Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8728903B2
Опубликовано: 20-05-2014
Автор(ы): Junichi Shiozawa, Toshitake Yaegashi
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20100081250A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20120302035A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20070281428A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US7645674B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20110156126A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20200321346A1. Автор: Hiroaki Kuriyama,Hiroshige Hirano. Владелец: Tower Partners Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US20010005029A1. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device lacking steeply rising structures and fabrication method of the same

Номер патента: US6339242B2. Автор: Kohji Kanamori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device having element isolating region of trench type

Номер патента: US20120168846A1. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Mori,Yuji Takeuchi,Michiharu Matsui,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240074151A1. Автор: Takao Kosaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4084055A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070257309A1. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Methods of forming epi semiconductor material in a trench formed above a semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method of manufacturing a semiconductor device using source/drain epitaxial overgrowth for forming self-aligned contacts without spacer loss and a semiconductor device formed by same

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack Oon Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-06.

High-voltage lateral mosfet soi device having a semiconductor linkup region

Номер патента: WO1997038447A2. Автор: Steven L. Merchant. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20180151604A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2018207048A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11152515B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11699992B2. Автор: Jintae Kim,Ha-young Kim,Byounggon Kang,Changbeom Kim,Yongeun CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20080093652A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230290882A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055299A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Toshihiko Takeuchi,Noritaka ISHIHARA,Tsutomu Murakawa,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080850A1. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US12094941B2. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160086961A1. Автор: Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: EP4177956A3. Автор: Yang Xu,Yong Seung Kim,Si Hyung LEE,Dong Suk Shin,Nam Kyu Cho,Sang Gil Lee,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20120298997A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250186A1. Автор: Sung-dae Suk,Geumjong BAE,Mongsong LIANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12100769B2. Автор: Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279977A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160204268A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220302320A1. Автор: Akifumi Gawase,Atsuko Sakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220005957A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210050456A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US11978807B2. Автор: Akifumi Gawase,Atsuko Sakata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device having plurality of insulators

Номер патента: US11804407B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Toshihiko Takeuchi,Noritaka ISHIHARA,Tsutomu Murakawa,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20190148558A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Hajime Imai,Kengo Hara,Tohru Daitoh,Setsuji NISHIMIYA,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20110284847A1. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20140252347A1. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160284855A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11903197B2. Автор: Taehun Kim,Jaehun Jung,Sanghoon Kim,Suhwan Lim,Seongchan LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11916149B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200091321A1. Автор: Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150072535A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170125601A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20190019894A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Vacuum channel field effect transistor, producing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20210375571A1. Автор: Yoshiyuki Ando. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-02.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20240178323A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170301769A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043093A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20080061327A1. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Non-planar semiconductor device having channel region with low band-gap cladding layer

Номер патента: US8785909B2. Автор: Gilbert Dewey,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Dipanjan Basu,Satyarth Suri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11699703B2. Автор: Daewon Kim,Taeyoung Kim,Jaehoon Shin,Beomjin PARK,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200194565A1. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor devices

Номер патента: US10892342B2. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-12.

Epitaxial Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230402508A1. Автор: Lun-Kuang Tan,Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200035801A1. Автор: Jae-Jung Kim,Dongsoo Lee,Wonkeun Chung,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Sangyong Kim,Jinkyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7132686B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Taketomi Asami,Hiroshi Shibata,Yasuyuki Arai,Hiroki Adachi,Naoya Sakamoto,Toru Takayama,Masahiko Hayakawa,Ritsuko Kawasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230145260A1. Автор: Yang Xu,Yong Seung Kim,Si Hyung LEE,Dong Suk Shin,Nam Kyu Cho,Sang Gil Lee,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11837664B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20240088299A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

SOI lateral homogenization field high voltage power semiconductor device, manufacturing method and application thereof

Номер патента: US11888022B2. Автор: Bo Zhang,Ke Zhang,Ming Qiao,Ning Tang,Zhaoji Li,Nailong He,Wentong Zhang. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20230320100A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Yasuhiro Jinbo,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US10304964B2. Автор: Sung-dae Suk,Mongsong LIANG,Guemjong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11942558B2. Автор: Sung-dae Suk,Geumjong BAE,Mongsong LIANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11832430B2. Автор: Mingyu Kim,Daewon HA,Munhyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200373391A1. Автор: Jihye Yi,Unki Kim,Dongchan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Channel structures including doped 2d materials for semiconductor devices

Номер патента: US20230402534A1. Автор: Ching-Hua Lee,Ta-Hsiang Kung,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Formation of stacked nanosheet semiconductor devices

Номер патента: US20200144122A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200402910A1. Автор: Yuta Endo,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20230327002A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Jian-Jou LIAN,Chun-Neng LIN,Chieh-Wei Chen,Tzu-Ang Chiang,Yu-Shih Wang,Po-Yuan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210193828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230395662A1. Автор: Seokhoon Kim,Namkyu CHO,Jungtaek Kim,Pankwi Park,Moonseung YANG,Seojin JEONG,Sumin Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220190153A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317813A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US7855383B2. Автор: Yu-Chou Lee,Tsung-Chi Cheng,Hung-Yi Hsu,Yea-Chung Shih,Jui-Chung Chang,Hsiang-Hsien Chung,Wen-Kuang Tsao,Ching-Yeh Kuo. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-12-21.

Display device having multiple transistors

Номер патента: US11800750B2. Автор: So Young Noh,Kyeong Ju Moon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258208A1. Автор: Hajime Okuda,Adrian JOITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187550A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device production method

Номер патента: US8383484B2. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, power converter, three-phase motor system, automobile and railway vehicle

Номер патента: US10236370B2. Автор: Yuki Mori,Akio Shima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-03-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5911103A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-06-08.

Semiconductor device having MOS transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5731233A. Автор: Satoshi Shimizu,Tomohiro Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Semiconductor device having offset spacer and method of forming the same

Номер патента: US7732280B2. Автор: Sung-Gun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194548A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US5994731A. Автор: Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043943A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor device having ferroelectric or negative capacitor and method of manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20240306396A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute Of Microelectronics Chinese Academy Sciences. Дата публикации: 2024-09-12.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11121250B2. Автор: Takaaki TOMINAGA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387146A1. Автор: Yohei Yamaguchi,Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150091020A1. Автор: Toru Yoshie. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8294186B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

MOS device having shalow trench isolations (STI) with different tapered portions

Номер патента: US9117897B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070026592A1. Автор: Yong Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140242815A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki,Toshikazu Tanioka,Yosuke SETOGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20110042730A1. Автор: Takayoshi Hashimoto,Hisashi Yonemoto,Masayuki Tajiri,Toyohiro Harazono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20030080316A1. Автор: Satoshi Kawasaki,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20100140691A1. Автор: Chul-Jin Yoon. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material

Номер патента: US7790555B2. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-09-07.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Semiconductor device including MISFET having post-oxide films having at least two kinds of thickness and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020179944A1. Автор: Katsura Miyashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240204106A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20180233592A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US9147759B1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130099290A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Masahiro Fujiwara,Tsuyoshi Itoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US20140167073A1. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER DEVICE CO. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20120052645A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US11770922B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230124829A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US9117675B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240014298A1. Автор: Masayuki Momose,Hiroyuki Miyashita,Kenji Kojima,Kazutoshi Sugimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070052031A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor device with block layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080128805A1. Автор: Haruhiko Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device having a pair of transistors that are directly coupled and capacitively coupled

Номер патента: US9142551B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-22.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10229909B2. Автор: Hiroki Fujii,Shigeo Tokumitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170287912A1. Автор: Hiroki Fujii,Shigeo Tokumitsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12046679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20160181357A1. Автор: Atsushi Sakai,Tetsuya Nitta,Kosuke Yoshida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20100224914A1. Автор: Kiyotaka Imai,Toshiyuki Iwamoto,Gen Tsutsui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001204A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US11757015B2. Автор: Ilyoung Yoon,Seunghoon Choi,Boun Yoon,Kiho BAE,Ilsu Park,Yooyong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7855412B2. Автор: Hideo Matsuki,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Power semiconductor devices having a semi-insulating field plate

Номер патента: US20160087050A1. Автор: Iftikhar Ahmed,Chun-Wai Ng,Johnny Kin-On Sin. Владелец: HKG TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210234009A1. Автор: Yuki Takiguchi,Tatsuro Watahiki,Yohei YUDA,Shinsuke Miyajima. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304682A1. Автор: Kosaku Adachi,Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20160181415A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230307526A1. Автор: Huan WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US9691891B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same, Power Converter, Three-Phase Motor System, Automobile and Railway Vehicle

Номер патента: US20180350973A1. Автор: Yuki Mori,Akio Shima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device having integrated mos-gated diodes or schottky diodes

Номер патента: EP3657548A1. Автор: Jian Liu,YAN Gao. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-05-27.

Semiconductor Device and Method of Producing the Same

Номер патента: US20100207215A1. Автор: Tadashi Narita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor device made by multiple anneal of stress inducing layer

Номер патента: WO2007112261A3. Автор: Periannan Chidambaram. Владелец: Periannan Chidambaram. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor device made by multiple anneal of stress inducing layer

Номер патента: WO2007112261A2. Автор: Periannan Chidambaram. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-10-04.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor Device Having a Non-Depletable Doping Region

Номер патента: US20180033884A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device having a non-depletable doping region

Номер патента: US9768291B2. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090068827A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-03-12.

Mos transistors having optimized channel plane orientation, semiconductor devices including the same, and methods of fabricating the same

Номер патента: US20070069255A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060081942A1. Автор: Tomohiro Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200105919A1. Автор: Bong-seok Suh,Ju-youn Kim,Eui-chul HWANG,Byung-Sung Kim,Sang-Min YOO,Hyung-Joo NA,Sung-Moon LEE,Joo-Ho JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device with triple surface impurity layers

Номер патента: US7157779B2. Автор: Eiji Nishibe,Toshihiro Hachiyanagi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230411508A1. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20160300906A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Method of producing a semiconductor device having spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: US11682703B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor device having barrier layer to prevent impurity diffusion

Номер патента: US20170317164A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Lang Wang,Meng-Yi Wu,Chih-Mu Huang,Fu-Tsun Tsai,Yung-Fa LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of producing a semiconductor device having spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: US20210234010A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130320438A1. Автор: Shin Gyu Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US9806189B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888020B2. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Devices with Superjunction Structures

Номер патента: US20200251580A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Daniel Hölzl,Waqas Mumtaz Syed,Gabor Mezoesi,Henning Kraack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-08-06.

Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20170110331A1. Автор: Martin Poelzl,Ravi Keshav Joshi,Johannes Baumgartl,Christoph Gruber,Petra Fischer,Georg Ehrentraut,Richard Gaisberger,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220130948A1. Автор: Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Etch Stop Region for Semiconductor Device Substrate Thinning

Номер патента: US20240079239A1. Автор: Jung-Tsan TSAI,Wei Tse Hsu,Liang-Yin Chen,Ya-Ching Tseng,Bau-Ming Wang,Chunyii Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor Devices and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240642A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090227079A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20180331230A1. Автор: Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Mos device having shalow trench isolations (sti) with different tapered portions

Номер патента: US20150061022A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855134B2. Автор: Yusuke Kobayashi,Yasuhiko OONISHI,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134549A1. Автор: Hiroshi Kimura,Tetsuya Nitta,Yoshitaka Otsu,Shinichiro Yanagi,Katsumi Morii,Kazuma Onishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device and a method for producing the same

Номер патента: US7569875B2. Автор: Jun Saito,Tsuyoshi Nishiwaki,Takashi Suzuki,Yukihiro Hisanaga,Hirokazu Saito,Sachiko Tanaka,Masayasu Ishiko,Hidehiro Nakagawa. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200006154A1. Автор: I-Sheng Chen,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20170005192A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US11973116B2. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200135929A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20220359665A1. Автор: Chiharu Ota,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Method of fabricating a semiconductor device having a lateral double diffused MOSFET transistor with a lightly doped source and CMOS transistor

Номер патента: US8071436B2. Автор: Marco A. Zuniga,Budong You. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2011-12-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063304A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9472289B2. Автор: Hideaki YAMAKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Device with Spicular-Shaped Field Plate Structures and a Current Spread Region

Номер патента: US20200373396A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device with spicular-shaped field plate structures and a current spread region

Номер патента: EP3742500A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-25.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US20220293740A1. Автор: Yasushi Higuchi,Masahiro Sugimoto. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230095477A1. Автор: Daisuke Kawaguchi,Kozo Kato. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Methods for Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Devices

Номер патента: US20170365516A1. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162143A1. Автор: Kazuhisa Mori,Hiroyoshi Kudou,Hiroshi Yanagigawa,Hideki Niwayama,Kodai Wada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11949013B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Martin Christopher Holland,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for Forming Nanotube Semiconductor Devices

Номер патента: US20100317158A1. Автор: John Chen,Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Hong Chang,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device having high voltage protection capability

Номер патента: US5536958A. Автор: ZHENG Shen,Stephen P. Robb. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150325668A1. Автор: Chia-Wen Cheng,Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9166016B1. Автор: Chia-Wen Cheng,Chi-Sheng Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device and associated memory device

Номер патента: US11769804B2. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11799027B2. Автор: Kazuo Ogawa,Yuki Munetaka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor devices and processes for making them

Номер патента: US20020125526A1. Автор: Yosiaki Hisamune. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20230378371A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20110180869A1. Автор: Kazuhiko Sanada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

A semiconductor device comprising a main region, a current sense region, and a well region

Номер патента: US20150255587A1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282518A1. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935792B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Spacer Structure with High Plasma Resistance for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200013872A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Spacer structure with high plasma resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20200127112A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160043197A1. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170154833A1. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor Device with First and Second Field Electrode Structures

Номер патента: US20160260809A1. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US9735081B2. Автор: Tadashi Misumi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Wide band gap transistor on non-native semiconductor substrates and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170236936A1. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Sanaz Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20140346608A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20180151376A1. Автор: Yoon Tae Hwang,Sangjin Hyun,Moonkyun Song,Kyumin Lee,Soojung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US20200052090A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180366374A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055306A1. Автор: Shigehisa Yamamoto,Shinya AKAO,Yuichi Nagahisa,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating semiconductor device having fin structure that includes dummy fins

Номер патента: US20160276458A1. Автор: En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of Forming a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20170133465A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240105842A1. Автор: Sunghwan JANG,Pyung MOON,Dohee Kim,Sunguk JANG,Mina SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240040795A1. Автор: Bong Yong Lee,Yong Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170263504A1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US9666688B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing a semiconductor device utilizing self-aligned contact regions

Номер патента: US4830971A. Автор: Tadashi Shibata. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-16.

Semiconductor device including a semiconductor sheet unit interconnecting a source and a drain

Номер патента: US20150372082A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chih-Hao Wang,Ching-Wei Tsai,Tetsu Ohtou,Jiun-Peng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090289264A1. Автор: Hideo Matsuki,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor device using diamond

Номер патента: US20160372590A1. Автор: Daisuke Takeuchi,Satoshi Yamasaki,Hiromitsu Kato,Kazuhiro Oyama,Masahiko Ogura,Toshiharu Makino,Norio Tokuda,Takao INOKUMA,Takuma MINAMIYAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device with u-shaped channel and electronic apparatus including the same

Номер патента: US11817480B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor devices including contact plugs

Номер патента: US20190131171A1. Автор: Sang Hyun Lee,Hwi Chan Jun,Heon Jong Shin,Min Chan Gwak,So Ra You,In Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of fabricating semiconductor devices including multiple patterning

Номер патента: US20160233223A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220406920A1. Автор: Chia-Cheng CHAO,Hsin-Chieh Huang,Yu-Wen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device having non-silicide region in which no silicide is formed on diffusion layer

Номер патента: US7994584B2. Автор: Tsutomu Kojima,Kenji Honda,Kuniaki Utsumi,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor device having non-silicide region in which no silicide is formed on diffusion layer

Номер патента: US20110254096A1. Автор: Tsutomu Kojima,Kenji Honda,Kuniaki Utsumi,Takayuki Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180337244A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Chia-Ming Hsu,Jyh-Huei Chen,Chih-Pin TSAO,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor element, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20150228642A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Takashi Shinohe,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3783640A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yasuaki Hayami,Ryota Tanaka,Keisuke Takemoto,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3886178A1. Автор: Dong Fang,Zheng Bian. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Junction Enhanced Trench Power Mosfet having Gate Structure Embedded within Trench

Номер патента: US20130313633A1. Автор: Zheng John Shen,Patrick M. Shea,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Mesa Contact for MOS Controlled Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220069079A1. Автор: Roman Baburske,Hans-Juergen Thees,Ingo Dirnstorfer,Ute Queitsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Wide band gap semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130285072A1. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080296695A1. Автор: Chin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US11916120B2. Автор: Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU,Seung Man LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271133A1. Автор: Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU,Seung Man LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210151610A1. Автор: Sang-Yong Kim,Dong-Soo Lee,Jae-Jung Kim,Sang-Jin Hyun,Jin-Kyu Jang,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200035842A1. Автор: Sang-Yong Kim,Dong-Soo Lee,Jae-Jung Kim,Sang-Jin Hyun,Jin-Kyu Jang,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor devices

Номер патента: US10381490B2. Автор: Sang-Yong Kim,Dong-Soo Lee,Jae-Jung Kim,Sang-Jin Hyun,Jin-Kyu Jang,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US11784260B2. Автор: Sang-Yong Kim,Dong-Soo Lee,Jae-Jung Kim,Sang-Jin Hyun,Jin-Kyu Jang,Won-keun CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104611A1. Автор: Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU,Seung Man LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9136182B2. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11862632B2. Автор: Kyong-Sik Yeom,Young Cheon JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20210359128A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3340299A2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Takafumi Kuramoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-27.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230197824A1. Автор: Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Takayuki OHIDE,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Gate capping layers of semiconductor devices

Номер патента: US20200388693A1. Автор: Guoliang Zhu,Zhiguo Sun,Sipeng Gu,Xinyuan Dou. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor Device with First and Second Field Electrode Structures

Номер патента: US20180083111A1. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with first and second field electrode structures

Номер патента: US9842901B2. Автор: Franz Hirler,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190181223A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160293613A1. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10991794B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of forming an integrated circuit device having a contact capping layer

Номер патента: US11955531B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Jin-Wook Lee,Dong-hyun Roh,Dae-Young Kwak,Min-Chan GWAK,Ji-ye Kim,Jung-Hwan Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181471A1. Автор: Masanori Miyata,Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yuki YAKUSHIGAWA,Takaya Nagai,Yuuma Kagata. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20140312431A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Yao-Tsung Huang,Ji-Yin Tsai,Clement Wann. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device including shallow trench isolation structures

Номер патента: US20170140998A1. Автор: Kuan Xu,Wujia Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-18.

Method of forming shallow trench isolations for a semiconductor device

Номер патента: US9559017B2. Автор: Kuan Xu,Wujia Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150048428A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-02-19.

VERTICAL COMPOUND SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR ON A GROUP IV SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20150340495A1. Автор: Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Basu Anirban. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-26.

Integrated assemblies having threshold-voltage-inducing-structures proximate gated-channel-regions, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US11177265B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Si-Woo Lee,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor Device and a Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20160155747A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device having buried gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230095446A1. Автор: Yoon Jae Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20080315286A1. Автор: Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20040262675A1. Автор: Takuma Hara,Yasunori Usui,Takeshi Uchihara,Hideyuki Ura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5977593A. Автор: Hideki Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9006823B2. Автор: Shinya Yamazaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240164112A1. Автор: Takahiro Maruyama,Ryo Ogura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing a laterally limited, single-crystal region on a substrate and the employment thereof for the manufacture of an MOS transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US5498567A. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Hans-Willi Meul,Helmut Klose. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-12.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20140021490A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234575A9. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Hisashi Saito,Masanao Ito,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Daisuke Tsunami,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136439A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Hisashi Saito,Masanao Ito,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Daisuke Tsunami,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for preparing trench isolation structure and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20210384066A1. Автор: ChenMing XU,Beonseok Cha,WenJing GUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Capacitor device having three-dimensional structure

Номер патента: US20070235787A1. Автор: Yoshihisa Nagano,Yuji Judai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device having air gap

Номер патента: US10319734B2. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with buried gate structures

Номер патента: US20240088249A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190259777A1. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240008250A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing semiconductor devices having contact plugs overlapping associated bitline structures and contact holes

Номер патента: US10446558B2. Автор: Sung-Un Kwon,Jung-Woo Seo,Jun-Kyum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11864469B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416153A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220416154A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090341A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240090342A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230380295A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230157029A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240023456A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US20230103902A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060186486A1. Автор: Hirotaka Mori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20050133814A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Hiroaki Saito,Kikuo Okada,Shigeyuki Murai. Владелец: Gifu Sanyo Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261096A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device having a function of preventing a soft error due to alpha particles

Номер патента: CA1153829A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US4794445A. Автор: Yutaka Misawa,Hideo Homma,Naohiro Momma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230091325A1. Автор: Yukie Nishikawa,Emiko Inoue. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US6703686B2. Автор: Takahiko Konishi,Masahiko Takeno. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200168704A1. Автор: Naoki Morikawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US10797130B2. Автор: Naoki Morikawa. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190115460A1. Автор: Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210273053A1. Автор: Kenji Suzuki,Katsumi Nakamura,Koichi Nishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9673309B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130214327A1. Автор: Shoji Yokoi,Naohiro Shimizu. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1771884A1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Erik P. A. M. Bakkers,Prabhat Agarwal,Erwin Hijzen,Abraham R. Balkenende,Godefridus A. M. Hurkx,Melanie M. H. Wagemans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-11.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device and substrate processing apparatus

Номер патента: US20160111466A1. Автор: Takaaki Noda,Norikazu Mizuno,Tomohide Kato. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device having a vertical power MOSFET fabricated in an isolated form on a semiconductor substrate

Номер патента: US5045900A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-09-03.

