具有非晶硅monos存储单元结构的半导体器件及其制造方法
Номер патента: CN101202233A
Опубликовано: 18-06-2008
Автор(ы): 三重野文健
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-06-2008
Автор(ы): 三重野文健
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory structure and forming method thereof
Номер патента: US11895822B2. Автор: Yachao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.