• Главная
  • Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030309A1. Автор: King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20060054924A1. Автор: Ichiro Omura,Wataru Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103199A1. Автор: Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023133664A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055508A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

HEMT semiconductor device with a stepped sidewall

Номер патента: US11862721B2. Автор: Wei Huang,Yulong Zhang,Jheng-Sheng You,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230352599A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Hisashi Saito,Eiji Yagyu,Marika NAKAMURA,Shigeyoshi USAMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030327A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038887A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU,Changan LI,Ziming DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030331A1. Автор: Yang Liu,Pan Wang,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047567A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN114080691A. Автор: 黄敬源,郝荣晖,章晋汉. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024065149A1. Автор: Kai Hu,Haibo Guo,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148801B2. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023184199A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023245658A1. Автор: JUN TANG,Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024026816A1. Автор: King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023216167A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11929429B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240128365A1. Автор: Jin Hyo Jung,Min Su Cho. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024011623A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Fangling KONG. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-18.

Inverted nitride-based semiconductor structure

Номер патента: US20050087752A1. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2005-04-28.

Normally-off gallium nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US8802516B2. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021481A1. Автор: Jae Hoon Lee,Young Sun KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof same

Номер патента: WO2023283955A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055509A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Jingyu SHEN,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108488A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369423A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230369424A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride-Based Semiconductor Substrates Having Hollow Member Pattern And Methods Of Fabricating The Same

Номер патента: US20120097975A1. Автор: Sang-Moon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024036486A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-22.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088286A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168688A1. Автор: Jae Hoon Lee,Ki Se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034051B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125902B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092720A1. Автор: Xiao Zhang,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094713B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023082071A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038852A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023035104A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125801B2. Автор: Yi-Lun Chou,Kye Jin Lee,Han-Chin Chiu,Xiuhua Pan. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047527A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030335A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040463A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong,Huixin He,Zhongyu ZHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047536A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105780A1. Автор: Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313086A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240154012A1. Автор: Yang Liu,LIANG Chen,King Yuen Wong,Xiao Zhang,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220376074A1. Автор: Wong King Yuen,CHEN Fu,HAO Ronghui,HE Qingyuan. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN102569423A. Автор: 朴永焕,朴基烈,全祐徹. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Backside stress compensation for gallium nitride or other nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US20110140118A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101214742B1. Автор: 박영환,박기열,전우철. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-12-21.

Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR102268169B1. Автор: 최원석,이호중,조영제,박진홍,고화영. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-06-23.

Backside stress compensation for gallium nitride or other nitride-based semiconductor devices

Номер патента: JP6923859B2. Автор: ラムダニ ジャマール. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device having stressor and method of forming the same

Номер патента: US09577097B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024092544A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024060220A1. Автор: Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016219A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024060046A1. Автор: Yang Liu,Jheng-Sheng You,Ziming DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092543A1. Автор: Kai Hu,King Yuen Wong. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024113095A1. Автор: Jianfa Zhang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024000183A1. Автор: Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047451A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047540A1. Автор: Yang Liu,JUN TANG,King Yuen Wong,Xiao Zhang. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: EP4310899A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Group iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240030334A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Jan Ropohl,Matthias Zigldrum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11888054B2. Автор: Fu Chen,Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027615B2. Автор: Fu Chen,Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230075628A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240021715A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030329A1. Автор: Pan Wang,Hung-Yu Chen,Wen-Yuan HSIEH. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038883A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride semiconductor device with improved termination scheme

Номер патента: US20180182853A9. Автор: TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023283954A1. Автор: Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN115812253A. Автор: 刘阳,张铭宏,杜卫星,游政昇. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-17.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023130336A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Nitride based semiconductor device and preparing method for the same

Номер патента: KR20140013247A. Автор: 이재훈,곽영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Semiconductor device, integrated circuit and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09614032B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, electronic circuit and method for switching high voltages

Номер патента: US09768160B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device channel system and method

Номер патента: US09735239B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor Device, Electronic Circuit and Method for Switching High Voltages

Номер патента: US20150042177A1. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-02-12.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038885A1. Автор: Shuang Gao,Yi-Lun Chou,Chuangang LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352476A1. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023220872A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Gallium nitride base semiconductor device

Номер патента: US5239188A. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Group III-V nitride based semiconductor substrate and method of making same

Номер патента: US20100200955A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108490A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038886A1. Автор: Yu Shi,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: CN114503261A. Автор: 赵起越,高吴昊. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024098356A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103312A1. Автор: Kai Cao,Yifeng Zhu,Bangxing CHEN. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024108422A1. Автор: Yang Liu,King Yuen Wong,Yi-Lun Chou. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based semiconductor carrier and method for calibrating the same

Номер патента: WO2024113356A1. Автор: Wei Huang,Ming Tan,Zhihao Wang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103198A1. Автор: Hui Yan,Xinyu Li,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024098355A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device including transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8937343B2. Автор: NaeIn Lee,Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-20.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200006497A1. Автор: KURAGUCHI Masahiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2020-01-02.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310797A1. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150236103A1. Автор: KURAGUCHI Masahiko. Владелец: KABUSHIKIKAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-08-20.

Stacked structure and gallium nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240282889A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Masumi Nishimura,Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US11769803B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including fin and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305375A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023212856A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110266575A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

III-nitride based semiconductor structure

Номер патента: US09437687B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device including thyristor and method of manufacturing the same

Номер патента: US8049248B2. Автор: Tetsuya Ikuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor devices having silicide and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09704865B2. Автор: Junggun YOU,Wei-Hua Hsu,Hyungjong LEE,Choongho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device including transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220328687A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device with stressors and methods thereof

Номер патента: WO2008147608A1. Автор: Paul A. Grudowski,Veeraraghavan Dhandapani,Stefan Zollner. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2008-12-04.