Method for manufacturing semiconductor device with trench isolation structure having plural oxide films

Номер патента: US10083857B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Tunneling device having intermediate layer using natural oxide film and method of manufacturing tunneling device

Номер патента: US20230112348A1. Автор: Hyun Yong YU,Kyu Hyun HAN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-04-13.

Package Having an Electronic Component and an Encapsulant Encapsulating a Dielectric Layer and a Semiconductor Die of the Electronic Component

Номер патента: US20230187298A1. Автор: Thomas Fischer,Daniel Porwol,Anton Steltenpohl,Uwe Seidel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-06-15.

Molded package having an electrically conductive clip with a convex curved surface attached to a semiconductor die

Номер патента: US20240087993A1. Автор: Chai Chee Lee,Wee Aun Jason Lim,Marie Hazel Barozzo Gabrillo,Nor Haqimi Mohamed. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices Having Contact Plugs in Insulation Layers

Номер патента: US20100210087A1. Автор: Tae-Young Chung,Ju-Yong Lee,Mi-Kyung Park,Joon-Ho Sung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20200227626A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor devices including spin-orbit torque line and contact plug

Номер патента: US20210280774A1. Автор: Woo Jin Kim,Kil Ho Lee,Gwan Hyeob KOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090004838A1. Автор: Suguru Sassa,Fumihiko Inoue,Junpei Yamamoto. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-01-01.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices Having Contact Plugs in Insulation Layers

Номер патента: US20090104749A1. Автор: Tae-Young Chung,Ju-Yong Lee,Mi-Kyung Park,Joon-Ho Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220076965A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroaki Matsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of patterning a semiconductor layer

Номер патента: US20230371293A1. Автор: Yi-Ming Chang. Владелец: Raynergy Tek Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7482246B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Trench isolation structure in a semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127650A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100207188A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080073697A1. Автор: Hiroshi Akahori,Nobutoshi Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Nonvolatile semiconductor storage device having a plurality of blocks of memory cell transistors formed on respective wells isolated from each other

Номер патента: US6091632A. Автор: Shinichi Sato,Masanori Yoshimi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Vertical type semiconductor device

Номер патента: US20100123182A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130307022A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150270266A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190051649A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170271333A1. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9059266B2. Автор: Masahiro Mitsunaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device with dummy gates in peripheral region

Номер патента: US11784231B2. Автор: Takahisa Kanemura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and process of production of same

Номер патента: US20020003285A1. Автор: Yuji Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020110990A1. Автор: Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040075109A1. Автор: Daisuke Inomata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10483276B2. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190035800A1. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Temperature sensor, method of manufacturing the temperature sensor, semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20120176835A1. Автор: Yoshitsugu Tanaka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190123182A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050130418A1. Автор: Kyoichi Suguro,Kazuaki Nakajima,Yasushi Akasaka,Kiyotaka Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-06-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6162741A. Автор: Kyoichi Suguro,Kazuaki Nakajima,Yasushi Akasaka,Kiyotaka Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of manufacturing semiconductor device with silicide gate electrodes

Номер патента: US7858524B2. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US10319805B2. Автор: Sung Yeon Kim,Won Chul Lee,Jae Hong Park,Jun Ho Yoon,Chan Hoon Park,Yong Moon JANG,Je Woo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-11.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020066928A1. Автор: Takashi Ipposhi,Shoichi Miyamoto,Yuuichi Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source /drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20030098486A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device manufacture method including process of implanting impurity into gate electrode independently from source/drain and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US20080311721A1. Автор: Hikaru Kokura,Yasuhiro Sambonsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170373168A1. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7821059B2. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110062528A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080023755A1. Автор: Yu Jin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150024581A1. Автор: Fumikazu Imai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240186190A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Cheng-I Lin,Cheng-Wei Chang,Chih-tang Peng,Ting-Hsiang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170222012A1. Автор: Long Hao,Wei Li,Yan Jin. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Solder on a sloped surface

Номер патента: EP1602265A2. Автор: Hubert A. Vander Plas,Frank Berauer. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090152615A1. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of fabricating a semiconductor device using element isolation by field shield

Номер патента: US5672526A. Автор: Koichiro Kawamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Method of forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8227356B2. Автор: Kouichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US9461002B2. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040058503A1. Автор: Jae Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US11837668B2. Автор: Takashi Watanabe,Kohei Suzuki,Kazuki Yamaguchi,Shintaro Okamoto,Chihiro Tomita,Tomohiro Hirai,Norikazu Kasahara,Kentaro Eda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20160181442A1. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US12009268B2. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20230369137A1. Автор: Koh Yoshikawa,Kosuke Yoshida,Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida,Nao SUGANUMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210408268A1. Автор: Xiantao Li,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor devices having through-contacts and related fabrication methods

Номер патента: SG182041A1. Автор: HEINRICH Jens,Richter Ralf,SCHUEHRER Holger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9520483B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, printing apparatus, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150200273A1. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Masanobu Ohmura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having improved doping profiles and a method of improving the doping profiles of a semiconductor device

Номер патента: US20040137687A1. Автор: Manfred Horstmann,Rolf Stephan,Thomas Feudel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20200328217A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160064397A1. Автор: Tomohiro Hayashi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200027876A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device having a diode structure

Номер патента: WO2021094875A1. Автор: Xiaohang Li. Владелец: KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090242963A1. Автор: Akira Takashima,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Tsunehiro Ino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7211859B2. Автор: Yong-Soo Cho. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8841210B1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140287576A1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20130193555A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Nitrogen-containing semiconductor device

Номер патента: US20180083108A1. Автор: Chi-Feng Huang,Hsin-Chiao Fang,Cheng-Hsueh Lu,Chi-Hao Cheng,Chih-Feng Lu. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240008277A1. Автор: Takanobu Ono,Yusuke DOHMAE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures

Номер патента: US20230352556A1. Автор: Petri Raisanen,Chiyu Zhu,Michael Eugene Givens,Kiran Shrestha. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140077226A1. Автор: Yoichiro Tarui,Takeshi Kitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device including quaternary buffer layer with pinholes

Номер патента: US5909040A. Автор: Yasuo Ohba,Ako Hatano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240136417A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240074188A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20220376103A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and wireless communication device

Номер патента: US20240170565A1. Автор: Kunihiko Tasai,Takafumi Makino. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing a semiconductor device wiring layer having an oxide layer between the polysilicon and silicide layers

Номер патента: US6586345B1. Автор: Toshiaki Ohmori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Method of using an ion implantation process to prevent a shorting issue of a semiconductor device

Номер патента: US20160276465A1. Автор: Ching-Wen Hung,Rai-Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor devices comprising 2D-materials and methods of manufacture thereof

Номер патента: US10157737B2. Автор: Si-Chen Lee,Samuel C. Pan,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-12-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11610981B2. Автор: Xiantao Li,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070031763A1. Автор: Hi-Kuk Lee,Jang-Soo Kim,Jeong-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160079243A1. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for Fabricating a Semiconductor Gate Structure

Номер патента: US20090098692A1. Автор: Jingyu Lian,Jong Pyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170062459A1. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20150064895A1. Автор: Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING SOURCE/DRAIN EPITAXIAL OVERGROWTH FOR FORMING SELF-ALIGNED CONTACTS WITHOUT SPACER LOSS AND A SEMICONDUCTOR DEVICE FORMED BY SAME

Номер патента: US20150221643A1. Автор: Lauer Isaac,Yau Jeng-Bang,Cheng Szu-Lin,Chu Jack Oon. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Vertical device having a reverse schottky barrier formed in an epitaxial semiconductor layer formed over a semiconductor substrate

Номер патента: US20220238508A1. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

SUSCEPTOR FOR HOLDING A SEMICONDUCTOR WAFER HAVING AN ORIENTATION NOTCH, A METHOD FOR DEPOSITING A LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20170117228A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Self-aligned method for forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells having a low resistance source region and a high source coupling, and a memory array made thereby

Номер патента: JP5027365B2. Автор: チー・シン・ワン. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-19.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20100237438A1. Автор: Hideaki Maekawa,Takafumi Ikeda,Toshifumi Minami,Takahito Nakazawa,Yuuichi Tatsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030216055A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor device and manufacturing method, circuit board and electronic device thereof

Номер патента: US20040212100A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8124492B2. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20100233865A1. Автор: Hitoshi Itoh,Hiroshi Sato,Kenji Matsumoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160181147A1. Автор: Yasuo Inoue,Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Katsuyuki Horita,Jiro Yugami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of manufacturing semiconductor device having oxide films with different thickness

Номер патента: US20050003618A1. Автор: Takayuki Kanda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device having impurity concentrations for preventing a parasitic channel

Номер патента: US6144047A. Автор: Minoru Higuchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and etching method

Номер патента: US20240213086A1. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements

Номер патента: US5019526A. Автор: Tetsuo Fujii,Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206744A1. Автор: Yoshiki Yamamoto,Takahiro Maruyama,Toshiya Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150303109A1. Автор: Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of fabricating semiconductor device for preventing polysilicon line being damaged during removal of photoresist

Номер патента: US20020160601A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Sheng-Hao Lin,Cheng-Tung Huang,Shih-Chieh Hsu,Chang-Chi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

A semiconductor device having fluorine doped silicon oxide films

Номер патента: GB2357902A. Автор: Tatsuya Usami,Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120175781A1. Автор: Tadanori Suto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Isolation method of semiconductor device

Номер патента: US5447885A. Автор: Hyun-Jin Cho,Oh-Hyun Kwon,Heung-mo Yang,Yun-sung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-09-05.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020197858A1. Автор: Tsai-Sen Lin,Chon-Shin Jou,Chieh-Ju Chang,Lung-Yu Yen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming thermal oxide film of semiconductor substrate

Номер патента: EP4160657A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3645807A. Автор: Minoru Ono,Toshimitu Momoi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060170005A1. Автор: Won Lee,Kyung Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device having redundant circuit

Номер патента: US5578861A. Автор: Mitsuya Kinoshita,Kazuhiro Tsukamoto,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120018814A1. Автор: Tetsu Morooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor substrate and production method thereof, semiconductor device using the same and production method thereof

Номер патента: CA2345122A1. Автор: Takashi Morishita,Masahiro Matsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-04-06.

