Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in Fo-WLCSP
Номер патента: US09978654B2
Опубликовано: 22-05-2018
Автор(ы): KANG Chen, Yaojian Lin
Принадлежит: Stats Chippac Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-05-2018
Автор(ы): KANG Chen, Yaojian Lin
Принадлежит: Stats Chippac Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in FO-WLCSP
Номер патента: US10192796B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.