Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing thereof
Номер патента: WO2024060110A1
Опубликовано: 28-03-2024
Автор(ы): King Yuen Wong, Ronghui Hao
Принадлежит: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-03-2024
Автор(ы): King Yuen Wong, Ronghui Hao
Принадлежит: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240030330A1. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.