• Главная
  • Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method and apparatus for molding a semiconductor device

Номер патента: US20050287236A1. Автор: Yi Lin,Shu Ho,Teng Kuah,Chun Li,Zhi Zhang,Shuai Lee. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2005-12-29.

Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20160268217A1. Автор: Kenji Konomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device with temperature regulation

Номер патента: US20020030239A1. Автор: Thomas Der Ropp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20040036120A1. Автор: Masahiro Shiina. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Method and apparatus for enhancing the triggering of an electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2010030968A3. Автор: Jeffrey T. Watt,Antonio Gallerano. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-06-10.

Method and apparatus for bypassing silicon bugs

Номер патента: US20110309855A1. Автор: William L. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Adhesive film for semiconductor, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device.

Номер патента: JP4449325B2. Автор: 範行 大東. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20120075029A1. Автор: Yasushi Sekine,Tadato Yamagata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW201135880A. Автор: Makoto Murakami. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-10-16.

Semiconductor device assemblies and associated methods

Номер патента: US20240014170A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200091098A1. Автор: Keita Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020033541A1. Автор: Shotaro Uchida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Layout of butting contacts of a semiconductor device

Номер патента: US5753944A. Автор: Hisashi Sakaue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US6617675B2. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11791417B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030353A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268217A1. Автор: KONOMI Kenji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method for manufacturing electronic device and electronic device

Номер патента: US20110163458A1. Автор: Jun Tsukano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Self-assembly apparatus and method for semiconductor light emitting device

Номер патента: US12057519B2. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-08-06.

Vertical surface mount package utilizing a back-to-back semiconductor device module

Номер патента: US6147411A. Автор: Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Stacked semiconductor devices

Номер патента: EP2579307A1. Автор: Kevin J. Hess,Perry H Pelley,Michael B. McShane. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20220399360A1. Автор: Junhyoung Kim,Yonghoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20180312731A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210287968A1. Автор: Masanori Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device package and sealing method therefore

Номер патента: CA2014311A1. Автор: Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1990-10-17.

Semiconductor device package and sealing method therefore

Номер патента: CA2014311C. Автор: Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-08-03.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4312250A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-01-31.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240038636A1. Автор: Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190295901A1. Автор: Ikuo Motonaga. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20180130724A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device, chip module, and semiconductor module

Номер патента: US10707159B2. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US20150216040A1. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor mounting substrate

Номер патента: US9048332B2. Автор: Daisuke Mizutani,Mamoru Kurashina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20140091478A1. Автор: Kenichi Osada,Futoshi Furuta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120199946A1. Автор: Satoshi Kageyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US20150380479A1. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device fabricating method and semiconductor device

Номер патента: US9660018B2. Автор: Takuo Narusawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, semiconductor wafer and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Masamichi Yanagida,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Ubiq Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with suppression of decrease of withstand voltage, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11984502B2. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device produced by the method

Номер патента: US6046077A. Автор: Mikio Baba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device assembly apparatus

Номер патента: US7232704B2. Автор: Brahm Pal SINGH. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Semiconductor device assembly method and semiconductor device assembly apparatus

Номер патента: US20050214972A1. Автор: Brahm Singh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-29.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050148177A1. Автор: Seiichi Omoto,Kazuhiro Murakami,Tomio Katata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150235850A1. Автор: Hidetami Yaegashi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8883635B2. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020024095A1. Автор: Katsuomi Shiozawa,Yasuyoshi Itoh,Syuichi Ueno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Driving method and apparatus for a pnpn semiconductor device

Номер патента: US5153758A. Автор: Yoshiharu Tashiro,Kenichi Kasahara,Takahiro Numai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-10-06.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US10566222B2. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor device sorting system and semiconductor device

Номер патента: US20190103297A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroyuki Nakamura,Toru Iwagami,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor Device, Method of Fabricating the Same, and Apparatus for Fabricating the Same

Номер патента: US20080237593A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Ikumi Itsumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: WO2001011680A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-02-15.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11862510B2. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20200303241A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20210343584A1. Автор: Mie Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Heating apparatus for a semiconductor device, heating system, and semiconductor device

Номер патента: US20230223283A1. Автор: Chengchun Tang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9954094B2. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160240654A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070272984A1. Автор: Hisashi Hasegawa,Jun Osanai,Akiko Tsukamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180204943A1. Автор: Yasuhiro Nishimura,Kinya Ohtani. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20190172925A1. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20230081981A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Dry etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5990016A. Автор: Byong-dong Kim,Jung-kyu Lee,Sung-il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20190385859A1. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US11018013B2. Автор: Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-05-25.

Apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220223384A1. Автор: Takafumi Noguchi,Yoshiaki Moriya,Naoyuki Takada,Noriaki Imai,Toshihiro Iizuka. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US9159563B2. Автор: Tomohide Terashima,Eiko OTSUKI,Yasuhiro Yoshiura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Motofumi Saitoh,Nobuyuki Ikarashi,Kouji Masuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8841210B1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20230326739A1. Автор: Tatsuya Yamaguchi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20090184367A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8860149B2. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020102430A1. Автор: Masayoshi Shirahata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20230335410A1. Автор: Tsuyoshi Kawakami,Akira KIYOI,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150123187A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Junichi Ariyoshi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Hirokazu Ishida,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140287576A1. Автор: Tomomi Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20200251551A1. Автор: Wensheng Wang,Kazuaki Takai,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US8404559B2. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069601A1. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Thermal Method to Control Underfill Flow in Semiconductor Devices

Номер патента: US20120097095A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290759A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Thermal method to control underfill flow in semiconductor devices

Номер патента: WO2008021935A1. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor apparatus and manufacturing method for semiconductor apparatus

Номер патента: US20230063723A1. Автор: Daiki Yoshida,Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213208A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device inspection method

Номер патента: JP3970849B2. Автор: 清 長谷川. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Apparatus for thermal control of semiconductor chip assembly and underfill

Номер патента: US8378503B2. Автор: Vikas Gupta,Jeremias Perez Libres,Joseph Edward Grigalunas. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor Assembly Packaging Method, Semiconductor Assembly and Electronic Device

Номер патента: US20220230986A1. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Three-dimensional stacking semiconductor assemblies with near zero bond line thickness

Номер патента: US12027498B2. Автор: Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US10658298B1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150249023A1. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and semiconductor die

Номер патента: US20230154961A1. Автор: Fei Chen,Danqing WEI. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11848310B2. Автор: Won Geol Lee,Won Chul Do,Ji Hun Yi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240194649A1. Автор: Won Geol Lee,Won Chul Do,Ji Hun Yi. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20190115321A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Ching-Pin Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144185A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding

Номер патента: US20110260301A1. Автор: Chi-Tsung Chiu,Kuo-Hsien Liao,Chih-Pin Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor module, electronic device, and printed wiring board

Номер патента: US20200411424A1. Автор: Hideto Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9472495B2. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20040173885A1. Автор: Motonobu Nishimura,Katsuhiko Shishido,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device package

Номер патента: US20160351464A1. Автор: Hiroaki Kishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240258310A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20240194570A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11887935B2. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4102557A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI646608B. Автор: 石井斉. Владелец: 東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024055294A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Extended bond pad for semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240071990A1. Автор: Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Resin sealing type semiconductor device having outer leads designed for multi-functions

Номер патента: US5031024A. Автор: Shinjiro Kojima,Yoshimasa Kudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100090330A1. Автор: Isao NAKAZATO. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140203441A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor devices having through-contacts and related fabrication methods

Номер патента: SG182041A1. Автор: HEINRICH Jens,Richter Ralf,SCHUEHRER Holger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-07-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411228A1. Автор: Atsushi Oga,Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Stress sensor for a semiconductor device

Номер патента: WO2016025146A1. Автор: Vidhya Ramachandran,Urmi Ray. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-18.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US20160050744A1. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US9209140B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: EP4002448A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20190378810A1. Автор: Hiroyuki Harada,Taishi Sasaki,Yuki Yoshioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Package-on-package type semiconductor device including fan-out memory package

Номер патента: US20160329298A1. Автор: Sang Eun Lee,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20170162541A1. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395259A1. Автор: Syuhei Miyachi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Protective film for semiconductors, semiconductor device, and composite sheet

Номер патента: US10825790B2. Автор: Naoya Okamoto,Katsuhiko Horigome,Ryohei Ikeda. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Insulation substrate for a semiconductor device

Номер патента: US5869890A. Автор: Katsumi Yamada,Tomio Shimizu,Akira Morozumi,Shigemasa Saito,Masaharu Nishiura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Semiconductor device comprising a contact hole of varying width thru multiple insulating layers

Номер патента: US6127734A. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20170005031A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING STRUCTURE

