconductor device

Номер патента: US5240505A. Автор: Masanobu Iwasaki,Hiromi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-08-31.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: US20160307797A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Direct plasma densification process and semiconductor devices

Номер патента: EP3087584A1. Автор: Jason A. FARMER,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150054171A1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7709372B2. Автор: Keun Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-04.

Multilayer wiring structure of semiconductor device, method of producing said multilayer wiring structure and semiconductor device to be used for reliability evaluation

Номер патента: US7443031B2. Автор: Kousaku Yano,Yoshiaki Kato,Hiroshi Masuda,Shinichi Domae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Multilayer wiring structure of semiconductor device, method of producing said multilayer wiring structure and semiconductor device to be used for reliability evaluation

Номер патента: US20090111262A1. Автор: Kousaku Yano,Yoshiaki Kato,Hiroshi Masuda,Shinichi Domae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of forming a wiring structure in a semiconductor device

Номер патента: US7829458B2. Автор: Jae-Choel Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-09.

Methods of preventing oxidation of barrier metal of semiconductor devices

Номер патента: US6962877B2. Автор: Ki Min Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-08.

The manufacturing method of substrate processing device, metal parts and semiconductor devices

Номер патента: CN109155253A. Автор: 定田拓也,稻田哲明,原大介. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

ZINC IMMERSION COATING SOLUTIONS, DOUBLE-ZINCATE METHOD, METHOD OF FORMING A METAL PLATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160108254A1. Автор: Hayashi Mariko,KOYAMA Yuichi,GODA Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Method of forming a tungsten contact in a semiconductor device and equipment of forming a tungsten contact

Номер патента: KR100583637B1. Автор: 이상우,최길현,최경인,이종명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Method of forming contact in mutilayered structure of semiconductor device

Номер патента: KR100220297B1. Автор: 김재갑,손곤. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Method of manufacturing dual gate oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR19980083286A. Автор: 이계남. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Method of manufacturing a gate electrode of a semiconductor device

Номер патента: DE4440857C2. Автор: Jong Choul Kim,Sang Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: US7892981B2. Автор: Woo-Yung JUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970003840A. Автор: 오세준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-29.

Method of forming a micro pattern of a semiconductor device

Номер патента: TWI345813B. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of securing contact hole overflow margin of semiconductor device

Номер патента: KR950001895A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US20120235243A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20150108649A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20140264867A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20020006727A1. Автор: Sung Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device with copper seed

Номер патента: US6593236B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100407680B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398038B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR100854910B1. Автор: 김은수,김석중,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-28.

Fabricating method of thin film and metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100727258B1. Автор: 백인철,이한춘. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-11.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100472859B1. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a conductor layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100260525B1. Автор: 진규안. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100358047B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100559041B1. Автор: 김시범. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-03-10.

A method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407682B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100452039B1. Автор: 고창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100317495B1. Автор: 정성희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010114051A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-29.

Method of forming ultra fine contact hole for semiconductor device

Номер патента: KR100456312B1. Автор: 백승원,최상태. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-10.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112964A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a polysilicon pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100262532B1. Автор: 김수호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100822592B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100351254B1. Автор: 박대규,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-09-09.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100407681B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-01.

Method of making a self-aligned contact in semiconductor device

Номер патента: KR100260577B1. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100472856B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100276566B1. Автор: 이성권. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521050B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100671610B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming fine damascene metal pattern for semiconductor device

Номер патента: KR100817088B1. Автор: 김상진,여기성,정성곤,고차원,남정림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-26.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100309809B1. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of manufacturing self-aligned contact hole for semiconductor device

Номер патента: KR960032616A. Автор: 다다시 후까세. Владелец: 닛뽕 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1996-09-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100680460B1. Автор: 김태경,윤종윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a dielectric spacer in a semiconductor device

Номер патента: KR100653035B1. Автор: 신진홍. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: GB0029288D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-17.

Method of forming multi-layered metal wiring in semiconductor device

Номер патента: KR100334961B1. Автор: 신동우,박성훈,정영석,문정언. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: KR101502691B1. Автор: 야-리엔 리,훙-웬 수,카이-샹 쿠오,켄-유 챙. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2015-03-13.

Method of forming an electrical contact in a semiconductor device using an improved self-aligned contact (SAC) process

Номер патента: TW200746367A. Автор: Hyung-Hwan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-16.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6492268B1. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

A method of manufacturing a conductive electrode on a semiconductor device

Номер патента: DE69841668D1. Автор: Byung Hak Lee,Jeong Soo Songhak Sami Byun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Fabrication Method of Thin Film and Metal Line in Semiconductor Device

Номер патента: US20070166985A1. Автор: Han Choon Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing a contact plug for a semiconductor device

Номер патента: US20030068882A1. Автор: Woo Cheong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: US6417097B1. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-09.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6723645B2. Автор: Sung Gyu Pyo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-20.

Method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device

Номер патента: US6197687B1. Автор: Matthew S. Buynoski. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-03-06.

Methods of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7485574B2. Автор: Kwan-Ju Koh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-03.

Method of forming a contact plug for a semiconductor device

Номер патента: USRE45232E1. Автор: Dae Hee Weon,Seok Kiu Lee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-11-04.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device

Номер патента: TW511235B. Автор: Min-wk Hwang,Jun-Yong Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-21.

Methods of manufacturing multi-level metal lines in semiconductor devices

Номер патента: US20050170632A1. Автор: Sang Shim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming a barrier metal in a semiconductor device

Номер патента: TW200411818A. Автор: Chang-Jin Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming a gate pattern and a semiconductor device

Номер патента: US8741744B2. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

A Method of Forming an Isolating Region in a Semiconductor Device

Номер патента: KR970023987A. Автор: 임헌영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TW503517B. Автор: Sung-Gyu Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2002-09-21.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Method of storing GaN substrate, stored substrate, and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: TW200805549A. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2008-01-16.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20080308875A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of fabricating the dual gate in semiconductor device

Номер патента: KR100780772B1. Автор: 황경호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688874C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Method of manufacturing semiconductor chip including forming dicing grooves and semiconductor device

Номер патента: US20240079272A1. Автор: Jong Su Kim,Byung Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226743B1. Автор: 김대일. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of forming a contact element of a semiconductor device and contact element structure

Номер патента: US20180350679A1. Автор: Jim Shih-Chun Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of forming of PMOS type transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100549575B1. Автор: 류창우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-08.

Method of forming a well region in a semiconductor device

Номер патента: KR100942076B1. Автор: 곽노열,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100451036B1. Автор: 민경열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-02.

Method of forming spin-on glass film for semiconductor device

Номер патента: JP3390647B2. Автор: 尚 祺 洪,尚 昊 田,赫 晋 權. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-24.

Method of selectively adjusting ion implantation dose on semiconductor devices

Номер патента: US7682910B2. Автор: Terence B. Hook,Gerald Leake, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09859258B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thermally enhanced semiconductor assembly with heat spreader and integrated dual build-up circuitries and method of making the same

Номер патента: US09570372B1. Автор: Chia-Chung Wang,Charles W. C. Lin. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with discrete blocks

Номер патента: US09543278B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of calibrating semiconductor line width

Номер патента: US20050144579A1. Автор: Jun Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming electroconductive domains in integrated monolithic semiconductor devices, and high package density semiconductor device manufactured by said method

Номер патента: DE3366507D1. Автор: Richard Percival,Ernst Uhlmann. Владелец: Lasarray Holding Ag. Дата публикации: 1986-11-06.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of isolation of the elements on the semiconductor device

Номер патента: KR970003715B1. Автор: Yong-Tae Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-03-21.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US20240363452A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US12087644B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of fabricating the same, stack-type semiconductor device, circuit board and electronic instrument

Номер патента: US6962865B2. Автор: Kenji Wada,Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-11-08.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor devices

Номер патента: TWI244723B. Автор: Cha-deok Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of forming a protective film in a semiconductor device

Номер патента: GB9727080D0. Автор: Min Jae Kim,Sun Oo Kim,Yong Sun Sohn,Chung Tae Kim,Dong Sunsheen. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-18.

