Method and apparatus for testing a semiconductor device
Номер патента: US20130015877A1
Опубликовано: 17-01-2013
Автор(ы): Huan Chi Tseng, Jhih Jie Shao, Szu-Chia Huang, Tang-Hsuan Chung
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-01-2013
Автор(ы): Huan Chi Tseng, Jhih Jie Shao, Szu-Chia Huang, Tang-Hsuan Chung
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
System, method and non-transitory computer readable medium for dynamically assessing degradation of semiconductor device
Номер патента: WO2024098237A1. Автор: Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.