Semiconductor device structure and methods of forming the same
Номер патента: US20230402455A1
Опубликовано: 14-12-2023
Автор(ы): Jih-Jse Lin, Ryan Chia-Jen Chen, Sheng-Yi Hsiao, Shu-Yuan Ku, Tzu-Ging LIN, Ya-Yi Tsai, Yih-Ann Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-12-2023
Автор(ы): Jih-Jse Lin, Ryan Chia-Jen Chen, Sheng-Yi Hsiao, Shu-Yuan Ku, Tzu-Ging LIN, Ya-Yi Tsai, Yih-Ann Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device structure with fin and method for forming the same
Номер патента: US20230317829A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Hsiang FAN,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Kai Tak Lam,Chieh-Chun CHIANG,Kuo-An Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.