Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Nitride based semiconductor device with improved lattice quality

Nitride based semiconductor device with improved lattice quality

Номер патента: US10600935B2
Опубликовано: 24-03-2020
Автор(ы): Chang-Cheng Chuo, Heqing DENG, Shengchang CHEN
Принадлежит: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

NITRIDE BASED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DESIRABLE CARBON TO ALUMINUM CONCENTRATION RATIO

Номер патента: US20170194529A1. Автор: Li Yun-Li,Wang Shen-Jie,Lin Ching-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Hetero-substrate, nitride-based semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680055B2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride-based light emitting device with excellent light emitting efficiency using strain buffer layer

Номер патента: US20130168638A1. Автор: Sung-Hak Lee,Jung-Won Park. Владелец: Iljin Led Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: WO2013125822A1. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-29.

Gallium nitride-based light emitting diode

Номер патента: US09853182B2. Автор: Kenji Shimoyama,Ki Bum Nam,Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG,Kaori Kurihara. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Gallium nitride-based semiconductor device on amorphous substrate

Номер патента: US20240250214A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating nonpolar gallium nitride-based semiconductor layer, nonpolar semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09966497B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020190263A1. Автор: Kunio Takeuchi,Tsutomu Yamaguchi,Takashi Kano,Masayuki Hata,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8748899B2. Автор: Atsushi Yamada,Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Structure and manufacturing method of the structure, and gallium nitride-based semiconductor light-emitting device using the structure and manufacturing method of the device

Номер патента: US20140264372A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

All-nitride-based epitaxial structure and light-emitting device

Номер патента: US20230420608A1. Автор: David Young,Wei Sun,Yanhao Du,Anli YANG,Dawei NIE,Jingting HE,Zengliang ZHONG. Владелец: Narvellux Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Gallium nitride-based ?­? group compound semiconductor device and methed of producing the same

Номер патента: KR100585919B1. Автор: 이종람. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2006-06-01.

Nitride-based light-emitting diode device

Номер патента: US11817528B2. Автор: Chi-Ming Tsai,Yung-ling LAN,Chan-Chan LING. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20080286894A1. Автор: Jun Ho Seo,Seung Wan Chae,Hyoun Soo Shin,Jun Sub KWAK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Nitride based semiconductor light emitting element

Номер патента: US6555847B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: CA2441310A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group iii nitride based quantum well structures and group iii nitride based superlattice structures

Номер патента: MY137396A. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-30.

Group iii nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice

Номер патента: WO2002097904A3. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Amber Christine Abare,Howard Dean Nordby Jr. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108491A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: US9112083B2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby, Jr.,Amber Christine Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990561B2. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304752A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09524869B2. Автор: Chang-Hua HSIEH,Wen Hsiang LIN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nitride based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20060011903A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Masaru Kuramoto,Masaaki Nido. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Nitride based semiconductor optical device, epitaxial wafer for nitride based semiconductor optical device, and method of fabricating semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110042644A2. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride-based semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230140710A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-05-04.

Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer

Номер патента: US20100220761A1. Автор: Keiji Ishibashi,Masaki Ueno,Hideki Osada,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Group iii nitride based light emitting diode structures with multiple quantum well structures having varying well thicknesses

Номер патента: EP2532033A1. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,Daniel Carleton Driscoll,Ashonita Chavan,Pablo Cantu-Alejandro. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-12-12.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: WO2014092320A1. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-19.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20060033116A1. Автор: Jun Seo,Seung Chae,Hyoun Shin,Jun Kwak. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures

Номер патента: EP2259347A2. Автор: James Ibbetson,Michael John Bergmann,David Todd Emerson,Kathleen Marie Doverspike,Michael John O'Loughlin,Howard Dean Nordby Jr.,Amber Christine Salter. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110012126A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2276079A3. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Group III nitride based light emitting diode

Номер патента: EP2237334A3. Автор: David Emerson,James Ibbetson,Michael Bergmann,Kathleen Doverspike,Michael O'Loughlin,Howard Nordby,Amber Abare. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090142871A1. Автор: Yoichiro Tarui,Yosuke Suzuki,Tatsuo Omori,Toshiyuki Oishi,Kenichi Ohtsuka,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Yasunori Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for improving internal quantum efficiency of Group-III nitride-based light emitting device

Номер патента: US20110089398A1. Автор: Chang-Chi Pan,Ching-Hwa Chang Jean,Jang-Ho Chen. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2011-04-21.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217925A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-15.

Nitride based light emitting device

Номер патента: US20120112162A1. Автор: Johng Eon Shin. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Nitride-based semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070278499A1. Автор: Choi Chang Hwan,HWANG Young Nam,Moon Won Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device and electrode for the same

Номер патента: US20070040183A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Noritaka Muraki,Soichiro Masuyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Group III nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: EP2259341A2. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-12-08.

Group iii nitride based quantum well light emitting device structures with an indium containing capping structure

Номер патента: CA2567739C. Автор: Michael John Bergmann,David Todd Emerson. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-09-16.

Group III nitride based LED structures including multiple quantum wells with barrier-well unit interface layers

Номер патента: US12094998B2. Автор: Brian T. Collins,Daniel Carleton Driscoll,Thomas A. Kuhr,Robert David Schmidt. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Reusable substrate bases, semiconductor devices using such reusable substrate bases, and methods for making the reusable substrate bases

Номер патента: US09419081B2. Автор: John Stokely,Basavaraja Sangappa Devaramani,Raju Addepalle Raghurama. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nitride based compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP1195866A2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Masaru Kuramoto,Masaaki Nido. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-10.

Gallium nitride-based compound semiconductor light emitting device

Номер патента: US8188495B2. Автор: Noritaka Muraki,Munetaka Watanabe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-05-29.

Nitride based ultraviolet light emitting diode with an ultraviolet transparent contact

Номер патента: US20230420617A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Michael Iza,Matthew S. WONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride-based multi-wavelength light emitting diode system and control method thereof

Номер патента: US20230209676A1. Автор: Gun Woo Lee,Sung-nam Lee. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

Patterned substrate for gallium nitride-based light emitting diode and the light emitting diode using the same

Номер патента: US09899569B2. Автор: Hao Cui,Si Hyun Park. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2018-02-20.

Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor

Номер патента: US5290393A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1994-03-01.

Nitride-based light-emitting device

Номер патента: US7482639B2. Автор: June-o Song,Tae-yeon Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-27.

Reflective positive electrode and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device using the same

Номер патента: EP1761960A1. Автор: Koji c/o SHOWA DENKO K.K. KAMEI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-03-14.

Gallium nitride based light emitting element

Номер патента: US20020000558A1. Автор: Taiji Morimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Iii-nitride-based high-efficiency and high-power devices grown on or above a strain relaxed template

Номер патента: WO2023150550A2. Автор: Shuji Nakamura,Philip Chan,Hsun-Ming CHANG,Vincent RIENZI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-08-10.

Iii-nitride-based high-efficiency and high-power devices grown on or above a strain relaxed template

Номер патента: WO2023150550A3. Автор: Shuji Nakamura,Philip Chan,Hsun-Ming CHANG,Vincent RIENZI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-10-05.

Device with integration of light-emitting diode, light sensor, and bio-electrode sensors on a substrate

Номер патента: US20200044113A1. Автор: Jia Chen,Hariklia Deligianni,Devendra Sadana,Steve Holmes,Stephen W. Bedell,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US5889295A. Автор: John Rennie,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Single-crystal nitride-based semiconductor substrate and method of manufacturing high-quality nitride-based light emitting device by using the same

Номер патента: US20070034892A1. Автор: June-o Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20110227035A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Solid state lighting devices with improved current spreading and light extraction and associated methods

Номер патента: US20120326187A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Thermal management structures for nitride-based heat generating semiconductor devices

Номер патента: EP4133520A1. Автор: Kiuchul Hwang,Nicholas J. Kolias. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device, capacitor, TFT with improved stability of the active layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553176B2. Автор: Chih-Chieh Hsu,Jing-Yi Yan,Chu-Yin Hung,Hsiao-Chiang Yao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-24.

Host substrate for nitride based light emitting devices

Номер патента: US20100244195A1. Автор: SHU Yuan,Limin Lin,Bin Xie. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2010-09-30.