Wiring structure on a semiconducting substrate

Номер патента: US20030222284A1. Автор: Kazuyoshi Okamoto,Hirohiko Wakasugi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110079871A1. Автор: Seung Bum Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7713872B2. Автор: Hiroyuki Morimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080001299A1. Автор: Hiroyuki Morimoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device, method of processing substrate, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20220093388A1. Автор: KIMIHIKO Nakatani,Yoshitomo Hashimoto. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20080036042A1. Автор: Masao Takahashi,Koji Takemura,Hiroshige Hirano,Hikari Sano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP2884537A3. Автор: Kazuhiro Yoneda,Hirobumi Watanabe,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-08.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140015139A1. Автор: Shinya Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP1935015A1. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-25.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080100348A1. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213123A1. Автор: Sachio KODAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of verifying line reliability and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080160655A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007043340A9. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: Kimihiko Yamashita. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007043340A1. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210300A1. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230223403A1. Автор: Takeshi Seike,Hiroshi Furutani,Shuhei Takagiwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7875875B2. Автор: Kenichi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-01-25.

Method of forming titanium oxide film and method of forming hard mask

Номер патента: US20180108534A1. Автор: Toshio Hasegawa,Naoki Shindo,Naotaka Noro,Miyako Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor structure, forming method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US11854885B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure, forming method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230055577A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of manufacturing semiconductor device having resistor formed of a polycrystalline silicon film

Номер патента: US7964469B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having input protection circuit

Номер патента: US5936282A. Автор: Takashi Ohsawa,Takatsugu Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080067575A1. Автор: Masato Endo,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device interconnection contact and fabrication method

Номер патента: US20070059921A1. Автор: Michael Dunbar,Gregory Cestra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040067632A1. Автор: Takao Ishida,Naoto Andoh,Kenji Hosogi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and a method of manufactoring the same

Номер патента: US20120306051A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234289A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171160A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Toba,Yasushi Ishii,Toshikazu Matsui,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: SG133536A1. Автор: Hiroshi Yamada,Takashi Noma,Shigeki Otsuka,Kazuo Okada,Yuichi Morita,Katsuhiko Kitagawa,Noboru Okubo,Hiroyuki Shinogi,Shinzo Ishibe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050255709A1. Автор: Jae-Suk Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor Device with Post-Passivation Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150228598A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140370445A1. Автор: Hideaki Yuki,Sunao Aya,Shozo Shikama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, a package substrate, and a semiconductor package

Номер патента: US20230154879A1. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and a logical circuit formed of the same

Номер патента: US4143390A. Автор: Hideo Noguchi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-03-06.

Method of forming semiconductor device having backside interconnect structure on through substrate via

Номер патента: US11823979B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor Device Having Backside Interconnect Structure on Through Substrate Via

Номер патента: US20230386976A1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9299720B2. Автор: Tetsuya Yoshida,Yoshiki Yamamoto,Koetsu SAWAI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10529630B2. Автор: Yoshiki Yamamoto,Takahiro Maruyama,Toshiya Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110281425A1. Автор: Kei Tamura,Koji Miyoshi. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20220230954A1. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US20160035691A1. Автор: Takeshi Araki,Koji Yamazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device, camera module, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110304003A1. Автор: Hideo Numata,Naoko Yamaguchi,Kazumasa Tanida,Satoshi Hongo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device, electronic component, and electronic component production method

Номер патента: US20220352105A1. Автор: Yoshihisa Takada,Hiroyuki Shinkai,Isamu Nishimura,Hirofumi Takeda,Hideaki Yanagida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate

Номер патента: US20230268175A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: WO2016186788A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369179A1. Автор: Takehiko Maeda,Katsuhiko Kitagawa,Takeshi Miyakoshi,Kuniharu Muto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

A selective etch process for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric

Номер патента: WO2005024929A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz,Robert Turkot, Jr.. Владелец: Intel Corporation (A Delaware Corporation). Дата публикации: 2005-03-17.

Semiconductor device manufactured using an improved plasma etch process for a fully silicided gate flow process

Номер патента: WO2008118837A1. Автор: Frank S. Johnson,Freidoon Mehrad,Jinhan Choi. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20030052394A1. Автор: Namiki Moriga,Yasuhito Suzuki,Akira Takaki,Hiroshi Horibe,Fumiaki Aga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Fabrication method and structure of semiconductor device

Номер патента: US20230369051A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20170271318A1. Автор: Nobuo Sakai,Toshiyuki Nakaiso. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US11705433B2. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411341A1. Автор: Koichi Ono,Mika KOTANAGI. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230023018A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Electrode Pad on Conductive Semiconductor Substrate

Номер патента: US20070290360A1. Автор: Takayuki Yamanaka,Tadashi Saitoh,Yuichi Akage,Hideki Fukano. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US20180006604A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140353832A1. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240162092A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210118935A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230073800A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282762A1. Автор: Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Resin-molded semiconductor device having a lead on chip structure

Номер патента: MY119797A. Автор: Asao Nishimura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Akihiko Iwaya. Владелец: Hitachi Ulsi Eng Corp. Дата публикации: 2005-07-29.

Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same

Номер патента: US5299091A. Автор: Isao Yoshida,Yukihiro Sato,Akio Hoshi,Toyomasa Koda,Kouzou Sakamoto. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1994-03-29.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US5128732A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Yasuo Yamaguchi,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1992-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A2. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4109520A3. Автор: Ming-Tse Lin,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method for forming sintered silver coating film, baking apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Kenji Matsuda,Muneo Harada,Itaru Iida,Yoshinobu Mitano,Michikazu NAKAMURA,Shinjiro Watanabe,Dai Shinozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, together with electronic instrument

Номер патента: US20050006753A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-13.

Semiconductor device having metal thin film resistance element

Номер патента: US7986028B2. Автор: Yasunori Hashimoto,Kimihiko Yamashita. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-26.

Graphene growth on a carbon-containing semiconductor layer

Номер патента: US20120193603A1. Автор: Alfred Grill,Chun-Yung Sung,Jack O. Chu,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Thin film resistors of semiconductor devices

Номер патента: US20210320063A1. Автор: Cing Gie Lim,Kah Wee Gan,Benfu Lin,Chengang Feng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Chemical-resistant protective film forming composition containing hydroxyaryl-terminated polymer

Номер патента: US20220204686A1. Автор: Takafumi Endo,Tokio Nishita,Takahiro Kishioka,Yuki Endo,Shigetaka OTAGIRI. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Chemical-resistant protective film forming composition containing hydroxyaryl-terminated polymer

Номер патента: US11965059B2. Автор: Takafumi Endo,Tokio Nishita,Takahiro Kishioka,Yuki Endo,Shigetaka OTAGIRI. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020037632A1. Автор: Mitsuhiro Horikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220013408A1. Автор: Kohei Nishiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having said film and semiconductor device

Номер патента: EP1355348A3. Автор: Kiwamu c/o Sony Corporation Adachi,Satoshi c/o Sony Corporation Horiuchi,Tetsuya c/o CV Research Corporation Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2007-09-12.

Protective film forming composition having a diol structure

Номер патента: US11768436B2. Автор: Yasunobu Someya,Takafumi Endo,Takahiro Kishioka. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20120181685A1. Автор: Hirotaka Ohno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of measuring overlay and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240241451A1. Автор: Sangwon Park,Daehee Lee,Byeong-hwan Son,Jieun Park,Kyeonga KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Contact electrode structure for semiconductor device

Номер патента: US5302855A. Автор: Yoshio Nakamura,Masaru Sakamoto,Shigeyuki Matsumoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and sputtering apparatus

Номер патента: US5903023A. Автор: Shinichi Hoshi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-11.

Semiconductor device equipped with antifuse elements and a method for manufacturing an FPGA

Номер патента: US5550400A. Автор: Naoki Ikeda,Hiroaki Yasuda,Kaoru Hama,Mariko Takagi,Ichiro Yoshii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Highly integrated semiconductor device containing multiple bonded dies

Номер патента: US20240055372A1. Автор: Jihoon Kim,Ae-nee JANG,Seungduk Baek,Hyuekjae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7344973B2. Автор: Kyung Ho Hwang,Won Mo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240153836A1. Автор: Naoaki Tsurumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Method for forming semiconductor devices

Номер патента: US4046595A. Автор: Yoshichika Kobayashi,Yoshio Ohkubo. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1977-09-06.

Process of making a semiconductor device using crystal growth by a nucleation site in a recessed substrate and planarization

Номер патента: US5602057A. Автор: Hiroyuki Tokunaga,Hideshi Kawasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-02-11.