Номер патента: US20180130724A1. Автор: KIMURA Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device having wire loop and method and apparatus for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290372A1. Автор: Won-Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230138963A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device having ipd structure with smooth conductive layer and bottom-side conductive layer

Номер патента: SG183017A1. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20160079186A1. Автор: Hiroaki Narita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160079186A1. Автор: NARITA Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

A stacked semiconductor device

Номер патента: WO2023151950A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220059407A1. Автор: ONO Takanobu,TOMONO Akira,Tokubuchi Keisuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364427A1. Автор: Takashi KANSAKU. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-12-17.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device

Номер патента: WO2024132170A1. Автор: John Hutchings,Shoubhik GUPTA,Arthur SU. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device implemented with buried rails

Номер патента: US20220013522A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI532107B. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi,Hideki Akiba. Владелец: Shinetsu Chemical Co. Дата публикации: 2016-05-01.

Method and system for estimating junction temperature of power semiconductor device of power module

Номер патента: US11953386B2. Автор: Je Hwan Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Electronic device including semiconductor device package

Номер патента: US20190148337A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240178093A1. Автор: Takayuki Tanaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20190019767A1. Автор: Daijiro Ishibashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20220336358A1. Автор: Kihyun Kim,Seyong Oh,Jihwan YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230063261A1. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12009296B2. Автор: Wei-kai Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Wire bonded semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4163966A1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device structure with serpentine conductive feature and method for forming the same

Номер патента: US20220293519A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Stacked semiconductor device including a cooling structure

Номер патента: US11984376B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Stacked semiconductor device including a cooling structure

Номер патента: US20230386957A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240055450A1. Автор: Tetsuya Sugimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with multi-layer connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220020636A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device with capacitors having shared electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20220190102A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device having a landing pad with spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220068711A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US11923426B2. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Jun Ki PARK,Jeong Ik Kim,Tae-Yeol Kim,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and capacitors

Номер патента: US10727294B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Shin-puu Jeng,Ebin Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20030109079A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP5563777B2. Автор: 健 松本. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor Device and Switching Circuit

Номер патента: US20150171070A1. Автор: Masayuki Hanaoka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and voltage transfer unit

Номер патента: US20170330886A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4404274A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20230282743A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210351297A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof and electronic apparatus including the same

Номер патента: US12068413B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon contactor including plate type powders for testing semiconductor device

Номер патента: US8334595B2. Автор: Young Seok Jung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220336658A1. Автор: Jun Hee Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070131964A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20220385284A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200112320A1. Автор: Takayuki Ikeda,Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12040359B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20240258426A1. Автор: Kyoung Hwa Jung. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020019134A1. Автор: Takashi Yamashita,Takeru Matsuoka,Takao Kamoshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods of Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20170278757A1. Автор: Andreas Martin,Uwe Hodel,Wolfgang Heinrigs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-28.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor manufacturing apparatus and film formation method for a semiconductor device

Номер патента: US20190229006A1. Автор: Hiroaki Tada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20240258115A1. Автор: Yoshihide Yamaguchi. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Apparatus and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20070148928A1. Автор: In Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200273742A1. Автор: Shoji Wada. Владелец: Shinkawa Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structure with spacer

Номер патента: US12040237B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20230139527A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method and apparatus for cleaning semiconductor device structure with gas flow

Номер патента: US20190019671A1. Автор: Po-Shu WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190319109A1. Автор: Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device including two-dimensional semiconductor material

Номер патента: US12062697B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Yeonchoo CHO,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US7772131B2. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153174B2. Автор: Tomoko Ojima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20170160575A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Methods and apparatus for a flexible circuit interposer

Номер патента: US7271016B2. Автор: Douglas C Chambers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-18.

Methods and apparatus for a flexible circuit interposer

Номер патента: US20060220228A1. Автор: Douglas Chambers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20050014377A1. Автор: Hiroyuki Kamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Apparatus and method for removing an organic material from a semiconductor device

Номер патента: US20020058345A1. Автор: Eckhard Marx,Bernd Stottko,Torsten Schneider,Anne Kurtenbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Compound semiconductor device with mesa structure

Номер патента: US20140057401A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20150340379A1. Автор: Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Atsuo Isobe,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9991179B2. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20190123195A1. Автор: Eisuke Suekawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170179132A1. Автор: Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Atsuo Isobe,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP2518767A3. Автор: Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Atsuo Isobe,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing by the same method

Номер патента: US20010018254A1. Автор: Ichiro Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor device, semiconductor system, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP3451121B1. Автор: Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-25.

