• Главная
  • Structure and formation method of dual damascene structure

Structure and formation method of dual damascene structure

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Structure of dual damascene structures having via hole and trench

Номер патента: US09887126B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Poisoned metal layer with sloped sidewall for making dual damascene interconnect

Номер патента: US20210210378A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Chun-Chang Chen,Min Han HSU. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of forming a dual damascene via by using a metal hard mask layer

Номер патента: US20030092279A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method of forming dual damascene structure

Номер патента: EP1246239A1. Автор: Atsushi Shiota. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2002-10-02.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of fabricating dual damascene structure

Номер патента: US20110021021A1. Автор: Hong Ma,Kuang-Yeh Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09779959B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming a dual damascene pattern

Номер патента: KR100460745B1. Автор: 윤준호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100598345B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100518084B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of fabricating a dual damascene interconnect structure

Номер патента: US20060216926A1. Автор: YAN Ye,Hong Du,Xiaoye Zhao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Method of cleaning a dual damascene structure

Номер патента: US6733597B2. Автор: Sun-Chieh Chien,Chih-Ning Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100390941B1. Автор: 백성학. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100973130B1. Автор: 김완수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-30.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR101028811B1. Автор: 류상욱. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-04-12.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100451699B1. Автор: 최재성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-08.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20180012769A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Dual damascene structure and method of making

Номер патента: US20040183199A1. Автор: Jianmin Qiao. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device for dual damascene wiring

Номер патента: US20090017620A1. Автор: Yuusuke Oda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of forming a dual damascene structure

Номер патента: US7749904B2. Автор: Jian-Hong Chen,Bang-Chein Ho,Da-Jhong Ou Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09673331B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Etch damage and ESL free dual damascene metal interconnect

Номер патента: US09786549B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Sunil Kumar Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming dual damascene line structure

Номер патента: US20030003715A1. Автор: Eun Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09576946B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09721805B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Tzu-Chan Weng,Chen-Wei Pan,Chia-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit with damascene structure and capacitor

Номер патента: GB2368721A. Автор: Sailesh Chittipeddi. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-05-08.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200402845A1. Автор: LIU JIQUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Conductive structures, systems and devices including conductive structures and related methods

Номер патента: US09536823B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US09412695B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Stacked damascene structures for microelectronic devices

Номер патента: US09431343B1. Автор: Jinseok Kim,Ki-Don Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating dual damascene structure

Номер патента: US6313028B2. Автор: Chao-Yuan Huang,Juan-Yuan Wu,Water Lur. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-06.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230043941A1. Автор: Peng Yang,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230307294A1. Автор: Ke Ma. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of fabricating a dual damascene copper wire

Номер патента: US6849541B1. Автор: Chien-Chung Huang,Shao-Chung Hu,Yu-Ru Yang,Tzung-Yu Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-02-01.

Method of fabricating a dual damascene structure

Номер патента: US6180516B1. Автор: Chen-Chung Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Method of forming a dual damascene structure

Номер патента: US20070212877A1. Автор: Jian-Hong Chen,Bang-Chein Ho,D.J. Ou-Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of forming a dual damascene structure

Номер патента: US7241682B2. Автор: Jian-Hong Chen,Bang-Chein Ho,Da-Jhong Ou Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

Method of manufacturing a dual damascene interconnect

Номер патента: EP1435656A3. Автор: Liu Wuping,Alan Cuthbertson,Bei Chao Zhang,Juan Boon Tan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

Dynamic random access memory and method of forming the same

Номер патента: US11296091B2. Автор: San-Jung Chang,Li-Peng Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Interconnection structure and interconnection structure formation method

Номер патента: US20030153176A1. Автор: Katsuyuki Karakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor arrangement and formation thereof

Номер патента: US09673194B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: WO2001099184A3. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: EP1292978A2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Method of processing metal surface in dual damascene manufacturing

Номер патента: US20070287284A1. Автор: Qiang Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09711458B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for Inverse Via Patterning for Back End of Line Dual Damascene Structures

Номер патента: US20200194308A1. Автор: Angelique D. Raley,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Method for inverse via patterning for back end of line dual damascene structures

Номер патента: WO2020123193A1. Автор: Angelique RALEY,Katie Lutker-Lee. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Dual damascene process utilizing a low-k dual dielectric

Номер патента: WO2001099184A2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Andy Cowley. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-12-27.