Gallium nitride-based semiconductor device on amorphous substrate

Номер патента: US20240250214A1. Автор: Masumi Nishimura,Hayata AOKI,Hiroumi Kinjo. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103252A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240105587A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240162306A1. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Fengming Lin. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030156A1. Автор: Chang An LI. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040600A1. Автор: Po-Wei Chen. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11929406B2. Автор: Qiyue Zhao,Wuhao GAO,Fengming Lin. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Substrate for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: EP4379774A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100616621B1. Автор: 이재훈,이정희. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-08-28.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101204622B1. Автор: 박영환,박기열,전우철. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-11-23.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101148694B1. Автор: 박영환,박기열,전우철. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2012-05-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN102544087B. Автор: 朴永焕,朴基烈,全祐徹. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for fabricating a non-planar nitride-based semiconductor structure

Номер патента: TW200421607A. Автор: Paul Hashimoto,Jeong-Sun Moon,Wah S Wong,David E Grider. Владелец: Hrl Lab Llc. Дата публикации: 2004-10-16.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130119398A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,OYA Mitsuaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110156048A1. Автор: Atsushi Yamada,Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN103489896A. Автор: 金峻渊,金在均,卓泳助,李在垣,崔孝枝. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-01.

Gallium nitride based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101926609B1. Автор: 이재원,탁영조,김준연,김재균,최효지. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-12-10.

Nitride-based semiconductor and process for producing nitride semiconductor

Номер патента: CN106796870A. Автор: 小河淳,冈崎舞,田尻雅之,伊藤伸之,远崎学,藤重阳介. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

Gallium nitride based semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP2434547A2. Автор: Jae-Hoon Lee. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-28.

Semiconductor wafer and method

Номер патента: US09660037B1. Автор: Annette SÄNGER,Arno Zechmann,Ulrike Fastner,Stefan KRIVEC,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN114582956A. Автор: 高双,周以伦,李传纲. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN114582957A. Автор: 高双,周以伦,李传纲. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-03.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230261103A1. Автор: Shuang Gao,Yi-Lun Chou,Chuangang LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

HETERO-SUBSTRATE, NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140124804A1. Автор: LEE Hojun,JEON Kiseong,Lee Kyejin. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-08.

Hetero-Substrate, Nitride-Based Semiconductor Light Emitting Device, and Method for Manufacturing the same

Номер патента: EP2728629A2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Semiconductor device including capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548300B2. Автор: Jung-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with recess and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049869B2. Автор: Takashi Hashimoto,Shinichiro Abe,Hideaki YAMAKOSHI,Yuto OMIZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024016221A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technoeogy Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024113108A1. Автор: Jianping Zhang,Shangqing QIU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20140021514A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US10622530B2. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20180083173A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Nitride based semiconductor light emitting element

Номер патента: US6555847B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8748899B2. Автор: Atsushi Yamada,Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya,Ryou Kato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Iii-nitride-based semiconductor packaged structure and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024082224A1. Автор: Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110057219A1. Автор: Chih-Chen Lai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990561B2. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304752A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09524869B2. Автор: Chang-Hua HSIEH,Wen Hsiang LIN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20020190263A1. Автор: Kunio Takeuchi,Tsutomu Yamaguchi,Takashi Kano,Masayuki Hata,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Nitride-based semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230140710A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of fabricating group-iii nitride-based semiconductor device

Номер патента: WO2000016378A2. Автор: Soo-Jin Chua,Xiong Zhang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2000-03-23.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: US20110012126A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-20.

Nitride-based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP2276079A3. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Nitride based semiconductor device with improved lattice quality

Номер патента: US10600935B2. Автор: Chang-Cheng Chuo,Shengchang CHEN,Heqing DENG. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217925A1. Автор: Shinji Yoshida,Noboru Inoue. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-15.

Nitride-based semiconductor light emitting diode

Номер патента: US20070278499A1. Автор: Choi Chang Hwan,HWANG Young Nam,Moon Won Ha. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140167113A1. Автор: Lee Jae-Hoon,KIM Ki-se. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140021488A1. Автор: LEE Jae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140138700A1. Автор: Ahn Woojin,SEOK Ogyun,HAN Min-Koo. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2022233000A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-11-10.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Nitride based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20060011903A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Masaru Kuramoto,Masaaki Nido. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-01-19.

Improved far-field nitride based semiconductor device

Номер патента: WO2000024097A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Yawara Kaneko,Norihide Yamada. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2000-04-27.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502381B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20110189893A1. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using a self-assembly method for its manufacturing

Номер патента: WO2015008870A4. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009060425A3. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: ON TRACK INNOVATIONS LTD.. Дата публикации: 2010-03-11.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US09773201B2. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device contact pad and method of contact pad fabrication

Номер патента: US12034027B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Short-wave infrared focal plane arrays, and methods for utilization and manufacturing thereof

Номер патента: EP4165686A1. Автор: Uriel Levy. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor device having fuse and method for checking whether the fuse is fused

Номер патента: US6121820A. Автор: Nobuo Shishikura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device manufacturing jig and method for manufacturing same

Номер патента: US11891713B2. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP2257999A2. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Semiconductor device qfn package and method of making thereof

Номер патента: US20230115182A1. Автор: Zhiming Li,Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices including capacitors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130207232A1. Автор: Hyung Ju JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297445A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Flexible substrate, OLED device and defect detecting method for the same

Номер патента: US09761815B2. Автор: LU LIU,Wei Huang,Mingzhe Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US8458901B2. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device positioning system and method for semiconductor device positioning

Номер патента: EP3472670A1. Автор: Thijs Kniknie,Jozef Petrus Wilhelmus STOKKERMANS. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor device having diode and method of forming the same

Номер патента: US20140183435A1. Автор: Dong-Bok Lee,Sea-Phyo KIM,Chan-Min LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-03.