Semiconductor device and apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US6333259B1. Автор: Kazuyoshi Maekawa,Junko Izumitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201030842A. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI587394B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-06-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20020004269A1. Автор: Yoshikazu Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP3521845B1. Автор: Tomonori Nakamura,Akihiro Otaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-09-20.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor cleaning device and semiconductor cleaning method

Номер патента: US20130152965A1. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama,Takaya Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: TWI597780B. Автор: Yasuhiro Fujii,Kazumasa Yonekura,Tatsunori Kaneoka. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-09-01.

Pattern formation method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: TW201005794A. Автор: Satoru Shimura. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-02-01.

Semiconductor device forming method and semiconductor device

Номер патента: EP4325576A4. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Temperature controller for semiconductor device

Номер патента: US4689659A. Автор: Hideo Watanabe. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1987-08-25.

Semiconductor inspecting method and semiconductor inspecting device

Номер патента: US20230206422A1. Автор: Akira Shimase,Xiangguang MAO,Akihito UCHIKADO. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170179249A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora,Rie Tokuda,Katsuaki Kawara,Hitoshi Kambara. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor inspecting method and semiconductor inspecting device

Номер патента: EP4131350A1. Автор: Akira Shimase,Xiangguang MAO,Akihito UCHIKADO. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US11856744B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230389254A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Layered semiconductor device, and production method therefor

Номер патента: US20190043537A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Takao Adachi,Kouji Uemura. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20190043961A1. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora,Rie Tokuda,Katsuaki Kawara,Hitoshi Kambara. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Radiation emitting semiconductor device

Номер патента: US20030173575A1. Автор: Dominik Eisert,Uwe Strauss,Volker Haerle,Frank Kuehn,Manfred Mundbrod-Vangerow,Ulrich Zehnder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11600700B2. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190393263A1. Автор: Shu-Ming Kuo,Jian-Jung SHIH. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2955323A1. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US7153770B2. Автор: Chel-jong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230057493A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: EP3648172A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-05-06.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20200135859A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate

Номер патента: US11798805B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240154056A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230178607A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220052160A1. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11916108B2. Автор: Ming-Cheng Lee,Cheng-Tien Wan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Underfill of bumped or raised die using a barrier adjacent to the sidewall of semiconductor device

Номер патента: US5973404A. Автор: Salman Akram,James M. Wark. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor wafer with alignment marks and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US4418467A. Автор: Hiroshi Iwai. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-12-06.

Nitride-based heterojuction semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20130026450A1. Автор: Jinhong Park,Taehoon Jang,Kwangchoong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210335788A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Apparatus and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170092553A1. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama,Norihiro Takesako. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11967631B1. Автор: Hao Feng,Yong Liu,Jing DENG,Johnny Kin On Sin. Владелец: Jsab Technologies Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and operating method of a semiconductor device

Номер патента: US20190348121A1. Автор: Chan Lim,Min Kyu Jeong,Yong Jun Kim,Hea Jong Yang,Gae Hun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Metal Oxide Semiconductor Devices and Fabrication Methods

Номер патента: US20160211367A1. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Structure and Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20200075597A1. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Silicon contactor including plate type powders for testing semiconductor device

Номер патента: US20110272803A1. Автор: Young Seok Jung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20020025651A1. Автор: Yushin Takasawa,Hajime Karasawa. Владелец: Kokusai Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US6933575B2. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-23.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030155652A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070082488A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-04-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170033216A1. Автор: Felix Ying-Kit Tsui,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130153927A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Transistor of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8212293B2. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Transistor of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090001482A1. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20030107054A1. Автор: Kenji Masumoto,Mutsumi Masumoto,Kensho Murata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Transistor of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120264274A1. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150333030A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240172571A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure

Номер патента: US11784094B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Tsung-Hua Hsieh. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180286948A1. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US20230022269A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US20150372057A1. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200007114A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20050282372A1. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2005-12-22.

Semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US7811944B2. Автор: Alvaro Maury,Nace Rossi. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11875837B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200043732A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220301927A1. Автор: Yu-Yu Chen,Yan-Jhi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11830737B2. Автор: Jung-Hoon Lee,Sanghyeon Kim,Ji Young Choi,Insung Kim,Woojeong SHIN,Hanhum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11355388B2. Автор: Yu-Yu Chen,Yan-Jhi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11870436B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A2. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A3. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11848664B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10804142B2. Автор: Yu-Yu Chen,Yan-Jhi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190115251A1. Автор: Yu-Yu Chen,Yan-Jhi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Inspection method for multilayer semiconductor device

Номер патента: US20220099432A1. Автор: Tzu-Chien Wei,Mikhail Pylnev,Duc-Anh Le. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9852906B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11894486B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230403858A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240064959A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and related protection methods

Номер патента: US20160172845A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11844206B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230387276A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US11963343B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Ryunosuke Honda,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11942132B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230403844A1. Автор: Dong Soo Kim,Mun Gi SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20230127474A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Ryunosuke Honda,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US20200365591A1. Автор: Tomoaki Atsumi,Ryunosuke Honda,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20190067273A1. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor package device and method of forming package body

Номер патента: US20180301361A1. Автор: Chao-Hung Weng,Fan-Yu MIN,Liang-Chun Chen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

APPARATUS FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200243360A1. Автор: LIN CHUNG-HUNG,WEN Chih-wei,HUANG Po-Chien. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for manufacturing a semiconductor device in a CVD reactive chamber

Номер патента: US20010012697A1. Автор: Yuichi Mikata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Power Semiconductor Device with Oscillation Prevention

Номер патента: US20140312429A1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180233212A1. Автор: Nak Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Curable silicone composition and optical semiconductor device

Номер патента: US11787943B2. Автор: Hyun-Ji Kang,Ju-Young Yook. Владелец: Dow Silicones Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with trench termination structure

Номер патента: US20150263084A1. Автор: Young Jae Kim,Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Tool for transferring semiconductor device

Номер патента: WO2008126954A1. Автор: Hong Jun You,Won Jin Jang. Владелец: Jt Corporation. Дата публикации: 2008-10-23.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060279021A1. Автор: Yasuhiro Shinma. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140299986A1. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US11937425B2. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: US20130234208A1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-09-12.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US8339837B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP4261892A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230335581A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210142836A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method and Apparatus for Drying a Wafer

Номер патента: US20140190634A1. Автор: Hung Chang HSIEH,Wei-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110207334A1. Автор: Gil-heyun Choi,Ha-Young YI,Hong-Gun Kim,Yong-Soon Choi,Eun-Kee Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220127716A1. Автор: Junho Jeong,JoonMyoung LEE,Whankyun Kim,Jeongheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus for separating semiconductor chips

Номер патента: CA1311314C. Автор: Takeshi Sekiguchi,Nobuyoshi Tato,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-12-08.

Curable silicone composition and optical semiconductor device

Номер патента: WO2019013471A1. Автор: Hyun-Ji Kang,Ju-Young Yook. Владелец: Dow Silicones Corporation. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US11901822B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190267417A1. Автор: Yu-Min Peng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US11825647B2. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160314998A1. Автор: Jun Tanaka,Masaya Shima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US20220262804A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device structure with metal gate stack

Номер патента: US20230378321A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Standard cell, semiconductor device having standard cells, and method for laying out and wiring the standard cell

Номер патента: US20120292714A1. Автор: Hiroshi Omura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12027583B2. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080054475A1. Автор: Jae-Hyun Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Light emissive semiconductor device

Номер патента: CA1042536A. Автор: Paul A. Kirkby. Владелец: ITT Canada Ltd. Дата публикации: 1978-11-14.

Process of fabricating a semiconductor device having cobalt niobate gate electrode structure

Номер патента: US5930632A. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-07-27.

Apparatus for flipping semiconductor device

Номер патента: US20170330781A1. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Apparatus for flipping semiconductor device

Номер патента: US20140193232A1. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus for flipping semiconductor device

Номер патента: US9209058B2. Автор: Chia-Liang Hsu,Chih-Wei WEI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device test method

Номер патента: US20060267010A1. Автор: Yoshinori Matsubara. Владелец: Yoshinori Matsubara. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device, semiconductor device mounting body, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4812525B2. Автор: 昌行 湯川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20090242943A1. Автор: Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230378335A1. Автор: Un Ki Kim,Sung Keun Lim,Hyo Hoon BYEON,Do Hyun GO,Yu Yeong JO,Jin Yeong CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20180205225A1. Автор: Koji Takayanagi,Tadashi Fukui,Masashi Arakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170358506A1. Автор: Naofumi Ohashi,Toshiyuki Kikuchi,Kazuyuki Toyoda,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device