Dual damascene structure with liner

Номер патента: US09576880B2. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of preventing bridging between polycrystalline microscale features

Номер патента: IL140566A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-01.

Polymer sacrificial light absorbing structure and method

Номер патента: US20050145890A1. Автор: Michael Goodner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Dual damascene process

Номер патента: US5801094A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew,Meng-Chang Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240250033A1. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal-insulator-metal capacitor (MIMCAP) and methods of forming the same

Номер патента: US12094763B2. Автор: Juan Boon Tan,Ramasamy Chockalingam,Kwang Sing YEW. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor package and method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US12125741B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chen-Cheng Kuo,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Wiring structure and method of forming a wiring structure

Номер патента: US09824916B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Sung-Wook Hwang,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Conductive line structures and methods of forming the same

Номер патента: US9318419B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seong-Min Jo,Joon-Hee Lee,Sok-Won LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230301081A1. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device interconnects and methods of formation

Номер патента: US12087832B2. Автор: Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu,Yi-Ruei JHAN,I-Hung LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12127401B2. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09941207B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11362066B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US11784091B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Use of dielectric slots for reducing via resistance in dual damascene process

Номер патента: US9490162B2. Автор: Tae Seung Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide spacer in a contact over active gate finfet and method of production thereof

Номер патента: US20200083363A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor arrangement and formation thereof

Номер патента: US12068313B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

FinFET device on silicon-on-insulator and method of forming the same

Номер патента: US09793174B1. Автор: Yu-Ren Wang,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Tapered semiconductor waveguides and method of making same

Номер патента: CA2020246A1. Автор: Uziel Koren,Thomas L. Koch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-02-04.

Method of forming a III-V compound semiconductor channel post replacement gate

Номер патента: US09735273B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and manufacturing method and operating method of the same

Номер патента: US9224611B2. Автор: Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09614089B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09653445B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure and formation method of finFET device

Номер патента: US09761723B2. Автор: Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure and formation method of package structure with capacitor

Номер патента: US20240339369A1. Автор: Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280583A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Structure and formation method for chip package

Номер патента: US09595510B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu,Jui-Pin Hung,Cheng-Lin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Integrated circuit and formation method thereof

Номер патента: US20240258435A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of dual-molding die formed on opposite sides of build-up interconnect structure

Номер патента: US09443829B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Device for deposition or cleaning with movable structure and method of operation thereof

Номер патента: RU2727634C1. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-22.

Structure and formation method of chip package with through vias

Номер патента: US20210066179A1. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140027857A1. Автор: Jiang Yan,Huaxiang Yin,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-01-30.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Apparatus for transferring plurality of micro devices and methods of fabrication

Номер патента: US20210241955A1. Автор: Makarem A. Hussein,Mohamed G. Zanaty. Владелец: Luxnour Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220068720A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Fan-Out Package Structure, And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20180158798A1. Автор: Qifeng Cai,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20210305226A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240274562A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12080681B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US20240363587A1. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in Fo-WLCSP

Номер патента: US09978654B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor packaging structure and forming method therefor

Номер патента: US09515010B2. Автор: Xin Xia,Guohua Gao,Wanchun Ding. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Conductive structure and method of manufacturing the same, array substrate

Номер патента: US09716113B2. Автор: Zhiyuan Lin,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230231005A1. Автор: BO Yang,Xiaoyu Yang,Kai Cao,Juncai Li,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220320419A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Contact structure, method of manufacturing contact structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230262963A1. Автор: Haiyan Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107772A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR100399913B1. Автор: 석세운. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230124494A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of material of light emitting layer

Номер патента: US20220380665A1. Автор: Yanan Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

LED COMPONENT BY INTEGRATING EPITAXIAL STRUCTURE AND PACKAGE SUBSTRATE TOGETHER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150069447A1. Автор: Chen Jen-Shyan. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240188290A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Structure and formation method of memory device

Номер патента: US09406883B1. Автор: Ching-Pei Hsieh,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Micromechanical component and method of its manufacturing

Номер патента: RU2371378C2. Автор: Вольфрам ГАЙГЕР,Уве БРЕНГ. Владелец: Литеф ГмбХ. Дата публикации: 2009-10-27.

