Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US20200402837A1
Опубликовано: 24-12-2020
Автор(ы): Chih-Sheng Chang, Ching-Chih Chang, Yuan-Fu Ko
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-12-2020
Автор(ы): Chih-Sheng Chang, Ching-Chih Chang, Yuan-Fu Ko
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same
Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.