SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A POLYCRYSTALLINE / SILICIDE SILICON TYPE GRID STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
Номер патента: FR2762930A1
Опубликовано: 06-11-1998
Автор(ы): Shigenobu Maeda, Shigeto Maegawa, Shuichi Ueno, Yoshinori Okumura
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-11-1998
Автор(ы): Shigenobu Maeda, Shigeto Maegawa, Shuichi Ueno, Yoshinori Okumura
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof
Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.