Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode
Номер патента: US8728903B2
Опубликовано: 20-05-2014
Автор(ы): Junichi Shiozawa, Toshitake Yaegashi
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-05-2014
Автор(ы): Junichi Shiozawa, Toshitake Yaegashi
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode
Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.