Group III nitride based layer sequence, semiconductor device comprising a group III nitride based layer sequence and methods of fabrication

Номер патента: DE102010056409A1. Автор: Dr. Dadgar Armin,Prof. Dr. Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2012-06-28.

Encapsulated die package with improved parasitic and thermal performance

Номер патента: WO2002069398A3. Автор: Stephen G Kelly,Kenneth R Philpot,Bernadus Antonius Gie Henricus,William E Doherty Jr. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20020123162A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20070001192A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20040169193A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Stacked structure and gallium nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240282889A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Masumi Nishimura,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US10622530B2. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20180083173A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103199A1. Автор: Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110057219A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Improved far-field nitride based semiconductor device

Номер патента: WO2000024097A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Yawara Kaneko,Norihide Yamada. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2000-04-27.

Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: WO2000016378A2. Автор: Soo-Jin Chua,Xiong Zhang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2000-03-23.

Method for fabricating p-type gallium nitride-based semiconductor, method for fabricating nitride-based semiconductor element, and method for fabricating epitaxial wafer

Номер патента: EP2333819A4. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Deterministic Quantum Emitter Operating At Room Temperature In Optical Communication Wavelength Using Intersubband Transition Of Nitride-Based Semiconductor Quantum Dot, Method Of Fabricating Same, And Operating Method Thereof

Номер патента: US20190027645A1. Автор: Yong-Hoon Cho,Hwanseop Yeo,JongHoi Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-01-24.

Nitride-Based Semiconductor Substrates Having Hollow Member Pattern And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: US20120097975A1. Автор: Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Iii-nitride-based devices grown on a thin template on thermally-decomposed material

Номер патента: US20240258771A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Philip Chan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride-based III-V group compound semiconductor

Номер патента: US09911894B2. Автор: Takaaki Ami,Takao Miyajima,Hironobu Narui,Katsunori Yanashima,Izuho Hatada,Tomonori Hino,Michinori Shiomi,Shigetaka Tomiya,Akira Ohmae,Nobukata Okano,Noriyuki Futagawa,Yuuji Hiramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride-based semiconductor light-emitting element, lighting device, liquid crystal display device, and method for producing lighting device

Номер патента: US8729579B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024011623A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Fangling KONG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same

Номер патента: US20100200955A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Method of Fabricating Nitride-Based Semiconductor Optical Device

Номер патента: EP2214197B1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Method of growing gallium nitride-based crystal and heat treatment apparatus

Номер патента: US09966258B2. Автор: Kota Umezawa,Yosuke Watanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Iii-nitride based devices grown on a thin template on thermally decomposed material

Номер патента: WO2022240716A2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Philip Chan. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2022-11-17.

Iii-nitride based devices grown on a thin template on thermally decomposed material

Номер патента: EP4338196A2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Philip Chan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-03-20.

White light source employing a III-nitride based laser diode pumping a phosphor

Номер патента: US09611987B2. Автор: Kathryn M. Kelchner,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Nathan A. Pfaff. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-04-04.

Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor

Номер патента: US6093965A. Автор: Shuji Nakamura,Takao Yamada,Masayuki Senoh,Motokazu Yamada,Kanji Bando. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Method for producing group III nitride-based compound semiconductor device

Номер патента: US20100248404A1. Автор: Masahiro Ohashi,Toshiya Umemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09670592B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Red-emitting nitride-based calcium-stabilized phosphors

Номер патента: US10174246B2. Автор: Yi-Qun Li,Shengfeng Liu,Dejie Tao,Ka Y. Leung. Владелец: Intematix Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160355948A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20160099381A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Epitaxy base, semiconductor light emitting device and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09425354B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A2. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices with embedded quantum dots and related methods

Номер патента: US20230411557A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor devices with embedded quantum dots and related methods

Номер патента: WO2024054282A9. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-05-02.

Spin-qubit semiconductor devices with quantum dots embedded in a 28-silicon enriched device layer on a non-enriched substrate and a barrier superlattice and related methods

Номер патента: WO2024054282A3. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Methods for making semiconductor devices with superlattice and embedded quantum dots

Номер патента: US20230411491A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same

Номер патента: US20130285015A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device comprising a bonding structure including a silver-tin compound and a nickel-tin compound and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2993692A3. Автор: Sunghee Lee,Junsik Hwang,Changyoul MOON,Kunmo Chu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-06.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Light generating semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20080149954A1. Автор: Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

THERMAL MANAGEMENT STRUCTURES FOR NITRIDE-BASED HEAT GENERATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210320045A1. Автор: Hwang Kiuchul,Kolias Nicholas J.. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-10-14.

Thermal management structures for nitride-based heat generating semiconductor devices

Номер патента: WO2021206776A1. Автор: Kiuchul Hwang,Nicholas J. Kolias. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: US20240313079A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices containing bi-metallic silicide with reduced contact resistivity

Номер патента: WO2024191596A1. Автор: Gang Shen,Avgerinos V. Gelatos,El Mehdi Bazizi,Gaurav Thareja,Sefa Dag. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-19.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES AND STRUCTURES WITH IMPROVED PLANARIZATION UNIFORMITY, AND RESULTING STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150083986A1. Автор: Albini Giulio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Methods of forming semiconductor devices and structures with improved planarization uniformity, and resulting structures and semiconductor devices

Номер патента: TWI541886B. Автор: 吉歐力歐 亞比尼. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023184199A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148801B2. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023035104A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125847B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074202B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125902B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021481A1. Автор: Jae Hoon Lee,Young Sun KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024098356A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103312A1. Автор: Kai Cao,Yifeng Zhu,Bangxing CHEN. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120007053A1. Автор: Jung Hee Lee,Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-12.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20140021514A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125801B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride-based transistors having structures for suppressing leakage current

Номер патента: US20150162428A1. Автор: TAKEYA Motonobu. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Nitride-based semiconductor carrier and method for calibrating the same

Номер патента: WO2024113356A1. Автор: Wei Huang,Ming Tan,Zhihao Wang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US09876101B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

HEMT semiconductor device with a stepped sidewall

Номер патента: US11862721B2. Автор: Wei Huang,Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH REDUCED LEAKAGE CURRENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20240222423A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023245658A1. Автор: JUN TANG,Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105812A1. Автор: Chao Yang,Yong Liu,Chunhua ZHOU,Jingyu SHEN,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016216A1. Автор: Yang Liu,Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060110A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108422A1. Автор: Yang Liu,King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024092544A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055509A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Jingyu SHEN,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016219A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023240491A1. Автор: Xiaoqi Li,Xiao Zhang,Qiyue Zhao,Keping Wu,Tinglin YOU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065148A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162298A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Gallium nitride semiconductor device with improved termination scheme

Номер патента: US20180182853A9. Автор: TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030309A1. Автор: King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055508A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026738A1. Автор: Jheng-Sheng You,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026816A1. Автор: King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038885A1. Автор: Shuang Gao,Yi-Lun Chou,Chuangang LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240063218A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11888054B2. Автор: Fu Chen,Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065310A1. Автор: Yao Liang,Hung-Yu Chen,Yong Ma,Jingsheng GUO. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023197251A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343864A1. Автор: Jheng-Sheng You,Po-Wei Chen,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060220A1. Автор: Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105587A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108488A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103198A1. Автор: Hui Yan,Xinyu Li,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047527A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027615B2. Автор: Fu Chen,Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12062653B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074159B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125844B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230075628A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040465A1. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Wen-Yuan HSIEH,Qingyuan HE,Ronghui Hao,Lixiang SHAO. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240014305A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024060046A1. Автор: Yang Liu,Jheng-Sheng You,Ziming DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024055276A1. Автор: Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jian Rao,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030327A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352540A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023216167A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021715A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092543A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023133664A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022246658A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: US20230291367A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

III-nitride-based semiconductor packaged structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040259B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12087763B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof same

Номер патента: WO2023283955A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038887A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Changan LI,Ziming DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038886A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352476A1. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016221A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technoeogy Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065149A1. Автор: Kai Hu,Haibo Guo,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024045019A1. Автор: King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Jinhan Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092720A1. Автор: Xiao Zhang,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369423A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030331A1. Автор: Yang Liu,Pan Wang,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030329A1. Автор: Pan Wang,Hung-Yu Chen,Wen-Yuan HSIEH. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024036486A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Nitride based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168688A1. Автор: Jae Hoon Lee,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030330A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024098355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024113095A1. Автор: Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Gallium nitride based high electron mobility transistor (GaN-HEMT) device with an iron-doped cap layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997594B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for growing nitride-based semiconductor with high quality