Capacitor and contact structures, and formation processes thereof

Номер патента: US09679959B2. Автор: Ki Young Lee,Jae Ho Joung,Sanggil Bae. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230343706A1. Автор: Hauk Han,Jeonggil Lee,Seonghun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309299A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory, semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230320060A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237486A9. Автор: Jeong Seok Lee,Seung Yong Song,Woo Yong Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210151452A1. Автор: Kiyoon KANG,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of producing semiconductor elements using a test structure

Номер патента: WO2004057672A1. Автор: Paul L. C. Simon,Aalt M. Van De Pol. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-08.

Methods of forming microelectronic devices including source structures overlying stack structures

Номер патента: US20230080749A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Methods of forming microelectronic devices including source structures overlying stack structures

Номер патента: US12046582B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276723A1. Автор: Junhee LIM,SungBok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4412424A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-planar transistor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347615A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Dynamic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947669B1. Автор: Yoshinori Tanaka,Kazuaki TAKESAKO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US20170222044A1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-03.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Stacked oled device and method of making the same

Номер патента: US20190172876A1. Автор: Cunjun XIA. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12041769B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Micro light-emitting diode display device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240178197A1. Автор: Yen-Yeh Chen,Yu-Jui TSENG. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Structures for power transistor and methods of manufacture

Номер патента: US20120248534A1. Автор: Qin Huang,Yuming Bai. Владелец: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Bipolar junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12068400B2. Автор: Chun-Tsung Kuo,Chuan-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240292615A1. Автор: SUNG Wook Jung,Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Soo Park,Song Hee HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Crossing multi-stack nanosheet structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230231015A1. Автор: Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Composite microelectronic spring structure and method for making same

Номер патента: WO2002058137A2. Автор: Gary W. Grube,Gaetan L. Mathieu,Igor K. Khandros. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2002-07-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Crossing multi-stack nanosheet structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087815B2. Автор: Byounghak Hong,Hwichan Jun,Inchan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306402A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices including source structures over stack structures, and related methods

Номер патента: US20240371834A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of fabricating semiconductor display apparatus

Номер патента: US09997548B1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Resistor and metal-insulator-metal capacitor structure and method

Номер патента: US09978744B2. Автор: Jen-Pan Wang,Chih-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor chip

Номер патента: US09620493B2. Автор: SoonKwan KWON,Joonsung YANG. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-11.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09595564B1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Articles including bonded metal structures and methods of preparing the same

Номер патента: US09570430B2. Автор: Jens Oswald,Frank Kuechenmeister,Christian KLEWER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Winding capacitor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210391118A1. Автор: Chieh Lin,Chung-Jui Su. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Winding capacitor package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11640878B2. Автор: Chieh Lin,Chung-Jui Su. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Lithium-ion battery and formation method thereof

Номер патента: US20240170679A1. Автор: Xu Li,Song Hua,CHEN Cao,Dongdong ZHENG,Guangkuo GAO. Владелец: CALB Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of plasma display panel and plasma display panel

Номер патента: US20090026953A1. Автор: Hideki Harada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Display filter, display device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100141141A1. Автор: Jinyoung Lee,Jaehyung Kim,Sungyong Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Coil support structure and method of retaining pcba of a relay

Номер патента: EP3985704A1. Автор: Davide Mantoan. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

High performance inductor/transformer and methods of making such inductor/transformer structures

Номер патента: US09530553B1. Автор: Sunil Singh,Jagar Singh,Pankaj Marria. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a dual damascene pattern in a semiconductor device

Номер патента: KR101081851B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-11-09.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230389270A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Manufacturing method of material of light emitting layer

Номер патента: US11753586B2. Автор: Yanan Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Absorbent layer, structure and article along with a method of forming the same

Номер патента: US20090076472A1. Автор: Stanley R. Kellenberger,Moshe D. Goldwasser. Владелец: Tisteron Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Grounding structure and method of grounding of tube audio amplifier

Номер патента: RU2695048C1. Автор: Си-Сянь ЧЭНЬ. Владелец: Эковелл Электроник Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of manufacturing a triple level ROM

Номер патента: US6001691A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of supporting constructive discourse on computers and mobile devices

Номер патента: US20150180814A1. Автор: Allen M. Razdow. Владелец: True Engineering Technology LLC. Дата публикации: 2015-06-25.