Номер патента: US10396549B2. Автор: Koji Takayanagi,Tadashi Fukui,Masashi Arakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230142732A1. Автор: Hyun-Ji SONG,Hoon Han,Byung Keun Hwang,Youn Joung CHO,Eun Hyea Ko,Jeong Ho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Cu alloy bonding wire for semiconductor device

Номер патента: PH12020500284A1. Автор: Takashi Yamada,Tomohiro Uno,Tetsuya Oyamada,Daizo; ODA. Владелец: Nippon Steel Chemical And Mat Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160079370A1. Автор: Sugiyama Naoharu,Tsuda Kunio. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAID DEVICE

Номер патента: US20200095481A1. Автор: HONDA Kazutaka,Nagai Akira,ONO Keishi,CHABANA Koichi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Production method of semiconductor device, semiconductor wafer, and semiconductor device

Номер патента: US20140203411A1. Автор: Toru Onishi,Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170154818A9. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180301366A1. Автор: Matsuura Nobuyoshi,Yanagida Masamichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150371902A1. Автор: Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device, semiconductor module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4148932B2. Автор: 弘昌 塚本,和弥 藤田,高志 安留. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20110042730A1. Автор: Takayoshi Hashimoto,Hisashi Yonemoto,Masayuki Tajiri,Toyohiro Harazono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Wire bonding device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: TWI721404B. Автор: 吉野浩章,手井森介. Владелец: 日商新川股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120139052A1. Автор: Takayoshi Hashimoto,Hisashi Yonemoto,Masayuki Tajiri,Toyohiro Harazono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20120273887A1. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20130023117A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130154059A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Teramoto Akinobu,Goto Tetsuya,Matsuoka Takaaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130181040A1. Автор: Harada Muneo,WATANABE Shinjiro,IIDA Itaru. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2013-07-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE AND SYSTEM EACH INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130256785A1. Автор: CHUNG In Seung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130264624A1. Автор: Toratani Kenichiro,ISHIDA Hirokazu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130285148A1. Автор: IIZUKA Kenzo,KURATA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130299956A1. Автор: NARITA Hiroaki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130320543A1. Автор: TSUCHIAKI Masakatsu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140001487A1. Автор: OGINO Masaaki,NAKAJIMA Tsunehiro,NAKAZAWA Haruo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20150022794A1. Автор: Masanori Shindou. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170033195A1. Автор: Onishi Toru,OKI Shuhei,IKEDA Tomoharu,TASBIR Rahman MD.. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREOF

Номер патента: US20160035624A1. Автор: YAMASHITA Soichi,Murakami Kazuhiro,OGISO Koji. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064447A1. Автор: KIMURA Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US20170102343A1. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US10281412B2. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-07.

Apparatus for and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074011B2. Автор: Jiye KIM,In Cheol Song,Jaebeom PARK,Daihong KIM,Woongpil JEON,Byungho CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Plasma etching method and apparatus for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: TW200304676A. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Tech Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Apparatus for wiring semiconductor device using energy beam and wiring method by using the same

Номер патента: US5149973A. Автор: Hiroaki Morimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-22.

Antenna apparatus for smart wearable device and smart wearable device

Номер патента: US20240235013A9. Автор: Qijuan HE,Siren HU. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Antenna apparatus for smart wearable device and smart wearable device

Номер патента: US20240136705A1. Автор: Qijuan HE,Siren HU. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

SUBMOUNT, SEMICONDUCTOR DEVICE MOUNTING SUBMOUNT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MODULE

Номер патента: US20190006818A1. Автор: OHKI Yutaka,Minato Ryuichiro. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-03.

Systems, methods, and apparatus for controlling power semiconductor devices

Номер патента: US20140097886A1. Автор: Alan Carroll Lovell,Todd David Greenleaf,Mark E. Shepard. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7713819B2. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240008273A1. Автор: Takuya Konno,Shinya Okuda,Rikyu Ikariyama. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Storage device and an array of disks, and an apparatus for arranging disk

Номер патента: US20210345512A1. Автор: Zhao Chen,Huwei Di. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-11-04.