Post-baking device and post-baking method for forming black matrix

Номер патента: US10401731B2. Автор: LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Post-Baking Device and Post-Baking Method for Forming Black Matrix

Номер патента: US20180173098A1. Автор: LU Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US9916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with recess and method of making

Номер патента: US09916991B2. Автор: Yuichi Nakao,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US09673272B2. Автор: Younsoo Kim,Yunjung Choi,Hanjin Lim,Jin-Su Lee,Se Hoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Printed circuit board, semiconductor device connection structure, and method of manufacturing a printed circuit board

Номер патента: US09549472B2. Автор: Ryuichi Shibutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US20100200661A1. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004079822A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device, protection circuit, and method for manufacturing protection circuit

Номер патента: US20230078873A1. Автор: Tomoyuki FUNABASAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Photoelectric conversion device and characteristic inspection method for same

Номер патента: US09509124B2. Автор: Akihiko Yoshikawa,Yoshihiro Ishitani,Kazuhide Kusakabe. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device, test system and method of the same

Номер патента: US9859176B1. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Hung-Chih Lin,Tang-Jung CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: WO2020264037A1. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Flir Commercial Systems, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11990373B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US20240047366A1. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and data transferring method for semiconductor device

Номер патента: US11824009B2. Автор: Nobuyoshi Tanaka. Владелец: Preferred Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Push-up device and push-up method for a semiconductor device

Номер патента: US20190295878A1. Автор: Satoru Takaku,Toshimitsu Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device interconnection systems and methods

Номер патента: US11916039B2. Автор: Richard E. Bornfreund,Edward K. Huang. Владелец: Teledyne Flir Commercial Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166802A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US11837560B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210391285A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device, semiconductor package, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220254699A1. Автор: Tun-Ching PI. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20220344223A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US11935798B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: US20210183796A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device package assemblies and methods of manufacture

Номер патента: US20240162110A1. Автор: Seungwon Im,Oseob Jeon,Byoungok Lee,Jeungdae Kim. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with waveguide and method therefor

Номер патента: EP3840114A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Maristella Spella,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device with fuses and method of manufacturing same

Номер патента: EP1287557A2. Автор: Hermanus J. Effing,Alfred R. Hamstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-03-05.

Stacked semiconductor device test circuits and methods of use

Номер патента: US20240178078A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

High power semiconductor device cooling apparatus and method

Номер патента: US4010489A. Автор: Frank J. Bourbeau,Barton L. Meredith,Arnold J. Rakowski. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor device driving circuit and method of testing the same

Номер патента: US20140139245A1. Автор: Daisuke Hirata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device, corresponding apparatus and method

Номер патента: US20180190564A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20210011077A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20220413039A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device with resistor and method of fabricating same

Номер патента: US20090278189A1. Автор: Hoo-Sung Cho,Kyoung-hoon Kim,Nok-Hyun JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device having capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6399457B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee,Byung-lyul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-04.

Semiconductor device including capacitor and method of forming the same

Номер патента: US20210296430A1. Автор: Akira Kaneko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device, wiring board and method of making same

Номер патента: US20040104487A1. Автор: Akira Chinda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Apparatus, device and computer implemented method for controlling power plant system

Номер патента: EP3763036A1. Автор: Sen Zhang. Владелец: WAERTSILAE NORTH AMERICA Inc. Дата публикации: 2021-01-13.

Semiconductor device, semiconductor chip, and test method for semiconductor chip

Номер патента: US20190148249A1. Автор: Hideki Masai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, semiconductor chip, and test method for semiconductor chip

Номер патента: US20170316990A1. Автор: Hideki Masai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Array substrate, display device, and fault repair method for array substrate

Номер патента: US20190027407A9. Автор: Song Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Display screen, terminal device and imaging control method for under-screen camera

Номер патента: US20220191362A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Photoelectric conversion device and characteristic inspection method for same

Номер патента: US20130016345A1. Автор: Akihiko Yoshikawa,Yoshihiro Ishitani,Kazuhide Kusakabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-17.

Photoelectric conversion device and characteristic inspection method for same

Номер патента: US20130208267A9. Автор: Akihiko Yoshikawa,Yoshihiro Ishitani,Kazuhide Kusakabe. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2013-08-15.

NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140227836A1. Автор: PARK Kiyeol,Jeon Woochul,Park Younghwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Nitride-based semiconductor laser device

Номер патента: US20080069163A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240204317A1. Автор: Xing Li,HU XU,Haizu Jin,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4287386A1. Автор: Yizhen Wu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Crimp terminal, and method and apparatus for manufacturing a crimp terminal

Номер патента: US09548545B2. Автор: Yasushi Kihara,Yukihiro Kawamura,Saburo Yagi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Air humidification device and air humidification method for fuel cell using injector

Номер патента: US09640815B2. Автор: Hyun Yoo Kim,Chang Ha Lee,Hyuck Roul Kwon. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Passive Q-switched lasers and methods for operation and manufacture thereof

Номер патента: US12095226B2. Автор: Omer KAPACH,Ariel Danan,Yoni Prosper Shalibo. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device socket, assembly and methods

Номер патента: US20010000304A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-04-19.

T-channel microfluidic devices and 3d printing methods for producing t-channel microfluidic devices

Номер патента: US20230318000A1. Автор: Emil Paskalev Kartalov. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-10-05.

Stepped battery and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US09882233B2. Автор: Young Hoon Kim,Ki Woong Kim,Dong Myung Kim,Sung Jin Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Insulation detection device and insulation detection method for cooling plate of battery pack

Номер патента: US20230333155A1. Автор: Li Guo. Владелец: Lucky Link Jia Xing Ev Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230411761A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Optical semiconductor device, optical unit, and method for manufacturing optical unit

Номер патента: US20230079029A1. Автор: Akira Higuchi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-16.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230411756A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240154281A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4369510A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240178531A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4096009A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4258457A1. Автор: Junrong Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Passive Q-switched lasers and methods for operation and manufacture thereof

Номер патента: US11811194B2. Автор: Omer KAPACH,Ariel Danan,Yoni Prosper Shalibo. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Passive q-switched lasers and methods for operation and manufacture thereof