Method of forming field oxide film on the semiconductor device

Номер патента: KR970011664B1. Автор: Hyun-Woo Lee,Se-Uk Jang. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-12.

Method of forming an isolation film in a semiconductor device

Номер патента: TW200408002A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-16.

Method of etching conductive layers for capacitor and semiconductor device fabrication

Номер патента: TW591719B. Автор: Hideyuki Yamauchi,Kouji Tsutsumi,Yohei Kawase. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-06-11.

Method of manufacturing a passivating composition for a semiconductor device

Номер патента: YU61180A. Автор: M A Blumenfeld. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-02-28.

Method of forming a sog film in a semiconductor device

Номер патента: GB9610103D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-24.

METHOD OF FABRICATING CONDUCTIVE LINE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150303104A1. Автор: Chen Mu-Chin,Chiang Yuan-Sheng,Hsiung Chi-Sheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Method of fabricating inter isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100271660B1. Автор: 남소영. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-12-01.

Method of fabricating tungsten bit line of semiconductor device

Номер патента: KR100358175B1. Автор: 강대환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Method of fabricating conductive line of a semiconductor device

Номер патента: US9318381B2. Автор: Mu-Chin Chen,Yuan-Sheng Chiang,Chi-Sheng Hsiung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of Fabricating a Contact of a Semiconductor Device

Номер патента: KR101033986B1. Автор: 안광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6797561B2. Автор: Chang Hyun Ko,Ki Hyun Hwang,Young Sub You,Jai Dong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

Method of fabricating a thin, free-standing semiconductor device layer and of making a three-dimensionally integrated circuit

Номер патента: EP1195808B1. Автор: Barbara Vasquez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-08-15.

METHOD OF FABRICATING HAFNIUM OXIDE LAYER AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170004967A1. Автор: KIL Deok Sin,ROH Jae Sung. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

METHODS OF FABRICATING SILICON-ON-INSULATOR (SOI) SEMICONDUCTOR DEVICES USING BLANKET FUSION BONDING

Номер патента: US20140273399A1. Автор: Stefanescu Sorin,VanDeWeert Joe,NED ALEXANDER. Владелец: Kulite Semiconductor Products, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS OF FABRICATING SILICON-ON-INSULATOR (SOI) SEMICONDUCTOR DEVICES USING BLANKET FUSION BONDING

Номер патента: US20190237358A1. Автор: VanDeWeert Joseph R.,Ned Alexander A.,Stefanescu Sorin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

METHODS OF FABRICATING SILICON-ON-INSULATOR (SOI) SEMICONDUCTOR DEVICES USING BLANKET FUSION BONDING

Номер патента: US20170330792A1. Автор: VanDeWeert Joseph R.,Ned Alexander A.,Stefanescu Sorin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

Method of fabricating self-aligned contact for semiconductor device

Номер патента: KR920004366B1. Автор: 이대훈,정인술. Владелец: 정몽헌. Дата публикации: 1992-06-04.

Method of fabricating inter layer dielectrics in semiconductor device

Номер патента: KR20070056672A. Автор: 김진석,박정태,김진성,이근희,이영구,최리라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-04.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100361518B1. Автор: 서정민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-21.

A method of fabricating an optoelectronic nitride compound semiconductor device

Номер патента: DE102011114665A1. Автор: Philipp Drechsel,Dr. Stauß Peter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2013-04-04.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US10825719B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Method of fabricating a III-V compound semiconductor device with an Aluminium-compound layer

Номер патента: EP1198043A2. Автор: Akihiko Kasukawa,Satoshi Arakawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-17.

Method of fabricating the contact hole in semiconductor device

Номер патента: KR100711924B1. Автор: 한만길,황상일. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-27.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290714A1. Автор: Li-Hui Cheng,Chih-Chien Pan,Ping-Yin Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20200194389A1. Автор: Won-Gil HAN,Se-Jin Yoo,Hong-Sub JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method and High Gapfill Capability for Semiconductor Devices

Номер патента: US20090075454A1. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210433A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Stacked Integrated Circuit Structure and Method of Forming

Номер патента: US20210242173A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Stacked image sensor device and method of forming same

Номер патента: US20230197760A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11984444B2. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202412A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310521A1. Автор: Chao Wei LIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with lines and vias with variable height for local rc optimization

Номер патента: US20240170399A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Koichi Motoyama,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200335458A1. Автор: Chien-Hua Chen,Sheng-chi Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor device etching equipment

Номер патента: US20230014007A1. Автор: Xifei BAO,Liutao ZHOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20230026305A1. Автор: Ching-Hung Kao,Kuei-Yu Deng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

PLASMA TREATMENT APPARATUS, A METHOD OF MONITORING A PROCESS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING THE SAME, AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE MONITORING METHOD

Номер патента: US20220181219A1. Автор: LIM MEEHYUN,KIM SUNG-YEOL,KIM SUNGHYUP,YONG HYUNG-JUNG. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11948918B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210335742A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Redistribution structure for integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US11854994B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Ming Shih Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US11854983B2. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20220367362A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing a device, in particular a semiconductor device having a pattern of conductors ona supporting body, and device manufactured according to this method

Номер патента: AU7621174A. Автор: Symersky Bohuslav. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1976-06-10.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20210043571A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture

Номер патента: US20240105627A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240203949A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

METHOD OF FORMING A PLANAR SURFACE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE, AND RELATED METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20140162455A1. Автор: Zagrebelny Andrey V.,Varghese Sony,Lu Jin,Carswell Andrew Dennis Watson,Huang Wayne Hai-Wei,Kondoju Siddartha,Ramakrishnan Suresh,Sakai Kozaburo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

PRIMER COMPOSITION, METHOD OF FORMING A PRIMER LAYER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF ENCAPSULATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150344730A1. Автор: Mahler Joachim,Lee Swee Kah,Goh Soon Lock,Tan Yik Yee,Krishnan Jagen,Tai Chew Theng,LIM Poh Cheng,TEH Peh Hean. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of forming a planar surface for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US9153451B2. Автор: Jin Lu,Andrew Dennis Watson Carswell,Wayne Hai-Wei Huang,Siddartha Kondoju,Suresh Ramakrishnan,Kozaburo Sakai,Sony Varghese,Andrey V. Zagrebelny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, flip-chip type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN107134414B. Автор: 浅井聪,曾我恭子. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

Method of forming a gate contact in a semiconductor device

Номер патента: US20040043592A1. Автор: Jonathan Davis,Francis Goodwin,Michael Rennie. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2004-03-04.