Номер патента: US09455144B2. Автор: Dong-Seon Lee,Chang-Mo Kang,Dong-Ju SEO,Jun-Youb LEE,Won-Seok SEONG,Mun-Do PARK. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-09-27.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20060054924A1. Автор: Ichiro Omura,Wataru Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038883A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030335A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023212856A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240162306A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Fengming Lin. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094713B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11929429B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Gallium nitride based semiconductor device and manufacturing method of gallium nitride based semiconductor device

Номер патента: US20190006184A1. Автор: Daisuke Mori,Katsunori Ueno,Chizuru Inoue,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Hideaki Teranishi,Hirotaka SUDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113108A1. Автор: Jianping Zhang,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Switching circuit, gate driver for a group iii nitride-based enhancement mode transistor device and method of operating the group iii nitride-based enhancement mode transistor device

Номер патента: US20230139374A1. Автор: QIN LEI,Alain Charles,Mohamed Imam,Hyeongnam Kim,Chunhui Liu. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047567A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024000183A1. Автор: Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040463A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride-based semiconductordevice and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026597A1. Автор: Jheng-Sheng You,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369424A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023082071A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030156A1. Автор: Chang An LI. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038852A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047536A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

III-Nitride Based Semiconductor Device with Low Vulnerability to Dispersion and Backgating Effects

Номер патента: US20170263700A1. Автор: Yoganand Saripalli,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105780A1. Автор: Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034051B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088286A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024087005A1. Автор: King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Jiawei Wen. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-02.

Inverted nitride-based semiconductor structure

Номер патента: US20050087752A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for manufacturing semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20170117385A1. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Iii-nitride-based semiconductor packaged structure and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024082224A1. Автор: Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and system for formation of p-n junctions in gallium nitride based electronics

Номер патента: US20160043182A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty,Mahdan Raj. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: EP4310899A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240030334A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040600A1. Автор: Po-Wei Chen. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047451A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040515A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Yong Han,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352599A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Hisashi Saito,Eiji Yagyu,Marika NAKAMURA,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240128365A1. Автор: Jin Hyo Jung,Min Su Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Nitride-based semiconductor bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369479A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Maolin LI,Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Shaopeng CHENG,Guanshen YANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Nitride-based bidirectional switching device for battery management and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230231393A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Baoli Wei. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits having multi-layer metal-insulator-metal capacitors

Номер патента: WO2023172403A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047540A1. Автор: Yang Liu,JUN TANG,King Yuen Wong,Xiao Zhang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024113379A1. Автор: Pan Xiong,King Yuen Wong,Haibo Guo,Danfeng MAO,Qijun WANG,Shengjie LIN. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory devices with nitride-based ferroelectric materials

Номер патента: EP4156232A1. Автор: Uygar E. Avci,Elijah V. KARPOV,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240312785A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09847394B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride-based semiconductor devices with recesses for dicing and methods of fabricating the same

Номер патента: US11854887B2. Автор: Yulong Zhang,Weixing DU,Jue Ouyang,Minghong Chang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: EP4423798A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Group III nitride device and method of fabricating a Group III nitride-based device

Номер патента: US12087830B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

SOI-based semiconductor device with dynamic threshold voltage

Номер патента: US09601512B2. Автор: Hui Zang,Manfred Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20180308681A1. Автор: Katsuyoshi Harada,Satoshi Shimamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US20240274705A1. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09929107B1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Group III-nitride-based enhancement mode transistor having a heterojunction fin structure

Номер патента: US09647104B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023220872A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2022233000A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Group iii nitride-based transistor device having a conductive redistribution structure

Номер патента: US20240258382A1. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023184129A1. Автор: Yang Liu,LIANG Chen,King Yuen Wong,Xiao Zhang,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11929406B2. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Fengming Lin. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Nitride-based heterojuction semiconductor device and method for the same

Номер патента: US20130026450A1. Автор: Jinhong Park,Taehoon Jang,Kwangchoong Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-01-31.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103252A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Group III-Nitride-Based Enhancement Mode Transistor Having a Multi-Heterojunction Fin Structure

Номер патента: US20160247905A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-25.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride-based bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4226425A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Tianheng Xian. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US12113490B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Group III-nitride-based enhancement mode transistor having a multi-heterojunction fin structure

Номер патента: US09837520B2. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

PCSS-based semiconductor device, switching device, and method

Номер патента: US09595623B1. Автор: Chenggang Xie. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240063095A1. Автор: King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Yulong Zhang,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Jiawei Wen,Xingjun LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240154012A1. Автор: Yang Liu,LIANG Chen,King Yuen Wong,Xiao Zhang,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

P-type gallium oxide semiconductor device with alternating layers

Номер патента: US12132123B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Nitride-based electronic device with wafer-level dynamic on-resistance monitoring capability

Номер патента: WO2024040516A1. Автор: Hui Yan,Rong Yang,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108490A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332281A1. Автор: Akira Nakajima,Shinsuke Harada,Kazutoshi Kojima. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD

Номер патента: US09711345B2. Автор: Eiichiro Shiba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of forming embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09704824B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09589969B1. Автор: Yu-Wei Chang,Chui-Ya Peng,Austin Hsu,Kung-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466705B2. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

System architecture of charging device for accumulators based on gallium nitride-based power supply devices

Номер патента: RU2721332C2. Автор: Камиар Дж. КАРИМИ,Юджин В. СОЛОДОВНИК. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-05-19.

Nitride-based bidirectional switching device for battery management and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230231399A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Baoli Wei. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Group iii nitride-based transistor device

Номер патента: US20220199815A1. Автор: Luca Sayadi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Nitride-based wafer chemical vapor deposition device and deposition method of the same

Номер патента: WO2024050727A1. Автор: Wen-Yuan HSIEH,Tinglin YOU,Pi HE. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor Device

Номер патента: US20190096779A1. Автор: Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-03-28.

Nitride-based bidirectional switching device for battery management and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4244893A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Baoli Wei. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Group III Nitride-Based Transistor Device and Method of Fabricating a Gate Structure for a Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20200321447A1. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Manuel Stabentheiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-10-08.

Nitride-based bidirectional switching device for battery management and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204058A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Baoli Wei. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275132A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: EP1902472B1. Автор: Robert John Stephenson,Robert Mears,Scott A. Kreps,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan S.F. Yiptong. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor devices including superlattice depletion layer stack and related methods

Номер патента: US09406753B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert Mears,Erwin Trautmann. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20220271147A1. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl,Manuel Stabentheiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-25.

Electrostatic discharge protection structure, nitride-based device having the same and method for manufacturing nitride-based device

Номер патента: US11862680B2. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Yuci LIN,Wenbi Cai,Nientze Yeh. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Aluminum nitride-based sintered compact and semiconductor holding device

Номер патента: EP3632877A1. Автор: Yucong Wang,Masahiro Satou,Kazuhiro Kuchimachi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2020-04-08.

Novel Method to Increase Breakdown Voltage of Semiconductor Devices

Номер патента: US20130056796A1. Автор: Naveen Tipirneni,Grigory Simin,Vinod Adivarahan,Qhalid Fareed,M. Asif Khan. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor Device

Номер патента: US20180158941A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09991373B1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices comprising protected side surfaces and related methods

Номер патента: US09786643B2. Автор: Wei Zhou,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Soo Loo Ang,Chee Chung So. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Nitride-based transistors with a cap layer and a recessed gate

Номер патента: US09666707B2. Автор: Scott Sheppard,Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of manufacturing gallium nitride-based single crystal substrate

Номер патента: US20050072353A1. Автор: Hun Hahm,Young Park,Soo Min Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Group iii nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating

Номер патента: CA2511005C. Автор: Primit Parikh,Yifeng Wu,Umesh K. Mishra. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190097067A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164103A1. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device including resonant tunneling diode structure having a superlattice and related methods

Номер патента: EP3494599A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2019-06-12.