Method of fabricating semiconductor devices with contact holes

Номер патента: US6020254A. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Method of forming titanium oxide film and method of forming hard mask

Номер патента: US10535528B2. Автор: Toshio Hasegawa,Naoki Shindo,Naotaka Noro,Miyako Kaneko. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Testing method of a semiconductor device

Номер патента: US11327107B2. Автор: Juhyun Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Myungyoon Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140042632A1. Автор: Dong Jin Lee,Dae Jin Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device including molded die stack and methods of forming the same

Номер патента: US20240153916A1. Автор: Chen-Hua Yu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

A semiconductor device having different metal-semiconductor portions formed in a semiconductor region and a method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: WO2003075326A3. Автор: Manfred Horstmann,Karsten Wieczorek,Rolf Stephan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Testing method of a semiconductor device

Номер патента: US20210231727A1. Автор: Juhyun Kim,Deokhan Bae,Juhun PARK,Myungyoon Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Methods of manufacturing semiconductor devices using alignment marks to align layers

Номер патента: US20160027739A1. Автор: Bo-Un Yoon,Dong-Chan Kim,Jong-Su Kim,Ki-Hyun Park,Byoung-Ho Kwon,Choong-seob SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200259044A1. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20200227314A1. Автор: Ji Young Kim,Sung Bin Park,Han Seong Kim,Jong Min Baek,Kyu Hee Han,Deok Young Jung,Yeong Gil Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2012117787A1. Автор: Tomonori Aoyama,Tatsunori Isogai. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20060027900A1. Автор: Naohito Mizuno,Shinichi Hirose,Hiroyuki Ban,Katsuhito Takeuchi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7348249B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060148230A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US12009220B2. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of producing semiconductor devices

Номер патента: US3783500A. Автор: T Mori,T Tokuyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1974-01-08.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method of manufacturing a semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5923950A. Автор: Yoshihiro Hara,Nobuyuki Uemura,Masahiro Kume,Akihiko Ishibashi,Yuzaburo Ban. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200118812A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Process of manufacturing a semiconductor device with an electroplated wiring layer

Номер патента: US6599834B2. Автор: Masahiro Shiota,Toshiyuki Nakashima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11901403B2. Автор: Jun Hyuk Seo,Myoung Sik CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20090170033A1. Автор: Woo Yung Jung,Guee Hwang Sim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901343B2. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

A method for making a semiconductor device having a high-k gate dielectric layer and a metal gate electrode

Номер патента: WO2005112110A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20090317951A1. Автор: Masato Koyama,Hiroki Tanaka,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Process of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020177305A1. Автор: Masahiro Shiota,Toshiyuki Nakashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145527A1. Автор: Jun Hyuk Seo,Myoung Sik CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Bumpless semiconductor device

Номер патента: US20040217460A1. Автор: Yukio Yamada,Masayuki Nakamura,Hiroyuki Hishinuma. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304583A1. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US5889295A. Автор: John Rennie,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9991162B2. Автор: Masazumi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Bonding wire-type heat sink structure for semiconductor devices

Номер патента: US20170271234A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo,Chih-Yu Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor-device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150041983A1. Автор: Xun Gu,Hirokazu Matsumoto,Akinobu Teramoto,Takenao Nemoto,Takehisa SAITO,Yugo Tomita,Akihide Shirotori. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170278746A1. Автор: Yong-Kong SIEW. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-28.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing stacked wiring structure, and ion beam irradiation apparatus

Номер патента: US20220285170A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Junichi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175212A1. Автор: Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20200020670A1. Автор: Masaru Koyanagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Photosensor, semiconductor device including photosensor, and light measurement method using photosensor

Номер патента: US20140131705A1. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20190157171A1. Автор: Yoshihiro Kodaira. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device, electronic device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055461A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming patterns in semiconductor devices using photo resist patterns

Номер патента: US20070196769A1. Автор: Jae-ho Lee,Jin-Mo Kang,Sung-Gun Kang,Jun-Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20190295959A1. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10756026B2. Автор: Kiyoshi Ishida,Yukinobu Tarui. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-08-25.

A semiconductor device

Номер патента: WO2001001485A3. Автор: Henricus G R Maas,Deurzen Maria H W A Van. Владелец: Deurzen Maria H W A Van. Дата публикации: 2001-05-03.

Semiconductor device inspection system involving superimposition of image data for detecting flaws in the semiconductor device

Номер патента: US5532607A. Автор: Wataru Nagata,Kouji Suzuki,Eiji Inuzuka,Shigehisa Oguri,Yasushi Hiruma. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1996-07-02.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US6884668B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-26.

Method for manufacturing semiconductor device by epitaxial lift-off using plane dependency of iii-v compound

Номер патента: US20180082900A1. Автор: Hyung-Jun Kim,Won Jun Choi,Sanghyeon Kim,Jae-Phil SHIM,Seong Kwang KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9589882B2. Автор: Hiromitsu Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160336500A1. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2016-11-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240021498A1. Автор: Kenichi Saitou,Naoto Sasaki,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US11990350B2. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170358506A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving planarization

Номер патента: US6083826A. Автор: Chang-Gyu Kim,Seok-ji Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-04.

Solid-state imaging device having a punch-through stopper region positioned closer to a signal accumulation region than is an end of the drain region

Номер патента: US7317218B2. Автор: Ryohei Miyagawa,Kazunari Koga,Hiroki Nagasaki,Tatsuya Hirata,Syouji Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180090636A1. Автор: Tomoo Nakayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device assemblies with molded support substrates

Номер патента: US20180294249A1. Автор: Masanori Yoshida,Mitsuhisa Watanabe,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device assemblies with molded support substrates

Номер патента: US20190148338A1. Автор: Masanori Yoshida,Mitsuhisa Watanabe,Fumitomo Watanabe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240047230A1. Автор: Hiroshi Yokota,Naoki Furukawa,Yutaka Okada,Naoki Maruyama,Tomohiko Kotake,Tomoko Higashiuchi,Nozomi Matsubara. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080054475A1. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Mixed ubm and mixed pitch on a single die

Номер патента: US20180331056A1. Автор: Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

A method of fabricating a semiconductor device having a silicon oxide layer, a method of fabricating a semiconductor device having dual spacers, a method of forming a silicon oxide layer on a substrate, and a method of forming dual spacers on a conductiv

Номер патента: TW200401397A. Автор: Chang-Won Lee,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-16.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20200058676A1. Автор: Takanobu Ono,Yusuke DOHMAE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US11800709B2. Автор: Takanobu Ono,Yusuke DOHMAE. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device including data storage structure

Номер патента: US11723290B2. Автор: Satoru Yamada,Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Seok Han PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device including data storage structure

Номер патента: US20220052257A1. Автор: Satoru Yamada,Tae Hun Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Seok Han PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Packaging structure and manufacturing method therefor, and semiconductor device

Номер патента: EP4307367A1. Автор: LIANG Chen,Kai Tian,Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Semiconductor device having stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228580A1. Автор: Masanori Shibamoto,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Nitride based semiconductor device with improved lattice quality

Номер патента: US10600935B2. Автор: Chang-Cheng Chuo,Shengchang CHEN,Heqing DENG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor device package and packaging method

Номер патента: US20150303159A1. Автор: Lei Shi,Honghui Wang,Chang-Ming Lin. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device mounted structure and its manufacturing method, semiconductor device mounting method, and pressing tool

Номер патента: US20100181667A1. Автор: Yuichiro Yamada,Kazuhiro Nobori,Yoshihiro Tomura,Teppei Iwase,Kentaro Kumazawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure

Номер патента: US20160141263A1. Автор: Wei Lin,Leathen Shi,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device, LED head and image forming apparatus

Номер патента: EP1873825A3. Автор: Hironori c/o Oki Digital Imaging Corporation Furuta,Mitsuhiko c/o Oki Digital Imaging Corporation Ogihara,Hiroyuki c/o Oki Digital Imaging Corporation Fujiwara,Tomoki c/o Oki Digital Imaging Corporation Igari,Masataka c/o Oki Digital Imaging Corporation Muto. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure

Номер патента: US20170221850A1. Автор: Wei Lin,Leathen Shi,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US20160118938A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160300765A1. Автор: Wen-Chin Lin,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Wu-Sian Sie,Kuo-Chin Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620608B2. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure

Номер патента: US20180226374A1. Автор: Wei Lin,Leathen Shi,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure

Номер патента: US10211178B2. Автор: Wei Lin,Leathen Shi,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device including built-in crack-arresting film structure

Номер патента: US10020279B2. Автор: Wei Lin,Leathen Shi,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Method for preparing semiconductor device with composite landing pad

Номер патента: US20220108952A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5427982A. Автор: Young K. Jun. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-06-27.

Semiconductor device with lead structure on principal surface of chip

Номер патента: US5869888A. Автор: Michio Tanimoto,Masamichi Ishihara,Shunji Koike,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Kunihiro Tsubosaki,Junichi Arita,Masahiro Ichitani,Ryosuke Kimoto,Gen Murakami,Akihiko Iwaya,Ichiro Anjoh,Taisei Jin. Владелец: Hitachi Microcomputer System Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11948918B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device having a redistribution layer

Номер патента: US11935856B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10978558B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-13.

Method for preparing semiconductor device structure with features at different levels

Номер патента: US20230223261A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20120168927A1. Автор: Shingo Itoh. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device including various peripheral areas having different thicknesses

Номер патента: US10971469B2. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190333889A1. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150325505A1. Автор: Yazhe WANG. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US11972975B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200119145A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210202700A1. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device and method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11456356B2. Автор: In-Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor device manufacturing method and hot plate

Номер патента: US20220130666A1. Автор: Yuya Takahashi,Shunsuke Tanaka,Kohichi Hashimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Heat dissipation structure of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200058573A1. Автор: Yi Pei,Chuanjia WU. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Redistribution structure for semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240203949A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US20230345707A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US12022649B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of forming polysilicon film and film forming apparatus

Номер патента: US20200161130A1. Автор: Atsushi Endo,Yutaka Motoyama. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

A method of forming a semiconductor device

Номер патента: GB2247346A. Автор: Andrew Jonathan Moseley. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1992-02-26.

Semiconductor device producing method and semiconductor device producing apparatus including forming an oxide layer and changing the impedance or potential to form an oxynitride

Номер патента: US7045447B2. Автор: Shinji Yashima,Unryu Ogawa,Naoya Yamakado,Tadashi Terasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2006-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US9397672B2. Автор: Seok-Cheol Yoon,Seok-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device package

Номер патента: US5093713A. Автор: Hiromichi Sawaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317034A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411229A1. Автор: Yuko Nakamata,Yuta Tamai,Takamitsu YOSHIHARA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Pin-grid array semiconductor device

Номер патента: US5107329A. Автор: Kanji Otsuka,Hiroshi Akasaki,Takayuki Okinaga. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Semiconductor device with interlayer film comprising a diffusion prevention layer to keep metal impurities from invading the underlying semiconductor substrate

Номер патента: US6504234B2. Автор: Koji Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-01-07.

Semiconductor device including contact plug and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928152B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Bong-Hyun Kim,Taek-Soo Jeon,Won-Seok Yoo,Jae-hong Seo,Ho-kyun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-06.

Integrated microwave semiconductor device with active and passive components

Номер патента: US5689138A. Автор: Ronald Dekker,Henricus G. R. Maas,Wilhelmus T. A. J. Van Den Einden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20220115286A1. Автор: Koutarou Maeda. Владелец: Sansha Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Power semiconductor device package

Номер патента: US3839660A. Автор: H Stryker. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1974-10-01.