Low thermal budget dielectric for semiconductor devices

Номер патента: US11942358B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang,De-Yang Chiou,Ko-Feng Chen,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with discrete blocks

Номер патента: US11855045B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Manufacturing method of semiconductor devices

Номер патента: EP1797589A1. Автор: Kiyoshi c/o Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. ARITA. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-20.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor Device with Discrete Blocks

Номер патента: US20240113080A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Wei Sen CHANG,Shou-Cheng Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing same, and management system of semiconductor device

Номер патента: US20130234339A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Low thermal budget dielectric for semiconductor devices

Номер патента: US20240170323A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang,De-Yang Chiou,Ko-Feng Chen,Zheng-Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US11855165B2. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices

Номер патента: US20220020859A1. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080400A1. Автор: Dongwon Kim,Soonmoon JUNG,Keun Hwi Cho,Myung Gil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME, AND MANAGEMENT SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130234339A1. Автор: Sugizaki Yoshiaki,Higashi Kazuyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

Maintenance method of substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and storage medium capable of reading maintenance program of substrate processing apparatus

Номер патента: US20160211157A1. Автор: Kaori Inoshima. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100223751B1. Автор: 정명준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100234416B1. Автор: 김창규,최지현,백민수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226724B1. Автор: 김홍선. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214534B1. Автор: 서재범. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100239453B1. Автор: 박진원. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-01-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100235972B1. Автор: 김천수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100200731B1. Автор: 이한신,신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100232888B1. Автор: 김시범. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-12-01.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100226728B1. Автор: 고정덕. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Lead frame and method of producing the same, and resin-encapsulated semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US7049684B2. Автор: Toshiyuki Fukuda,Masanori Minamio,Hiroshi Horiki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Method of manufacturing an epitaxial layer and method of manufacturing a thin layer and a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100611061B1. Автор: 이종욱,박재영,손용훈,신유균,여차동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-10.

Method of manufacturing device isolation oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR960032676A. Автор: 엄금용. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-09-17.

Method of forming a device isolation film of semiconductor device

Номер патента: KR100869742B1. Автор: 심천만. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-11-21.

Forming multilayer interconnections for a semiconductor device by vapor phase growth process

Номер патента: US4670967A. Автор: Yoshikazu Hazuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-06-09.

Method of forming a device isolation structure of semiconductor device

Номер патента: KR100214536B1. Автор: 김준용. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Method of manufacturing device isolation oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970003778A. Автор: 김정호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Method of forming an interconnect structure

Номер патента: US7790606B2. Автор: Roel Daamen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-07.

Methods of contacting lines and methods of forming an electrical contact in a semiconductor device

Номер патента: US6790663B2. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-09-14.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US11961878B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20220102482A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: GB9425300D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-02-15.

Method of forming a via plug in a semiconductor device and a semiconductor device using its method

Номер патента: HK1010423A1. Автор: Kyeong Keon Choi. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1999-06-17.

Interconnect layout for semiconductor device

Номер патента: US20210036097A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Interconnect Layout for Semiconductor Device

Номер патента: US20240194730A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

METHOD OF FORMING AN INSULATING FILM ON A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE THUS OBTAINED, IN PARTICULAR A FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: FR2471046A1. Автор: Kenichi Kikuchi,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1981-06-12.

The manufacturing method of substrate processing device, ceiling portion and semiconductor devices

Номер патента: CN105960701B. Автор: 上野正昭,小杉哲也,竹胁基哉. Владелец: INTERNATIONAL ELECTRIC CO Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Method of manufacturing a tape carrier device for semiconductor devices

Номер патента: DE4203114C2. Автор: Shin Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-21.

The manufacturing method of substrate support, substrate processing device and semiconductor devices

Номер патента: CN108695138A. Автор: 野野村一树,野野村树,山崎裕久. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-10-23.

Method of forming device's isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100511679B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-01.

METHOD OF PREVENTING CHARGE ACCUMULATION IN MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057451A1. Автор: Lee Chang-won,Roh Young-geun,KIM Un-jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD OF FORMING A FINE PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140162427A1. Автор: GWAK Byoung-Yong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-12.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming metal interconnection using plating and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US6610596B1. Автор: Bo-Un Yoon,Jong-Won Lee,Sang-rok Hah,Kun-tack Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-26.

Method of forming a metallization system of a semiconductor device by using a hard mask for defining the via size

Номер патента: US20100197133A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Method of manufacturing element-segregation insulating film of semiconductor device

Номер патента: KR0170897B1. Автор: 김승준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming a contact plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005524A. Автор: 최창주. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of isolation of the elements on the semiconductor device

Номер патента: KR970003895B1. Автор: 이충훈,김대영. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-03-22.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: KR20220029489A. Автор: 한덕수,권장국,박한터,홍승철. Владелец: 에스케이씨솔믹스 주식회사. Дата публикации: 2022-03-08.

Method of forming multiple active regions of a semiconductor device

Номер патента: KR940016676A. Автор: 이봉재. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-07-23.

Method of forming diffusion preventing metal layer of semiconductor device

Номер патента: KR950015651A. Автор: 선호정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Method of preventing bending of soi layer and semiconductor device formed by the same

Номер патента: KR100431065B1. Автор: 강호규,안동호,배금종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950001952A. Автор: 박상훈,박대일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-01-04.

Method of pattern forming for metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100519250B1. Автор: 이상진,이경태,오병준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-06.

Method of manufacturing contact plug/contact electrode of semiconductor device

Номер патента: KR20010096348A. Автор: 진승우,한일근. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-07.

Method of forming an isolation region of a semiconductor device

Номер патента: KR980006032A. Автор: 송두헌. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming multi-layered metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100495857B1. Автор: 이상희,장성근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-09-02.

Method of forming a field oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR100220236B1. Автор: 최영관. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-09-15.

Formation method of stacking structure of metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100463178B1. Автор: 한재원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR100876860B1. Автор: 신강섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950034482A. Автор: 박내학. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-12-28.

Method of isolation of the elements on the semiconductor device

Номер патента: KR970003893B1. Автор: 조현진,권오현,양홍모,신윤승. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-22.

Method of film formation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010049202A1. Автор: Kazuo Maeda,Yuhko Nishimoto. Владелец: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Etching method of polysilicon in the stepped region of semiconductor device

Номер патента: KR100273313B1. Автор: 최진우. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method of forming pre-metal dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: CN101202214A. Автор: 文相台. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-18.

Method of forming an isolation region of a semiconductor device

Номер патента: KR960005937A. Автор: 고상기. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1996-02-23.

A method of forming a resist pattern and a semiconductor device manufacturing method

Номер патента: DE102006058795B4. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of preventing bending of soi layer and semiconductor device formed by the same

Номер патента: KR100390143B1. Автор: 강호규,안동호,배금종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Method of forming a fine pattern of a semiconductor device using a double patterning technique

Номер патента: US7977204B2. Автор: Yong-Il Kim,Makoto Yoshida,Hyeong-Sun HONG,Bong-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-12.

Formation method of stacking structure of metal line in semiconductor device

Номер патента: KR100440467B1. Автор: 한재원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-07-14.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

METHODS OF FORMING REPLACEMENT FINS FOR A FINFET SEMICONDUCTOR DEVICE BY PERFORMING A REPLACEMENT GROWTH PROCESS

Номер патента: US20150024573A1. Автор: Jacob Ajey P.,Maszara Witold P.,Fronheiser Jody,Akarvardar Murat K.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2015-01-22.

METHODS OF FORMING SPACERS ON FINFETS AND OTHER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150044855A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD OF FORMING INTER-LEVEL DIELECTRIC STRUCTURES ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180047616A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220068701A1. Автор: Lee Ming-Han,SHUE Shau-Lin,FU Shih-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160099174A1. Автор: Liu Ru-Gun,CHEN Chun-Kuang,BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,WU Chia-Tien,Chang Yu-Sheng,Wu Yung-Hsu,YEN Yung-Sung,Tsai Cheng- Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20150130028A1. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

METHODS OF PATTERNING NICKEL SILICIDE LAYERS ON A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200135492A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Yieh Ellie,Ren He,Kim Jong Mun,YING Chentsau Chris. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF DRY ETCHING COPPER THIN FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210391187A1. Автор: CHUNG Cheewon,CHOI Jaesang. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-16.