Gallium nitride material based semiconductor devices including thermally conductive regions

Номер патента: WO2002069373A2. Автор: T. Warren Weeks,Ricardo M. Borges,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: Nitronex Corporation. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for making semiconductor device including superlattice with oxygen and carbon monolayers

Номер патента: US12119380B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12136654B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Power trench MOSFET with improved unclamped inductive switching (UIS) performance and preparation method thereof

Номер патента: US09997593B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Yongping Ding. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Power trench MOSFET with improved unclamped inductive switching (UIS) performance and preparation method thereof

Номер патента: US09704948B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Yongping Ding. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-orientation SOI substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US09502243B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming a superjunction device with improved ruggedness

Номер патента: US09478441B1. Автор: Srikant Sridevan. Владелец: Siliconix Technology CV. Дата публикации: 2016-10-25.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: US11843061B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Enhancement mode Group III nitride-based transistor device

Номер патента: US11417758B2. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-08-16.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: WO2022046444A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Power silicon carbide based semiconductor devices with improved short circuit capabilities and methods of making such devices

Номер патента: EP4205182A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Joohyung Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Enhancement Mode Group III Nitride-Based Transistor Device

Номер патента: US20210050439A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-02-18.

Electron-beam (e-beam) based semiconductor device features

Номер патента: WO2016133837A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-08-25.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2019066145A1. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Gallium nitride-based sensor having heater structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3460468A3. Автор: Hyeong Ho Park,Kyungho Park,Chuyoung CHO,Yu Min Koh. Владелец: Korea Advanced Nano Fab Center. Дата публикации: 2019-04-24.

Heteroepitaxial gallium nitride-based device formed on an off-cut substrate

Номер патента: WO2010039400A2. Автор: Uttiya Chowdhury,Jose L. Jimemez. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Zno-based semiconductor and zno-based semiconductor device

Номер патента: US20100230671A1. Автор: Masashi Kawasaki,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Fin-based semiconductor device structure including self-aligned contacts and method for forming the same

Номер патента: US12119391B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Electron-beam (E-beam) based semiconductor device features

Номер патента: US09502283B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09412825B2. Автор: Yukako MURAKAMI,Hidetoshi Fujimoto,Kazuhide Abe,Masaru Furukawa,Yasunari Yagi,Atsuko Iida,Akira Yoshioka,Naoko Yanase,Takeshi Uchihara,Takaaki Yasumoto,Tetsuya Ohno,Takako Motai,Yasunobu Saito,Toshiyuki Naka,Shingo Masuko,Tasuku Ono,Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11817482B2. Автор: Carsten Ahrens,Helmut Brech,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-14.

Nitride-based multi-channel switching semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352487A1. Автор: Hui Yan,Tao Zhang,Yulin Chen,Jihua Li,Sichao LI,Dinghui Cai. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US12002880B2. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2609786A. Автор: Nishimura Kunihiko,Nishimura Shinya,YAGYU Eiji,HIZA Shuichi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12020940B2. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction

Номер патента: CA2603477A1. Автор: Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US20170263580A1. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127215A1. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Jean Augustin Chan Sow Fook Yiptong,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device including a dopant blocking superlattice and associated methods

Номер патента: WO2007130973A1. Автор: Robert John Stephenson,Marek Hytha. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor devices with improved local matching and end resistance of diffusion resistors

Номер патента: WO2010138308A1. Автор: Andreas Kurz,James F. Buller,Kaveri MATHUR. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200127099A1. Автор: Akihiko Furukawa,Tatsuro Watahiki,Takuma Nanjo,Tetsuro HAYASHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: EP4427264A1. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device with improved temperature uniformity

Номер патента: US12074198B2. Автор: Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US09899343B2. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods

Номер патента: US09722046B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Tsu-Jae King Liu. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source

Номер патента: US09558939B1. Автор: Nyles Cody,Robert Stephenson. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Group III nitride-based transistor device having a field plate

Номер патента: US11929405B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device with improved breakdown voltage

Номер патента: US20240047572A1. Автор: Akihiro Shimomura,Machiko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: EP2115771A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-11-11.

Microelectronic assembly with improved isolation voltage performance and a method for forming the same

Номер патента: WO2008106284A2. Автор: Veronique C. Macary,Won Gi Min,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device with improved junction termination extension

Номер патента: US20240266388A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with improved junction termination extension (jte)

Номер патента: EP4415050A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-14.

Clip based semiconductor package for increasing exposed leads

Номер патента: US09806008B1. Автор: Gerald Adriano,Sam Lalgudi Sundaram. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09660061B2. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device with improved short circuit capability

Номер патента: US09583604B2. Автор: Tetsuya Nitta,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Group iii nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals

Номер патента: WO2021202199A1. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2021-10-07.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20210104433A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Group III nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US11863130B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Group III nitride-based radio frequency amplifiers having back side source, gate and/or drain terminals

Номер патента: US11837559B2. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitride-based bidirectional switching device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047568A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Tianheng Xian. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Normally-on gallium nitride based transistor with p-type gate

Номер патента: US11978790B2. Автор: Shoji Wada,Chang Soo Suh,Dong Seup Lee,Jungwoo Joh,Karen Hildegard Ralston Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Group iii nitride-based radio frequency transistor amplifiers having source, gate and/or drain conductive vias

Номер патента: US20240088838A1. Автор: Qianli MU,Michael E. Watts,Mario Bokatius,Jangheon Kim,Basim Noori,Kwangmo Chris LIM,Marvin Marbell. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride-based electronic device

Номер патента: WO2024040514A1. Автор: Weipeng Li. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Conformal titanium nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: WO2021071628A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Jae Seok Heo,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi,Jerry Mack,Srishti Chugh. Владелец: Eugenus, Inc.. Дата публикации: 2021-04-15.

Nitride-based electronic device

Номер патента: WO2024040514A9. Автор: Weipeng Li. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Device with improved shallow trench isolation structure

Номер патента: US20190363023A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor device with improved source and drain contact area and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11929409B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device comprising NMOS and PMOS transistors with embedded Si/Ge material for creating tensile and compressive strain

Номер патента: US7893503B2. Автор: Manfred Horstmann,Sven Beyer,Patrick Press,Wolfgang Buchholtz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-02-22.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Forming of Slope Liners in Trench Based Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363728A1. Автор: FAN CHEN,Randy Yin,Nasir Ilyas. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Forming of slope liners in trench based semiconductor devices

Номер патента: EP4456142A1. Автор: FAN CHEN,Randy Yin,Nasir Ilyas. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09761541B2. Автор: Kazuo Tomita,Hiroki Takewaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Method and system for doping control in gallium nitride based devices

Номер патента: US20150155372A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Linda Romano,Thomas R. Prunty. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Plastic encapsulated semiconductor devices with improved corrosion resistance

Номер патента: EP1354350A2. Автор: Merlyn P. Young,Crispulo E. Lictao, Jr.. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-22.

Electric field management in semiconductor devices

Номер патента: WO2023069796A1. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197490A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US9299794B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8698241B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8283240B2. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor device

Номер патента: US9640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor substrate and semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20130306979A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Kokawa. Владелец: ADVANCED POWER DEVICE RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2013-11-21.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089953A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method and apparatus for selectively providing a semiconductor device with improved breakdown voltage without requiring an additional mask

Номер патента: US20030089952A1. Автор: Shelby NELSON,Alan Raisanen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120003820A1. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Electric field management in semiconductor devices

Номер патента: US12106960B2. Автор: James G. Fiorenza,Daniel Piedra. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor device with improved stability and method for producing the same

Номер патента: US09698138B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Josef Lutz,Eric Pertermann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

GaN-based semiconductor transistor

Номер патента: US09620599B2. Автор: Hisashi Saito,Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09461122B2. Автор: Hisashi Saito,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method for producing a group III compound crystal by hydride vapor phase epitaxy on a seed substrate formed on a group III nitride base substrate

Номер патента: US11932936B2. Автор: Yoshihiro Kubota,Kazutoshi Nagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with improved on-resistance

Номер патента: US20120217580A1. Автор: Rudolf Berger,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device with improved mechanical stress resistance

Номер патента: US20240204113A1. Автор: Xu Cheng,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with improved mechanical stress resistance

Номер патента: EP4386855A1. Автор: Xu Cheng,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182122A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Enhanced mobility in semiconductor devices

Номер патента: US20240290885A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20120001195A1. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Electric device with improved heat removal

Номер патента: RU2736225C1. Автор: Паоло ПАВАНЕЛЛО,Роберто ДЗАННОЛЬ. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: US20230135451A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Trenched power device with improved reliability and conduction

Номер патента: EP4241310A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Packaged semiconductor device and method of manufacture using shaped die

Номер патента: US20060220241A1. Автор: Dennis Lang,Neill Thornton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290883A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: US20240290884A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Void-free stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182119A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,Lequn Liu,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Stress incorporation in semiconductor devices

Номер патента: WO2024182120A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hui Zhao,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Surface passivation for germanium-based semiconductor structure

Номер патента: US09647090B2. Автор: Chien-Feng Lin,Keng-Chu Lin,Kuan-Cheng Wang,Jeng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Group iii nitride based fets and hemts with reduced trapping and method for producing the same

Номер патента: CA2399547C. Автор: Jian Xu,Yifeng Wu,Lee McCarthy,Naiqian Zhang. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-04-19.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING Si-SUBSTRATE AND PROCESS TO FORM THE SAME

Номер патента: US20120025204A1. Автор: Fumikazu Yamaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Heteroepitaxial gallium nitride-based device formed on an off-cut substrate

Номер патента: WO2010039400A3. Автор: Uttiya Chowdhury,Jose L. Jimemez. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2010-05-27.

