Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of manufacturing a semiconductor device involving the etching of a polycrystalline silicon layer

Method of manufacturing a semiconductor device involving the etching of a polycrystalline silicon layer

Номер патента: EP0171186A1
Опубликовано: 12-02-1986
Автор(ы): Yutaka Tomita
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050215062A1. Автор: Osamu Miyagawa,Masaki Narita,Tokuhisa Ohiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method of forming fine patterns

Номер патента: US09934986B2. Автор: Bum-seok Seo,Seok-Han Park,Jeong-seop SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Etching solution, method for treating substrate with the etching solution, and method for manufacturing semicondutor device

Номер патента: US20240034933A1. Автор: Naoto Nomura,Manami OSHIO. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing semiconductor storage apparatus, and semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20160071863A1. Автор: Takeshi Murata,Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Etching composition, metal-containing film etching method using the same and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20240318077A1. Автор: Kyuyoung HWANG,Cheol Ham,Mihyun PARK,Sungmin Kim,Byungjoon KANG,Jungmin Oh,Daihyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a double layer-consisting of poly si and a silicide-present on a layer of silicon oxide is etched in a plasma

Номер патента: CA1243133A. Автор: Alfred J. Van Roosmalen,Anton P.M. Van Arendonk. Владелец: Anton P.M. Van Arendonk. Дата публикации: 1988-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device including forming a protective film with a 2-layer structure comprised of silicon and carbon

Номер патента: US09748149B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110070723A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8124510B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160372328A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

Method of fabricating dual gate electrode of CMOS semiconductor device

Номер патента: US7402478B2. Автор: Tae-Hyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-22.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09536970B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Dongchul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing

Номер патента: US20240087947A1. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Kuo-Chin Liu,Yu-Cheng Shiau,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device using meander-shaped heating element

Номер патента: US09449849B2. Автор: Hitoshi Murata,Tetsuya Kosugi,Shinobu Sugiura. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing infrared image sensor

Номер патента: US20020034878A1. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Masafumi Kimata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679908B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Manufacturing method of semiconductor device and dry etching apparatus for the same

Номер патента: US20140273482A1. Автор: Masaki Matsui,Yoshinori Tsuchiya,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having a gate electrode of polycrystal layer and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US5381032A. Автор: Yasuna Nakamura,Katsuhiko Tamura,Kenji Kusakabe,Tohru Koyama,Yoshiko Kokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-10.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device by Thermal Treatment with Hydrogen

Номер патента: US20150056784A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-26.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US09536707B2. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing a semiconductor device by thermal treatment with hydrogen

Номер патента: US09449847B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Carsten Ahrens,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Vertical Power Semiconductor Device and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352531A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Christian Jaeger,Daniel Schloegl,Benedikt Stoib. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having a tapered interconnection with insulating material on conductive sidewall thereof within through hole

Номер патента: US20040198036A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for controlling the etch profile of an aperture formed through a multi-layer insulator layer

Номер патента: US5652172A. Автор: PENG YUNG-SUNG,An Min Chiang,Shau-Tsung Yu,Min-Yi Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1997-07-29.

Etching method of multilayered film

Номер патента: US20160042919A1. Автор: Yusuke Saitoh,Ryuuu ISHITA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11978640B2. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160293419A1. Автор: NAM Yun Suk. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170250089A1. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor devices and CMOS image sensors having a shielding wall, electronic apparatuses having the same and methods of fabricating the same

Номер патента: US20100224918A1. Автор: Eun-Gyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060108689A1. Автор: Ki Yang,Jung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060115963A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737037B2. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080293247A1. Автор: Nobuyuki Otsuka,Hiroshi Okamura,Akira Furuya,Shinichi Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606780C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20110207287A1. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US8093124B2. Автор: Jin Gu Kim,Myung Shik LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-10.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160225892A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9337327B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570602B2. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin-film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102777A1. Автор: Takao Yonehara,Kiyofumi Sakaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method of forming a passivation layer of a semiconductor device

Номер патента: US20070161254A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of forming a dielectric film

Номер патента: US5763021A. Автор: Andrew W. Young,Don D. Smith. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210057224A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230317524A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of grinding multilayer body and method of manufacturing solid state image pickup device

Номер патента: EP1800340A1. Автор: Manjirou c/o FUJIFILM Corporation WATANABE,Yoshihisa c/o FUJIFILM Corporation NEGISHI,Hiroshi c/o FUJIFILM Corporation MAEDA,H. c/o FUJIFILM Microdevices Co. Ltd. SHIMAMURA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

FinFET Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20200350417A1. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of planarizing a semiconductor workpiece surface

Номер патента: US5679610A. Автор: Katsuya Okumura,Tetsuo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160233131A1. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of etching a trench into a semiconductor substrate

Номер патента: US5883012A. Автор: Ping-Chang Lue,Herng-Der Chiou. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-16.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Process for manufacturing a silicon carbide semiconductor device having improved characteristics

Номер патента: US20220005702A1. Автор: Anna Bassi,Giovanni Franco,Alfio Russo,Nicolo' Piluso,Andrea Severino,Leonardo Caudo,Stefania RINALDI Beatrice,AngeloAnnibale MAZZEO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for manufacturing a circular wafer by polishing the periphery, including a notch or orientation flat, of a wafer comprising crystal material, by use of polishing tape

Номер патента: US09496129B2. Автор: Naohiro Yamaguchi. Владелец: Mipox Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020111034A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6924162B2. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793376B2. Автор: Toshimasa Yamamoto,Jun Morimoto,Yukihiko Watanabe,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming sacrificial self-aligned features for assisting die-to-die and die-to-wafer direct bonding

Номер патента: US20210183814A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Vassilios Gerousis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing element chip

Номер патента: US20190074185A1. Автор: Noriyuki Matsubara,Hidehiko Karasaki,Atsushi Harikai,Hidefumi Saeki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device having a radio frequency circuit and a method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200227309A1. Автор: Yakov Roizin,Alexey Heiman,Alex Sirkis. Владелец: Tower Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: US11948794B2. Автор: Masashi Sakai,Takuma Mizobe,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09443762B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of Manufacturing a Silicon Carbide Semiconductor Device by Removing Amorphized Portions

Номер патента: US20170103894A1. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-13.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device by removing amorphized portions

Номер патента: US09934972B2. Автор: Roland Rupp,Wolfgang Bergner,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger,Daniel Kueck,Gerald Unegg,Victorina Poenariu,Gerald Reinwald. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8883642B2. Автор: Tomonori Aoyama,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20130280911A1. Автор: Tomonori Aoyama,Wakana KAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Method of fabricating semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200169058A1. Автор: Hitoshi Sato,Kazuya Yamada,Hiroki Nagai. Владелец: Panasonic Semiconductor Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus

Номер патента: SG131917A1. Автор: Tomoo Hayashi,Motoi Nezu. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-28.

Method for forming the gate of a transistor

Номер патента: US20080157132A1. Автор: Dae-Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Process of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080070419A1. Автор: Takayuki Watanabe,Takuya Fujii,Taro Hasegawa,Tsutomu Michitsuta. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Conductive feature with non-uniform critical dimension and method of manufacturing the same

Номер патента: US11935816B2. Автор: Shing-Yih Shih,Jheng-Ting JHONG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article

Номер патента: US12085852B2. Автор: Amir Tavakkoli Kermani Ghariehali. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of Thinning and Structuring Semiconductor Wafers by Electrical Discharge Machining

Номер патента: US20190295855A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Nirdesh Ojha. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US11862508B2. Автор: Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Chih-tang Peng,Bo-Cyuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and a method for film deposition

Номер патента: US20240128077A1. Автор: Ji-Feng Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming narrow structures in a semiconductor device

Номер патента: WO2007037934A1. Автор: Michael Brennan,Scott Bell. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6881618B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6727132B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-27.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US6645799B2. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-11.

Method of manufacturing a dual gate semiconductor device with a poly-metal electrode

Номер патента: US20030203611A1. Автор: Naoki Yamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US9954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a super junction semiconductor device and super junction semiconductor device

Номер патента: US09954093B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a reverse blocking semiconductor device

Номер патента: US09679892B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing a double-source semiconductor device

Номер патента: US09472569B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Ji Yeon Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140189615A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183603A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US09653394B2. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450060B2. Автор: Toru Hiyoshi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Silicon carbide semiconductor device and a method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10186575B2. Автор: Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Ryoji Kosugi,Hidenori Koketsu,Shiyang Ji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-22.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09923062B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10510841B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: EP4310888A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-24.