METHOD OF FORMING INTER-LEVEL DIELECTRIC STRUCTURES ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Shroff Mehul D.,Reber Douglas M.. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Lee Ming-Han,SHUE Shau-Lin,FU Shih-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20160358863A1. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD OF FORMING AN INTERCONNECT STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160365276A1. Автор: Liu Ru-Gun,CHEN Chun-Kuang,BAO Tien-I,Lee Chung-Ju,SHUE Shau-Lin,WU Chia-Tien,Tsai Cheng-Hsiung,Chang Yu-Sheng,Wu Yung-Hsu,YEN Yung-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Method of purifying a metal line in a semiconductor device

Номер патента: US6043149A. Автор: Young Kwon Jun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Method of preventing semiconductor layers from bending and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US6881645B2. Автор: Ho-kyu Kang,Dong-ho Ahn,Geum-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of making multi-level wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6579785B2. Автор: Hideaki Hirabayashi,Tetsuo Matsuda,Hisashi Kaneko,Hiroshi Toyoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Methods of Determining Process Recipes and Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20220367293A1. Автор: Lee Tze-Liang,Chang Ching-Yu,Shiu Jung-Hau,CHEN Jei Ming,Chen Jr-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Method of manufacturing a polishing pad and a semiconductor device

Номер патента: KR101047933B1. Автор: 마사히코 나카모리,데쓰오 시모무라,다카토시 야마다,가즈유키 오가와,아쓰시 가즈노,마사히로 와타나베. Владелец: 도요 고무 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-07-11.

Apparatus and method of connecting direction input peripheral to remote semiconductor device

Номер патента: KR101394785B1. Автор: 임진희. Владелец: 임진희. Дата публикации: 2014-05-15.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100363847B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-06.

Method of defining a wire pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100349346B1. Автор: 장공삼,김현병. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100612542B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-11.

method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100576046B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-03.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100598349B1. Автор: 이영복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456259B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of forming the multilayer wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR0144228B1. Автор: 조경수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-08-17.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100632664B1. Автор: 박정환,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-11.

Method of manufacturing a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100387254B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100511128B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-26.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100924611B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-02.

Method of forming shallow trench isolation layer in semiconductor device

Номер патента: KR100305144B1. Автор: 손권,김형균,윤영식,이근일. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-09-29.

Method of forming a BPSG film in a semiconductor device

Номер патента: KR100335774B1. Автор: 김춘환,문영화. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method of forming selective hsg storage node in semiconductor device

Номер патента: KR100265329B1. Автор: 오훈정,신승우,양홍선,우상호,한일근,전광석,문정언. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100466818B1. Автор: 유춘근,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-24.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100455093B1. Автор: 최명규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-11-06.

Methods of forming a contact structure in a semiconductor device having selective barrier metal

Номер патента: KR100629260B1. Автор: 오준환,최승만,서봉석,김일룡,이선정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-29.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005597A. Автор: 남기원,임태정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361209B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR101044611B1. Автор: 조일현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of manufacturing substrate for semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: JP2010238693A. Автор: Taketo Tsukamoto,順子 戸田,進 馬庭,健人 塚本,Susumu Maniwa,Junko Toda. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor devices

Номер патента: KR20050059924A. Автор: 표성규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100593126B1. Автор: 표성규,이상협,김시범,김삼동. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-26.

Method of forming a wiring pattern for a semiconductor device

Номер патента: KR0171050B1. Автор: 하라다 유수께,다나까 히로유끼. Владелец: 오끼뎅끼 고오교오가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100538632B1. Автор: 민우식. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005513A. Автор: 진성곤,서윤석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100265010B1. Автор: 남기원,하정우. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100223913B1. Автор: 오승언. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100834266B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-30.

Method of forming field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100187676B1. Автор: 박상훈. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of manufacturing field oxide film on the semiconductor device

Номер патента: KR0172724B1. Автор: 박상훈. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100398034B1. Автор: 민우식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-19.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100568792B1. Автор: 이병주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-06.

Method of forming a contact-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100751669B1. Автор: 김연수,김태경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-23.

Method of forming field oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR0168148B1. Автор: 남기원,황창연,배영헌. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100230353B1. Автор: 신헌종. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100546207B1. Автор: 박신승. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Method of forming anti-corrosion metal interconnector in semiconductor device

Номер патента: KR0179559B1. Автор: 조경수. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-04-15.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100408862B1. Автор: 류두열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100361208B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-18.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100387257B1. Автор: 박상균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-11.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100964194B1. Автор: 황성보. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-06-17.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100323875B1. Автор: 이병주. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-02-16.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080099999A. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-14.

Method of forming a field oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100590383B1. Автор: 김영준,박상욱,송필근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-19.

Method of forming multi-layer wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR0172504B1. Автор: 황준. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100811443B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method of manufacturing a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100368320B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method of forming a oxide film in a semiconductor device

Номер патента: KR100671629B1. Автор: 이창진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

A method of forming a trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: KR100317041B1. Автор: 신수호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-22.

Method of forming the multilayng wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR0142796B1. Автор: 변정수,곽병호. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-08-17.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100399910B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100427538B1. Автор: 동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100598308B1. Автор: 김대희,권세한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-10.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100347533B1. Автор: 김형준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-03.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20020037805A. Автор: 이성권. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR20010112965A. Автор: 표성규. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-24.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005606A. Автор: 최병진. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming multi-level interconnections in a semiconductor device

Номер патента: FR2671664A1. Автор: KIM Han-su,Kim Jang Rae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-17.

Method of forming a gate oxide in a semiconductor device

Номер патента: KR100408863B1. Автор: 한상규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-06.

Group III nitride crystal substrate, method of its manufacture, and group-III nitride semiconductor device

Номер патента: EP1557870A3. Автор: Ryu Itami Works of Hirota,Seiji Itami Works of Nakahata,Masaki Itami Works of Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-05-13.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100671667B1. Автор: 이승철,송필근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100913000B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005516A. Автор: 김대영,박철수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100919344B1. Автор: 임용현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-09-25.

A method of forming a resist pattern for a semiconductor device

Номер патента: DE19503985B4. Автор: Sang Man Bae. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118474A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100607355B1. Автор: 길민철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-31.

Semiconductor wafer bonding product, method of manufacturing semiconductor wafer bonding product and semiconductor device

Номер патента: US20110304034A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR100352909B1. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-09-16.

Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: AU2001236076A1. Автор: Seiji Nagai,Masayoshi Koike,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-12.

Method of forming high aspect ratio structures for semiconductor devices

Номер патента: US20010002710A1. Автор: Scott DeBoer,Ceredig Roberts. Владелец: Deboer Scott. Дата публикации: 2001-06-07.

Method of shallow trench isolation film in a semiconductor device

Номер патента: KR100559042B1. Автор: 김원길,김충배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100870264B1. Автор: 정우영,신용철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-25.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100356482B1. Автор: 백성학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-18.

Method of forming a shared contact in a semiconductor device

Номер патента: US8426310B2. Автор: Olubunmi O. Adetutu,Mark D. Hall,Ted R. White. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-23.

Methods of forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20080160719A1. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Jae Suk Lee. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of forming element isolating region in a semiconductor device

Номер патента: KR0177876B1. Автор: 요시카쯔 오노. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1999-04-15.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100642886B1. Автор: 정우영,김종훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-03.

Method of forming a photoresist pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR20080095606A. Автор: 안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-29.

