Memory device, semiconductor device, method for producing memory device, and method for producing semiconductor device
Номер патента: US09461244B2
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Fujio Masuoka, Hiroki Nakamura
Принадлежит: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-10-2016
Автор(ы): Fujio Masuoka, Hiroki Nakamura
Принадлежит: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for forming resistive random-access memory device
Номер патента: US20240057488A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.