A method of manufacturing a vertical oriented semiconductor device as well as a corresponding vertical oriented semiconductor device obtained by such a method

Номер патента: US20240030307A1. Автор: Falk-Ulrich Stein. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods of forming doped epitaxial SiGe material on semiconductor devices

Номер патента: US09455140B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device

Номер патента: CA2159243C. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Method of Manufacturing a Super Junction Semiconductor Device and Super Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20180006147A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-01-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181376A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Kenji Fukuda,Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai,Shinsuke Harada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11038020B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical Power Semiconductor Device, Semiconductor Wafer or Bare-Die Arrangement, Carrier, and Method of Manufacturing a Vertical Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210167195A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Brockmeier,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method of manufacturing electronic device, substrate and semiconductor device

Номер патента: US7829378B2. Автор: Yoshihiro Machida. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Logic cell, semiconductor device including logic cell, and method of manufacturing the logic cell and semiconductor device

Номер патента: US20190109088A1. Автор: Jung-Ho Do,Chul-Hong Park,Byung-Sung Kim,Vincent Chun Fai LAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Signal path and method of manufacturing a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US20140183659A1. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device having a step provided in a lateral surface of a trench formed in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US09847414B2. Автор: Hidefumi Takaya,Shinichiro Miyahara,Sachiko Aoi,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacturing MOSFET having a semiconductor base substrate with a super junction structure

Номер патента: US11843048B2. Автор: Daisuke Arai,Koichi Murakami,Noriaki Suzuki,Takeshi Asada,Mizue Kitada. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US20160163585A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Methods of forming self-aligned contact structures on semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09502286B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Ceramic film and method of manufacturing the same, ferroelectric capacitor, semiconductor device, and other element

Номер патента: US20060051601A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Reverse Blocking Semiconductor Device, Semiconductor Device with Local Emitter Efficiency Modification and Method of Manufacturing a Reverse Blocking Semiconductor Device

Номер патента: US20140209973A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190252498A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method of a semiconductor device using a protect layer along a top sidewall of a trench to widen the bottom of the trench

Номер патента: US11805640B2. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of manufacturing a plurality of semiconductor devices and carrier substrate

Номер патента: EP1949433A1. Автор: Greja J. A. M. Verheijden,Ronald Dekker,Cornelis A. H. A. Mutsaers,Carolus J. Van Der Poel,Theodorus M. Michielsen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device package comprising side walls connected with contact pads of a semiconductor die

Номер патента: US11978693B2. Автор: Ralf Otremba,Petteri Palm,Andreas Riegler,Ulrich FROEHLER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device manufacturing method using a sealing layer for sealing of a gap between two wafers bonded to each other

Номер патента: WO2016071064A1. Автор: Wolfgang Janisch,Sven Matthias,Atze De Vries. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device

Номер патента: US20200013853A1. Автор: Suhwan Kim,Sunmin Moon,Young-Lim Park,Kyuho Cho,Jong-bom Seo,Sangyeol KANG,Joohyun JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing an insulated gate type semiconductor device having a U-shaped groove

Номер патента: US6194273B1. Автор: Naoki Matsuura,Hiroyasu Enjo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device

Номер патента: EP1593163A2. Автор: David Thomas Britton,Margit Härting. Владелец: University of Cape Town. Дата публикации: 2005-11-09.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Hetero-junction semiconductor device and method of manufacturing a hetero-junction semiconductor device

Номер патента: US9559197B2. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190043957A1. Автор: Yasuyuki Hoshi,Yuichi HASHIZUME,Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing the imaging device having a reduced p-n junction capacity at one or more of a floating diffusion section, source region, or drain region

Номер патента: US09472592B2. Автор: Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto,Yoshiki Ebiko. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Vertical oriented semiconductor device comprising well regions having a lateral doping gradient with monotonic decreasing doping concentration, as well as a corresponding method of manufacturing such a vertical oriented semiconductor device

Номер патента: US20240030315A1. Автор: Falk-Ulrich Stein,Jakob Teichrib. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US5172851A. Автор: Akira Matsushita,Hidekazu Konishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1992-12-22.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20100081250A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20120302035A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20070281428A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US7645674B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8728903B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20110156126A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Power semiconductor device, measurement system and method for determining a current of a power semiconductor device

Номер патента: US20240105837A1. Автор: Markus BÖHM,Ingo Dirnstorfer,Richard Springer,Andreas Gneupel,Dmitry Balashov,Christian Kemle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor device including a normally-off transistor and transistor cells of a normally-on GaN HEMT

Номер патента: US9263443B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Treu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-16.

Method of forming flat end faces of wire-shaped current conductors which are passed through a glass bottom of a semiconductor base

Номер патента: US3798761A. Автор: Jong C De. Владелец: Individual. Дата публикации: 1974-03-26.

Method of forming a protecting element comprising a first high concentration impurity region separated by an insulating region of a substrate

Номер патента: US09735142B2. Автор: Toshikazu Hirai,Tetsuro Asano,Mikito Sakakibara. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing a plurality of semiconductor device headers

Номер патента: US3689996A. Автор: Geoffrey William Scholes,Anthony Ronald Jones. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-09-12.

Method of producing an optoelectronic device with a frame projecting with circular receptacle section beyond a first side of a lens

Номер патента: US10937825B2. Автор: Markus Boss,Markus Burger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-03-02.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Semiconductor Device Made by the Method of Producing Hybrid Orientnation (100) Strained Silicon with (110) Silicon

Номер патента: US20080303027A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US20210343598A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing semiconductor wafers and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09779931B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Freund,Helmut Oefner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387219A1. Автор: Hiroshi Inagawa,Tomoo Nakayama,Katsuhiro Uchimura,Futoshi Komatsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of manufacturing semiconductor devices by filling grooves formed in a front side surface of a wafer with a side face protection material

Номер патента: US12094837B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Benjamin Bernard,Christian Gruber,Tobias Polster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150249023A1. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device with epitaxial layers and an alignment structure

Номер патента: US09711357B1. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gabor Mezoesi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09466509B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing semiconductor device and method of forming pattern

Номер патента: US20230307287A1. Автор: Toshiaki Komukai,Motofumi Komori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device by determining and selecting cooling recipe based on temperature

Номер патента: US09870964B1. Автор: Takeshi Yasui,Teruo Yoshino. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing semiconductor package substrate with limited use of film resist and semiconductor package substrate manufactured using the same

Номер патента: US09460986B2. Автор: Sung Il Kang,In Seob BAE,Min Seok JIN. Владелец: Haesung DS Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US6316339B1. Автор: Yoshihiro Okusa,Tatsuya Yamauchi. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US6069388A. Автор: Yoshihiro Okusa,Tatsuya Yamauchi. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-30.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20180233472A1. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US10312209B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206860A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761582B2. Автор: Kazutoshi Nakamura,Norio Yasuhara,Tomohiro Tamaki,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US6201291B1. Автор: Srdjan Kordic,Mareike K. Klee,Wilhelm A. Groen,Cornelis A. H. A. Mutsaers. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO1999030363A3. Автор: Srdjan Kordic,Cornelis Adrianus Hen Mutsaers,Wilhelm Albert Groen,Mareike Katharine Klee. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing laminate and kit of adhesive compositions

Номер патента: US20240363387A1. Автор: Yuki Usui,Tetsuya Shinjo,Takahisa OKUNO. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Stacked-type semiconductor device

Номер патента: US5355022A. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Takashi Ipposhi,Toshiaki Ogawa,Natsuo Ajika,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-10-11.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072485A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240312858A1. Автор: Peng Zhang,Jingfan YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US12009364B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20230275096A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US11728285B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Manufacturing method of a semiconductor device

Номер патента: US20180277375A1. Автор: Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210111128A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20240332303A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160141222A1. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor Device and Method of Making the Same

Номер патента: US20150255597A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20020192893A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yoshitaka Ootsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for producing a connection structure and semiconductor device

Номер патента: US12119236B2. Автор: Andreas Rudolph,Christoph Klemp,Teresa Baur. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with reduced leakage current and method for making the same

Номер патента: US09530853B2. Автор: Eunki Hong,Haldane S. Henry,Charles S. Whitman. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Electronic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508627B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method of semiconductor device, processing method of semiconductor wafer, semiconductor wafer

Номер патента: US8883613B2. Автор: Tamotsu Owada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6380071B1. Автор: Takuji Onuma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11699588B2. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-11.

