Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same
Номер патента: US20090026522A1
Опубликовано: 29-01-2009
Автор(ы): Venkatesan Ananthan
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-01-2009
Автор(ы): Venkatesan Ananthan
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having field-effect structures with different gate materials, and method for manufacturing thereof
Номер патента: US09773706B2. Автор: Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-26.