Measuring semiconductor device features using stepwise optical metrology

Номер патента: US20160161248A1. Автор: Yunlin Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11810869B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with pre-molding chip bonding

Номер патента: US9659885B2. Автор: Chuan Hu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20190164746A1. Автор: Joy Cheng,Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device with pre-molding chip bonding

Номер патента: US20140061954A1. Автор: Chuan Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150294947A1. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170345775A1. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210066213A1. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160284650A1. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9391035B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021541A1. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing a semiconductor device and a coating material

Номер патента: US20200135454A1. Автор: Chien-Chih Chen,Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Yahru CHENG,Yu-Ling CHANG CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Silicon Carbide Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20200013722A1. Автор: Matthias Müller,Hans-Joachim Schulze,Roman Roth,Frank Hille,Holger Schulze,Carsten Schaeffer,Oliver Humbel,Frank Umbach,Ravi Keshav Joshi,Michael Fugger,Thomas Laska,Juergen Steinbrenner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor Device Having a Metal Adhesion and Barrier Structure and a Method of Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20170271268A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Schaeffer Carsten,Mueller Matthias,HILLE Frank,SCHULZE Holger,Steinbrenner Juergen,Joshi Ravi Keshav,Humbel Oliver,Umbach Frank,Roth Roman,Fugger Michael,Laska Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method for diagnosing deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20220003808A1. Автор: Yumie Kitajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device packaged in plastic and mold employable for production thereof

Номер патента: US5998877A. Автор: Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Semiconductor device with through package via and method therefor

Номер патента: US20240088068A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Wen Hung HUANG,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Leo van Gemert. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US11791203B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device, block stacked body, and sequential stacked body

Номер патента: US9349714B2. Автор: Kensuke Nakamura,Toru Meura,Yoji Ishimura. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for processing workpiece, plasma processing apparatus and semiconductor device

Номер патента: US20230005752A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor Devices with Frontside and Backside Power Rails

Номер патента: US20240008243A1. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20200185340A1. Автор: Hiroyuki Maeda,Yusuke Akada,Rina KADOWAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11824036B2. Автор: Akihiro Iida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240136309A1. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968906B2. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US11915938B2. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11950513B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11955579B2. Автор: Kai Cheng,Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Jui-Feng Ko,Fang-Ying Lin,Hui-Chieh Wang,Tung-Kai Liu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with through package via and method therefor

Номер патента: EP4336550A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Wen Hung HUANG,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis,Leo van Gemert. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200402837A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230420292A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128248A1. Автор: Takayuki Igarashi,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus

Номер патента: US20160024649A1. Автор: Tatsuyuki Saito,Masanori Sakai,Yukinao Kaga,Takashi Yokogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-01-28.

Methods of fabricating semiconductor device and stacked chip

Номер патента: US20150287632A1. Автор: Jing Ye,Xifeng Gao. Владелец: Omnivision Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317573A1. Автор: Taichi Obara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20240186146A1. Автор: Arito Ogawa,Atsuro Seino. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237550A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method

Номер патента: US6046077A. Автор: Mikio Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100090330A1. Автор: Isao NAKAZATO. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of manufacturing a semiconductor device from which damage layers and native oxide films in connection holes have been removed

Номер патента: CN1819140A. Автор: 金子尚史,江泽弘和,本多亮,艾原香里,村上和博,沼野正训,永松贵人,原川秀明,松山日出人. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030060024A1. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US11894329B2. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device leadframe

Номер патента: US20150084174A1. Автор: Freek Egbert Van Straten,Albertus Reijs,Jeremy Joy Montalbo Incomio. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-03-26.

Solderless interconnect for semiconductor device assembly

Номер патента: US20210183811A1. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US11804450B2. Автор: Satoshi Goto,Mikiko Fukasawa,Masayuki AOIKE. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Solderless interconnect for semiconductor device assembly

Номер патента: US11810894B2. Автор: Jungbae Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20220328442A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20240136315A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20210407944A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Methods of forming patterns in semiconductor devices using photo resist patterns

Номер патента: US7553606B2. Автор: Jae-ho Lee,Jin-Mo Kang,Sung-Gun Kang,Jun-Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-30.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180138138A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20180323161A1. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115347A1. Автор: Masahiko Nakamura,Yosui FUTAMURA,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3713910A. Автор: H Matino. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-01-30.

Semiconductor devices with flexible connector array

Номер патента: US11908803B2. Автор: Xiaopeng Qu,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Mixed ubm and mixed pitch on a single die

Номер патента: US20180102336A1. Автор: Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Mixed UBM and mixed pitch on a single die

Номер патента: US10249586B2. Автор: Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420321A1. Автор: Takumi Kanda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11967577B2. Автор: Masahiko Nakamura,Yosui FUTAMURA,Yuto NISHIYAMA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20150091170A1. Автор: Yushi Inoue,Shiro Harashima,Yukitoshi Hirose,Takuya MORIYA,Chihoko YOKOBE. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-04-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230275032A1. Автор: Jaeil LEE,Kyoungcho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240121948A1. Автор: Jung Woo Park,Tae Kyun Kim,Jae Man Yoon,Jin Hwan Jeon,Su Ock Chung,Jae Won Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method having an aluminum interconnection layer with low vanadium content

Номер патента: JPH07111970B2. Автор: ヘルハルデュス ディルクス アルバータス,マリーン トーナー ジャネット. Владелец: ナ−ムロ−ゼ フエンノ−トチヤツプ フイリツプス グロエイラムペンフアブリ−ケン. Дата публикации: 1995-11-29.

Prodn. of mask ROMs - by forming gate oxide film, gate electrode, and source and drain regions on semiconductor substrate

Номер патента: DE4328111A1. Автор: Byoung Il Lee. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1994-02-24.

A method of cutting semiconductor substrate

Номер патента: MY160196A. Автор: Fukumitsu Kenshi,Uchiyama Naoki,FUKUYO Fumitsugu,SUGIURA Ryuji. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-28.

Maskless exposure method, maskless exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20190146347A1. Автор: Sang-hyun Park,Sang-min Lee,Won-Don JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Monolithic nano-cavity light source on lattice mismatched semiconductor substrate

Номер патента: US20160141448A1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Tak H. Ning,Jean-Oliver Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Monolithic nano-cavity light source on lattice mismatched semiconductor substrate

Номер патента: US20160141836A1. Автор: Ning Li,Effendi Leobandung,Devendra K. Sadana,Tak H. Ning,Jean-Olivier Plouchart. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for producing a semiconductor component having an insulating substrate, and semiconductor component having an insulating substrate

Номер патента: US12100791B2. Автор: Benjamin Michaelis. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-09-24.

A SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING AN ETCHED GROOVE FOR AN EMBEDDED DEVICE FORMED ON BOTTOM SURFACE OF A SUPPORT SUBSTRATE AND A METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170194239A1. Автор: Ryu Ji Yeon,Kim Byong Jin,Shim Jae Beum. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Method for producing carbon nanotube mat deposited on a conductor or semiconductor substrate

Номер патента: JP5769916B2. Автор: ジャン、ディジョン,アデリーヌ、フルニエ. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-08-26.

Susceptor For Holding A Semiconductor Wafer Having An Orientation Notch, A Method For Depositing A Layer On A Semiconductor Wafer, And Semiconductor Wafer

Номер патента: US20180211923A1. Автор: SCHAUER Reinhard,HAGER Christian. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-07-26.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US9991208B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Susceptor for holding a semiconductor wafer having an orientation notch, a method for depositing a layer on a semiconductor wafer, and semiconductor wafer

Номер патента: US11380621B2. Автор: Christian HÄGER,Reinhard Schauer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-07-05.

A method for manufacturing a semiconductor wafer having an epitaxial layer in a deposition chamber, an apparatus for manufacturing a semiconductor wafer having an epitaxial layer, and a semiconductor wafer having an epitaxial layer

Номер патента: KR102073498B1. Автор: 라인하르트 샤우어,패트릭 무스. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2020-02-04.

A semiconductor light emitting device package and a display device

Номер патента: EP4312269A1. Автор: Sungjin Park,Myoungsoo Kim,Jungsub KIM,Taesu Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-01-31.

Electronic device comprising a discrete transistor assembled on a printed circuit board

Номер патента: US20190393174A1. Автор: Serge Loudot,Sebastien Carcouet,Thierry Boudet,Xavier Maynard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-26.

Adaptively generating a high dynamic range image of a scene based on a plurality of images obtained by non-destructive reading of an image sensor

Номер патента: CN110692236A. Автор: 达维德·达尔松,朱利安·迪布瓦,巴泰勒米·埃尔曼,多米尼克·吉纳克,穆斯塔法·布代巴纳. Владелец: Ecole Normale Superieure de Paris. Дата публикации: 2020-01-14.

Method for reducing and homogenizing the thickness of a semiconductor layer which lies on the surface of an electrically insulating material

Номер патента: KR100922834B1. Автор: 페이조오 디에고,리멘슈나이더 올리베르,바리히 라인홀트. Владелец: 실트로닉 아게. Дата публикации: 2009-10-20.

Method for reducing and homogenizing the thickness of a semiconductor layer which lies on the surface of an electrically insulating material

Номер патента: SG144858A1. Автор: Reinhold Wahlich,Oliver Riemenschneider,Diego Feijoo. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-08-28.

Method for producing a semiconductor component comprising performing a plasma treatment, and semiconductor component

Номер патента: US11915935B2. Автор: Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222344A1. Автор: Yoshiaki Yasuda,Hirofumi Chiba. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20110193099A1. Автор: Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020024077A1. Автор: Taiji Ema,Tohru Anezaki,Junichi Mitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and it's manufacturing method

Номер патента: US7087956B2. Автор: Taku Umebayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing of semiconductor device having low leakage current

Номер патента: US20010012669A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Tsukasa Ooishi. Дата публикации: 2001-08-09.

Method for producing semiconductor device with capacitor stacked

Номер патента: US6048764A. Автор: Hiroshi Suzuki,Akira Kubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Semiconductor memory device having protruding cell configuration

Номер патента: US4970580A. Автор: Tatsuya Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5656853A. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11968910B2. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device with dam structure between peripheral region and memory cell region

Номер патента: US12048146B2. Автор: Sungho Choi,Hyejin Seong,Jisuk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US8111198B2. Автор: Hideto Ohnuma,Teruyuki Fujii,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-07.

Tantalum-aluminum oxide coatings for semiconductor devices

Номер патента: US5802091A. Автор: Ping Wu,Utpal Kumar Chakrabarti,William Henry Grodkiewicz. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-01.

Processing of iron cobalt lamination material for hybrid turbo-electric components and heat-treated component of an iron-cobalt alloy

Номер патента: EP3960882A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-03-02.

Process for the production of flexible protective, auxiliary and insulating materials on a fibre basis for electrical purposes, using impregnating massas which are curable by high energy radiation

Номер патента: US5405657A. Автор: Rainer Krause,Udo Bastian,Gerhard Kiessling. Владелец: Herberts GmbH. Дата публикации: 1995-04-11.