Vertical nanowire semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20220208548A1. Автор: Ying Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-30.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180358430A1. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device on SOI substrate

Номер патента: US5920094A. Автор: Myung-Hee Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of manufacturing semiconductor device using Resolution Enhanced Lithography Assisted Chemical Shrinkage (RELACS)

Номер патента: US8524601B2. Автор: Hidetoshi Koyama,Kazuyuki Onoe,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

An apparatus and method for non-contact assessment of a constituent in semiconductor substrates

Номер патента: WO2007024332A3. Автор: Pedro Vagos. Владелец: Accent Optical Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09963587B2. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing package system

Номер патента: US09570324B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shin-puu Jeng,Shang-Yun Hou,Wei-Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing semiconductor devices having multi-level wiring structure

Номер патента: US6037278A. Автор: Koji Kishimoto,Ken-Ichi Koyanagi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240186368A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices including capacitor and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230084276A1. Автор: Hyunsuk Lee,Gihee CHO,Sangyeol KANG,Jungoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and rinsing liquid

Номер патента: US09780008B2. Автор: Tsuneji Suzuki,Hirofumi Tanaka,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Shoko Ono. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11239344B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11935943B2. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor and method of fabricating the same

Номер патента: US9548203B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of fabricating transistors with a protection layer to improve the insulation between a gate electrode and a junction region

Номер патента: US09786766B2. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080116461A1. Автор: Chi-Ching Lin,YewChung-Sermon Wu,Chih-Yuan Hou,Guo-Ren Hu. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of manufacturing a wiring layer in a semiconductor device

Номер патента: US5846878A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

PLATE OF LARGE DIAMETER MADE OUT OF SiC AND METHOD OF ITS FABRICATION

Номер патента: RU2327248C2. Автор: Сигехиро НИСИНО,Кацутоси МУРАТА. Владелец: Мицуи Инджиниринг Энд Шипбилдинг Ко. Лтд.. Дата публикации: 2008-06-20.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device having the same

Номер патента: US20100224882A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a SOI device, semiconductor device, and SOI device

Номер патента: US7982281B2. Автор: Gabriel Dehlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor package

Номер патента: US6105245A. Автор: Yuichiro Furukawa. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Method of manufacturing a flip chip package and apparatus to attach a semiconductor chip used in the method

Номер патента: US20120100668A1. Автор: Ho-geon Song,Mitsuo Umemoto,Chang-seong Jeon,Sang-sick Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Resin sealing type semiconductor device and method of manufacturing the same, and resin sealing type electronic device

Номер патента: US20100052124A1. Автор: Takeshi Sasaki,Masahiro Shindo. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Method of manufacturing metal silicide and semiconductor structure using the same

Номер патента: US20130234210A1. Автор: Chun-Fu Chen,Yen-Hao Shih,Ying-Tso Chen,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8168523B2. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120202331A1. Автор: Hideto Ohnuma,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: WO2011071864A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-06-16.

Growth methodology for light emitting semiconductor devices

Номер патента: EP2510557A1. Автор: Rajaram Bhat. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device and exposure mask used in the same method

Номер патента: US09601440B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09331156B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same

Номер патента: US7510914B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Hyun-Chul Yoon,Jang-Bin Yim,Sang-Dong Kwon,Sung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230411457A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Kan-Ju LIN,Min-Hsuan LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240128354A1. Автор: JungHan LEE,Jisoo Park,Jaehyoung Lim,Byungju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device including a stress film

Номер патента: US8383486B2. Автор: Hiroyuki Umimoto,Masafumi Tsutsui,Kaori Akamatsu. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Method of manufacturing a flip chip package and apparatus to attach a semiconductor chip used in the method

Номер патента: US8697494B2. Автор: Ho-geon Song,Mitsuo Umemoto,Chang-seong Jeon,Sang-sick Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Post-passivation interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US09859242B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yi-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Post-passivation interconnect structure and method of forming same

Номер патента: US09559070B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Yi-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device having resin sealing body

Номер патента: US6759279B2. Автор: Atsushi Fujisawa,Masahiro Ichitani,Takafumi Konno,Shingo Ohsaka,Ryo Haruta. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-07-06.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICES (as amended)

Номер патента: US20140027824A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jung-Ho Yoo,Keum-seok Park,Woo-Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-30.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US9620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905703B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09620428B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09508803B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices comprising getter layers and methods of making and using the same

Номер патента: US09425153B2. Автор: Kevin Matocha,Sujit Banerjee,Kiran CHATTY,John Nowak. Владелец: Monolith Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09349593B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20170243920A1. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US10002907B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US9698199B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices with system on chip devices

Номер патента: US11856800B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20080093652A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of forming metal silicide layers including dopant segregation

Номер патента: US20160240627A1. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Methods of forming metal silicide layers including dopant segregation

Номер патента: US9685527B2. Автор: Choong-rae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321972A1. Автор: Shinya Sato. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising semiconductor elements formed in a top layer of a silicon wafer situated on a buried insulating layer

Номер патента: CN100382277C. Автор: R·德克,H·G·R·马尔斯,C·E·蒂梅林,P·H·L·班肯. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit devices including updiffusion to selectively dope a silicon layer

Номер патента: US5017507A. Автор: Hideyuki Miyazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for the formation of a polysilicon layer with a controlled, small silicon grain size during semiconductor device fabrication

Номер патента: US6294442B1. Автор: Abu-Hena Mostafa Kamal. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Packaging unit for direct cooling of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230361000A1. Автор: Hyun Wook Jung,Jong Won Lim,Min Soo Kang,Ho Kyun Ahn,Hae Cheon Kim,Hyoung Soon Lee. Владелец: Chung Ang University Industry Academic Cooperaiton Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12057497B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Method of Manufacturing an Electronic Component

Номер патента: US20160372439A1. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing an electronic component

Номер патента: US09620472B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: GB2004694A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1979-04-04.

Method of manufacturing super self-alignment technology bipolar transistor

Номер патента: US4975381A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Method of growing a semiconductor layer and a fabrication method of a semiconductor device using such a semiconductor layer

Номер патента: US5438952A. Автор: Nobuyuki Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-08.

Process for producing semiconductor device

Номер патента: US5147810A. Автор: Kenichi Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-09-15.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230197719A1. Автор: Dong-il Bae,Chang-Woo Noh,Jae-Hyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US20220384296A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Back end of line electrical fuse structure and method of fabrication

Номер патента: US20190181091A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: TW200727388A. Автор: Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Glenn C Abelin,Kyle T Gilliand. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160049346A1. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: EP3942604A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Interposer, microelectronic device assembly including same and methods of fabrication

Номер патента: WO2020190587A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543204B2. Автор: Yoshihiro Saeki,Nobuaki Hoshi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor devices with active semiconductor height variation

Номер патента: US8497556B2. Автор: Sey-Ping Sun,David E. Brown,Hans Van Meer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2536799C. Автор: Satoshi Yamamoto,Tatsuo Suemasu,Kazuya Matsumoto,Toshihiko Isokawa,Koichi Shiotani,Sayaka Hirafune. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2013-11-12.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20150194486A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20170358644A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US11978729B2. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor workpiece with backside metallization and methods of dicing the same

Номер патента: US20130221517A1. Автор: Lei Fu,Michael Su,Edward S. Alcid. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-29.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090159980A1. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: EP3729068A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-28.

A method for manufacturing a fluid sensor device and a fluid sensor device

Номер патента: WO2019121931A1. Автор: Aurelie Humbert,Simone Severi. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of manufacturing interconnection structure applied to semiconductor device

Номер патента: TW200406871A. Автор: Takashi Yamashita,Hiroki Takewaka,Takeshi Masamitsu. Владелец: Ryoden Semiconductor Syst Eng. Дата публикации: 2004-05-01.

Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate

Номер патента: US09799611B2. Автор: Koji Hosokawa,Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09349719B2. Автор: Li-Wei Chu,Wun-Jie Lin,Bo-Ting Chen,Han-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Cooling system for a semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20060099815A1. Автор: Louis Hsu,Howard Chen,Joseph Shepard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150206845A1. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US20160079355A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate

Номер патента: US11798805B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Method of manufacturing semiconductor module and semiconductor module

Номер патента: US20200144147A1. Автор: Koji Bando,Kuniharu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9412831B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: EP4345883A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing semiconductor module and semiconductor module

Номер патента: US20190006258A1. Автор: Koji Bando,Kuniharu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: US20240105660A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device package having warpage control

Номер патента: US20240145448A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Fu-Jen Li,Heh-Chang Huang,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Three-dimensional semiconductor device including a mold structure providing gap regions and an interconnection structure including a plurality of interconnection patterns formed in the gap regions

Номер патента: US8742466B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20080136024A1. Автор: Hiroaki Ikeda,Kunihiko Nishi,Yasuhiro Naka,Masakazu Ishino,Hiroyuki Tenmei. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8980665B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US6603190B2. Автор: Hirofumi Nakano,Katsuya Kosaki,Tetsuo Kunii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-05.