Integral 3d structure for creating ui, related device and methods of manufacture and use

Номер патента: WO2023037051A8. Автор: Hasse Sinivaara. Владелец: TactoTek Oy. Дата публикации: 2023-10-12.

Integral 3d structure for creating ui, related device and methods of manufacture and use

Номер патента: EP4399590A1. Автор: Hasse Sinivaara. Владелец: TactoTek Oy. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Energy harvesting module and method of producing same

Номер патента: US20230402962A1. Автор: Tadakatsu Nakadaira. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of radio coverage extension and base station using the same

Номер патента: US20150124741A1. Автор: Shin-Lin Shieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of driving a display device operably switchable between 2d and 3d display modes

Номер патента: US20160088290A1. Автор: Sheng-Chi Liu,Yung-Sheng Tsai,Jen-Lang Tung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-03-24.

Dynamic random access memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20240306372A1. Автор: Hsueh-Cheng Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Resist fine pattern formation device and formation method

Номер патента: EP4152899A1. Автор: Jong-Gyun Lee,Seog-Soon Kim,Hee-Jun Han. Владелец: Unijet Co ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12120879B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of radio coverage extension and base station using the same

Номер патента: US09515772B2. Автор: Shin-Lin Shieh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-12-06.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Method of structure carcassing

Номер патента: RU2699087C1. Автор: Алексей Леонидович Торопов. Владелец: Алексей Леонидович Торопов. Дата публикации: 2019-09-03.

Multi-Beam Probes with Decoupled Structural and Current Carrying Beams and Methods of Making

Номер патента: US20240094259A1. Автор: Arun S. VEERAMANI. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

An apparatus and method of culturing tubular autologous tissue graft

Номер патента: WO2011004388A3. Автор: Sridhar K Narasimhachar. Владелец: Sridhar K Narasimhachar. Дата публикации: 2011-07-21.

SILICON STEEL BAND WITH ORIENTED STRUCTURE AND INCREASED MAGNETIC PERMEABILITY AND METHOD OF OBTAINING

Номер патента: RO69745A. Автор: John M Jackson. Владелец: Armco Steel Corp,Us. Дата публикации: 1981-11-04.

An absorbent layer, structure and article along with a method of forming the same

Номер патента: WO2009038556A1. Автор: Stanley Kellenberger,Moshe Goldwasser. Владелец: Tisteron, Ltd.. Дата публикации: 2009-03-26.

Energy storage type of dual-drive coupled power distribution system

Номер патента: US20090143194A1. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Modular semi-submerged structure and method of its fabrication

Номер патента: RU2558165C2. Автор: Роберто ГОНАН. Владелец: Финкантьери С.П.А.. Дата публикации: 2015-07-27.

Joint structure and method of forming at least a part of a joint structure

Номер патента: AU2023234015A1. Автор: Brett Norman DONOVAN. Владелец: Donovan Group Holdings Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Joint structure and method of forming at least a part of a joint structure

Номер патента: WO2023175562A1. Автор: Brett Norman DONOVAN. Владелец: Donovan Group Holdings Limited. Дата публикации: 2023-09-21.

Direct type backlight module unit of dual-side liquid crystal display device

Номер патента: US09523884B2. Автор: Yongyuan Qiu,Zanjia Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Structure and method of construction of such structure

Номер патента: RU2693376C1. Автор: Кадзухико МОРИ,Мориясу НАГАЙОСИ. Владелец: Иида Сангио Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-07-02.

Security devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: RU2647442C2. Автор: Брайан ХОЛМС. Владелец: Де Ла Рю Интернешнл Лимитед. Дата публикации: 2018-03-15.

Refractory nzp-type structures and method of making and using same

Номер патента: EP1255712A1. Автор: Gregory A. Merkel. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: EP3325281A1. Автор: Brian William Holmes. Владелец: De la Rue International Ltd. Дата публикации: 2018-05-30.

Security device and method of manufacture thereof

Номер патента: WO2017017418A1. Автор: Brian William Holmes. Владелец: DE LA RUE INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2017-02-02.

Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe

Номер патента: US20240264225A1. Автор: Yasunobu TORII. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

Structure and method for conversion of heat energy to mechanical energy

Номер патента: RU2539908C1. Автор: Ола ХАЛЛЬ. Владелец: Сканиа Св Аб. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of continuous production of flexible structures and flexible structure

Номер патента: RU2394682C2. Автор: Марк ЛЕМПЕН. Владелец: ПЕННЕЛЬ э ФЛИПО. Дата публикации: 2010-07-20.

