Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240023313A1
Опубликовано: 18-01-2024
Автор(ы): Ying-Chieh Lai
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-01-2024
Автор(ы): Ying-Chieh Lai
Принадлежит: Nanya Technology Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having low dielectric capacitance and good electrical breakdown performance, and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240234203A1. Автор: Shau-Lin Shue,Gary Liu,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang,zi-yi Yang,Jing-Ting SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.