Manufacturing method of insert case for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220165583A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220068916A1. Автор: Jong Sung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180040558A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240014105A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180158781A1. Автор: Young Hun Kim,Byung Hee Kim,Rak Hwan Kim,Eun Ji Jung,Gyeong Yun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US8987103B2. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff,Ralf Otterbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-24.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100289083A1. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304513A1. Автор: Young Woo Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer, method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer

Номер патента: DE102017201744B4. Автор: Takashi Kanazawa,Kenichi Hamano,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for passivating a semiconductor junction

Номер патента: US4717641A. Автор: Henry G. Hughes,Emanuel Belmont. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-01-05.

Nonvolatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20060071265A1. Автор: Jeong-Uk Han,Kwang-Wook Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Passive Semiconductor Device

Номер патента: US20240079353A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin field-effect transistor device and method of forming the same

Номер патента: US11855193B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Stacked Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230387106A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150175800A1. Автор: Katsushi Kan,Yukari Kouno. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device having a polycrystalline silicon IGFET

Номер патента: US09917160B2. Автор: Martin Vielemeyer,Oliver Blank,Martin Poelzl,Andrew Christopher Graeme Wood. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: EP1792335A2. Автор: Steven T. Philips IP & Standards GmbH PEAKE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-06-06.

Manufacture of trench-gate semiconductor devices

Номер патента: WO2004055884A1. Автор: Erwin A. Hijzen,Michael A. A. In 't Zandt. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device, and probe card

Номер патента: US09829507B2. Автор: Takashi Saito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307361A1. Автор: Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Hiroaki ASHIDATE,Yasunori Iwashita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Method of making semiconductor light- emitting device

Номер патента: US20110076788A1. Автор: Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using test socket terminals

Номер патента: US9905482B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using test socket terminals

Номер патента: US09905482B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and inspecting an electrical characteristic thereof using socket terminals

Номер патента: US09761501B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4057349A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-14.

Method of manufacturing capacitor

Номер патента: US6344400B1. Автор: Akie Yutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266277A1. Автор: Yoshiaki Aizawa,Katsuhiro TAKAO,Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having capacitance element and method of producing the same

Номер патента: US20020041005A1. Автор: Koichi Hirata,Nobuyuki Sekikawa,Wataru Andoh,Noriyasu Katagiri. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding ribbon, apparatus and device

Номер патента: EP4411814A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor devices with ferroelectric layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347632A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685442B2. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837427B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US20120126884A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US09553193B2. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US20070087477A1. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338159A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160064291A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same

Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Ferroelectric thin film, method of manufacturing same and method of manufacturing piezoelectric element

Номер патента: US09705070B2. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor apparatus, semiconductor apparatus, and endoscope

Номер патента: US09866738B2. Автор: Kazuaki Kojima. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device and a testing method of the same

Номер патента: US7816154B2. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor Device, A Method of Manufacturing A Semiconductor Device and A Testing Method of the Same

Номер патента: US20110018573A1. Автор: Yoshiaki Nakajima,Tasuke Tanaka,Akira Seito,Kanya HAMADA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US9343395B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20140021618A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20160240484A1. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US09704805B2. Автор: Hiroshi Tsukamoto,Akira Yajima,Hiromi Shigihara,Hisao Shigihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20100200952A1. Автор: Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Precursor composition, method of manufacturing precursor composition, inkjet coating ink, method of manufacturing ferroelectric film, piezoelectric device, semiconductor device, piezoelectric actuator, inkjet recording head, and inkjet printer

Номер патента: US20060138382A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090224310A1. Автор: Hong Pyo Heo,Keum Hwang. Владелец: KEC Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and solar cell and production method for semiconductor device

Номер патента: US12125926B2. Автор: Takuya Matsui,Hitoshi SAI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230017723A1. Автор: Ming-Shiang LIN,Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai,Wan-Lin Chiang,Hong-Ping Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US20130194035A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazutaka Miyano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing a display device

Номер патента: US09466817B2. Автор: Hirotsugu Sakamoto,Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140308789A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796757B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9293563B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4276889A1. Автор: Thomas GOTTARDI,Nicoletta Modarelli,Guendalina Catalano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-15.

Failure-analyzing semiconductor device and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US20010005329A1. Автор: Itaru Tamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780260B2. Автор: Han Kyu Seong,Nam Goo CHA,Kyung Wook HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming a stacked capacitor with striated electrode

Номер патента: US5238862A. Автор: Guy Blalock,Phillip G. Wald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120146107A1. Автор: Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor storage device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090085124A1. Автор: Hitoshi Abiko. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Three dimensional memory device having well contact pillar and method of making thereof

Номер патента: US09768186B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Ryoichi Honma,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing a channel region layer in a voltage controlled semiconductor device

Номер патента: US5786251A. Автор: Lennart Zdansky,Christopher Harris,Bo Bijlenga,Mietek Bakowski. Владелец: ABB Research Ltd Sweden. Дата публикации: 1998-07-28.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20240030087A1. Автор: Yasuo Tanaka,Shinnosuke Soda,Yasunari Hino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Wire bonded semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4163966A1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device having 3d stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285401A1. Автор: Jaechul Park,Sanghun Jeon,Youngkwan Cha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240038828A1. Автор: Yang-Che CHEN,Wei-Yu Chou,Yi-Lun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device comprising a capacitor and a buried passivation layer

Номер патента: US4897707A. Автор: Wilhelmus J. M. J. Josquin,Henderikus Lindeman. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-01-30.

Semiconductor device including zener diode and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180175215A1. Автор: Manoj Kumar,Shang-Hui Tu,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Priyono Tri SULISTYANTO. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20200303494A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: EP1766685A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2005109510A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2005-11-17.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20080176361A1. Автор: Hiroshi Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8860149B2. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145573A1. Автор: Hyungjun Kim,Sanghyun Hong,Sangyong Kim,Ilgyou Shin,Hyunho Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091338A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20100187653A1. Автор: Seiji Otake. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20230299767A1. Автор: Kohei Hasegawa,Shusuke Kawai,Tsuguhiro TANAKA,Takenori Yasuzumi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321871A1. Автор: Kazutoshi Nakamura,Daiki Yoshikawa,Kazuki MINAMIKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200052111A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313109A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322021A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09978884B2. Автор: Tatsuya Nishiwaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768095B2. Автор: Kazunori Uchiyama,Naoki Hakamada,Tadafumi Yoshida,Tomo SASAKI,Masataka DEGUCHI,Akio Kitami. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of making transistor devices with elevated source/drain regions to accommodate consumption during metal silicide formation process

Номер патента: US09490344B2. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of testing semiconductor device

Номер патента: US20040185585A1. Автор: Kunio Kobayashi,Ryouji Nishihashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220328483A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US11894379B2. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of forming nanowire and method of manufacturing semiconductor device comprising the nanowire

Номер патента: US7928017B2. Автор: Jun-Youn Kim,Eun-ju Bae,Joong S. Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-19.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210028173A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230238383A1. Автор: Geum-Jong Bae,Dong-il Bae,Seung-Min Song,Woo-Seok Park,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240097045A1. Автор: Makoto Mizukami,Yoichi Hori,Yuto Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Capacitive element, method of manufacture of the same, and semiconductor device

Номер патента: US8264063B2. Автор: Kazuaki Kurihara,John David Baniecki,Takeshi Shioga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130119472A1. Автор: Koichi Shimazaki,Shoji Nakanishi,Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Номер патента: US09997741B2. Автор: Seong-Hyun Jin,Jong-Hyun Choi,Dae-woo Lee,Dong-Hyun Lee,Guang-Hai Jin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09641102B2. Автор: Yukihiro Sato,Koji Bando,Kazuhiro Mitamura,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09484443B2. Автор: Yoshiyuki Kondo,Masakazu Goto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory device having resistance change element and method of controlling the same

Номер патента: US09472283B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Enhanced stress-retention silicon-on-insulator devices and methods of fabricating enhanced stress retention silicon-on-insulator devices

Номер патента: US7737498B2. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,William Robert Tonti,Kiran V. Chatty,Jed Hickory Rankin,Robert R. Robison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor device for extracting a signal used to monitor potential of a high voltage island

Номер патента: US5279977A. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Masanori Fukunaga,Kazumasa Satsuma,Takeshi Kida,Masao Yoshizawa,Tomohide Terashima,Gourab Majumdar. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US7397063B2. Автор: Kaoru Motonami,Yasuyoshi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20050045880A1. Автор: Kaoru Motonami,Yasuyoshi Itoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US7183635B2. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of making a capacitor for a semiconductor device

Номер патента: KR960003861B1. Автор: Sang-Ho Woo. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-03-23.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20050136587A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193224A1. Автор: Kazuhiro Kubo,Hiroyasu Ito. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20190157178A1. Автор: Norimune ORIMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device having reduced gate charge and reduced on resistance and method

Номер патента: US20070117305A1. Автор: Prasad Venkatraman,Irene Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Method of manufacturing substrate of organic light-emitting display device

Номер патента: US09893284B2. Автор: Young Gil Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Devices and methods of forming VFET with self-aligned replacement metal gates aligned to top spacer post top source drain EPI

Номер патента: US09773708B1. Автор: John Zhang,Kwan-Yong Lim,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Rectifying Junction at the Side Wall of a Trench

Номер патента: US20150349097A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Werner Wolfgang,Rupp Roland,Pfirsch Frank,Konrath Jens. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor devices on diffusion barrier coated substrates and methods of making the same

Номер патента: SG175709A1. Автор: Kevin McCarthy,Michael Kocsis,Arvind Kamath,Gloria Man Ting Wong. Владелец: Kovio Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of evaluating metal contamination in a semiconductor wafer and method of manufacturing a semiconductor wafer

Номер патента: EP2950337B1. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-04.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110041911A1. Автор: Youngho Choe,Sungeun Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP2067164A1. Автор: Philippe Lance,Yann Weber,Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: US20020060353A1. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210134791A1. Автор: Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: EP1207562A3. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313057A1. Автор: Takeru Suto,Tomoka Suematsu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of producing semiconductor devices

Номер патента: US3783500A. Автор: T Mori,T Tokuyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-01-08.