Method of forming a contact plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100784100B1. Автор: 한상엽,김현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Method of making a low profile highly-packaged semiconductor device

Номер патента: CN100364074C. Автор: J·H·纳普,J·A·约德,H·G·安德森. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2008-01-23.

Manufacturing method of adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor devices

Номер патента: JPWO2020003920A1. Автор: 淳 前田,前田　淳,和人 愛澤. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2021-08-02.

Method of forming multi layer conductive line in semiconductor device

Номер патента: TWI234846B. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a pattern structure for a semiconductor device

Номер патента: CN102376566A. Автор: 金建秀,朴正桓,金钟赫,尹永培,白贤喆,曹盛纯,申光植. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-14.

Method of forming a isolation layer in a semiconductor device and manufacturing a flash memory cell using the same

Номер патента: KR100427537B1. Автор: 이승철,동차덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-28.

Method of making an interconnection layer in a semiconductor device

Номер патента: KR0163550B1. Автор: 전일환,이태상,정영석,조풍연. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of producing substrate for semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: WO2010116615A1. Автор: 塚本健人,馬庭進,戸田順子. Владелец: 凸版印刷株式会社. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR20010063731A. Автор: 박성용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-09.

Method of manufacturing dielectric isolation regions for a semiconductor device

Номер патента: DE3279874D1. Автор: Hiroshi Iwai,Shuichi Kameyama,Satoshi Shinozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-09-14.

Method of forming the metal wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR0132512B1. Автор: 서광하. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1998-04-16.

A method of forming a conductive coating on a semiconductor device

Номер патента: WO2001082351A1. Автор: Ulf Smith,Torkel Arnborg. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2001-11-01.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100602314B1. Автор: 김태규,홍성훈,이문화,조수민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-14.

Method of forming barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100358058B1. Автор: 김수진,이정래. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100473729B1. Автор: 박근주. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100309810B1. Автор: 이선호,이경복. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of forming an isolation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100444609B1. Автор: 한상규,박근주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method of forming micro contact hole in manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR970003496A. Автор: 이희목,김혁중. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

A Method of Aligning in a Photolithography Process for Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: KR100336525B1. Автор: 김수형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100383756B1. Автор: 이성권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-14.

Manufacturing method of adhesive sheet for stealth dicing and semiconductor device

Номер патента: JP7062653B2. Автор: 孝斉 福元,茂之 山下,優智 中村. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100431105B1. Автор: 표성규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067638A. Автор: 최승봉. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR0163086B1. Автор: 신지철,이성학. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100368304B1. Автор: 김우현,김호성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method of forming a passivation layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100290469B1. Автор: 김선우. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: TWI234807B. Автор: Choon-Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100521051B1. Автор: 이동호,김상범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-12.

A method of forming an oxide film on a semiconductor device

Номер патента: GB2291171B. Автор: Mi Ra Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-10.

The manufacturing method of substrate board treatment, reaction tube and semiconductor device

Номер патента: CN108074845A. Автор: 平野敦士,丸林哲也,村田慧,高木康佑,山田清明,森川晴夫. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-25.

Method of forming a metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100607348B1. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-28.

Method of forming a insulating layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100401348B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-11.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100380150B1. Автор: 이재곤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-11.

Manufacturing method of mask blank, phase shift mask, and semiconductor device

Номер патента: JP7062573B2. Автор: 博明 宍戸,康隆 堀込,和丈 谷口. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device

Номер патента: KR100680500B1. Автор: 진규안. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100448592B1. Автор: 유춘근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-13.

Method of forming a target pattern for a semiconductor device

Номер патента: TWI609237B. Автор: 劉如淦,林緯良,陳俊光,羅冠昕,曾晉沅,洪繼正,高蔡勝. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6737349B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Method of forming a matal line in a semiconductor device

Номер патента: KR20050118470A. Автор: 김동준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-12-19.

Method of producing a Group III nitride compound semiconductor device

Номер патента: EP1041609B1. Автор: Jun Ito,Hiroshi Watanabe,Shinya Asami,Naoki Shibata,Masanobu Senda,Toshiaki Chiyo,Shizuyo Asami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-19.

The manufacturing method of two-sided sheet for sealing and semiconductor device with partition

Номер патента: CN105874582B. Автор: 志贺豪士,盛田浩介,饭野智绘,石坂刚. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2019-08-02.

Method of forming a metal wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100567540B1. Автор: 이세영. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-04-05.

Semiconductor fuses, methods of using and making the same, and semiconductor devices containing the same

Номер патента: US20040036090A1. Автор: Jigish Trivedi,Zhongze Wang,Michael Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: CN104637877A. Автор: 井口知洋,樋口和人,浅野佑策,富冈泰造. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-05-20.

Method of forming a metal wire in a semiconductor device

Номер патента: KR20080060590A. Автор: 김은수,김석중,서영희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-02.

Methods of forming an isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: KR102442309B1. Автор: 박석한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-09-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005611A. Автор: 류재옥. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a via hole in a semiconductor device

Номер патента: US20030109123A1. Автор: Toshiyuki Orita. Владелец: Toshiyuki Orita. Дата публикации: 2003-06-12.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: US20030143843A1. Автор: Choon Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of forming a isolation structure in a semiconductor device

Номер патента: KR100843047B1. Автор: 김은수,조휘원,정철모,김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-01.

Method of forming a damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100673238B1. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Method of forming self-aligned contact structure in semiconductor device and self-aligned contact structure fabricated thereby

Номер патента: KR20010091723A. Автор: 이재구,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Method of forming the isolation oxide on the semiconductor device

Номер патента: KR970003714B1. Автор: Yo-Han KO,Jung-Won SEO,Myung-Joon Jung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-03-21.

Method of forming a trench isolation structure and semiconductor device

Номер патента: TW546688B. Автор: Keita Kumamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Method of forming an insulation film in a semiconductor device

Номер патента: GB9922758D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-24.

Method of forming an isolation film in a semiconductor device

Номер патента: TWI233645B. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of manufacturing mask for conductive wirings in semiconductor device

Номер патента: TW464934B. Автор: Jae-Kap Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-21.

Method of forming an insulation film in a semiconductor device

Номер патента: TW419745B. Автор: Hyun-Sang Hwang. Владелец: Hyundai Electronics Ind Co Lte. Дата публикации: 2001-01-21.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus of inspecting resistive defects of semiconductor devices and inspecting method using the same

Номер патента: US20160084901A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Mi-Ra PARK,Sang-Kil Lee,Yong-Deok Jeong,Na-Kyoung LEE,Dae-Jin SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Method of making bond pad

Номер патента: US20160020183A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of fabrication thereof

Номер патента: US5279985A. Автор: Satoshi Kamiyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282715A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Polymer, method of preparing the same, and organic optoelectric device including the same

Номер патента: US09847489B1. Автор: Sang Jin Moon,Won Suk Shin,Sang Kyu Lee,Jong Cheol Lee,Changeun Song,Hoang Quoc Viet. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of making bond pad

Номер патента: US20140322908A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of making bond pad

Номер патента: US9252109B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chiang-Ming Chuang,Chun Che HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Stacked capacitor with enhanced capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871095B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of fabricating a metal grid for semiconductor device

Номер патента: US20150249109A1. Автор: Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wang-Pen Mo,Chihy-Yuan Cheng,Chuan-Ling Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device interconnect

Номер патента: WO2002093648A2. Автор: Anthony Stamper,Edward Cooney, III. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2002-11-21.