Номер патента: US20240014630A1. Автор: Omer KAPACH,Ariel Danan,Yoni Prosper Shalibo. Владелец: Trieye Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Discharge lamp with a base and method and fixture for manufacturing the same

Номер патента: EP1439569A3. Автор: István Mudra,Pal Garamvolgyi,Szabolcs Bella. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Unit Cell and Method and Apparatus for Manufacturing A Unit Cell

Номер патента: US20230402640A1. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Unit cell, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4270568A2. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

Battery module, device, and failure handling method for failed battery cell

Номер патента: US11799142B2. Автор: Bin Zhao,Ye XU,Di Zhou,Rongcai CHEN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Gas detection device and gas detection method for cell module assembly

Номер патента: EP4113090A1. Автор: Sang Jin Lee,Young Sung Jung,Seung Hee CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Insulation detection device and insulation detection method for cooling plate of battery pack

Номер патента: US20230335828A1. Автор: Li Guo. Владелец: Lucky Link Jia Xing Ev Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Power supply device and power supply method for submerged pump

Номер патента: EP4391264A1. Автор: Hayato Ikeda,Shuichiro Honda,Tetsuji KASATANI,Mitsutaka IWAMI,Kei WATAJI,Hyuga KIKUCHI. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride nanowires and method of producing such

Номер патента: US09660136B2. Автор: Jonas Ohlsson,Werner Seifert,Lars Ivar Samuelson,Zhaoxia Bi,Damir Asoli. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

UV light emitting diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09543476B2. Автор: Hwa Mok Kim,Chang Suk Han,Ki Yon Park,Hyo Shik Choi,Jeong Hun HEO. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030173560A1. Автор: Takashi Kano,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Method for dividing a bar of one or more devices

Номер патента: US12087577B2. Автор: Takeshi Kamikawa,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

Nitride based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100674829B1. Автор: 이재훈,이정희,조현익. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-01-25.

Cross-hair cell devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20130015521A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Wafer sealing apparatus and method for operating the same

Номер патента: WO2024065168A1. Автор: Yucheng Zhou. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Modular display device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4369328A1. Автор: Hyunwoo Cho,Bongchu Shim,Kitae AN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-05-15.

Method For Manufacturing Gallium Nitride-Based Semiconductor Device

Номер патента: KR100691159B1. Автор: 서효원. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-03-09.

Group III nitride based semiconductor substrate and process for manufacture thereof

Номер патента: US7097920B2. Автор: Masatomo Shibata,Akira Usui,Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2006-08-29.

Light-emitting element and method for producing light-emitting element

Номер патента: US20180006190A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09553070B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015427A1. Автор: Atsushi Yamada,Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya,Akihiro Isozaki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Nitride-based semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130040411A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130092968A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,OYA Mitsuaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-04-18.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20190304781A1. Автор: LIU Jianming,HSU Chen-Ke,Chang Chung-Ying,ZHU Xueliang,CHUO Chang-cheng,CHEN Bing-Yang. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201248763A. Автор: Takashi Shimizu,Hisashi Aikawa. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-12-01.

3D packages and methods for forming the same

Номер патента: US09543284B2. Автор: Ming-Chih Yew,Kuo-Chuan Liu,Wen-Yi Lin,Po-Yao Lin,Fu-Jen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

BACKSIDE STRESS COMPENSATION FOR GALLIUM NITRIDE OR OTHER NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140295651A1. Автор: Ramdani Jamal. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Method for manufacturing gallium nitride based semiconductor substrate

Номер патента: JP4479657B2. Автор: 雅博 中山,直樹 松本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for manufacturing gallium nitride based semiconductor multilayer structure

Номер патента: JP4652888B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-03-16.

Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050191775A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Masayuki Hata,Tadao Toda,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040012032A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Masayuki Hata,Tadao Toda,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Nitride based semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: TW494583B. Автор: Atsushi Yamaguchi,Masaru Kuramoto. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2002-07-11.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150318445A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,ANZUE Naomi,CHOE Songbaek. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Nitride-based semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: JP4631681B2. Автор: 祐一 大島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Group III-V nitride-based semiconductor substrate and group III-V nitride-based light emitting device

Номер патента: TW200818548A. Автор: Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable. Дата публикации: 2008-04-16.

Method of manufacturing nitride-based semiconductor laser and nitride-based semiconductor laser

Номер патента: TW200947818A. Автор: Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

Overcurrent protection device and overcurrent protection method for electronic modules

Номер патента: US20150349519A1. Автор: Hai-Bo Li,Wei Jia YU. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Overcurrent protection device and overcurrent protection method for electronic modules

Номер патента: US09478977B2. Автор: Hai-Bo Li,Wei Jia YU. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: EP3678336A3. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Image capturing device and auto-focus method for same

Номер патента: US20090021605A1. Автор: Ming-Chi Peng. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Wireless network device and information collection method for wireless network device

Номер патента: US20230007511A1. Автор: Hirokazu Ozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Electronic device and sound recording method for electronic device

Номер патента: US20240040024A1. Автор: Chuanjie XUE,Qinlei LIU. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Electronic device, and sound recording method for electronic device

Номер патента: EP4266697A1. Автор: Chuanjie XUE,Qinlei LIU. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Three-dimensional imaging device and autofocus adjustment method for three-dimensional imaging device

Номер патента: US9118906B2. Автор: Yi Pan. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Electronic device and gain calibration method for image stabilization function thereof

Номер патента: US20240292098A1. Автор: Wen-Ling Lin,Jo-Fan WU. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating semiconductor device

Номер патента: US09906383B2. Автор: Chiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Image processing device and image processing method for correcting chromatic aberration

Номер патента: RU2496253C1. Автор: Такаюки ХАРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-10-20.