Apparatus and method for measuring dynamic threshold voltage of nitride-based power device

Номер патента: WO2024108420A1. Автор: Feng Huang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with improved short circuit withstand time and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20210111279A1. Автор: Sei-Hyung Ryu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Vertical sic semiconductor device with improved ruggedness

Номер патента: WO2022020147A3. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Vertical sic semiconductor device with improved ruggedness

Номер патента: WO2022020147A4. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Ga2o3-based semiconductor device

Номер патента: US20200144377A1. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki,Yoshiaki Nakata,Takafumi Kamimura,Man Hoi Wong,Daiki Wakimoto. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Focus ring for a plasma-based semiconductor processing tool

Номер патента: US20230386799A1. Автор: Jr-Sheng Chen,Sheng-Chieh Huang,Chih-Hsien Hsu,Chung-Hsiu Cheng,Chun Yan Chen,Chang Kuang TSO,Chou Feng LEE,Chin-Tai HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Ga2o3-based semiconductor device

Номер патента: EP3629379A1. Автор: Kohei Sasaki,Masataka Higashiwaki,Yoshiaki Nakata,Takafumi Kamimura,Man Hoi Wong,Daiki Wakimoto. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-01.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device with improved field layer

Номер патента: US10566416B2. Автор: Dumitru Sdrulla,Bruce Odekirk,Nathaniel Berliner,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2020-02-18.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

PCB Based Semiconductor Device

Номер патента: US20200137877A1. Автор: Qianli MU,Asmita Dani,Cristian Gozzi. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

3d-stacked semiconductor device with improved alignment using carrier wafer patterning

Номер патента: US20230275063A1. Автор: Kang-ill Seo,Jason MARTINEAU,Byounghak Hong,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Vertical semiconductor device with improved ruggedness

Номер патента: US12087854B2. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with improved field layer

Номер патента: US20190058032A1. Автор: Dumitru Sdrulla,Bruce Odekirk,Nathaniel Berliner,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device with improved control of surface charges in termination

Номер патента: EP4404268A1. Автор: Massimo Cataldo MAZZILLO,Sönke HABENICHT,Georgio El-Zammar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Vertical semiconductor device with improved ruggedness

Номер патента: US20200365721A1. Автор: Kijeong Han,Sei-Hyung Ryu,Edward Robert Van Brunt,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09659906B2. Автор: Youichi Abe,Yuko Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Multi-gate semiconductor devices with improved hot-carrier injection immunity

Номер патента: US09614041B1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US11876109B2. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light spreading lenses

Номер патента: US20240105753A1. Автор: Brian Patrick McGarvey. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Ic structures with improved bonding between a semiconductor layer and a non-semiconductor support structure

Номер патента: EP4174911A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US6049095A. Автор: Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with appraisal circuitry

Номер патента: US20110297935A1. Автор: Andreas Roth,Andreas Laudenbach,Hubert Bode. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for reducing Schottky barrier height and semiconductor device with reduced Schottky barrier height

Номер патента: US11817481B2. Автор: Samuel C. Pan,Hung-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190058040A1. Автор: Takuma Nanjo,Tetsuro HAYASHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Group iii nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20200105915A1. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Krishna Kumar MANIPPADY,Kaixin Vivian LIN,Hui Ru TAN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2020-04-02.

Gallium nitride-based devices and methods of testing thereof

Номер патента: US20230369147A1. Автор: Chan-Hong Chern,Cheng-Hsiang Hsieh,Yi-An Lai,Pen Chieh Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11990416B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Electrically programmable device with embedded eeprom and method for making thereof

Номер патента: US20100276745A1. Автор: Zhen Yang,Sheng-He Huang,Yi-Peng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with heat-dissipating lead frame

Номер патента: US09355945B1. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device with oxide-based semiconductor channel

Номер патента: US20230395725A1. Автор: Chee-Wee Liu,Jih-Chao CHIU,Song-Ling LI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069405A1. Автор: Toru Sugiyama,Kunio Tsuda,Akira Yoshioka,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20240231756A9. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hiromichi Godo,Kazuki Tsuda,Hidefumi Rikimaru,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Graphitic carbon contacts for devices with oxide channels

Номер патента: EP4152412A1. Автор: Edward Johnson,Noriyuki Sato,Justin Weber,Hui Jae Yoo,Van Le,Matthew Metz,Abhishek Anil Sharma,Arnab SEN GUPTA,Eric Mattson,Yu-Jin Chen,Jason RETASKET. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Heterojunction semiconductor device with low on-resistance

Номер патента: EP3905339A1. Автор: Li Lu,Chi Zhang,Guipeng Sun,Shengli Lu,Kui Xiao,Weifeng Sun,Siyang Liu,Jiaxing WEI,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Voltage-clipping device with high breakdown voltage

Номер патента: US20070290276A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang,You-Kuo Wu,Long Shih Lin. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with pad structure resistant to plasma damage and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014154A1. Автор: Wu-Te Weng,Yong-Zhong Hu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-orthogonal slotted vias for semiconductor devices and associated systems and methods

Номер патента: US20220189874A1. Автор: Raja Kumar Varma Manthena,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US20220278119A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate

Номер патента: US11737266B2. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170062612A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US20160190270A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09852778B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with wettable corner leads

Номер патента: US09847283B1. Автор: Xue Ke,Sven Walczyk,Kan Wae Lam,Wai Keung Ho,Wing Onn Chaw. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with breakdown preventing layer

Номер патента: US09741802B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska,Grigory Simin. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device

Номер патента: US09674470B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with counter-doped nanostructures

Номер патента: US20240379755A1. Автор: Guan-Jie Shen,Hsiao-Chun CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US09570116B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device with non-isolated power transistor with integrated diode protection

Номер патента: US09559097B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Andreas Laudenbach,Kurt U. Neugebauer,Richard J DeSouza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and system for a semiconductor device with integrated transient voltage suppression

Номер патента: US09508841B2. Автор: Peter Micah Sandvik,Ljubisa Dragoljub Stevanovic,Avinash Srikrishnan Kashyap,James Jay McMahon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Metal gate structure for midgap semiconductor device and method of making same

Номер патента: US09496143B2. Автор: Hoon Kim,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method of forming SGT MOSFETs with improved termination breakdown voltage

Номер патента: US09431495B2. Автор: Xiaobin Wang,Madhur Bobde,Yeeheng Lee,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Active device and high voltage-semiconductor device with the same

Номер патента: US09385203B1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device including first and second or drain electrodes and manufacturing method thereof

Номер патента: US8785990B2. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Vertical semiconductor devices including superlattice punch through stop layer and related methods

Номер патента: US9972685B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert Mears,Erwin Trautmann. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: WO2016108998A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2016-07-07.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing at least one semiconductor device on or in a base semiconductor material disposed in a containment structure including a buried layer

Номер патента: US11710632B2. Автор: Chia-Wei Liu,Hung-Chih Yu,Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device with improved junction termination extension region

Номер патента: US20220102486A1. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device with trench gate structure and vertical pn junction between body region and drift structure

Номер патента: US11195946B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device with improved junction termination extension region

Номер патента: US11901407B2. Автор: Tim Böttcher,Romain Esteve. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US11908928B2. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11314162B2. Автор: Hiroaki Shishido,Kazutake Taniguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device with improved insulated gate

Номер патента: EP3216047A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-09-13.

Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210141305A1. Автор: Hiroaki Shishido,Kazutake Taniguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220206381A1. Автор: Hiroaki Shishido,Kazutake Taniguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: SG11201908105VA. Автор: Hiroaki Shishido,Kazutake Taniguchi. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2019-10-30.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: EP1902472A2. Автор: Robert John Stephenson,Robert Mears,Scott A. Kreps,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan S.F. Yiptong. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-26.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: WO2006127225A2. Автор: Robert John Stephenson,Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan Sow Fook Yiptong. Владелец: Mears Technologies, Inc.. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150084059A1. Автор: Masahiko Kuraguchi,Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

MANUFACTURING METHOD OF VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND VERTICAL GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190157448A1. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device and method including a superlattice as a gettering layer

Номер патента: EP3635789A1. Автор: Hideki Takeuchi. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: EP4187618A1. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12021144B2. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12020926B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semi-conductor device with programmable response

Номер патента: US20160197296A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor device with aluminum nitride anti-deflection layer

Номер патента: EP4115452A1. Автор: George Grama,Michael J. Rondon,Andrew P. Clarke. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-01-11.

Methods of forming semiconductor devices with flowable material for better planarization method

Номер патента: US10615046B2. Автор: Kao-Tsair Tsai,Kun-Che Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor device with programmable response

Номер патента: US20160197294A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bahman Hekmatshoartabari,Kailash Gopalakrishnan,Tze-Chiang Chen,Young H. Kwark. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Silicon-on-insulator device with floating collector

Номер патента: WO1996013862A1. Автор: Torkel Bengt Arnborg. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON. Дата публикации: 1996-05-09.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Power module with improved semiconductor die arrangement for active clamping

Номер патента: US20240297148A1. Автор: Martin Schulz. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US20240321954A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313121A1. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Haruyuki Baba,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices with varying support structures and data storage systems including the same

Номер патента: US12137560B2. Автор: Jongsoo Kim,Wonseok Cho,Juyoung Lim,HangKyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device with protective structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371780A1. Автор: Jun He,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,Yinlung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with doped region dielectric layer

Номер патента: US20240371688A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09927654B2. Автор: Masami Jintyou,Yamato Aihara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355720A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with floating field plates

Номер патента: US09818862B2. Автор: Christopher P. Dragon,Zihao M. Gao,David C. Burdeaux,Hernan A. Rueda,Wayne Robert Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Optical element and organic light-emitting device with optical element

Номер патента: US09772515B2. Автор: Johannes Rosenberger,Thomas Wehlus,Daniel Riedel,Arne Fleiβner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device redistribution layer with narrow trace width relative to passivation layer opening

Номер патента: US09716071B2. Автор: Ji Yeon Ryu,Byong Jin Kim,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method for semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09680034B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: US09634020B1. Автор: Nhan Do,Mandana TADAYONI,Chien Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Image device with improved chrominance quality

Номер патента: US09552757B2. Автор: Gia Chuong Phan,Maggie PHAN,Anthony PHAN. Владелец: VP Assets Ltd Great Britain. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with encapsulated lead frame contact area and related methods

Номер патента: US09490146B2. Автор: Jefferson Talledo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device including fin capacitors

Номер патента: US09478536B2. Автор: Sang-Kyu Oh,Kang-Hyun Baek,Yongwoo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Molded device with anti-delamination structure providing multi-layered compression forces

Номер патента: US09397053B2. Автор: Yueping Ye,Lourdito OLLERES,Man Kai CHEUNG. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute ASTRI. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with bump stop structure

Номер патента: US09379075B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device with point defect region doped with transition metal

Номер патента: US09337282B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Microwave semiconductor device with improved thermal properties

Номер патента: CA1095178A. Автор: Michael G. Adlerstein. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1981-02-03.

Semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer and associated methods

Номер патента: EP1941548A1. Автор: Kalipatnam Vivek Rao. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2008-07-09.

Semiconductor device having analog transistor with improved operating and flicker noise characteristics and method of making same

Номер патента: US20080036006A1. Автор: Ho Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Methods of fabrication of lead frame-based semiconductor device packages incorporating at least one land grid array package

Номер патента: SG149896A1. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-27.

Semiconductor device including a channel with a non-semiconductor monolayer and associated methods

Номер патента: CA2612132A1. Автор: Scott A. Kreps,Robert J. Mears,Marek Hytha. Владелец: Rj Mears, Llc. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device including superlattice with oxygen and carbon monolayers

Номер патента: US11837634B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220093748A1. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230369417A1. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11757009B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US11869968B2. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice and associated methods

Номер патента: EP4295409A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor device with improved metal pillar configuration

Номер патента: US20150014843A1. Автор: Matthias Lehr,Martin O'Toole,Marcel Wieland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for making semiconductor device including superlattice with oxygen and carbon monolayers

Номер патента: US11848356B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for making semiconductor device including body contact dopant diffusion blocking superlattice to reduce contact resistance

Номер патента: US20200161425A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears,Marek Hytha,Daniel Connelly,Richard Burton. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20160087085A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device including a superlattice providing metal work function tuning and associated methods

Номер патента: EP4331016A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20220238710A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for making semiconductor device including superlattice with oxygen and carbon monolayers

Номер патента: US20240063268A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: EP4350909A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20200343380A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: US20240097026A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device including a superlattice and an asymmetric channel and related methods

Номер патента: EP3959747A1. Автор: Hideki Takeuchi,Richard Burton,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Semiconductor device

Номер патента: US8159068B2. Автор: Tsutomu Igarashi,Takeshi Hishida. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Multi-orientation soi substrates for co-integration of different conductivity type semiconductor devices

Номер патента: US20160181276A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with power supply distribution networks on frontside and backside of a circuit

Номер патента: US20240203880A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with air-void in spacer

Номер патента: US12027581B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

[nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask]

Номер патента: US20040057481A1. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2004-03-25.

Gallium nitride nano-superstructure, preparation methods therefor and gallium nitride-based laser

Номер патента: EP4235985A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-30.

Gallium Nitride Nano Superstructure and Preparation Method Thereof and Gallium Nitride-Based Laser

Номер патента: US20240288617A1. Автор: MIAO Wang,Ke Xu,Jianfeng Wang,Juemin YI. Владелец: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO) CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Iron nitride-based magnetic powder, process for producing the same, and magnetic recording medium

Номер патента: EP2031607A4. Автор: Yuzo Ishikawa,Kenji Masada. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-10.

Nitride-based semiconductor laser device

Номер патента: US20080069163A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Gallium nitride based semiconductor light emitting device

Номер патента: US6515311B1. Автор: Kiyofumi Chikuma,Mitsuru Nishitsuka. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Gallium nitride based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1054491A3. Автор: Kiyofumi Chikuma,Mitsuru Nishitsuka. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Iron nitride-based magnetic powder, process for producing the same, and magnetic recording medium

Номер патента: EP2031607B1. Автор: Yuzo Ishikawa,Kenji Masada. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-07.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Iii-nitride-based vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with a dielectric p-side lens and an activated tunnel junction

Номер патента: WO2024044567A3. Автор: Shuji Nakamura,Stephen Gee,Daniel A. Cohen,Jared KEARNS,Nathan PALMQUIST. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-03-28.

Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US5966396A. Автор: Shinya Nunoue,Masayuki Ishikawa,Masahiro Yamamoto,Hidetoshi Fujimoto,Haruhiko Okazaki,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-12.

Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118801A. Автор: Shinya Nunoue,Masayuki Ishikawa,Masahiro Yamamoto,Hidetoshi Fujimoto,Genichi Hatakoshi,Johji Nishio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Group iii nitride-based green-laser diodes and waveguide structures thereof

Номер патента: WO2012039997A3. Автор: Rajaram Bhat,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-10-04.

Group iii nitride-based green-laser diodes and waveguide structures thereof

Номер патента: WO2012039997A2. Автор: Rajaram Bhat,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-03-29.