Packaged Semiconductor Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230361068A1. Автор: Chen-Hua Yu,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US11355432B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device contacts

Номер патента: US20120045868A1. Автор: Fabrice Dierre,Mohamed Ayoub. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device contacts

Номер патента: WO2010133869A1. Автор: Mohamed Ayoub,Fabrice Diere. Владелец: Durham Scientific Crystals Limited. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20170250135A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US10665539B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US20200286826A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20190006272A1. Автор: Rikihiro Maruyama,Kenshi KAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Polymer, method of preparing the same, and organic optoelectric device including the same

Номер патента: US09847489B1. Автор: Sang Jin Moon,Won Suk Shin,Sang Kyu Lee,Jong Cheol Lee,Changeun Song,Hoang Quoc Viet. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050073039A1. Автор: Hirotaka Nakano,Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor device embodying field effect transistors and schottky barrier diodes

Номер патента: US3749987A. Автор: N Anantha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-07-31.

Semiconductor Devices

Номер патента: US20210367053A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11672130B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210151506A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240213343A1. Автор: Wolfgang Wagner,Bernd Bitnar,Franz Josef Niedernostheide,Frank Hille,Frank Pfirsch,Roland DIETMÜLLER,Marc Probst,Philip Christoph Brandt,Volodymyr Komarnitskyy,Andreas Korzenietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20110241089A1. Автор: Takashi Machida,Takahiro Kawamura,Hiroyuki Ohri,Yasunori Sogoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Method of fabricating semiconductor devices and the devices

Номер патента: US5612232A. Автор: Mohit Bhatnagar,Charles E. Weitzel,Christine Thero. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-03-18.

A semiconductor device for extracting a signal used to monitor potential of a high voltage island at a low voltage island and method of manufacturing the same

Номер патента: US5200638A. Автор: Hiroshi Yamaguchi,Masanori Fukunaga,Kazumasa Satsuma,Takeshi Kida,Masao Yoshizawa,Tomohide Terashima,Gourab Majumdar. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-04-06.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of manufacturing a lithium ion battery

Номер патента: US09929438B2. Автор: Rainer Leuschner,Bernhard Goller,Rafael Janski,Magdalena Forster,Kamil Karlovsky,Michael Sorger,Katharina Schmut,Vijaye Kumar Rajaraman. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing winding-type electronic component

Номер патента: US12073990B2. Автор: Takayuki Yamakita. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Chip antenna and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160372830A1. Автор: Sung Jun Park,Ju Hyoung PARK,Sung Eun Cho,Dae Kyu Lee,Ha Ryong HONG,Seung Hun Ryu. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Inhalation device and method of manufacturing an inhalation device

Номер патента: EP4384031A1. Автор: Akira Yamaguchi. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device of USB interface and method of operating the same

Номер патента: US10686283B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A3. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of configuring and manufacturing a susceptor

Номер патента: WO2023168410A2. Автор: David Crosby,Alexander ChinHak Chong,David Wayne,William Bartkowski,Gerard Shudall. Владелец: Cqens Technologies Inc.. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of operating a computer-controlled device for establishing a secure data communication in a distributed control system of a passenger transportation arrangement

Номер патента: AU2021220228A1. Автор: Claudio COLOMBANO. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2022-09-01.

Method of operating a computer-controlled device for establishing a secure data communication in a distributed control system of a passenger transportation arrangement

Номер патента: EP4103501A1. Автор: Claudio COLOMBANO. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2022-12-21.

Method of operating a computer-controlled device for establishing a secure data communication in a distributed control system of a passenger transportation arrangement

Номер патента: WO2021160542A1. Автор: Claudio COLOMBANO. Владелец: INVENTIO AG. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Heatable fluid chamber assembly and method of manufacturing same

Номер патента: EP3645349A1. Автор: Karl Bode. Владелец: A Raymond SARL. Дата публикации: 2020-05-06.

Method of fabricating a magnetoresistive bit from a magnetoresistive stack

Номер патента: US20240049607A1. Автор: Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing micro flow path device, and micro flow path device

Номер патента: US20230285959A1. Автор: Takayuki Komori. Владелец: Nok Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Highly integrated power electronics and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240341027A1. Автор: FENG Zhou,Ercan Mehmet DEDE,Tianzhu Fan. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing a surface mounted device and corresponding surface mounted device

Номер патента: WO2012084291A1. Автор: Francois Lechleiter. Владелец: Microconnections SAS. Дата публикации: 2012-06-28.

Wireless charging circuit topology and related methods of manufacturing

Номер патента: WO2024182422A2. Автор: Xuan Zhang,Mehmet Ozbek. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Wireless charging circuit topology and related methods of manufacturing

Номер патента: WO2024182422A3. Автор: Xuan Zhang,Mehmet Ozbek. Владелец: Tesla, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

A multi-functional optical switch and its method of manufacture

Номер патента: WO2001006305A3. Автор: Alireza Gharavi. Владелец: Trans Photonics L L C. Дата публикации: 2001-11-15.

A multi-functional optical switch and its method of manufacture

Номер патента: EP1200870A2. Автор: Alireza Gharavi. Владелец: Trans Photonics LLC. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of designing a piezoelectric component

Номер патента: US6543108B1. Автор: Yasuhiro Itasaka. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20130241620A1. Автор: Masato Suzuki,Shigeyuki Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

A hybrid organic-inorganic semiconductor device and a method of its fabrication

Номер патента: WO2001057939A3. Автор: Ron Naaman,David Cahen. Владелец: David Cahen. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240135005A1. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of operating semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20210149317A1. Автор: Hsiang Chen,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Sheng-Kang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of and system for making a semiconductor device

Номер патента: US20020166099A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and data processing system selectively operating as one of a big endian or little endian system

Номер патента: US09754562B2. Автор: Yuri Azuma,Goro Sakamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and data processing system selectively operating as one of a big endian or little endian system

Номер патента: US09501964B2. Автор: Yuri Azuma,Goro Sakamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device with reduced power consumption that selectively drives one of a plurality of signal receivers according to level of external supply voltage

Номер патента: US7512823B2. Автор: Dae Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Monitoring circuit of semiconductor device to monitor a read-period signal during activation of a boot-up enable signal

Номер патента: US09459882B2. Автор: Joo Hyeon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Fibre reinforced plastic composite, method of manufacturing thereof, plastic composite starting material for manufacturing the fibre reinforced plastic composite, and component of a wind turbine comprising the fibre reinforced plastic composite

Номер патента: EP2781539A1. Автор: Erik Grove-Nielsen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-09-24.

A method of modifying or manufacturing a colostomy appliance

Номер патента: GB2476081A. Автор: Peter Argent,Neil Wiltshire. Владелец: Salts Healthcare Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: EP4238543A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: US20230315931A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Machine-assisted method of designing and manufacturing a custom anatomical seat cushion based on anthropometric measurements

Номер патента: CA3191961A1. Автор: Jean-Luc Lessard. Владелец: Amylior Inc. Дата публикации: 2023-09-04.

A method of designing and manufacturing a delayed coker drum

Номер патента: WO1998001512A1. Автор: Richard S. Boswell,Thomas D. Farraro. Владелец: Citgo Petroleum Corporation. Дата публикации: 1998-01-15.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Sensor apparatuses, methods of operating same, and systems including same, and methods and systems for sensing and analyzing electromechanical characteristics of a heart

Номер патента: US20200405170A1. Автор: Farzad KHOSROW-KHAVAR,Kay JESSEL,Sean ROSS. Владелец: HEART FORCE MEDICAL INC. Дата публикации: 2020-12-31.

