Semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US09466728B2
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Masahiro Takahashi, Motoki Nakashima, Shunpei Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-10-2016
Автор(ы): Masahiro Takahashi, Motoki Nakashima, Shunpei Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device
Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.