Positioning system for relative positioning of a bare wire end embodied on a cable end in relation to a sealing space of an ultrasonic welding device

Номер патента: WO2019091696A1. Автор: Heiko Strobel,Manuel Fey,Lars Papenfuß. Владелец: SCHUNK SONOSYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240222465A1. Автор: Hohyun Kim,Kihwan Kim,Chanho Park,Kitae Kang,Jungyeon Lee,Jiyong LIM,Seongchan JEON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming a trench element separation region in a semiconductor substrate

Номер патента: US7273795B2. Автор: Kazuo Ogawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device with suppressed hump characteristic

Номер патента: US7944021B2. Автор: Kouji Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Semiconductor device having wiring layer formed in wiring groove

Номер патента: US7026715B2. Автор: Noriaki Matsunaga,Kazuyuki Higashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2052970C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-02.

Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same

Номер патента: US5717222A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Superconducting device having an extremely short superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2054477C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-12-24.

Superconducting field effect device having a superconducting channel and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2186840C. Автор: Takao Nakamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2001-11-20.

Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, method for manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film and superconducting thin film manufactured thereby

Номер патента: CA2077047C. Автор: Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060189070A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160322983A1. Автор: Takehiro Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device including an analog/digital conversion circuit

Номер патента: US9608654B2. Автор: Takehiro Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device, control system, and synchronization method

Номер патента: US20180159540A1. Автор: Hitoshi Suzuki,Hiromichi Yamada,Teppei Hirotsu,Akihiro YAMATE,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Switching control circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210152075A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20020079969A1. Автор: Yoshiyuki Hojo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device having dummy cell region that are symmetrically disposed about peripheral region

Номер патента: US9472251B2. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027550A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240027549A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Impedance controlled output circuit having multi-stage of high code selectors in semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20020057102A1. Автор: Young-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20120280741A1. Автор: Takayuki Sasaki,Naozumi Morino,Yasuto Igarashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device, control system, and synchronization method

Номер патента: US10243568B2. Автор: Hitoshi Suzuki,Hiromichi Yamada,Teppei Hirotsu,Akihiro YAMATE,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Paper aligning mechanism and image generating device having the same

Номер патента: US20230166929A1. Автор: Yu-Cheng Huang,Hung-Huan Sung,Kai-Hong Hu. Владелец: Kinpo Electronics Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Communication control device having a apparatus for detecting the absense of a control data on a ring communication network

Номер патента: KR950001265B1. Автор: 고이치 다나카,아키라 가누마,가츠히토 후지모토. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-02-15.

Camera system and associated method for removing reset noise and fixed offset noise from the output of an active pixel array

Номер патента: US5926214A. Автор: Graham Charles Townsend,Jonathan Ephriam David Hurwitz,Peter Brian Denyer,Donald James Baxter. Владелец: VLSI Vision Ltd. Дата публикации: 1999-07-20.

System supporting manual user interface based control of an electronic device

Номер патента: EP2713261A3. Автор: Young-Eun Han,Da-Som LEE,Se-Jun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-06.

Requesting the notification of receipt of an answering service message and at the same time automatically requesting the notification of a mail message.

Номер патента: GB2389008A. Автор: Satoshi Otsuka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

Navigation of a list of content sharing platform media items on a client device via gesture controls and contextual synchronization

Номер патента: US20230376171A1. Автор: Justin LEWIS,Jonathan W. RAY. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Reading device, image forming apparatus, and state detection method to detect a multi-feed state of an object using reflected light in a visible wavelength and an invisible wavelength and comparing reading value results to references associated with the invisible and visible wavelength reference values

Номер патента: US11770487B2. Автор: Masamoto Nakazawa,Kazuki Ishikura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Mptcp incast performance evaluation model based on a queuing network

Номер патента: US20220224604A1. Автор: Xun Wang,Shuyu Wang,Shanchen Pang,Jiamin Yao,Tong Ding. Владелец: China University of Petroleum CUP. Дата публикации: 2022-07-14.

Method and apparatus for image processing based on a mapping function

Номер патента: US20060182359A1. Автор: Yeong-Taeg Kim,Sangkeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor chip providing on-chip self-testing of an analog-to-digital converter implemented in the semiconductor chip

Номер патента: WO2021133372A1. Автор: Daniel Gruber,Kameran Azadet,Martin Clara,Albert Molina,Hundo Shin. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor chip providing on-chip self-testing of an ana-log-to-digital converter implemented in the semiconductor chip

Номер патента: US11962320B2. Автор: Daniel Gruber,Kameran Azadet,Martin Clara,Albert Molina,Hundo Shin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor chip providing on-chip self-testing of an analog-to-digital converter implemented in the semiconductor chip

Номер патента: EP4082115A1. Автор: Daniel Gruber,Kameran Azadet,Martin Clara,Albert Molina,Hundo Shin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Method of making an index print having an indicator of substantially where an image is stored on a motion picture image recording medium

Номер патента: US5689610A. Автор: John Randall Fredlund,David Lynn Patton,Joseph Anthony Manico,Peter Albert Frosig,Raymond Eugene Wess. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1997-11-18.

Thermoplastic, film-forming composition comprising a blend of a propylene-ethylene copolymer and a polymer of an alpha-olefin containing 4 to 10 carbon atoms

Номер патента: CA1086887A. Автор: Robert C. Lansbury,Thomas G. Heggs. Владелец: Imperial Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1980-09-30.

A method for performing an agricultural operation on a predefined working area which is processed by means of an agriculture machine

Номер патента: US20230259135A1. Автор: Hendrik Willem BREURE. Владелец: Ploeger Oxbo Europe Bv. Дата публикации: 2023-08-17.

Integrating an application running on a portable electronic device into a flight deck display of an aircraft

Номер патента: US20200130860A1. Автор: Keith L. Johnson,Peter J. Batsakes,Brandon S. Uttech. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-04-30.

Method and apparatus for creating an improved image on a photomask by negatively and positively overscanning the boundaries of an image pattern at inside corner locations

Номер патента: US6567719B2. Автор: Doug Van Den Broeke. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240280764A1. Автор: Chen-Hua Yu,Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu,Chao-Jen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Glass plate with oxide film and process for producing same

Номер патента: US20020051870A1. Автор: Katsuto Tanaka,Hideki Yamamoto,Yoshihiro Nishida,Hiroshi Honjo. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Manufacturing method of semiconductor device and manufacturing method of mask

Номер патента: US8435702B2. Автор: Tsuneo Terasawa,Takeshi Yamane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device with a plurality of different one time programmable elements

Номер патента: US20080180983A1. Автор: Joerg Vollrath. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20100055841A1. Автор: Nobuo Ozawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20170133084A1. Автор: Jeong-Jin HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

High-density semiconductor device

Номер патента: US20080101135A1. Автор: Kie Bong Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device and search circuit for and method of searching for erasure count in semiconductor memory

Номер патента: US20160180955A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Takuya Matsumoto,Tomoyuki Maeda. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for Depositing Zinc Oxide on a Substrate

Номер патента: US20180142349A1. Автор: Florian Huber,Anton Reiser,Manfred Madel,Klaus Thonke. Владелец: Universitaet Ulm. Дата публикации: 2018-05-24.

Misregistration detecting marks for pattern formed on semiconductor substrate

Номер патента: US5721619A. Автор: Norifumi Sato,Takami Hiruma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US6472902B2. Автор: Hiroshi Seki,Ayako Katsuno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-29.

Curable film-forming compositions containing reactive functional polymers and polysiloxane resins, multilayer composite coatings, and methods for their use

Номер патента: EP4365251A3. Автор: Susan Fundy Donaldson,Shanti Swarup,Matthew S. Luchansky,Jason Ryan Lewis. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230333459A1. Автор: Yohei IKEBE. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device development information integrating system

Номер патента: US5933350A. Автор: Mitsuhiro Matsuura,Shinichi Fujimoto,Masaaki Kakihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor device and adjustment method thereof

Номер патента: US20180166147A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device testing fixture

Номер патента: US5831994A. Автор: Taizo Takino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240005204A1. Автор: Kiwon LEE,Sung-Rae Kim,Hye-Ran Kim,ChiSung OH,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Twisting device having enhanced productivity

Номер патента: US20020104304A1. Автор: Bih-Cherng Chern,Yung-Cheng Lo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Image forming device having an adjusting unit for adjusting an image forming postion on a rotational body

Номер патента: US8145079B2. Автор: Kenichi Naruse. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Curable film-forming compositions containing reactive functional polymers and polysiloxane resins, multi-layered composition coatings and methods for use thereof

Номер патента: RU2755296C2. Автор: Джейсон Райан ЛЬЮИС,Хунин ЧЖОУ,Мэтью С. ЛУЧАНСКИ,Шанти СВАРУП,Джон У. БЁРГМАН,Джастин ДЖОНС,Даниэль КИРБИ,Сьюзан Фанди ДОНАЛДСОН,Бинь ЦАО. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2021-09-15.

Blade for fluid turbine with free end having arcuate face and aerodynamic fin formed on back face

Номер патента: NZ548877A. Автор: Garry Emshey. Владелец: Garry Emshey. Дата публикации: 2008-03-28.

Platinum group metal and base metal on a molecular sieve for PNA-SCR-ASC close-coupled systems

Номер патента: GB2563968A. Автор: Lu Jing,Chen Hai-Ying,Liu Dongxia,KILMARTIN John,DURAN MARTIN Desiree,Rao Rajaram Raj. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Iron-containing braking rotor for a motor vehicle has an oxide layer containing iron oxide formed on its surfaces

Номер патента: DE102007027933A1. Автор: Michael L. St. Clair Shores Holly,Douglas N. Milford Reed,James R. Bloomfield Hills Easterday. Владелец: Kolene Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Curable film-forming compositions containing reactive functional polymers and polysiloxane resins, multilayer composite coatings, and methods for their use

Номер патента: CA3069525C. Автор: Susan Fundy Donaldson,Shanti Swarup,John W. Burgman,Hongying Zhou,Bin Cao,Justin Jones,Matthew S. Luchansky,Jason Ryan Lewis,Danielle Kirby. Владелец: Lewis Jason Ryan. Дата публикации: 2022-04-19.

Curable film-forming compositions containing reactive functional polymers and polysiloxane resins, multilayer composite coatings, and methods for their use

Номер патента: EP4365251A2. Автор: Susan Fundy Donaldson,Shanti Swarup,Matthew S. Luchansky,Jason Ryan Lewis. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Fixing element for seat on a car's floor comprises a barrel to be fixed on an element, clamps mounted on a support to maintain the barrel and means to force the clamps to close

Номер патента: FR2802987A1. Автор: Jean Pierre Schleiss,Olivier Gonin. Владелец: GOBIN DAUDE. Дата публикации: 2001-06-29.