Semiconductor device including capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292596A1. Автор: Jungmin Park,HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Electronic device and thumbnail generation method for screen recording video thereof

Номер патента: US20240251143A1. Автор: Shih-Wei Su. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Light-emitting diode driving device and short protection method for driving device

Номер патента: US09781806B1. Автор: Shih-Chi Yeh,Ju-Hsing Hu,Pei-Chi Tsai,Wei-Chiuan Huang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Electronic device and flow control method for electronic device

Номер патента: US20230300072A1. Автор: Xiaofeng Lu,Tao CUI,Fenglin WANG,Mingxu Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

FEEDBACK CONTROL DEVICE AND FEEDBACK CONTROL METHOD FOR DC-to-DC CONVERTER

Номер патента: US20240333126A1. Автор: Lan-Shan Cheng,Wei-Ling Chen,Zhe Hui Lin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-10-03.

Electronic device and message transmission method for v2x system

Номер патента: US20240195446A1. Автор: Ke-Ping Chang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

MoSi2 ARC-SHAPED HEATER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE HEATER

Номер патента: EP1383355B1. Автор: Hiroshi TAKAMURA,Daisuke TAKAGAKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Communication system, portable communication device, and wireless communication method for emergency transmission

Номер патента: US09872161B2. Автор: Satoshi Nishimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Wireless network device and automatic configuration method for linking wireless local area network

Номер патента: US09706487B2. Автор: Chin-Wei Cho. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Linked notification system, portable communication device, and linked notification method for portable communication device

Номер патента: US20230410637A1. Автор: Fumiaki ESAKA. Владелец: Maxell Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device, communication systems and method for controlling the communication system

Номер патента: US11115235B2. Автор: Keiichiro Sano,Jean Noel MOUTHE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Image processing device and image processing method for displaying multi-screen

Номер патента: US11798518B2. Автор: Yi-Jen Chen. Владелец: Aten International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device, regulator circuit, and method for starting regulator circuit

Номер патента: US20240111321A1. Автор: Yoichi Fueki. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

PLL semiconductor device with testability, and method and apparatus for testing same

Номер патента: US20010028243A1. Автор: Kimitoshi Niratsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

Router device and datagram transfer method for data communication network system

Номер патента: US6104713A. Автор: Kenichi Nagami,Yasuhiro Katsube. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Radio signal receiving control device and the control method for the same

Номер патента: US20020102957A1. Автор: Han-Yang Tseng,Ru-Lin Chia. Владелец: Mosart Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Wireless communication devices and wireless communication methods for sbfd operation

Номер патента: WO2024031528A1. Автор: Shahid JAN. Владелец: SHENZHEN TCL NEW TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2024-02-15.

Electronic device and password authentication method for electronic device

Номер патента: US20150350190A1. Автор: Dongsheng Li. Владелец: Tendyron Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Image processing system, image forming device, and image forming method for exclusive image processing

Номер патента: US9986108B2. Автор: Ryo Akamine. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Base station device and communication control method for base station device

Номер патента: US20120170554A1. Автор: Masahiro Yagi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Video control system, display system control device and video controlling method for e.g. video wall

Номер патента: EP2131275A3. Автор: Yi-Hsin Chan. Владелец: Nexcom International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Three-dimensional imaging device and autofocus adjustment method for three-dimensional imaging device

Номер патента: US20130070061A1. Автор: Yi Pan. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Signal transmitting device and phase modulated method for transmitting via a signal transmitting device

Номер патента: US8861643B2. Автор: Martin Feldtkeller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-14.

Display screen, terminal device and imaging control method for under-screen camera

Номер патента: US11974034B2. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Wireless communication devices and integrated scheduling methods for xr service

Номер патента: WO2024073878A1. Автор: Liping Wang. Владелец: SHENZHEN TCL NEW TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2024-04-11.

Heating device and output control method for heating device

Номер патента: US20240171087A1. Автор: Jiwoong Choi,Myoungjin HAM,Younghoon WOO,Heejoon KANG,Byunghwan KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Electronic device and power supply method for smart power amplifier

Номер патента: EP4283830A1. Автор: Lixin Zhang. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Remote control device and remote control method for automatic driving vehicle, and server

Номер патента: US20200073376A1. Автор: Jialin Yang. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Electronic device and application execution method for electronic device

Номер патента: EP4228234A1. Автор: Daehyun Cho,Kwanjin JUNG,Wonseo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Signal Transmitting Device and Phase Modulated Method for Transmitting via a Signal Transmitting Device

Номер патента: US20130336424A1. Автор: Martin Feldtkeller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Electronic device and power supply method for smart power amplifier

Номер патента: US20240204735A1. Автор: Lixin Zhang. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile trench memory device and self-aligned method for making such a device

Номер патента: US5229312A. Автор: Satyendranath Mukherjee,Manjin Kim. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Portable computing devices and command input methods for the portable computing devices

Номер патента: US10802790B2. Автор: Hiroshi Itoh,Jun Luo. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Electronic device and exhibition guide method for same

Номер патента: US20120173451A1. Автор: Hou-Hsien Lee,Chang-Jung Lee,Chih-Ping Lo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Electronic device and exhibition guide method for same

Номер патента: US8577536B2. Автор: Hou-Hsien Lee,Chang-Jung Lee,Chih-Ping Lo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

SSIC device and link control method for SSIC device

Номер патента: US20160360568A1. Автор: WEI QIAN,CHEN Shen,Neng-Hsien Lin,Guobing Jiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Headlamp leveling device and headlamp leveling method for vehicle

Номер патента: US20220410792A1. Автор: Ji Eung Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Headlamp leveling device and headlamp leveling method for vehicle

Номер патента: EP4112381A1. Автор: Ji Eung Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-04.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024108489A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for the growth of nitride based semiconductors and its apparatus

Номер патента: US5637146A. Автор: Jen-Inn Chyi. Владелец: Saturn Cosmos Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-10.

Thermosetting resin-fiber composite and method and apparatus for the manufacture thereof

Номер патента: WO2002070599A8. Автор: Giuseppi Cappi. Владелец: G P Concepts Llc. Дата публикации: 2004-06-03.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150190992A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-09.