Sensor apparatuses, methods of operating same, and systems including same, and methods and systems for sensing and analyzing electromechanical characteristics of a heart

Номер патента: EP3731746A1. Автор: Farzad KHOSROW-KHAVAR,Kay JESSEL,Sean ROSS. Владелец: HEART FORCE MEDICAL INC. Дата публикации: 2020-11-04.

Method of cutting off laminate layers, eg a glass fibre or carbon-fibre laminate layer in the blade of a wind turbine

Номер патента: US09751277B2. Автор: Torben Krogsdal Jacobsen,Morten Dahl. Владелец: Lm Glasfiber As. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of manufacturing aluminium nitride crystals for semiconductor devices

Номер патента: US3634149A. Автор: Wilhelmus Francisc Knippenberg,Gerrit Verspui. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-01-11.

Semiconductor device and data processing system selectively operating as one of a big endian or little endian system

Номер патента: US8316217B2. Автор: Yuri Azuma,Goro Sakamaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-20.

Fuel system and method of preventing boiling of ethanol-based fuel at an internal combustion engine driven low pressure fuel pump of a fuel system

Номер патента: SE543281C2. Автор: Tryggve Nylander,Jonas Hävnes. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2020-11-17.

Imaging module and reader for, and method of, reading a target over a field of view by image capture with a visually prominent indicator of a center zone of the field of view

Номер патента: US09639728B1. Автор: Igor Vinogradov,Vladimir Gurevich,Darran Michael Handshaw. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of designing and manufacturing a hydraulic valve block based on selective laser melting

Номер патента: US20220250156A1. Автор: Pengfei Chen,Bing He,Yajie Liu. Владелец: Jiangsu XCMG Construction Machinery Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Container with a one-piece container body comprising fibers and a closure therefor, method for manufacturing a container body, device and method for closing a container body by means of a closure

Номер патента: US20240246715A1. Автор: Konrad Senn,Frank Winzinger,Jörg Zacharias,Angelika Grosser,Ulrich Lappe,Barbara WEIN. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing a plate-shaped product comprising positioning a component which is connected to or forms part of a plate, and also device suitable for carrying out the method and plate-shaped product which can be manufactured according to the method

Номер патента: US5168737A. Автор: Gerardus J. J. Streefland,Hillebrand J. J. Kraakman,Henricus M. Ruyten,Heinrich Hutter,Walter Trowal. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-12-08.

Method of, and device for, rapi for, rapidly threading perforated articles onto a rod, in particular a rod of a display unit

Номер патента: CA1084539A. Автор: Edmond Bona. Владелец: DROGUET INTERNATIONAL. Дата публикации: 1980-08-26.

Method of determination of water stress in one or more plants in a crop located in the vicinity of a soil moisture sensor array and knowledge of eto

Номер патента: AU2022203130A1. Автор: Peter Buss. Владелец: Sentek Pty Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of implanting a penile prosthetic by capturing a suture in a slot formed through an exterior surface of a needle

Номер патента: US20160317306A1. Автор: Jeffrey Brian Taylor. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of using extracellular vesicles to detect complement activation, and uses thereof to assess and/or monitor treatment of a complement-mediated disease

Номер патента: US20230349887A1. Автор: Tobin J. CAMMETT,Ellen E. Millman. Владелец: Alexion Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods of using fatty-acid esters of estrogens and serotonin reuptake inhibiting compounds for reducing the body weight of a mammal and compositions containing the same

Номер патента: CA2584383A1. Автор: Marià Alemany. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

Imaging module and reader for, and method of, reading a target over a field of view by image capture with a visually prominent indicator of a center zone of the field of view

Номер патента: CA2976397C. Автор: Igor Vinogradov,Vladimir Gurevich,Darran Michael Handshaw. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-02.

Fuel system and method of preventing boiling of ethanol-based fuel at an internal combustion engine driven low pressure fuel pump of a fuel system

Номер патента: SE1950113A1. Автор: Tryggve Nylander,Jonas Hävnes. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2020-08-01.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: EP2473329A2. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-07-11.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: WO2011028060A9. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Probe sheet with contact tip on stacked multi-layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240230717A1. Автор: Tae Kyun Kim,Yong Ho Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing stabilizing bar supplied with rubber sleeve and rubber sleeve stabilizing bar therewith

Номер патента: RU2669764C2. Автор: Дайсуке ХИГУТИ,Ёхэй ОКАДА,Такуя МАЦУДА. Владелец: Мицубиси Стил Мфг. Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-15.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Method of manufacturing a laminated element

Номер патента: RU2752161C2. Автор: Ёсинори ИДЗАВА,Дзюнити АРАЙ,Ютака МАБУТИ,Кацунори ОТОБЭ,Синити НИСИМУРА. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2021-07-23.

A method of and an apparatus for manufacturing an optical lens

Номер патента: WO2010052316A1. Автор: GUILLAUME MARTIN. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'optique). Дата публикации: 2010-05-14.

Method of manufacturing a flexible display substrate and process film for manufacturing a flexible display substrate

Номер патента: US20240246328A1. Автор: Soo-Jin Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and driving method thereof, and electronic device

Номер патента: US09478168B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing nozzle plate and inkjet head

Номер патента: US20110041336A1. Автор: Won-Chul Sim,Young-Jae Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: EP4017428A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-06-29.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket and virtual adjustment of a prosthesis

Номер патента: WO2021032227A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Laminated substrate, liquid ejection head, and method of manufacturing laminated substrate

Номер патента: US20240181778A1. Автор: Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

A JOINT BETWEEN AN ELEMENT AND A RAIL, AND A METHOD OF MANUFACTURING A RAIL FOR SUCH JOINT AND A RAIL& xA;

Номер патента: EP1639263B1. Автор: Tage Madsen,Esben Brun Nielsen. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2011-08-17.

A joint between an element and a rail, and a method of manufacturing a rail for such joint

Номер патента: WO2005001297A1. Автор: Tage Madsen,Esben Brun Nielsen. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2005-01-06.

A joint between an element and a rail, and a method of manufacturing a rail for such joint

Номер патента: EP1639263A1. Автор: Tage Madsen,Esben Brun Nielsen. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2006-03-29.

Method of manufacturing superior 13cr thickened drillrod

Номер патента: US20160047019A1. Автор: PENG Zhao,Minghua Wang,Chunxia ZHANG,Jianwei Zhang,Yanpeng SONG. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing a precisely aligned microlens array

Номер патента: US20030117712A1. Автор: John Border,Susan Bernegger,John Pulver,Morgan Smith. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2003-06-26.

Green light sacrificial layer and method of manufacturing touch display device

Номер патента: US20230221596A1. Автор: Yuheng Liang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Floor element for forming a floor covering, a floor covering, and a method of manufacturing a floor element

Номер патента: US20240279937A1. Автор: Claudio Caselli,Rahul Patki. Владелец: Dal Tile LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Floor element for forming a floor covering, a floor covering, and a method of manufacturing a floor element

Номер патента: US12110694B2. Автор: Claudio Caselli,Rahul Patki. Владелец: Dal Tile LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Green light sacrificial layer and method of manufacturing touch display device

Номер патента: US12135477B2. Автор: Yuheng Liang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US09427953B2. Автор: Yuzuru Ishida,Makoto Sakurai,Kazuaki Shibata,Sadayoshi Sakuma. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing micro-array substrate

Номер патента: US09783893B2. Автор: Young Soo Yoon,Seon Tae Kim,Seung Hyun JEE. Владелец: Gil Medical Center. Дата публикации: 2017-10-10.

Side airbag cushion and method of manufacture

Номер патента: US09573551B1. Автор: Atsushi Yamada,Xiaohong Wang,Takayuki Makioka,Hongseok Kim. Владелец: Autoliv ASP Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Fluorescence time decay sensing apparatus and methods of manufacturing same

Номер патента: EP4350302A3. Автор: Daryl James,Nicholas Reeves,Sharada BALAJI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing bitumen-impregnated ridge tiles and machines for manufacturing such tiles

Номер патента: RU2639763C2. Автор: Этем САКИОГЛУ,Жан-Клод ЛЕМЭТР. Владелец: Ондюлин. Дата публикации: 2017-12-22.

Residential building and method of manufacture of thermal insulation

Номер патента: RU2746422C2. Автор: Иван МАЛЛИНОВСКИ. Владелец: Верк Айнс Гмбх. Дата публикации: 2021-04-13.

Actively synchronizing magnetic responses of a shield and a write pole

Номер патента: US20130201577A1. Автор: Mourad Benakli,Kirill Aleksandrovich Rivkin,Declan Macken,Jason Bryce Gadbois,James Gary Wessel,Radek Lopusnik. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-08.

