Structures for power transistor and methods of manufacture
Номер патента: US20120248534A1
Опубликовано: 04-10-2012
Автор(ы): Qin Huang, Yuming Bai
Принадлежит: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2012
Автор(ы): Qin Huang, Yuming Bai
Принадлежит: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same
Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.