Method of fabricating a metal grid for semiconductor device

Номер патента: US20150249109A1. Автор: Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wang-Pen Mo,Chihy-Yuan Cheng,Chuan-Ling Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of fabricating for ferroelectric memory in semiconductor device

Номер патента: KR20050011246A. Автор: 김진구,오상현,양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-29.

Methods of fabricating alignment key structures in semiconductor devices including protected electrode structures

Номер патента: US7465604B2. Автор: Jang-Eun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of fabricating an inductor for a semiconductor device

Номер патента: US7875524B2. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR100639193B1. Автор: 이승희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-31.

Method of fabricating a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: KR20010092874A. Автор: 이승희. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-10-27.

Method for reducing or eliminating semiconductor device wire sweep in a multi-tier bonding device and a device produced by the method

Номер патента: SG137863A1. Автор: Rakesh Batish. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2007-12-28.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3942600A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20200271596A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210149314A1. Автор: Roie VOLKOVICH,Ido Dolev. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and devices and methods of making same

Номер патента: CA1256550A. Автор: Michael Ettenberg,Nancy A. Dinkel,Bernard Goldstein. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1989-06-27.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: US11880141B2. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor devices with current path selection structure and methods of operating the same

Номер патента: US20140197469A1. Автор: Kohji Kanamori,Youngwoo Park,Dohyun LEE,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: WO2020168140A9. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: US20210200104A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240138139A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of detecting manufacturing defects by thermal stimulation

Номер патента: US20200075431A1. Автор: Ingrid De Wolf,Kristof J.P. Jacobs. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11791293B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210013163A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Wei Chu SUN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170309637A1. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796104B2. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230262968A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

System and method for measuring misregistration of semiconductor device wafers utilizing induced topography

Номер патента: WO2020168142A9. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2020-10-29.

System and method for measuring misregistration of semiconductor device wafers utilizing induced topography

Номер патента: EP3931865A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240138138A1. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093054A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20230309296A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Solid-state imaging device, method of manufacturing the same, image capturing apparatus, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8634007B2. Автор: Takashi Abe,Suzunori Endo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Film composition for semiconductor, method of manufacturing film composition for semiconductor, method of manufacturing member for semiconductor, method of manufacturing process member for semiconductor and semiconductor device

Номер патента: TWI712652B. Автор: 田中博文,井上浩二,茅場靖剛. Владелец: 日商三井化學股份有限公司. Дата публикации: 2020-12-11.

Film composition for semiconductor, method of manufacturing film composition for semiconductor, method of manufacturing member for semiconductor, method of manufacturing process member for semiconductor and semiconductor device

Номер патента: TW201728686A. Автор: 田中博文,井上浩二,茅場靖剛. Владелец: 三井化學股份有限公司. Дата публикации: 2017-08-16.

Semiconductor device including interlayer support patterns on a substrate

Номер патента: US10115734B2. Автор: Sun Young Kim,Jang Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor device with reduced resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US11854973B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chih-Liang Chen,Chi-Yu Lu,Fei Fan DUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming a conductive line for a semiconductor device using a carbon nanotube and semiconductor device manufactured using the method

Номер патента: CN100369205C. Автор: 堀井秀树,裵恩珠,崔原凤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-13.

Palladium-coated copper bonding wire, method of manufacturing palladium-coated copper bonding wire, semiconductor device using the bonding wire, and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI786381B. Автор: 前田菜那子,小林卓也,高田満生,松澤修,石川良. Владелец: 日商田中電子工業股份有限公司. Дата публикации: 2022-12-11.

Method and equipment of processing sample for optical analysis, and method of controlling the equipment thereof in the semiconductor device manufacturing process

Номер патента: TW350975B. Автор: Chun-deuk Lee,Kyoung-Seop Lee,Hyun-Woon Lee,Jung-Keun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-21.

Method of forming a metal bump on a semiconductor device

Номер патента: US7846831B2. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device including 3d memory structure

Номер патента: US20240121939A1. Автор: Yu-Ting Lin,Jiann-Jong Wang,Chung-Hsin Lin,Shih-Fan Kuan,Hsu-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US20160211206A1. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacturing a rerouting layer on a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP1313142A2. Автор: Daisuke Ito,Takuya Kazama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Carbon nano-tube resistor, semiconductor device, and method of manufacturing carbon nano-tube resistor and semiconductor device

Номер патента: JP2013168655A. Автор: 薫 成田,Kaoru Narita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-08-29.

Multilayer structure for a semiconductor device and a method of forming a multilayer structure for a semiconductor device

Номер патента: US9806013B2. Автор: Teck Kheng Lee,Bok Leng Ser. Владелец: Institute of Technical Education. Дата публикации: 2017-10-31.

Polishing method of Cu film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7307023B2. Автор: Gaku Minamihaba,Dai Fukushima,Susumu Yamamoto,Hiroyuki Yano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-11.

Polishing method of Cu film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093064A1. Автор: Gaku Minamihaba,Dai Fukushima,Susumu Yamamoto,Hiroyuki Yano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing a storage node of vlsi semiconductor device

Номер патента: KR950012554B1. Автор: 박영진,이석희. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-10-18.

A method of determining a thermal impedance of a semiconductor device

Номер патента: DE102013218909A1. Автор: Martin Richter,Oliver Dieter Koller,Jan Homoth. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-03-26.

Probe card and method of testing wafer having a plurality of semiconductor devices

Номер патента: EP1548450A2. Автор: Eiji Yoshida,Toshiyuki Honda,Yoshito Konno,Naoyuki Watanabe,Daisuke Koizumi,Shigeyuki Maruyama,Toshimi Kawahara,Kenichi Nagashige. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of forming a capacitor electrode of a semiconductor device

Номер патента: KR960015782B1. Автор: 임찬,우상호,전하응. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-11-21.

Multilayer moir target and method of use thereof in measuring offset of semiconductor device

Номер патента: CN114008754A. Автор: M·吉诺乌克,Y·弗莱. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Probe card and method of testing wafer having a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20030160626A1. Автор: Eiji Yoshida,Toshiyuki Honda,Yoshito Konno,Naoyuki Watanabe,Daisuke Koizumi,Shigeyuki Maruyama,Toshimi Kawahara,Kenichi Nagashige. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Gold plating electrolyte and method of electrodepositing gold in the production of semiconductor devices

Номер патента: HK73378A. Автор: D R Mason,A Blair,J St Stevenson. Владелец: Engelhard Ind Ltd. Дата публикации: 1978-12-22.

METHODS OF FORMING STRUCTURES, SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20220298643A1. Автор: Kajbafvala Amir,Lu Yanfu,Miskin Caleb,James Robinson. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a storage node in a semiconductor device

Номер патента: KR100342828B1. Автор: 류재옥,안성환. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-07-02.

Method of forming a micro pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100942074B1. Автор: 정우영,안상준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-12.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100580118B1. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-12.

Method of mounting a spring element on a semiconductor device and testing at a wafer level

Номер патента: JP3387930B2. Автор: ハンドロス，イゴー，ワイ,マシュー，ゲータン，エル,エルドリッジ，ベンジャミン，エヌ,グルーブ，ゲーリー，ダヴリュー. Владелец: フォームファクター，インコーポレイテッド. Дата публикации: 2003-03-17.

Thermally conductive sheet, the manufacturing method of thermally conductive sheet, radiating component and semiconductor device

Номер патента: CN108463882A. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Manufacturing method of adhesive sheet for stealth dicing and semiconductor device

Номер патента: JP7062654B2. Автор: 孝斉 福元,茂之 山下,優智 中村. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

Method of temporarily, then permanently, connecting to a semiconductor device

Номер патента: KR100335168B1. Автор: 칸드로스이고르와이.,매튜개탄엘.,엘드릿지벤자민엔.,그루브개리더블류.. Владелец: 이고르 와이. 칸드로스. Дата публикации: 2002-05-04.

