Structure and formation method of dual damascene structure
Номер патента: US20200294849A1
Опубликовано: 17-09-2020
Автор(ы): Jyu-Horng Shieh, Tai-Yen PENG
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-09-2020
Автор(ы): Jyu-Horng Shieh, Tai-Yen PENG
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Structure of dual damascene structures having via hole and trench
Номер патента: US09887126B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.