Balcony structure and method of its production

Номер патента: RU2400603C2. Автор: Маркку КАТАЙСТО. Владелец: Инсинеритоймисто См-Ракентаят Ой. Дата публикации: 2010-09-27.

Visualization method of RNA pseudoknot structures

Номер патента: US20030176992A1. Автор: Woo Taek Kim,Hong-Jin Kim,Yujin Lee,Kyung Sook Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

Boiler structure and method of assembly

Номер патента: EP2904315A2. Автор: Dewan Shamsuz Zaman. Владелец: Doosan Babcock Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Boiler structure and method of assembly

Номер патента: PH12015500728A1. Автор: Zaman Dewan Shamsuz. Владелец: Doosan Babcock Ltd. Дата публикации: 2015-06-01.

Measurement structure, method of manufacturing same, and measuring method using same

Номер патента: US20140021353A1. Автор: Takashi Kondo,Seiji Kamba. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Elevator structure and method of elevator manufacturing

Номер патента: RU2538742C2. Автор: Марк Пикок,Чжичжун ЯНЬ. Владелец: Коне Корпорейшн. Дата публикации: 2015-01-10.

A mem gyroscope and a method of making same

Номер патента: EP1305256A2. Автор: Randall L. Kubena,David T. Chang. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-05-02.

Method of Producing a Molecular Structure

Номер патента: US20150064095A1. Автор: Steven Bailey,Thomas Pope,Colin Lambert,Laith Algharagholy. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Bolster for front end module structure of a vehicle and method of making a bolster

Номер патента: US20190144044A1. Автор: Issmail Meskin. Владелец: Valeo North America Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Bolster for front end module structure of a vehicle and method of making a bolster

Номер патента: EP3694770A1. Автор: Issmail Meskin. Владелец: Valeo North America Inc. Дата публикации: 2020-08-19.

Filler Valve Having A Diaphragm, A Diaphragm For A Filler, And Method Of Manufacturing

Номер патента: US20180194606A1. Автор: Michael Fogg,Larry Rillema,Lon Eding. Владелец: Fogg Filler Co LLC. Дата публикации: 2018-07-12.

Planter-brick, form for planter-brick, and method of making planter-brick

Номер патента: US20180355611A1. Автор: Kurt Edward Sadler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of producing a molecular structure

Номер патента: EP2834191A1. Автор: Steven Bailey,Thomas Pope,Colin Lambert,Laith Algharagholy. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Method of producing a molecular structure

Номер патента: WO2013150316A1. Автор: Steven Bailey,Thomas Pope,Colin Lambert,Laith Algharagholy. Владелец: Lancaster University Business Enterprises Limited. Дата публикации: 2013-10-10.

A building and method of producing a building

Номер патента: WO1994002692A1. Автор: Kenneth William Thompson. Владелец: Allied Design And Management Services Limited. Дата публикации: 1994-02-03.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: US11745443B2. Автор: William B. Montague,Matthew T. Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12079152B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Implant Support Structure And Method Of Fabrication Of Implant Using The Same

Номер патента: US20240342800A1. Автор: Heinrich George Crous. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Mount for an optical structure and method of mounting the optical structure to the mount

Номер патента: US12111512B2. Автор: Itai Vishnia. Владелец: PLX Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Tubular joist structures and assemblies and methods of using

Номер патента: US09765520B2. Автор: Scott F. Armbrust,Scott A. Armbrust. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of structure and manufacturing apparatus

Номер патента: US09636897B2. Автор: Kazuhiro Nakajima,Hiroshi Taniuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Structural module with stop, collapsible structure, and method of erecting a collapsible structure

Номер патента: US09631393B2. Автор: Theodore R. Zeigler. Владелец: World Shelters Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Implant support structure and method of fabrication of implant using the same

Номер патента: EP4450192A1. Автор: Heinrich George Crous. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of residential and production premises of concrete buildings cleaning of ammonia

Номер патента: RU2603686C2. Автор: . Владелец: Курбатов В.Л.. Дата публикации: 2016-11-27.

Systems and methods of segmenting medical images based on anatomical landmark-based features

Номер патента: RU2699499C2. Автор: Сяо ХАНЬ,Янь ЧЖОУ. Владелец: Электа, Инк.. Дата публикации: 2019-09-05.