Method of predicting noise of air conditioner, and method of manufacturing air conditioner using the same

Номер патента: US20060020435A1. Автор: HAYASE Gaku,Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Sliding element and method of manufacturing therefor

Номер патента: RU2682361C1. Автор: Йосинори ИЗАВА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-19.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Rope and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180187371A1. Автор: Hiroshi Shirakawa,Tetsuo Tsuchiya,Toshimitsu Takagi,Takako NAKAMURA. Владелец: Kagawa Prefectural Government. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

MITIGATING PYROPHORIC DEPOSITS DURING SiC CVI/CVD PROCESSES BY INTRODUCING A MITIGATION AGENT INTO AN EXHAUST CONDUIT DOWNSTREAM OF A REACTION CHAMBER

Номер патента: US20220112134A1. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Combined method of producing methyl acetate and methanol from syntheses gas and dimethyl ether

Номер патента: RU2686734C2. Автор: Тимоти Криспин БРИСТОУ. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2019-04-30.

Method of producing acetic acid

Номер патента: RU2358966C2. Автор: Марк О. СКЕЙТС,Дэвид А. ТРУЭБА. Владелец: Селаниз Интернэшнл Корпорейшн. Дата публикации: 2009-06-20.

Probiotic based on bacterial strain bacillus subtilis mg-8 vkpm v-12476 and method of application probiotic for prevention of gastrointestinal diseases in agricultural animals and poultry

Номер патента: RU2663720C1. Автор: Маргарита Рашидовна Шарипова,Айслу Миркасымовна Марданова,Гузель Фанисовна Хадиева,Марат Тафкилевич Лутфуллин,Найля Касимовна Мочалова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2018-08-08.

Method of determining breakthrough time for leakage preventing pads in a landfill

Номер патента: RU2687695C1. Автор: Вэй Чжу,Ши ШУ,Шэнвэй ВАН,Хаоцин Сюй,Сихуэй Фань. Владелец: Хохай Юниверсити. Дата публикации: 2019-05-15.

Seed retaining member and method of manufacturing polycrystalline silicon using the seed retaining member

Номер патента: SG178958A1. Автор: Jun Ishizaki,Masaki Izumiya. Владелец: Toyo Tanso Co. Дата публикации: 2012-04-27.

Cantilever beam structure where stress is matched and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140374857A1. Автор: Zhigang Li,Dapeng Chen,Binbin Jiao,Ruiwen Liu,Yanmei Kong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-12-25.

Mitigating pyrophoric deposits during SiC CVI/CVD processes by introducing a mitigation agent into an exhaust conduit downstream of a reaction chamber

Номер патента: US11713281B2. Автор: Ying She,Zissis A. Dardas,Thomas P. Filburn,Gavin Charles Richards,Naveen Menon. Владелец: Goodrich Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of manufacturing polyalkylene carbonate

Номер патента: US09447236B2. Автор: Seung Young Park,Yoon-Jung Kim,Taek-Jun JUNG,Yun-Ki Cho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Heterogeneous mixture of polymers and method of increasing content of filling agent in paper or carton sheet with its application (versions)

Номер патента: RU2521590C2. Автор: Фрэнк Дж. САТМЕН,Джозеф М. МЭХОУНИ,Роберт Энтони ДЖИЛЛ,Дэниел Брюс ЭВАНС. Владелец: Спешалти Минерэлз (Мичиган) Инк.. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of biodegradation of malachite green (options)

Номер патента: RU2676153C2. Автор: Мария Александровна Купряшина,Елена Геннадьевна Пономарева,Екатерина Александровна Лощинина,Валентина Евгеньевна Никитина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской академии наук". Дата публикации: 2018-12-26.

Method of super-viscous oil field development

Номер патента: RU2675114C1. Автор: Марат Инкилапович Амерханов,Нияз Анисович Аслямов,Андрей Иванович Куринов,Марат Зуфарович Гарифуллин,Муктасим Сабирзянович Ахметзянов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-12-17.

Method of cleaning standing water reservoirs from heavy metals and oil products

Номер патента: RU2630552C1. Автор: Владимир Дмитриевич Назаров,Максим Владимирович Назаров,Владимир Юрьевич Разумов,Ильдус Рафикович Галинуров,Ильшат Фаритович Гараев,Тимур Олегович Ахметов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный нефтяной технический университет". Дата публикации: 2017-09-11.

Foamer ingredient in the form of a powder and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4401563A1. Автор: Paul Bastiaan van Seeventer,Thom HUPPERTZ,Janine Henriët BOOIJ-VEURINK,Jan EDING,Wilbert WILLEMS. Владелец: FrieslandCampina Nederland BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10658051B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US10541036B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-21.

Semiconductor integrated circuit device including a leakage current sensing unit and method of operating the same

Номер патента: US09460786B2. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Multi-layer plastic carrier plate and the method of its manufacture

Номер патента: RU2747150C1. Автор: Ханс-Юрген ХАННИГ,Феликс ХЮЛЛЕНКРЕМЕР. Владелец: Акцента Панееле + Профиле Гмбх. Дата публикации: 2021-04-28.

Foamer ingredient in the form of a powder and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240215630A1. Автор: Paul Bastiaan van Seeventer,Thom HUPPERTZ,Janine Henriët BOOIJ-VEURINK,Jan EDING,Wilbert WILLEMS. Владелец: FrieslandCampina Nederland BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Nuclear fuel element containing a core made of fissile material and a reinforcement cover and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2023139030A1. Автор: Anantha Phani Kiran Kumar NIMISHAKAVI. Владелец: FRAMATOME. Дата публикации: 2023-07-27.

Moving object, server, and method of manufacturing moving object

Номер патента: US20240377832A1. Автор: Takeshi Kanou,Keigo Ikeda,Daiki Yokoyama,Go Inoue,Noritsugu Iwazaki,Shogo YASUYAMA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing an electrowetting device

Номер патента: US09423606B2. Автор: Ivar Schram. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of designing a last used for manufacturing an article of footwear with reverse upper process

Номер патента: EP4052603A1. Автор: Giuseppe SANTONI. Владелец: Santoni SpA. Дата публикации: 2022-09-07.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method of simulating semiconductor devices and method of designing semiconductor devices using the same

Номер патента: US20150205897A1. Автор: Mi-Hyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of designing semiconductor device integrated circuit and layout thereof

Номер патента: US20240169138A1. Автор: Sunghoon Kim,Kiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US11685089B2. Автор: Hiromasa Amma,Toshiaki Hirosawa,Yukuo Yamaguchi,Takuya Iwano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Engineered non-woven textile and method of manufacturing

Номер патента: EP4402313A1. Автор: Eun Kyung Lee,Taeyoon Kim,Matthew D. Nordstrom,Hyo Young Kim,Todd A. Waatti,Chun-Hao Hsu,Hyunwoo Jeon,Kevin R. DERR,Martin E. Evans,EunYoung BYUN,Ho Eun Kim,Gwen MARKS,I-Han LAN,Yi-Chia LIANG. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of designing and manufacturing cam device and three-dimensional design-support computer program for the same

Номер патента: US20110202158A1. Автор: Satoshi Nakamura,Hiroyoshi Kako,Akihito Ishizaka. Владелец: Sankyo Oilless Industries Inc. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of reducing titers of antibodies specific for a therapeutic agent

Номер патента: US09592247B2. Автор: Dwight D. Koeberl,Priya S. Kishnani,Suhrad G. Banugaria,Sean N. Prater. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing food product packaged into tubes

Номер патента: RU2632227C2. Автор: Юрий Владимирович Рыбаков. Владелец: Юрий Владимирович Рыбаков. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing a flexible display substrate and process film for manufacturing a flexible display substrate

Номер патента: US11951726B2. Автор: Soo-Jin Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: EP3911283A1. Автор: Ji í ROSICKÝ,Tomá BOUMA,Ale GRYGAR. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2021-11-24.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: WO2021032228A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group, s.r.o.. Дата публикации: 2021-02-25.

Process Of Designing And Manufacturing A Prosthetic Socket

Номер патента: US20220339008A1. Автор: Jiri ROSICKY,Tomás Bouma,Ales Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2022-10-27.

Process of designing and manufacturing a prosthetic socket

Номер патента: US12042409B2. Автор: Ji{hacek over (r)}í Rosický,Tomá{hacek over (s)} Bouma,Ale{hacek over (s)} Grygar. Владелец: Invent Medical Group sro. Дата публикации: 2024-07-23.

