반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
Номер патента: KR20020037805A
Опубликовано: 23-05-2002
Автор(ы): 이성권
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-05-2002
Автор(ы): 이성권
Принадлежит: 박종섭, 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and manufacturing method thereof
Номер патента: US11355388B2. Автор: Yu-Yu Chen,Yan-Jhi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.