Coated paper product and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: EP1831463A1. Автор: Markku Leskelä,Stina Nygard,Juha Koponen. Владелец: M Real Oyj. Дата публикации: 2007-09-12.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976A1. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe S.A.. Дата публикации: 1995-08-17.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Spray diffusers and method and mold for manufacture of same

Номер патента: US20020180100A1. Автор: Juergen Speier,Rudolf Notz. Владелец: Lechler GmbH. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: US09943995B1. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Headlamp aiming adjustment system for a mobility device and a controlling method for the same

Номер патента: US20240176154A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, electronic device, and self-diagnosis method for semiconductor device

Номер патента: US09797950B2. Автор: Takuro NISHIKAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Thermally insulated building material and method and means for the manufacture thereof

Номер патента: US3774428A. Автор: C Derry,W Childs. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-11-27.

Prism film and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09885811B2. Автор: Rui Li,Junguo Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Laminated glass, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: SG167651A1. Автор: Hyung Gyu Jang,Hwang Doo Ha. Владелец: P & H Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-28.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Packing and/or transport unit for insulation slabs of mineral wool and method and device for manufacturing such

Номер патента: EP2289807A3. Автор: Erik ÅSTRAND,Bjarne Walli. Владелец: Paroc Oy Ab. Дата публикации: 2013-10-09.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: WO1995006566A1. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1995-03-09.

Rfid tag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20090066517A1. Автор: Kenneth R. Erikson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US09990207B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US20160372171A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device control circuit and method thereof

Номер патента: US09640272B2. Автор: Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, semiconductor system, and method for use in operating the same based on operation mode information

Номер патента: US09576627B2. Автор: Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Fiberoptic connector assembly and method and device for the manufacture thereof

Номер патента: US5305406A. Автор: Michel Y. Rondeau. Владелец: Fibotech Inc. Дата публикации: 1994-04-19.

A cooking device and an operation method for the cooking device

Номер патента: EP3715725A1. Автор: Rustem Asik,Alparslan TURHAN. Владелец: Vestel Beyaz Esya Sanayi Ve Ticaret As. Дата публикации: 2020-09-30.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Seam inspection device and seam inspection method for cigarette filter

Номер патента: EP4442131A1. Автор: Kazumasa Arae,Atsuhiro TSUNAKAWA,Takahiro MIYAGISHI. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Power control device and power control method for thin client display

Номер патента: US09389671B2. Автор: Guanglei DU,Fedja Kecman,Shannon L. SIEFKEN. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-07-12.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: WO2021149076A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Limited. Дата публикации: 2021-07-29.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: ZA202209336B. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: AU2021210697A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: GB2607775A. Автор: Jami Tarun. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Device and computer-implemented method for determining pixels of a synthetic image

Номер патента: US20230386046A1. Автор: Anna Khoreva,Edgar Schoenfeld,Julio Borges. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-30.

Device and computer-implemented method for data-efficient active machine learning

Номер патента: US20210216869A1. Автор: Christian Haase-Schuetz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-07-15.

Reagent applying device and reagent applying method for electrophoresis analysis

Номер патента: US20140097085A1. Автор: Tokiya Nakazato. Владелец: Helena Laboratories Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Storage device and data output method for storage device

Номер патента: US20180210673A1. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: BUFFALO INC. Дата публикации: 2018-07-26.

Device and computer implemented method for conceptual clustering

Номер патента: EP3979146A1. Автор: Trung Kien TRAN,Mohamed Gad-Elrab,Daria Stepanova,Evgeny LEVINKOV. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-04-06.

Medical device and data management method for same

Номер патента: US20220004523A1. Автор: Xin Xu,Yande HE,Xuyun WANG,Jinbo GE. Владелец: Shenzhen Mindray Bio Medical Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Automated analyzing device, and abnormality determining method for same

Номер патента: EP4425185A1. Автор: Hajime Kato,Hiroki Hamada,Hisashi YABUTANI. Владелец: Hitachi High Tech Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Device and computer implemented method for conceptual clustering

Номер патента: US20220101152A1. Автор: Trung Kien TRAN,Mohamed Gad-Elrab,Daria Stepanova,Evgeny LEVINKOV. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-03-31.

Sticker output box, sticker dispensing device, and attention training method for children

Номер патента: US20240351729A1. Автор: Tianlong WANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09457902B2. Автор: Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell,Jeffrey J Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Rolling-element bearing, and method and apparatus for manufacturing rolling-element bearing

Номер патента: US20120275740A1. Автор: Kazuyuki Hirata. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Illumination control device and illumination control method for a shifter of a vehicle

Номер патента: US20230311754A1. Автор: Fumitaka Abe,Yosuke Horiuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Display screen, electronic device and information processing method for the electronic device

Номер патента: US09812075B2. Автор: FANG Xu,Zhenhua Zhang,Ke Shang,Like Zhong. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Decorative food and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA2274347C. Автор: Tokuji Akutagawa. Владелец: Akutagawa Confectionery Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Device and computer-implemented method for determining a state of a technical system

Номер патента: US20240152773A1. Автор: Juergen Luettin. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-09.

Image-processing device and display-control method for use in display-wall system

Номер патента: US20230084031A1. Автор: Wei-Lun Liu. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Device and respective control method for controlling the activities of a colony of insects

Номер патента: EP3113606A1. Автор: Manuel BENEDETTI,Mauro Martinelli,Luca IORIATTI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-11.

Display device and backlight control method for display device

Номер патента: US20240127765A1. Автор: Yi-Cheng Chang,Yu-Ming Wu. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device fabrication mask and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110053058A1. Автор: Haruko Akutsu,Kyo Otsubo,Makiko Katano,Ayako Mizuno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-03.

Display device and backlight control method for display device

Номер патента: US12062344B2. Автор: Yi-Cheng Chang,Yu-Ming Wu. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Fuel supply device and fuel supply method for internal combustion engine

Номер патента: US09777687B2. Автор: Tomohiro Nakano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Degradation diagnosis device and degradation diagnosis method for exhaust gas sensor

Номер патента: US09404832B2. Автор: Noriko Yamanaka,Azusa KOBAYASHI,Tamikazu Kimura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Magnetic tape cassette accommodating case and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US5323904A. Автор: Kiyoo Morita,Teruo Ashikawa,Shingo Katagiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-28.