Method of manufacturing lead frame assembly for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP3293757B2. Автор: 隆昭 横山. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-17.

Method of making P-type group III-nitride semiconductor device having improved P contact

Номер патента: US6238945B1. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2001-05-29.

Method of forming an overlay key in a semiconductor device

Номер патента: KR100941805B1. Автор: 전성민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-02-10.

Method of simulating a leakage current in a semiconductor device

Номер патента: KR101504594B1. Автор: 김영환,김욱,원효식,최정연,도경태,이봉현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-03-23.

Method of patterning a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US7625823B1. Автор: Kwang-Jo Hwang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Epoxy resin composition, method of manufacturing the same, and resin sealed semiconductor device

Номер патента: DE19526417A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Noriaki Saito,Yutaka Shiomi,Noriyuki Arai. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1996-01-25.

Method of estimating a leakage current in a semiconductor device

Номер патента: US8156460B2. Автор: Wook Kim,Young-Hwan Kim,Kyung-Tae Do,Jung-yun CHOI,Bong-Hyun Lee,Hyo-sig Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-10.

Electrode, method of manufacturing the same, ferroelectric memory, and semiconductor device

Номер патента: US7163828B2. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koji Ohashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of manufacturing compound wiring substrates, flexible substrates, semiconductor devices and compound wiring substrates

Номер патента: TW374974B. Автор: Takeshi Takeda,Yoshizumi Sato,Chiaki Takubo,Tomitsugu Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-21.

Laminate and method of forming the same, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: US7556860B2. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Takahiko Kurosawa,Seitaro Hattori,Terukazu Kokubo,Manabu Sekiguchi,Michihiro Mita,Masaki Obi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Method of mounting semiconductor chip on substrate and semiconductor device suitable for mounting on substrate

Номер патента: JP3443567B2. Автор: イ−ミン・チェン. Владелец: コンピューテック・インターナショナル・ベンチャーズ・リミテッド. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of forming double-setting line arrange for semiconductor device using protective access cover layer

Номер патента: CN1835206A. Автор: 李承珍,李宣姃,金在鹤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-20.

Method of forming substrate for semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: TWI473175B. Автор: Yasuhiro Sakai,Susumu Maniwa,Junko Toda,Takehito Tsukamoto. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Method of sealing a surface mount package type semiconductor device

Номер патента: EP0967647A3. Автор: Mitsutaka C/O Fujitsu Limited Sato,Yoshitsugu c/o Fujitsu Limited Katoh,Hiroshi c/o Fujitsu Limited Inoue,Seiichi c/o Fujitsu Limited Orimo,Akira c/o Fujitsu Limited Okada,Mitsuo c/o Fujitsu Limited Abe,Toshio c/o Fujitsu Limited Hamano,Yoshitaka c/o Fujitsu Limited Aiba,Tetsuya c/o Fujitsu Limited Fujisawa,Masaaki c/o Fujitsu Limited Seki,Noriaki c/o Fujitsu Limited Shiba,Yoshihiro c/o Shinko Elec. Ind. Co. Ltd. Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-21.

Laminate and method of forming the same, insulating film, and semiconductor device

Номер патента: US20060216531A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Takahiko Kurosawa,Seitaro Hattori,Terukazu Kokubo,Manabu Sekiguchi,Michihiro Mita,Masaki Obi. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of forming substrate for semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: TW201113956A. Автор: Yasuhiro Sakai,Susumu Maniwa,Junko Toda,Takehito Tsukamoto. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-16.

Thermally conductive sheet, the manufacturing method of thermally conductive sheet, radiating component and semiconductor device

Номер патента: CN108463511A. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,内田信,内田信一,古普塔·里夏. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of sealing an electrical feedthrough in a semiconductor device

Номер патента: GB2208754A. Автор: Frank Chen,David Edward Blackaby,Tony William Rogers. Владелец: Spectrol Reliance Ltd. Дата публикации: 1989-04-12.

Method of sealing an electrical feedthrough in a semiconductor device

Номер патента: GB2208754B. Автор: Frank Chen,David Edward Blackaby,Tony William Rogers. Владелец: Spectrol Reliance Ltd. Дата публикации: 1990-12-19.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010003050A1. Автор: Sachiko Onozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Storage node, method of fabricating the same, semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070045701A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of measuring the junction temperature of a semiconductor device

Номер патента: US20240288319A1. Автор: Gabor Farkas,Zoltan Sarkany. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of measuring the junction temperature of a semiconductor device

Номер патента: EP4396549A1. Автор: Gabor Farkas,Zoltan Sarkany. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of measuring the junction temperature of a semiconductor device

Номер патента: WO2023033805A1. Автор: Gabor Farkas,Zoltan Sarkany. Владелец: Siemens Industry Software Inc.. Дата публикации: 2023-03-09.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of identifying peripheral device employed in a semiconductor device

Номер патента: US6032254A. Автор: Hiroshi Kume. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-29.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

MEMS device with enhanced membrane structure and method of forming the same

Номер патента: US11750980B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chun Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Mems device with enhanced membrane structure and method of forming the same

Номер патента: US20230370783A1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chun Yin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of identifying peripheral device employed in a semiconductor device

Номер патента: KR100441533B1. Автор: 히로시 쿠메. Владелец: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of Identifying Peripheral Device Employed in a Semiconductor Device

Номер патента: EP1571551B1. Автор: Hiroshi Kume. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-17.

METHODS OF CONTROLLING STANDBY MODE BODY BIASING AND SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE METHODS

Номер патента: US20130222049A1. Автор: Lee Ki Jong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

SYSTEMS AND METHODS OF COMPENSATING FOR NARROWBAND DISTORTION IN POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210194521A1. Автор: Chen Dong,MAYER Christopher,Cope Mark,Pratt Patrick Joseph,Chandrasekaran Praveen,Summerfield Stephen. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Method of forming a via-hole in a semiconductor device

Номер патента: KR100332109B1. Автор: 곽노정,진성곤. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-10.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134A. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

Method of forming a gate electrode pattern in semiconductor device

Номер патента: CN1832134B. Автор: 李圣勋. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Fault position identification system for a semiconductor device and method of identifying a fault position of a semiconductor device

Номер патента: US20050229063A1. Автор: Yoshikazu Iizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: US7221037B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

III-nitride semiconductor device fabrication

Номер патента: US8168000B2. Автор: Robert Beach,Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith

Номер патента: TW200509207A. Автор: Kevin D Lucas,Robert E Boone,Willard E Conley,Russell L Carter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2005-03-01.

Method of designing a reticle and forming a semiconductor device therewith

Номер патента: EP1636655A4. Автор: Kevin D Lucas,Robert E Boone,Willard E Conley,Russell L Carter. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-11-23.

MASK DESIGN AND METHOD OF FABRICATING A MODE CONVERTER OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150185582A1. Автор: HE Xiaoguang,Kwakernaak Martin. Владелец: EMCORE CORPORATION. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US11714122B2. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US11054462B2. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-06.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20180217202A1. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20210293876A1. Автор: Sang Woo Kim,Yun Ju Kwon,Joon Woo CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of supplying voltage in the same, and semiconductor device

Номер патента: US8248865B2. Автор: Daichi KAKU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF WRITING/READING ENTRY ADDRESS INTO/FROM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150070957A1. Автор: OTSUKA Kanji,SATO Yoichi,AKIYAMA Yutaka,UWAI Minoru,Fujii Fumiaki,Nagasawa Tatsuya. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

The method of anchor point quantity is reduced in semiconductor devices detection device

Номер патента: CN110007207A. Автор: 张军辉,张文亮,朱阳军. Владелец: Shandong Core Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-12.