Systems and methods of blade tip repair and manufacturing using field assisted sintering

Номер патента: US20240263557A1. Автор: Xuan Liu,Brian T. Hazel,Michael J. Minor,Steven Ivory,Christopher J. Bischof,Nicholas M. LoRicco,Brian Richard Craig,Luke Henry Rettberg,Stewart S. Fowler. Владелец: Raytheon Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Optoelectronic semiconductor device comprising a waveguide and method of manufacturing such a device

Номер патента: US5494834A. Автор: Antonius H. J. Venhuizen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

A method of manufacturing a component

Номер патента: EP4321280A1. Автор: Stephen Harding. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of and apparatus for article inspection including speckle reduction

Номер патента: US20020080348A1. Автор: Silviu Reinhorn,Boaz Kenan,Avner Karpol,Shimon Yalov,Emanuel Elysaf. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Systems and methods of operating directional drilling rigs

Номер патента: US20170234070A1. Автор: Ryan Littlefield,Dwayne OSADCHUK. Владелец: Ozzie Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-08-17.

Systems and methods of operating directional drilling rigs

Номер патента: EP3414426A1. Автор: Ryan Littlefield,Dwayne OSADCHUK. Владелец: Ozzies Entpr LLC. Дата публикации: 2018-12-19.

Systems and methods of operating directional drilling rigs

Номер патента: US09957754B2. Автор: Ryan Littlefield,Dwayne OSADCHUK. Владелец: Ozzie Enterprises LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of producing a cyclic oligomer, a cyclic oligomer obtained by this method, as well as a method for polymerisation thereof

Номер патента: RU2767861C2. Автор: Либорио Ивано КОСТА,Петер Йоахим ФЛЕКЕНШТАЙН,Ян-Георг РОЗЕНБОМ,Джузеппе СТОРТИ,Массимо Морбиделли. Владелец: Зульцер Менеджмент Аг. Дата публикации: 2022-03-22.

Method of manufacturing a lattice structure

Номер патента: RU2656896C1. Автор: Иван Леонидович Кузнецов,Марат Айдарович Салахутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный архитектурно-строительный университет" КГАСУ. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of manufacturing maraging steel

Номер патента: RU2656899C1. Автор: Лоран ФЕРРЕ,Такахико КАМИМУРА,Паскаль ПУЛЕН. Владелец: Хитачи Металз, Лтд.. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of preparing catalyst and method of producing diesel fuel using said catalyst

Номер патента: RU2376062C1. Автор: Геннадий Викторович Ечевский,Олег Владимирович Кихтянин,Александр Викторович Токтарев,Антон Евгеньевич Рубанов. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-12-20.

Method of measuring shape and size of parts of human body, method of searching flat object of known shape and size on image, method of separating part of human body from background on image

Номер патента: RU2684436C1. Автор: Виктор Валерьевич Посметьев,Григорий Владимирович Чуйко,Андрей Анатольевич Ревков,Иван Сергеевич Щедрин,Егор Андреевич Ревков,Наталья Демьяновна Гришко,Дмитрий Михайлович Канин. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фиттин". Дата публикации: 2019-04-09.

Anthracycline derivatives, method of producing 13-benzenidesulphonylhydrazine derivatives of anthracyclines, method of producing 13-deoxyanthracyclines, method of producing 5-imino-13-deoxyanthracyclines

Номер патента: RU2404188C2. Автор: Ричард Д. ОЛСОН,Джералд М. УОЛШ. Владелец: ДжиИэМ Фамэсьютикэлс, эЛэЛСи. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of determining mechanical characteristics of materials at cryogenic temperatures

Номер патента: RU2661745C2. Автор: Николай Николаевич Попов,Александр Николаевич Казаринов,Сергей Николаевич Казаринов,Павел Владимирович Кузьмичев,Владимир Андреевич Левин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2018-07-19.

Golf ball printing ink, golf ball bearing a mark printed with the ink, and method of manufacturing the golf ball

Номер патента: US6646021B2. Автор: Hiroaki Tanaka,Masaaki Kikuchi. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2003-11-11.

A method of manufacturing a recombinant vaccine against viral rabbit haemorrhagic disease, the vaccine, the application of a recombinant antigen in the manufacture of the vaccine

Номер патента: WO2007008093A3. Автор: Boguslaw Szewczyk,Andrzej Kęsy,Beata Gromadzka,Andrzej Fitzner. Владелец: Panstwowy Inst Weterynaryjny P. Дата публикации: 2007-04-19.

Task scheduling method of a semiconductor device

Номер патента: US20130047004A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-21.

Method of making thin crystal silicon films for semiconductor devices

Номер патента: RU2333567C2. Автор: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Владелец: Дмитрий Евгеньевич Миловзоров. Дата публикации: 2008-09-10.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of preparation of an emulsifying agent for production of blasting explosives and the emulsifying agent for production of a blasting explosive

Номер патента: RU2263096C1. Автор: В.М. Новиков,В.А. Ковалев,А.Н. Чурзин,В.Ю. Гаравин,В.Б. Иоффе,Е.И. Жученко,А.Б. Фролов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Нитро-Сибирь". Дата публикации: 2005-10-27.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formed Ceramic Receiver Element Adhered to a Semiconductor Lamina

Номер патента: US20120003775A1. Автор: Jackson Kathy J.,Agarwal Aditya. Владелец: TWIN CREEKS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL APPARATUS FOR PLASMA IMMERSION ION IMPLANTATION OF A DIELECTRIC SUBSTRATE

Номер патента: US20120000421A1. Автор: Singh Vikram,Miller Timothy,Leavitt Christopher J.,Godet Ludo. Владелец: VARIAN SEMICONDUTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIRUS LIKE PARTICLE COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003266A1. Автор: . Владелец: The United States of America,as represented by The Secretary, National Institues of Health. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing hollow billets with non-oxidized inner surface

Номер патента: RU2009003C1. Автор: В.А. Рогов,Е.А. Коршунов,С.П. Буркин,Ю.Н. Логинов,Г.С. Санина,В.Е. Барт,Е.П. Грибанов. Владелец: Рогов Владимир Александрович. Дата публикации: 1994-03-15.

Security paper with watermark (versions) and method of its manufacturing (versions)

Номер патента: RU2475578C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Елена Михайловна Федорова,Игорь Олегович Говязин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2013-02-20.

INHIBITION OF FATTY ACID SYNTHESIS BY IODO-NITROBENZAMIDE COMPOUNDS AND METHODS OF TREATMENT THEREOF

Номер патента: US20120004260A1. Автор: Sherman Barry,Ossovskaya Valeria. Владелец: BIPAR SCIENCES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LONG-ACTING VETERINARY POLYPEPTIDES AND METHODS OF PRODUCING AND ADMINISTERING SAME

Номер патента: US20120004286A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU4410768A. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of manufacturing electronic devices in particular semiconductor devices and device obtained by said method

Номер патента: AU430044B2. Автор: Siebold Te Velde Fies. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-04-09.

Method of producing heteroepitaxial silicon carbide films on silicon substrate

Номер патента: RU2521142C2. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Гусейн Муфтялиевич Рамазанов,Газимагомед Убайдулаевич Газимагомедов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2014-06-27.

Methods of Treating an Overweight or Obese Subject

Номер патента: US20120004162A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WALL FORMED IN SOIL, THE WALL INCLUDING A HOLLOW PREFABRICATED ELEMENT, AND A METHOD OF MAKING SUCH A WALL

Номер патента: US20120000148A1. Автор: MATHIEU Fabrice,BOREL Serge,HAMELIN Jean Pierre,CANO Joël. Владелец: SOLETANCHE FREYSSINET. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTMENT DEVICE AND METHOD OF USING

Номер патента: US20120001053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LEVEL PULSE MODULATED POLAR TRANSMITTER AND METHOD OF GENERATING MULTI-LEVEL MODULATED ENVELOPE SIGNALS CARRYING MODULATED RF SIGNAL

Номер патента: US20120002755A1. Автор: . Владелец: NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimating Depths from a Single Image Displayed on Display

Номер патента: US20120002871A1. Автор: Wang Jin,Lin Jian-Hua,Hu Miao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONLINEAR MODEL PREDICTIVE CONTROL OF A BATCH REACTION SYSTEM

Номер патента: US20120003623A1. Автор: . Владелец: ROCKWELL AUTOMATION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DETECTING TARGET SUBSTANCE

Номер патента: US20120003666A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of generating control commands on rocket rotating on banking angle, rocket control system, method of measuring banking angle on rocket, gyroscopic device for measuring banking angle, method of generating sine and cosine signals on rocket rotating on banking angle, and sine-cosine rocket control system generator

Номер патента: RU2514606C2. Автор: Юрий Михайлович Назаров,Валерий Николаевич Землевский,Андрей Викторович Гусев,Анатолий Сергеевич Капустин,Валерий Игорьевич Запесочный. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2014-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.