Tobacco smoke filter contoured to provide undiluted air flow and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA1190114A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture

Номер патента: EP3685938A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190143404A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20180029120A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Extruded and Co-extruded High-Altitude Balloons and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190039709A1. Автор: Austyn Daniel Crites. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Porous flexible sheet and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20140308481A1. Автор: Satoshi Mitsui. Владелец: Casio Electronics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Device and thread gauging method for ensuring spark plug orientation

Номер патента: US20190339053A1. Автор: Ethan Hughey. Владелец: Ford Motor Co. Дата публикации: 2019-11-07.

Abnormality diagnosis device and abnormality diagnosis method for supercharger

Номер патента: US09915211B2. Автор: Machiko Takahashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Pre-assembled, two-part merchandise display hook and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA1303006C. Автор: Thomas O. Nagel. Владелец: Trion Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Glass fiber bulk strand roving and method and apparatus for the manufacture thereof

Номер патента: CA1293167C. Автор: Jerome P. Klink,Hellmut I. Glaser. Владелец: Owens Corning Fiberglas Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Elastic steel band for sun cap or hat and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060143786A1. Автор: Soon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Electronic device and computer-based method for reminding using the electronic device

Номер патента: US09633542B2. Автор: Cheng-Ching Chien,Guo-Tao Feng. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Gasket for heat exchanger and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1110016B1. Автор: Steven M. Suggs,Reid M. Meyer. Владелец: Acadia Elastomers Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: CA3001220C. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Spun yarn, and method and apparatus for the manufacture thereof

Номер патента: WO2005085504A1. Автор: Glen E. Simmonds. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2005-09-15.

Electronic device and sensitivity adjustment method for sensor

Номер патента: US12056291B2. Автор: Ding-Jun Yin,Chin-Chuan Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Reinforcing woven fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5783278A. Автор: Akira Nishimura,Kiyoshi Homma,Ikuo Horibe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Wet waste compostable bag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2408989C. Автор: George P. Colgan. Владелец: Bag to Earth Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Hermetically sealed package, and method and machine for manufacturing it

Номер патента: CA2259904A1. Автор: Luca Cerani. Владелец: Luca Cerani. Дата публикации: 1998-01-15.

A composite brake disc and method and apparatus for manufacture of the same

Номер патента: CA2926866C. Автор: Daniel Dériaz. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2021-10-19.

Light guide plate, and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US20140104884A1. Автор: Kun Lu,Kai Yan,Zhanchang Bu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Floor board, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20200392742A1. Автор: Xiao FANG,Fuyou WANG. Владелец: Nantong Cimc Eco New Material Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1327483C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1994-03-08.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: EP4312144A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-31.

Elastic and non-elastic narrow fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3685549A. Автор: Antonio Schiappa,Richard E Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-22.

Semiconductor device simulation system and method

Номер патента: US20240037307A1. Автор: Jae Myung CHOE,Won Ik Jang,Sang Hoon Myung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2809033C. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2867122C. Автор: Jeffrey J. Potter,Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Angle measuring device and angle measuring method for scanning device of laser radar

Номер патента: EP4318024A1. Автор: Shaoqing Xiang,Yongfeng Gao. Владелец: Hesai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Angle measuring device and angle measuring method for scanning device of laser radar

Номер патента: US20240061093A1. Автор: Shaoqing Xiang,Yongfeng Gao. Владелец: Hesai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Device and computer-implemented method for operating a machine

Номер патента: US20230252317A1. Автор: Johannes Oetsch,Thomas Eiter,Michael Pritz,Nelson Higuera. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device, device, and electronic device

Номер патента: US20150227378A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, memory system, and method of correcting duty cycle of output signal from semiconductor device

Номер патента: US11961586B2. Автор: Kensuke Yamamoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Flow control device and flow control method for construction machine

Номер патента: CA2897003C. Автор: Hea-Gyoon Joung,Sung-Gon Kim. Владелец: VOLVO CONSTRUCTION EQUIPMENT AB. Дата публикации: 2018-01-02.

Operational support device and operational support method for a nuclear power plant

Номер патента: US9202599B2. Автор: Koji Ito,Masanori Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor device, mobile apparatus, and method of controlling mobile apparatus

Номер патента: US20200387717A1. Автор: Keisuke Matsumoto,Remi MIYAMOTO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Wall mounting device and wall mounting method for liquid crystal display

Номер патента: US20140070060A1. Автор: Gang Yu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Lockup control device and lockup control method for vehicle power transmission device

Номер патента: EP3872372A1. Автор: IMAMURA Ken. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-09-01.

Damping control device and damping control method for vehicle

Номер патента: US11945275B2. Автор: Hiroki Furuta. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Device and computer-implemented method for machine learning

Номер патента: US20240028936A1. Автор: Matthias Bitzer,Christoph Zimmer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-01-25.

Data storage device and block selection method for a flash memory

Номер патента: US20120268991A1. Автор: Mong-Ling Chiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Shift control device and shift control method for vehicle

Номер патента: US20220333681A1. Автор: Dong Hoon Jeong,Yong Uk Shin,Byeong Wook Jeon,Min Jae CHAI. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Cell treatment device and laser treatment method for cell

Номер патента: EP3805356A1. Автор: Junichi Matsumoto,Shoichi Honda. Владелец: Kataoka Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Briefing system, wearable device, and note presentation method for briefing

Номер патента: US20160049135A1. Автор: Cheng-Yen Huang,Chia-Chien Wu,Wei-Hsin Kan. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Training device and pivotal swing method for improving accuracy of hitting a ball with a bat

Номер патента: US9067112B2. Автор: Roger U. Hart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-30.