Electronic device, camera device, and anti-shake method and anti-shake apparatus for camera device

Номер патента: US20230328376A1. Автор: Wei Wu,Kun AN. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12101938B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Controller for controlling a GaN-based device and method for implementing the same

Номер патента: US11716081B2. Автор: Chao Tang,Wenbin Xie,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20020079969A1. Автор: Yoshiyuki Hojo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20240146293A1. Автор: Hideyuki Tajima,Noboru INOMATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for testing semiconductor device

Номер патента: US20050218919A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US7034564B2. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US10615789B1. Автор: Nobutake Taniguchi,Tatsuya Uda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches

Номер патента: US20230327661A1. Автор: Nigel Springett. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Shield box, shield box assembly and apparatus for testing a semiconductor device

Номер патента: US20170359925A1. Автор: Hyun Yang,Yanghoon Kim. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Korea Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Driving apparatus for voltage-driven semiconductor device

Номер патента: EP1881587A4. Автор: Hidetoshi Morishita,Yuu Suzuki,Hideo Yamawaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US11980096B2. Автор: In-Shiang CHIU,Kuang-Chu Chen,Peng-Chan HSIAO,Han-YING LIU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230380147A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240164099A1. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Chang-Wen Jian. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and systems

Номер патента: US20200195871A1. Автор: Fukashi Morishita,Yoichi Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for universally testing semiconductor devices with different pin arrangement

Номер патента: US20060001441A1. Автор: Chih-Hui Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor device having a temperature circuit that provides a plurality of temperature operating ranges

Номер патента: US20150276510A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Darryl G. Walker. Дата публикации: 2015-10-01.

Customer-specific activation of functionality in a semiconductor device

Номер патента: US11899946B2. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Customer-specific activation of functionality in a semiconductor device

Номер патента: US20240143202A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20170064237A1. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240056071A1. Автор: Yusuke Sato,Yasuyuki Fujiwara,Yiyao LIU,naotsugu Kako,Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11838013B2. Автор: Yusuke Sato,Yasuyuki Fujiwara,Yiyao LIU,naotsugu Kako,Hideaki Majima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR SYSTEM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190074829A1. Автор: FUKUOKA Kazuki,UEMURA Toshifumi,KITAJI Yuko. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140160863A1. Автор: CHO Young-hoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Method and apparatus for isolating faulty semiconductor devices in a multiple stream graphics system

Номер патента: US20040073857A1. Автор: Tyvis Cheung,Nathaniel Naegle. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20120031331A1. Автор: Takashi Nakao,Ichiro Mizushima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2275781C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-18.

Method and apparatus for testing a semiconductor device

Номер патента: US20230358784A1. Автор: Wonjung Kim,KyouYong HAN,ZunBae MOON. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device simulation system and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20230130199A1. Автор: Sung Min Hong. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method and apparatus for coupling a semiconductor device with a tester

Номер патента: US5440231A. Автор: Maureen Sugai. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US20050196706A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US11971364B2. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Apparatus for producing a semiconductor device utlizing successive liquid growth

Номер патента: US4359012A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-11-16.

Apparatus for producing a semiconductor device

Номер патента: US4587928A. Автор: Hisashi Muraoka,Toshio Yonezawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-05-13.

Semiconductor device, memory system, and method of correcting duty cycle of output signal from semiconductor device

Номер патента: US11961586B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device including memory cells storing multi-bit data and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10796775B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Arrangement, device and method for handling sticks in an apparatus for inserting sticks in ice-cream bodies

Номер патента: WO1998018341A1. Автор: Ole MØRCH. Владелец: Ntc Engineering Aps. Дата публикации: 1998-05-07.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Apparatus for fabricating semiconductor device and method thereof

Номер патента: US20090104567A1. Автор: Dong-Chan Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-23.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Sensor semiconductor device

Номер патента: US20200064295A1. Автор: Frederik Willem Maurits Vanhelmont,Nebojsa NENADOVIC,Dimitri Soccol,Micha IN'T ZANDT. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device for adjusting threshold value shift due to short channel effect

Номер патента: US20040113649A1. Автор: Jörg Berthold,Rafael Guardia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US20150084667A1. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US20120153984A1. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-21.

Method and system for testing semiconductor device

Номер патента: US8922235B2. Автор: Kie-Bong Ku,Lee-Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device for electrical contacting semiconductor devices

Номер патента: US20080231303A1. Автор: Jochen Kallscheuer,Bernhard Ruf,Sascha Nerger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20100003831A1. Автор: Satoshi Yasuda,Shin-Ichi Imai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device defect monitoring

Номер патента: US20150042371A1. Автор: Kelly Malone,Brian L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method and test apparatus for testing integrated circuits using both valid and invalid test data

Номер патента: US20060123294A1. Автор: Chris Vu. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US10083760B2. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor device and mobile terminal device

