Methods of forming a FinFET semiconductor device with a unique gate configuration, and the resulting FinFET device
Номер патента: US09472446B2
Опубликовано: 18-10-2016
Автор(ы): Ali Khakifirooz, Kangguo Cheng, Ruilong Xie, Xiuyu Cai
Принадлежит: Globalfoundries Inc, International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-10-2016
Автор(ы): Ali Khakifirooz, Kangguo Cheng, Ruilong Xie, Xiuyu Cai
Принадлежит: Globalfoundries Inc, International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of making a FinFET device
Номер патента: US09443768B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chang Hsieh,Han-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.