Defect review method and device for semiconductor device

Номер патента: US20080290274A1. Автор: Toshifumi Honda. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

External electric device with improved polymeric insulation system

Номер патента: RU2414015C1. Автор: Хоан Д. ЛИ,Стив А. ШОУ. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device manufacturing method, template substrate, semiconductor device, electronic equipment, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: EP4379977A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Electromagnetic device with improved refrigeration

Номер патента: WO2024160945A1. Автор: Miguel Angel Ariza Baquero,Raquel RODRÍGUEZ MUNÍN,Pablo RODRÍGUEZ GONZÁLEZ. Владелец: Premo, Sl. Дата публикации: 2024-08-08.

Suspended particle devices with improved adhesion between the active and conducting layers

Номер патента: US12130535B2. Автор: Adrian Lofer,Eyal Peso,Dana GAL-FUSS,Tania FADIDA. Владелец: GAUZY Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device, method and apparatus for producing semiconductor device, and electronic instrument

Номер патента: EP4358324A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Nitride-based power factor correction circuit and method for implementing the same

Номер патента: US20240305191A1. Автор: Chao Tang,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride-based power factor correction circuit and method for implementing the same

Номер патента: US12132396B2. Автор: Chao Tang,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming metallized layer on aluminum nitride base material

Номер патента: CA2044508C. Автор: Akira Yamakawa,Nobuo Ogasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-06-25.

Iii-v nitride-based thermoelectric device

Номер патента: US20110253187A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Hiroaki Ohta,Alexander Sztein. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2011-10-20.

Apparatus and method for measuring dynamic on-resistance of nitride-based switching device

Номер патента: WO2023164900A1. Автор: Chang Chen. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Voltage-spike-absorbing controller and method for controlling nitride-based switching device

Номер патента: WO2024108327A1. Автор: Chao Tang,Yulin Chen,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based device for driving a multi-phase ac motor and method for implementing the same

Номер патента: WO2024113157A1. Автор: Chunhua ZHOU,Wenjie Lin,Yulin Chen,Yanbo ZOU,Huaifeng Wang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based power factor correction circuit and method for implementing the same

Номер патента: WO2023164920A1. Автор: Chao Tang,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor memory devices with improved performance

Номер патента: US20240341075A1. Автор: Yih Wang,Zhiqiang Wu,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nitride-based dc/dc power converter and electronic device charger using the same

Номер патента: WO2024036546A1. Автор: Feng Huang,Weipeng Li. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Apparatus and method for measuring dynamic on-resistance of nitride-based switching device

Номер патента: US20240168079A1. Автор: Chang Chen. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Nitride-based ac-dc converter

Номер патента: WO2024077594A1. Автор: Yanbo ZOU,Xiaocun YANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride-based power converter and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024077527A1. Автор: Chao Tang,Yulin Chen,Yanbo ZOU,Fada DU. Владелец: Innoscience (Shenzhen) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device with improved variable gain amplification

Номер патента: US09979364B2. Автор: Hideki Kato,Masato Osawa,Yasunari Harada. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12099639B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Device with improved sound capture and sound replay

Номер патента: AU2021258102A1. Автор: Marthinus VAN DER WESTHUIZEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US20240345967A1. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US12035514B2. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-09.

Mobile device with improved acoustic porting

Номер патента: WO2004077877A1. Автор: W. Chris Eaton. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Liquid cooling device for the arrangement of a power semiconductor device

Номер патента: US20230038316A1. Автор: Rainer Popp,Harald Kobolla,Christian Zeller. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-02-09.

Mobile device with improved acoustic porting

Номер патента: EP1597937A1. Автор: W. Chris Eaton. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2005-11-23.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

A nitride based sensor

Номер патента: US20200386709A1. Автор: Adel Najar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-12-10.

Nitride based sensor

Номер патента: US20200096473A1. Автор: Adel Najar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-03-26.

Nitride based sensor

Номер патента: US10962500B2. Автор: Adel Najar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108489A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

A nitride based sensor

Номер патента: WO2020065572A1. Автор: Adel Najar. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-02.

Cutting tool made of cubic boron nitride-based sintered material

Номер патента: US09662711B2. Автор: Masahiro Yano,Yosuke Miyashita,Tadakazu Ohashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Cubic boron nitride-based sintered material and manufacture thereof

Номер патента: US20010036893A1. Автор: Yoshinori Nishida,Shoichi Kume,Tatsuya Hara,Yasuhiro Enya. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-01.

Carbon nitride based composite ceramic tool materials, preparation method and cutting tool thereof

Номер патента: US20230219856A1. Автор: Yan Zhang,Peng Yao,ZHEN Wang,Jun Wang,Bin Zou,Zhenyu Shi,Hongtao Zhu,Chuanzhen HUANG,Hanlian LIU,Longhua XU,Shuiquan HUANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-13.

Nitride-based mxene light-emitting quantum dot and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240124772A1. Автор: Jeongyong Kim,Anir S. SHARBIRIN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-04-18.

Cubic boron nitride-based sintered material and cutting tool made of cubic boron nitride-based sintered material

Номер патента: US20170341155A1. Автор: Masahiro Yano,Yosuke Miyashita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Electroconductive silicon nitride based composite sintered body and method for preparation thereof

Номер патента: EP1361202A4. Автор: Masashi Yoshimura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Cutting tool made of cubic boron nitride-based sintered material

Номер патента: US09499441B2. Автор: Masahiro Yano,Yosuke Miyashita,Tadakazu Ohashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon nitride based charge and method for production of articles thereof

Номер патента: RU2610744C1. Автор: Татьяна Алексеевна Сафронова,Петр Георгиевич Лапин,Мария Анатольевна Громыхина,Анастасия Валерьевна Козлова. Владелец: Открытое акционерное общество "Композит" (ОАО "Композит"). Дата публикации: 2017-02-15.

Sintered silicon nitride base ceramic and said ceramic

Номер патента: US4025351A. Автор: Hideyuki Masaki. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 1977-05-24.

Silicon nitride based ceramics and method

Номер патента: US4603116A. Автор: Carr Lane W. Quackenbush,J. Thomas Smith,Anthony P. Moschetti,Helmut Lingertat. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-07-29.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Silicon nitride based components

Номер патента: GB1528160A. Автор: . Владелец: National Research Development Corp UK. Дата публикации: 1978-10-11.

Cutting tool made of cubic boron nitride-based sintered material

Номер патента: US20150003926A1. Автор: Masahiro Yano,Yosuke Miyashita,Tadakazu Ohashi. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for joining silicon nitride based ceramic bodies

Номер патента: CA1147538A. Автор: Howard D. Blair,Morton E. Milberg. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-06-07.

Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer

Номер патента: US5433169A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

A1n coated silicon nitride-based cutting tools

Номер патента: CA1333242C. Автор: Charles D'angelo,Vinod K. Sarin. Владелец: Valenite LLC. Дата публикации: 1994-11-29.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100240198A1. Автор: Mitsunori Yokoyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Toothbrush with improved fixation of beams and fixing wire

Номер патента: RU2472404C1. Автор: Франсиз П. ПАКВИЛЛО. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2013-01-20.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Heat exchanger with a liquid/gas mixing device with improved channel geometry

Номер патента: RU2743818C2. Автор: Наташа ХАИК-БЕРО,Филипп ГРИГОЛЕТТО,Софи ЛАЦЦАРИНИ,Жан-Марк Пейрон. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2021-02-26.

Semiconductor device with improved sense margin of sense amplifier

Номер патента: US09613680B2. Автор: Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09460377B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Concealed adjustable mounting device with improved system of attachment to upper angle of wall mounted furniture

Номер патента: RU2321325C2. Автор: Карло КАТТАНЕО,Карло КАТТАНЕО (IT). Владелец: Леонардо С.р.Л.. Дата публикации: 2008-04-10.

Lighting arrangement with improved illumination uniformity

Номер патента: RU2666293C2. Автор: Теве Хипке ХЕМСТРА. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-09-06.

Implantable urological device with improved retrieval feature

Номер патента: RU2651128C2. Автор: Хэцзинь Ли,ДУК Хон Линх ХО. Владелец: ТАРИС Биомедикал ЛЛК. Дата публикации: 2018-04-18.

Nitride-based ceramic material

Номер патента: CA1236490A. Автор: Nils A. Ingelstrom,Thommy C. Ekstrom. Владелец: Santrade Ltd. Дата публикации: 1988-05-10.

