Semiconductor device
Номер патента: US20090317951A1
Опубликовано: 24-12-2009
Автор(ы): Hiroki Tanaka, Masato Koyama, Reika Ichihara, Yoshinori Tsuchiya
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-12-2009
Автор(ы): Hiroki Tanaka, Masato Koyama, Reika Ichihara, Yoshinori Tsuchiya
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor arrangement comprising first semiconductor device and second semiconductor device that share active area and third semiconductor that shares another active area with first semiconductor device
Номер патента: US09679900B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.