Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240030309A1
Опубликовано: 25-01-2024
Автор(ы): Jinhan Zhang, King Yuen Wong, Ronghui Hao
Принадлежит: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-01-2024
Автор(ы): Jinhan Zhang, King Yuen Wong, Ronghui Hao
Принадлежит: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.