Single-component anhydrous coating composition for sealing building structures and flat roofs

Номер патента: RU2420554C2. Автор: Ханс-Детлеф ДАЙКЕ. Владелец: Бостик С.А.. Дата публикации: 2011-06-10.

A superhard structure and method of making same

Номер патента: EP2659013A1. Автор: Geoffrey John Davies,Moosa Mahomed Adia,David Christian BOWES. Владелец: Element Six Abrasives SA. Дата публикации: 2013-11-06.

Integrated biosensor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230266266A1. Автор: Kun Lung Chen. Владелец: Bioup Labs Taiwan Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Computer-implemented method of selecting a profiled element for a load-bearing structure

Номер патента: EP1614054A1. Автор: Henrik Thorning. Владелец: Fiberline AS. Дата публикации: 2006-01-11.

Robot for managing structure and method of controlling the robot

Номер патента: US9098890B2. Автор: Seung Yeol Lee,Jeon Il Moon. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-08-04.

Covering structure and method of forming the same

Номер патента: US20240228846A9. Автор: Chih-Ho Hsu,Chin-Lung Chan,Zheng-Hong LAI. Владелец: Primax Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method of reconfiguring a modular wall

Номер патента: US20230392372A1. Автор: Tai Hoon K. Matlin,Michael Egan,James Edward Losser,Shawn M. APPLEGATE. Владелец: Fellowes Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of relocating a relocatable dwelling and relocatable dwelling

Номер патента: AU2023248114A1. Автор: Peter Wood,Manuel Lang,Brett Wellauer. Владелец: Avid Property Group Pty Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method of organizing products and offers of the products

Номер патента: US20240249330A1. Автор: Shibi Panikkar. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-07-25.

Novel structures and method of preparation

Номер патента: EP1594630A2. Автор: Israel Rubinstein,Michal Lahav,Alexander Vaskevich,Tali Sehayek. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Robot for managing structure and method of controlling the robot

Номер патента: US20140314306A1. Автор: Seung Yeol Lee,Jeon Il Moon. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-10-23.

Method and apparatus for collision avoidance for a kinematic structure, and robotic system

Номер патента: WO2024132972A1. Автор: Sina MIRRAZAVI,Yannik Nagel. Владелец: Sony Europe B.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Controller of vehicle and method of controlling vehicle

Номер патента: US20240286701A1. Автор: Katsuya Sano,Shohei Terai. Владелец: Kawasaki Motors Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Composite bridge deck structural panel and method of fabrication

Номер патента: US20190106848A1. Автор: Scott Lewit,Ronnal P. Reichard. Владелец: Composites Intellectual Holdings Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Composite structural panel and method of fabrication

Номер патента: US20230279624A1. Автор: Scott Lewit,Ronnal P. Reichard. Владелец: Composites Intellectual Holdings Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicon photonic package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240036262A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Article of footwear and method of manufacturing an article of footwear

Номер патента: US20230292882A1. Автор: Tory M. Cross,Cassidy R. Levy. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of three-dimensional structure

Номер патента: US20090304928A1. Автор: Yasushi Kaneda,Kosuke Asano,Taisuke Isano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools

Номер патента: US20030198876A1. Автор: Bill Baggenstoss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools

Номер патента: US20010033979A1. Автор: Bill Baggenstoss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Data-mining and AI workflow platform for structured and unstructured data

Номер патента: US12079737B1. Автор: Jyotiska Biswas. Владелец: Thinktrends LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon photonic package and method of fabricating the same

Номер патента: US12092874B2. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Composite structural panel and method of fabrication

Номер патента: US12129611B2. Автор: Scott Lewit,Ronnal P. Reichard. Владелец: Composites Intellectual Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-purpose transport and flooring structures, and associated methods of manufacture

Номер патента: US09919835B2. Автор: Sam Arthur Brisendine,Scott Austin Key. Владелец: Good Works Studio Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09868630B2. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

SHIELDED CABLE CONNECTING STRUCTURE AND SHIELDED CABLE CONNECTING METHOD

Номер патента: US20120000692A1. Автор: Tsuchiya Kazuhiko. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabricating a dual damascene structure

Номер патента: TW200414422A. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsueh-Chung Chen,Yi-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Method of fabricating a dual damascene structure

Номер патента: TW577145B. Автор: Teng-Chun Tsai,Hsueh-Chung Chen,Yi-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-21.