Training device and pivotal swing method for improving accuracy of hitting a ball with a bat

Номер патента: US20130143695A1. Автор: Roger U. Hart. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

State monitoring device and state monitoring method for ball screw

Номер патента: EP4325195A1. Автор: Satoshi Hashimoto,Yuki Yamada,Keisuke Matsumura. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Device and computer-implemented method for a neural architecture search

Номер патента: US20230351146A1. Автор: Dayo Oshinubi,Michael Meixner,Falk Rehm,Michael Klaiber,Armin Runge. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-02.

Medical device and data management method for same

Номер патента: US11847094B2. Автор: Xin Xu,Yande HE,Xuyun WANG,Jinbo GE. Владелец: Shenzhen Mindray Bio Medical Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Abnormality diagnostic device and abnormality diagnostic method for air-fuel ratio sensor

Номер патента: US20080154528A1. Автор: Yasushi Iwazaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Projection welding device, and electrode cleaning method for same

Номер патента: US20220388089A1. Автор: Yuichi Hirata,Hiroshi Miwa,Takuya Furuno,Yohei TERAGAITO,Yasushi Iwatani. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Individual determination device and individual determination method for target equipment

Номер патента: US20240119135A1. Автор: Koichi Furuya,Tsuyoshi Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

A micro fluid pumping device and a pumping method for same

Номер патента: EP1544463A3. Автор: Hye-jung Cho,Natalia Tyumen State University Ivanova. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-21.

State monitoring device and state monitoring method for ball screw

Номер патента: US20240183750A1. Автор: Satoshi Hashimoto,Yuki Yamada,Keisuke Matsumura. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Device and computer-implemented method for machine learning

Номер патента: US20210357813A1. Автор: Martin Schiegg,Sebastian Gerwinn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-11-18.

Device and computer-implemented method for determining pixels of a synthetic image

Номер патента: EP4283564A1. Автор: Anna Khoreva,Edgar Schoenfeld,Julio Borges. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-29.

Shift control device and ratio control method for automatic transmission

Номер патента: US20080287258A1. Автор: Masaharu Tanaka,Yoshio Hasegawa,Naoto Moriya,Tomohiro Asami. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Radar device and data output method for radar device

Номер патента: US20240192348A1. Автор: Hirosada Miyaoka,Ryosuke Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Reagent applying device and reagent applying method for electrophoresis analysis

Номер патента: US9297783B2. Автор: Tokiya Nakazato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-29.

Storage device and memory accessing method for a storage device

Номер патента: US20150039933A1. Автор: Ren-Wei Chen. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Behavior control device and behavior control method for autonomous vehicles

Номер патента: US20210080956A1. Автор: Dong Hoon Kang. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Electronic device and sensitivity adjustment method for sensor

Номер патента: US20240028136A1. Автор: Ding-Jun Yin,Chin-Chuan Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus for measuring dynamic on-resistance of nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20240248124A1. Автор: Yiming Lin,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicone casing for a vibrating tooth cleaning device, and method for manufacturing said silicone casing

Номер патента: US12064305B2. Автор: Michael KEINER. Владелец: BLBR GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method for mixing, in particular, for dispersion

Номер патента: RU2699108C2. Автор: Эдуард НАТЕР,Ахим Филипп ШТУРМ. Владелец: Бюлер АГ. Дата публикации: 2019-09-03.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-08-31.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1336828C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1995-08-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride-based semiconductor laser device and method for manufacturing nitride semiconductor laser device

Номер патента: JP3650000B2. Автор: 伸彦 林,壮謙 後藤. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-18.

Iii group nitride based semiconductor element and method for manufacture thereof

Номер патента: AU2002304154A1. Автор: Jun Ito,Naoki Shibata,Masanobu Senda,Toshiaki Chiyo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-23.

Gallium-nitride-based semiconductor structure combination and manufacture thereof

Номер патента: TW200924025A. Автор: Miin-Jang Chen. Владелец: Miin-Jang Chen. Дата публикации: 2009-06-01.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120007053A1. Автор: LEE Jung Hee,Park Young Hwan,Jeon Woo Chul,Park Ki Yeol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120145995A1. Автор: PARK Kiyeol,Jeon Woochul,Park Younghwan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120146052A1. Автор: PARK Kiyeol,Jeon Woochul,Park Younghwan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120146095A1. Автор: PARK Kiyeol,Jeon Woochul,Park Younghwan. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120146096A1. Автор: PARK Kiyeol,Park Younghwan,JOEN Woochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING GALLIUM NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20130003769A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Nitride-based semiconductor layer device and method for forming nitride-based semiconductor

Номер патента: JP4817522B2. Автор: 伸彦 林,雅幸 畑. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TWI292632B. Автор: Fen Ren Chien,Liang Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2008-01-11.

Nitride based semiconductor device having multiple layer buffer structure and fabrication method thereof

Номер патента: TW200721533A. Автор: Fen-Ren Chien,Liang-Wen Wu. Владелец: Formosa Epitaxy Inc. Дата публикации: 2007-06-01.

GRIPPING DEVICE, TRANSFER DEVICE, PROCESSING DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120004773A1. Автор: . Владелец: SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride based semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100616631B1. Автор: 김철규,코이케마사요시. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-08-28.

PRINTING DEVICE AND PRINTING METHOD

Номер патента: US20120001974A1. Автор: Mano Takahiro. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120199844A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-08-09.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130009187A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for manufacturing nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: JP3668031B2. Автор: 伸彦 林,広樹 大保. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-06.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120061680A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120061727A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120074424A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120140785A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3247437B2. Автор: 秀秋 今井,匡彦 平井,邦夫 宮田. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2002-01-15.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3469847B2. Автор: 雅幸 畑. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3384782B2. Автор: 雅幸 畑,竜也 國里,浩司 冨永. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-10.

Gallium nitride based semiconductor laminate structure

Номер патента: TW200605410A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-02-01.

Nitride based semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: KR100593939B1. Автор: 황해연,류영호. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.