Producing amplitude values for controlling pixel illumination on a sonar display

Номер патента: CA2573960C. Автор: Douglas James Wilson. Владелец: Imagenex Technology Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Disk device having clamp mechanism

Номер патента: EP1519373A2. Автор: Tatsuhiro c/o Orion Electric Co. Ltd. Asabata. Владелец: Orion Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-30.

Diagnosis of an aircraft engine control unit

Номер патента: US20230408567A1. Автор: Mathieu Jean Jacques SANTIN,Gwenael Thierry Esteve,Yvan Jean-René Battut. Владелец: Safran Aircraft Engines SAS. Дата публикации: 2023-12-21.

PROCESS FOR FORMING ON THE SURFACE OF A METAL PIECE A PROTECTIVE COATING CONTAINING ALUMINUM AND AN ELEMENT SUCH AS ZIRCONIUM

Номер патента: FR2982875B1. Автор: Jerome Brossier,Annie Pasquet,Geoffrey Begue. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2013-12-20.

An electronic device having a photosensitive resin composition, a cured film formed from the photosensitive resin composition, and the cured film.

Номер патента: JP6826193B2. Автор: ペク，テク−チン,キム，テソ,パク，チョンヒ,シン，ドンチュ,アン，チウォン,チョン ユ，ホン. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-03.

A method and apparatus for low temperature epitaxy on a variety of semiconductor substrates

Номер патента: DE102004024207B4. Автор: Dr. Grabolla Thomas,Dr. Ritter Georg,Dr. Tillack Bernd. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-03-24.

Fiber optic connectors having an outer housing with a longitudinal open slot

Номер патента: WO2024072432A1. Автор: Thomas Theuerkorn. Владелец: Corning Research & Development Corporation. Дата публикации: 2024-04-04.

Closure device, preferably for closing a sealing flap of an opening

Номер патента: US11814885B2. Автор: Claus Beyer. Владелец: KNAUF GIPS KG. Дата публикации: 2023-11-14.

Film-forming composition

Номер патента: US20220287948A1. Автор: Nobuyuki Asami. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Hand-held medical-data capture-device having variation amplification and interoperation with an electronic medical record system on a specific segment of a network

Номер патента: US20160116350A1. Автор: Barrett John,Khachaturian Mark,Smith Michael G.,Crawley Martin,Gross Irwin,Gerst Steven,Cronin Michael,Turnbull Derek,Bodnick Jason. Владелец: Arc Devices, LTD. Дата публикации: 2016-04-28.

ENZYME LAVASTATIN ESTErase, IMMOBILIZED ON A SOLID CARRIER, METHOD FOR IMMOBILIZING AN ENZYME, APPLICATION OF AN IMMOBILIZED ENZYME, BIO-CATALYZED CIRCUIT AND SUSCEPTIVELY

Номер патента: RU2010122385A. Автор: Ришард ОСТАШЕВСКИЙ,Доминик КОШЕЛЕВСКИЙ,Вальдемар КУРЕК,Дорота ПАТРАЛЬСКАЯ,Ришард ОСТАШЕВСКИЙ (PL),Доминик КОШЕЛЕВСКИЙ (PL),Вальдемар КУРЕК (PL),Дорота ПАТРАЛЬСКАЯ (PL). Владелец: Иниститут Хеми Органичней, Польская Академия Наук (Pl). Дата публикации: 2011-12-27.

Module for preparing for cold starting of an engine

Номер патента: RU2769252C1. Автор: Сергей Васильевич Щитов,Евгений Евгеньевич Кузнецов,Александр Викторович Кучер,Виктор Юрьевич Лесик,Севда Фазиль кызы Юсифова,Вера Владимировна Глазунова,Роман Сергеевич Пастухов,Виктор Александрович Выгладовский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Дальневосточный ГАУ). Дата публикации: 2022-03-29.

Epitaxial deposition from the liquid phase - on a series of semiconductor substrates

Номер патента: FR2245403A1. Автор: . Владелец: Radiotechnique Compelec RTC SA. Дата публикации: 1975-04-25.

Magnetic recording medium comprising successive magnetic metallic films of iron, nickel, and cobalt deposited on a substrate

Номер патента: US5736263A. Автор: Osamu Yoshida,Shigemi Wakabayashi,Akira Shiga,Katsumi Sasaki,Hirohide Mizunoya,Noriyuki Kitaori,Yuzo Matsuo. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Optical force transducer based on a Fabry-Perot resonator, with a sweeping Fabry-Perot resonator as an element of the transducing part

Номер патента: EP0571107A1. Автор: Simo Tammela,Markku Orpana,Ari Lehto,Anssi Korhonen. Владелец: VAISALA TECHNOLOGIES Inc Oy. Дата публикации: 1993-11-24.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: US12036607B2. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Dynamically overriding a function based on a capability set

Номер патента: US11720374B1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

Closure device for a charging or tank flap of an automotive vehicle

Номер патента: US20230151668A1. Автор: Stefan Lindhuber,Martin Winker,Fabian Sekinger. Владелец: MinebeaMitsumi Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for monitoring a coolant circuit of an internal combustion engine

Номер патента: US20030197605A1. Автор: Peter Wiltsch,Juergen Schwabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

BEARING RING HAVING AN EMERGING DEFLECTOR AND METHOD OF MOUNTING A DEFLECTOR ON A BEARING RING

Номер патента: FR2899292B1. Автор: Boffod Michel Metral. Владелец: Societe Nouvelle de Roulements SNR SA. Дата публикации: 2009-01-30.

Barcode reader and barcode reading system having an age verification capability

Номер патента: US20170091432A1. Автор: George Powell. Владелец: Code Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Process for forming a buried cavity in a semiconductor material wafer and a buried cavity

Номер патента: US6992367B2. Автор: Flavio Villa,Gabriele Barlocchi,Pietro Erratico,Enrico Sacchi,Pietro Corona. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-01-31.

Air-injection type tool for scrubbing off the dirt on a body

Номер патента: WO2006104300A1. Автор: Hyun-Jong Kim. Владелец: U-Mi Tech Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-10-05.

An electroluminescent device for modulating the contrast of an optical image

Номер патента: GB1237705A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1971-06-30.

Apparatus and method for forming a tube article on a core

Номер патента: CA1087819A. Автор: Charles E. Grawey. Владелец: Caterpillar Tractor Co. Дата публикации: 1980-10-21.

Triggering action on a web page

Номер патента: US9524073B1. Автор: Gregory L. Fair,James K. Rodgers,Mark E. Doliner,David E. Barnett,Kevin T. Irish,Brendan W. O'Brien. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Process for depositing a ceramic coating on a filament

Номер патента: CA2015126C. Автор: Philip Gruber,Robert Alan Shatwell,Ashleigh Martin Kewney. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-08-31.

Tappet for acting on a pump piston of a high-pressure fuel pump

Номер патента: US11913415B2. Автор: Norbert Geyer. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-02-27.

Dynamically overriding a function based on a capability set during load time

Номер патента: WO2023154092A1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: WO2023183197A1. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

Dynamically overriding a function based on a capability set

Номер патента: US20230259371A1. Автор: Xiang Fan,Yongkang Zhu,Roy Williams,Mehmet Iyigun,Yevgeniy Bak,Kenneth Dean JOHNSON,Pedro Miguel Sequeira de Justo TEIXEIRA,Pranav Kant,Joseph Norman Bialek,Gabriel Thomas Kodjo Dos Reis,Russell Bivens Keldorph,Russell Charles Hadley. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and system for manufacturing nanoporous structures on a substrate

Номер патента: US20230311213A1. Автор: Navin Sakthivel,Alexander John CRUZ. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Mixed reality systems and methods for indicating an extent of a field of view of an imaging device

Номер патента: US12008721B2. Автор: Simon P. DiMaio,Govinda PAYYAVULA,Cortney JANSEN,Huan Lac Phan. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Automatic image correcting method on a browser and automatic image correcting system on a browser

Номер патента: US20020152243A1. Автор: Koichi Shinozaki,Hajime Murayama,Tetsuro Kimura,Koichi Kajino,Kazumitsu Iidaka. Владелец: Nippon Software Products KK. Дата публикации: 2002-10-17.

INTEGRATING AN APPLICATION RUNNING ON A PORTABLE ELECTRONIC DEVICE INTO A FLIGHT DECK DISPLAY OF AN AIRCRAFT

Номер патента: US20200130860A1. Автор: Johnson Keith L.,Batsakes Peter J.,Uttech Brandon S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD OF ESTIMATION ON A CURVE OF A RELEVANT POINT FOR THE DETECTION OF AN ANOMALY OF A MOTOR AND DATA PROCESSING SYSTEM FOR THE IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: US20160163132A1. Автор: Lacaille Jerome Henri Noel,RABENORO Tsirizo. Владелец: SNECMA. Дата публикации: 2016-06-09.

System for removable assembly of a first element on a second element, in particular for a rear seat of an automobile

Номер патента: EP1911624A2. Автор: Eric M. Gremillet. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2008-04-16.

Method for finishing an extruded seal in situ on a sheet, and a method for performing secondary molding of an injection-molded fragment on the surface of an object

Номер патента: KR980700908A. Автор: 헬무트 크룸,플로렌쯔 키텔,롤프 쾨테,랄프 모츠하임. Владелец: 르네 뮐러. Дата публикации: 1998-04-30.

Printing form apparatus and printing unit for the application of identification marks on a substrate and method for the positionally accurate printing of an identification mark on the substrate

Номер патента: DE102013227140A1. Автор: Dana Schmidt,Matthias Wiegner. Владелец: BUNDESDRUCKEREI GMBH. Дата публикации: 2015-06-25.

METHOD FOR FORMING LONGITUDINAL GROOVES ON A FILAMENT IN THERMOPLASTIC MATERIAL OR ON THE SURFACE OF AN EXTENDED CYLINDRICAL BODY

Номер патента: FR2508374A1. Автор: Enrico Dotti. Владелец: Cavi Pirelli SpA. Дата публикации: 1982-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device having high dielectric constant metal oxide film

Номер патента: JP4190175B2. Автор: 浩一 村岡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-03.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

Method of manufacturing a semiconductor device with contacts formed in self-alignment the invention relates to the method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW338178B. Автор: Hisafumi Takahashi. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 1998-08-11.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.