Method of producing silicon-nitride-based sintered body

Номер патента: US5122486A. Автор: Masakazu Watanabe,Katsuhisa Yabuta,Tomohisa Kito. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1992-06-16.

Method and apparatus for producing group iii nitride based compound semiconductor

Номер патента: WO2007117032A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Apparatus for Producing Group III Nitride Based Compound Semiconductor

Номер патента: US20090169444A1. Автор: Shiro Yamazaki,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Takanao Shimodaira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Prosthetic mitral valve with improved atrial and/or annular apposition and paravalvular leakage mitigation

Номер патента: US12053375B2. Автор: Saravana B. Kumar,Steven D. Kruse,Jeffrey R. Stone. Владелец: 4C Medical Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Appliance for cutting of food products with improved discharge and electric household device with such appliances

Номер патента: RU2561862C2. Автор: Никола СЮБЕРБИ,Жан-Мари ЛАФОН,Филипп РУЙЕ. Владелец: СЕБ С.А.. Дата публикации: 2015-09-10.

Pour-out device with improved locking and sealing cap with such device

Номер патента: RU2272765C2. Автор: Жак ГРАНЖЕ,Жан-Мари БУРРО. Владелец: ПЕШИНЭ КАПСЮЛЬ. Дата публикации: 2006-03-27.

Device with improved light source and detector for gravimeter and measuring method

Номер патента: RU2473102C2. Автор: Рокко Дифоджио. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-01-20.

Power plant with active boiler of high-temperature fluidised bed with improved characteristics of furnace processes

Номер патента: RU2709591C1. Автор: Сергей Владимирович Саркисов,Владимир Кириллович Тучков,Александр Васильевич Смирнов,Александр Николаевич Корпусов,Сергей Валентинович Александров,Алексей Валентинович Бондарев,Эдуард Владиславович Болбышев. Владелец: Ооо "Тепломех". Дата публикации: 2019-12-18.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with secure access key and associated methods and systems

Номер патента: US12105644B2. Автор: Nathaniel J. Meier,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Aerosol delivery device with improved atomizer

Номер патента: RU2763652C2. Автор: Майкл Ф. ДЭВИС,Стивен Бенсон СИРС,Ноа Марк МИНСКОФФ. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2021-12-30.

Driving system for turned and/or displaced doors or for entrance/exit device with improved position measurement

Номер патента: RU2429334C1. Автор: Дирк МЮЛЛЕР,Альфонс ХАРДИНГ,Клаус МЕЙЕРРОЗЕ. Владелец: Гебр. Боде Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2011-09-20.

Casing fastening device with improved unloading device

Номер патента: RU2737673C1. Автор: Детлеф ЭБЕРТ. Владелец: Поли-Клип Зюстем Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2020-12-02.

Hybrid memory module with improved inter-memory data transmission path

Номер патента: US20200356475A1. Автор: Aws Shallal. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-11-12.

Wearable biosensor device with improved cover and improved for flexibility and conformance

Номер патента: WO2024148374A1. Автор: Farshad Tehrani,Hazhir Teymourian,Brian WUERSTLE. Владелец: Aquilx, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Beverage preparation device with improved pump control

Номер патента: RU2769663C2. Автор: Серджо КЬОДА,Мартино РУДЖЬЕРО,Бенуа ДЕНКИНГЕР. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2022-04-04.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Device for bone support with improved rotational stability

Номер патента: US09936989B2. Автор: Subhash Chandra Halder. Владелец: GENERAL SURGICAL Co (INDIA) PVT Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240053672A1. Автор: Hiroaki Shishido,Osamu Nozawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device with reduced crosstalk between lines

Номер патента: US5060189A. Автор: Yoshiji Ota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-10-22.

Hemostasis band with improved edge design

Номер патента: EP3930592A1. Автор: Brian Hoffman,Victoria Moore O'Brien. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Hemostasis band with improved edge design

Номер патента: WO2020176245A1. Автор: Brian Hoffman,Victoria Moore O'Brien. Владелец: TERUMO MEDICAL CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-03.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Multi-Layer, Multi-Material Micro-Scale and Millimeter-Scale Devices with Enhanced Electrical and/or Mechanical Properties

Номер патента: US20140134453A1. Автор: Young Kim,Ananda H. Kumar,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Ming Ting Wu,Rulon J. Larsen, III. Владелец: Microfabrica Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties

Номер патента: US09671429B2. Автор: Young Kim,Ananda H. Kumar,Dennis R. Smalley,Adam L. Cohen,Michael S. Lockard,Kieun Kim,Ming Ting Wu,Rulon J. Larsen, III. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2017-06-06.

Image device with improved chrominance quality

Номер патента: US09613588B2. Автор: Gia Chuong Phan,Maggie PHAN,Anthony PHAN. Владелец: VP Assets Ltd Great Britain. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Sensor device with inductors

Номер патента: US09529022B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Uchida,Takasuke Hashimoto,Takatsugu NEMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and control method for reading instructions

Номер патента: US09477594B2. Автор: Takao Kusano. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Sensor device with built-in beam splitter

Номер патента: RU2724458C1. Автор: Линь Ян,Сюнь ГУ,Клаус БОНЕРТ,Андреас ФРАНК,Георг МЮЛЛЕР. Владелец: АББ ШВАЙЦ АГ. Дата публикации: 2020-06-23.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for applying titanium nitride-based coatings

Номер патента: RU2566246C2. Автор: Максим Владимирович Ненашев,Андрей Юрьевич Мурзин,Ильдар Дугласович Ибатуллин,Илья Владимирович Нечаев,Сергей Юрьевич Ганигин,Александр Анатольевич Чеботаев,Павел Константинович Кондратенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Silicon nitride-based composite powder

Номер патента: RU2571757C2. Автор: Инна Петровна Боровинская,Ирина Юрьевна Келина,Владимир Вячеславович Закоржевский,Людмила Александровна Чевыкалова,Ирина Леонидовна Михальчик,Александр Владимирович Аракчеев. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г.Ромашина". Дата публикации: 2015-12-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing silicon nitride-based sintered articles

Номер патента: RU2458023C1. Автор: Инна Петровна Боровинская,Нелля Александровна Попова,Александр Иванович Захаров,Владимир Вячеславович Закоржевский,Антон Сергеевич Лысенков,Юрий Федорович Каргин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2012-08-10.

Method of obtaining complex nitride-based coating

Номер патента: RU2429311C1. Автор: Владимир Никитович Анциферов,Анна Львовна Каменева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский государственный технический университет". Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2280915C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Адиль Мухадинович Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2303314C1. Автор: Александр Васильевич Градобоев,Павел Владимирович Рубанов,Александр Васильевич Ащеулов. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2007-07-20.

Compositions and Methods of Using Living and Non-Living Bioactive Devices with Components Derived from Self-Renewing Colony Forming Cells Cultured and Expanded In Vitro

Номер патента: US20120003188A1. Автор: KOPEN Gene,RAGAGLIA Vanessa,BRAYFIELD Candace. Владелец: Garnet Biotherapeutics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD AND DISK DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002327A1. Автор: Hanyu Mitsunobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTRONIC DEVICE WITH ELECTRON TUNNELING LAYER

Номер патента: US20120001164A1. Автор: GAO WEIYING,Deibler Dean T.. Владелец: E.I. Du Pont De Nemours and Company. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

TRACHEAL TUBES WITH IMPROVED SECRETION REMOVAL SYSTEMS

Номер патента: US20120000471A1. Автор: . Владелец: Nellcor Puritan Bennett LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Ball Grid Array with Improved Single-Ended and Differential Signal Performance

Номер патента: US20120001327A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing semiconductor device with submicron-length t-shaped gate electrode

Номер патента: RU2192069C2. Автор: К.А. Валиев,А.А. Орликовский,А.Д. Кривоспицкий,А.А. Окшин,А.А. Горбацевич,Ю.Ф. Семин,С.С. Шмелев. Владелец: Физико-технологический институт РАН. Дата публикации: 2002-10-27.

Gear for packing of semiconductor devices with unidirectional leads located in one plane between belts

Номер патента: RU2028030C1. Автор: А.Д. Кузьмин. Владелец: Кузьмин Анатолий Дмитриевич. Дата публикации: 1995-01-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.