Window structures and sash slide rails and method of making such assemblies

Номер патента: CA585597A. Автор: R. Gerulis Benedict. Владелец: GRAND RAPIDS HARDWARE CO. Дата публикации: 1959-10-20.

Method of forming a dual damascene copper wire

Номер патента: TWI236100B. Автор: Chien-Chung Huang,Shao-Chung Hu,Yu-Ru Yang,Tzung-Yu Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-07-11.

Manufacturing method of semiconductor device dual damascene structure

Номер патента: TW516181B. Автор: Ding-Jang Jang,Bo-Tsuen Liou,Fu-Min Pan,Jeng-Tzung Shiu,Min Shr. Владелец: Min Shr. Дата публикации: 2003-01-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD AND OPERATING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140043067A1. Автор: CHEN SHIH-HUNG,Lue Hang-Ting. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-02-13.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTERS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000647A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

TAIL THE MOTION METHOD OF GENERATING SIMULATED STROBE MOTION VIDEOS AND PICTURES USING IMAGE CLONING

Номер патента: US20120002112A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF AND ARRANGEMENT FOR LINKING IMAGE COORDINATES TO COORDINATES OF REFERENCE MODEL

Номер патента: US20120002840A1. Автор: van Dam Peter Michael,Linnenbank Andreas Christianus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HIGH RESOLUTION COMPLEX STRUCTURE AND ALLOSTERIC EFFECTS OF LOW MOLECULAR WEIGHT ACTIVATORS ON THE PROTEIN KINASE PDK1

Номер патента: US20120003668A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITAET DES SAARLANDES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR AND A METHOD OF DETERMINING SURFACE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20120004888A1. Автор: . Владелец: Taylor Hobson Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Waterproof Structure and Electronic Equipment

Номер патента: US20120000687A1. Автор: . Владелец: Casio Hitachi Mobile Communications Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

VIOLET LASER EXCITABLE DYES AND THEIR METHOD OF USE

Номер патента: US20120004397A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF TREATING DEGENERATIVE BONE CONDITIONS

Номер патента: US20120004594A1. Автор: Howe James,Schulz Olaf,Swaim Rick,Huber Bryan,Batts Joel,Harness David,Belaney Ryan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTMENT DEVICE AND METHOD OF USING

Номер патента: US20120001053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Electron Diffraction Tomography

Номер патента: US20120001068A1. Автор: . Владелец: FEI COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nanostructured Mn-Al Permanent Magnets And Methods of Producing Same

Номер патента: US20120003114A1. Автор: Zeng Qi,Baker Ian. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rapidly quantifying hydroxymethylated DNA

Номер патента: US20120003663A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE

Номер патента: US20120003666A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS OF DETERMINING PATIENT PHYSIOLOGICAL PARAMETERS FROM AN IMAGING PROCEDURE

Номер патента: US20120004561A1. Автор: John Kalafut F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal pallet and method of making same

Номер патента: US20120000401A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Roll Assembly for a Fiber-Web Machine and Method of Attenuating Vibration of a Fiber-Web Machine Roll

Номер патента: US20120000623A1. Автор: Jorkama Marko. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composite low vault structure and vault erection method

Номер патента: RU2254424C1. Автор: Х.З. Баширов. Владелец: Баширов Хамит Закирович. Дата публикации: 2005-06-20.

Structure and construction method of motor roads

Номер патента: RU2365700C2. Автор: Игорь Антонович Холмянский. Владелец: Игорь Антонович Холмянский. Дата публикации: 2009-08-27.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STERILIZING AN ORTHOPAEDIC IMPLANT

Номер патента: US20120000058A1. Автор: Vogel David,LAMBERT Richard,MCLEAN Terry. Владелец: Smith & Nephew, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DETONATOR CARTRIDGE AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120000387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BLOWOUT PREVENTER MONITORING SYSTEM AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20120000646A1. Автор: . Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PREPARATION METHOD OF PIMARIC ACID TYPE RESIN ACID

Номер патента: US20120004390A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Closed structure control device, system and method of elevator well state control

Номер патента: RU2461513C2. Автор: Минлун ЦЯУ. Владелец: Отис Элевейтэ Кампэни. Дата публикации: 2012-09-20.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.