Controlling method of a testing handler for contact of semiconductor devices

Номер патента: KR101415984B1. Автор: 신희성. Владелец: (주)에이젯. Дата публикации: 2014-07-09.

Method of forming a copper wiring in a semiconductor device

Номер патента: KR100456420B1. Автор: 최재성. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-11-10.

Method of forming a thin film in a semiconductor device using atomic layer deposition

Номер патента: KR100422396B1. Автор: 권혁진,김용수,진원화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-12.

Method of forming photo resist minute pattern on semiconductor device

Номер патента: KR950004977B1. Автор: 김명선,권성구. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1995-05-16.

Method of processing for selective epitaxial growth in semiconductor device

Номер патента: KR100368318B1. Автор: 주성재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Lithographic template having a repaired gap defect method of repair and use

Номер патента: US20040023126A1. Автор: William Dauksher,David Mancini,Kevin Nordquist,Douglas Resnick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TWI280635B. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Memory element, array of memory cell, method of forming contact structure and apparatus and semiconductor device produced by the method

Номер патента: TW200618171A. Автор: Ming-Hsiu Lee,Rui-Chen Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: TW411580B. Автор: Bi-Lin Chen,Shiang-Yuan Jeng,Hau-Jie Liou. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-11-11.

Method of measuring the kink effect in the semiconductor device

Номер патента: TW400598B. Автор: Meng-Lin Ye,Yang-Huei Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-08-01.

Method of attaching an electric connection to a semiconductor device

Номер патента: CA701339A. Автор: Emeis Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1965-01-05.

METHOD OF FABRICATING SPACERS IN A STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120146057A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-06-14.

Method of fabricating a trench capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR940007387B1. Автор: 이병일,이상래. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-08-16.

Method of manufacturing a device, in particular a semiconductor device having a pattern of conductors ona supporting body, and device manufactured according to this method

Номер патента: AU495042B2. Автор: Symersky Bohuslav. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1976-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF DIAGNOSING ABNORMALITY OF BOOSTING CIRCUIT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120081167A1. Автор: BAN Masafumi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-05.

METHOD OF FORMING GROUP III-V MATERIAL LAYER, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GROUP III-V MATERIAL LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130105869A1. Автор: CHO Young-Jin,LEE Sang-moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of manufacturing device isolation oxide film of semiconductor device

Номер патента: KR970003780A. Автор: 김정호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-01-28.

Method of inspecting defects, and method of manufacturing mask blank, transfer mask and semiconductor device

Номер патента: SG10201910709PA. Автор: Uchida Naoki,Tanabe Masaru. Владелец: Hoya Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-06-29.

The method of quality control of compounds of the semiconductor devices

Номер патента: SU446854A1. Автор: Роман Ефимович Смолянский,Владимир Ильич Руменник,Леонид Александрович Петров,Владимир Анатольевич Штанин. Владелец: Предприятие П/Я В-2664. Дата публикации: 1974-10-15.

The forming method of chemical dry-method etching method and semiconductor devices

Номер патента: CN103346066B. Автор: 张程,包中诚. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Lead frame for resin-sealed semiconductor device, method of manufacturing the same, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2666696B2. Автор: 恒充 國府田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-22.

Method of manufacturing p-type nitride semiconductor and semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20120049328A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

METAMORPHIC SUBSTRATE SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURE OF SAME, AND III-NITRIDES SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120187540A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming an isolation region of a semiconductor device

Номер патента: KR100277870B1. Автор: 윤탁현,박성형. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

Method of forming an isolation region of a semiconductor device

Номер патента: KR19980068094A. Автор: 서유완. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-10-15.

Method of forming a tungsten plug of a semiconductor device

Номер патента: KR980005642A. Автор: 오세중,이주일. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming multi-layer metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR970053574A. Автор: 홍영기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-31.

Improved manufacturing method of the shallow trench isolation region of semiconductor devices

Номер патента: TW468242B. Автор: Shiun-Ming Jang,Ying-He Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2001-12-11.

METHOD OF FORMING A PATTERN STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120045901A1. Автор: Kim Keon-Soo,Park Jung-Hwan,YOON Young-bae,KIM Jong-hyuk,CHO Seong-Soon,Shin Kwang-Shik,Back Hyun-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-23.

Methods of Forming Metal Patterns in Openings in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120164826A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Juergen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHODS OF FORMING TRENCHES IN SILICON AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SAME

Номер патента: US20130037919A1. Автор: Sapra Sanjeev,Yang Sheng-Wei,Chen Cheng-Shun,Tsai Hung-Ming. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-14.

Method of Forming Self-Aligned Contacts for a Semiconductor Device

Номер патента: US20130189833A1. Автор: Baars Peter,Wei Andy,Geiss Erik,Mazur Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

METHODS OF FORMING COPPER-BASED CONDUCTIVE STRUCTURES ON SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130244422A1. Автор: Kim Hoon,Zhang Xunyuan,Park Chanro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED USING REPLACEMENT GATE TECHNIQUES

Номер патента: US20130288468A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130288471A1. Автор: Chi Min-Hwa. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF FORMING SPACERS ON FINFETS AND OTHER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130292805A1. Автор: JR. William J.,Taylor,Xie Ruilong,Cai Xiuyu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970072093A. Автор: 황재성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of forming a tungsten plug in a semiconductor device

Номер патента: KR100336837B1. Автор: 김충환,김재필,김동오,임가순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-16.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970077209A. Автор: 안성환,이영철,백현철. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR970067646A. Автор: 길명군,송정호,조찬섭. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-10-13.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005650A. Автор: 김상욱,이해정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005623A. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming the metal wiring on the semiconductor device

Номер патента: KR970004771B1. Автор: 구영모,오세준,이우봉,고재완,김세정,여태정. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-04-03.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005636A. Автор: 이근호. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005622A. Автор: 김진웅,김근태. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005525A. Автор: 김진웅. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of manufacturing the isolation elements on the semiconductor device

Номер патента: KR960016771B1. Автор: Joo-Suk Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-20.

Manufacturing method of split semiconductor wafer with adhesive and semiconductor device

Номер патента: JP6789083B2. Автор: 貴志 渡邉,満 谷川,悠介 藤田,義人 藤田,佳史 杉沢. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-25.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980011914A. Автор: 이명범,유봉영. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming impurity ion implantation region in semiconductor device

Номер патента: KR950021007A. Автор: 박윤수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1995-07-26.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005527A. Автор: 정진기. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method of forming a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980005651A. Автор: 김상욱,김대희,성일석. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

A method of forming a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR970030391A. Автор: 추창웅. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-06-26.

Method of filling a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: KR980011890A. Автор: 박영호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method of forming a gate electrode on the semiconductor device

Номер патента: KR970003894B1. Автор: Sang-Ho Woo,Jong-Chol Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-03-22.

Method of and apparatus for filling containers with semiconductor devices

Номер патента: PL268238A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1988-07-07.

A method of forming ohmic contacts on metal-insulator-semiconductor devices

Номер патента: AU2993071A. Автор: Mayer Alfred. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-12-14.

Method of forming ohmic contacts on metal-insulator-semiconductor devices

Номер патента: CA915320A. Автор: Mayer Alfred. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-11-21.

A method of forming ohmic contacts on metal-insulator-semiconductor devices

Номер патента: AU457253B2. Автор: Mayer Alfred. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1972-12-14.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.