Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20230369424A1
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Jheng-Sheng You, Weixing DU
Принадлежит: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-11-2023
Автор(ы): Jheng-Sheng You, Weixing DU
Принадлежит: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20230369423A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.