Semiconductor device having stable gate structure and method of manufacturing the same
Номер патента: US20150236108A1
Опубликовано: 20-08-2015
Автор(ы): Byoung Gue Min, Dong Min Kang, Ho Kyun Ahn, Hyung Sup Yoon, Jong Won Lim, Sang Heung LEE, Seong Il Kim
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-08-2015
Автор(ы): Byoung Gue Min, Dong Min Kang, Ho Kyun Ahn, Hyung Sup Yoon, Jong Won Lim, Sang Heung LEE, Seong Il Kim
Принадлежит: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US09799769B2. Автор: Chien-Ting Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.