Номер патента: US20130238824A1. Автор: Satoshi Sasaki. Владелец: Renesas Mobile Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device development information integrating system

Номер патента: US5933350A. Автор: Mitsuhiro Matsuura,Shinichi Fujimoto,Masaaki Kakihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20170242749A1. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240046967A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US11776586B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND APPARATUS FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160047857A1. Автор: Lee Junhee. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20190154518A1. Автор: Fumio Tsuchiya,Shinya Konishi,Masaki Shimada,Kan Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for determining operation conditions for a selected lifetime of a semiconductor device

Номер патента: WO2015050487A1. Автор: Enar Sundell. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2015-04-09.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Nonvolatile semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20130294175A1. Автор: Yoon Jae Shin,Sang Kug LYM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Test apparatus for testing a semiconductor device, and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US7768284B2. Автор: Horst Groeninger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-08-03.

An apparatus for testing a semiconductor device and a method of testing a semiconductor device

Номер патента: KR101798440B1. Автор: 서헌교. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-16.

Probe apparatus for testing semiconductor devices

Номер патента: US11802910B1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20190369688A1. Автор: Akira Tanabe,Kazuya Uejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Probe apparatus for testing semiconductor devices

Номер патента: US20230366926A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatus for fabricating polysilicon film for semiconductor device

Номер патента: US6039811A. Автор: Young-sun Kim,Cha-young Yoo,Young-Wook Park,Seung-hee Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-21.

Semiconductor device with test interface

Номер патента: US7634700B2. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device with test interface

Номер патента: US20070061650A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20190072717A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US10459162B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-29.

Test method and semiconductor device

Номер патента: US20090109774A1. Автор: Thorsten Bucksch. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-04-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE INSPECTION DEVICE

Номер патента: US20190265297A1. Автор: IWAKI Yoshitaka. Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: WO2020066177A1. Автор: 信介 鈴木. Владелец: 浜松ホトニクス株式会社. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP3859360A4. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US10983162B2. Автор: Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: TW201816408A. Автор: 岩城吉剛. Владелец: 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: TW202029369A. Автор: 鈴木信介. Владелец: 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司. Дата публикации: 2020-08-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP3998476A4. Автор: Hirotoshi Terada,Yoshitaka IWAKI. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: EP4148437A4. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation method

Номер патента: US20120187975A1. Автор: Risho Koh,Takahiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160086653A1. Автор: CHO Young-hoon. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device evaluation apparatus and semiconductor device evaluation program product

Номер патента: CA2380707C. Автор: Naoya Tamaki,Norio Masuda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-24.

Semiconductor device having turn-on and turn-off capabilities

Номер патента: CA1201214A. Автор: Victor A.K. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-02-25.

APPARATUS FOR TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF TESTING A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120229158A1. Автор: SEO Hun-Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor substrate

Номер патента: JP3607194B2. Автор: 信一 高木,宏治 臼田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-05.

Apparatus for producing electric semiconductor devices by joining area electrodes with semiconductor bodies

Номер патента: CA667745A. Автор: Emeis Reimer. Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1963-07-30.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANGANESE OXIDE FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025380A1. Автор: Matsumoto Kenji,KOIKE Junichi,Neishi Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING APPARATUS

Номер патента: US20120031650A1. Автор: Ishikawa Michio,Hatanaka Masanobu,Tsumagari Kanako. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120032281A1. Автор: Haneda Masaki. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120043662A1. Автор: Ohno Hirotaka. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-02-23.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120068312A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077332A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120094398A1. Автор: Wang Wensheng. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120104614A1. Автор: Saitoh Motofumi,Ikarashi Nobuyuki,MASUZAKI Kouji. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120115323A1. Автор: Yamamoto Daisuke,Muragishi Isao,Kai Takayuki,Saito Daishiro,Koiwasaki Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120119267A1. Автор: Yoshida Eiji. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120119299A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-05-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126423A1. Автор: Ozawa Takashi,Hatori Yukinori. Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATING METHOD

Номер патента: US20120133056A1. Автор: . Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120199946A1. Автор: KAGEYAMA Satoshi. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-08-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120235282A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120235302A1. Автор: FURUYA Akira. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, CAMERA MODULE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120286385A1. Автор: YAMADA Shigeru. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE

Номер патента: US20120286410A1. Автор: GROENHUIS Roelf Anco Jacob,WALCZYK Sven,DIJKSTRA Paul,BRUIN Emiel de. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-11-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Saito Hirokazu. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319182A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-12-20.