Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same
Номер патента: WO2024113379A1
Опубликовано: 06-06-2024
Автор(ы): Danfeng MAO, Haibo Guo, King Yuen Wong, Pan Xiong, Qijun WANG, Shengjie LIN
Принадлежит: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-06-2024
Автор(ы): Danfeng MAO, Haibo Guo, King Yuen Wong, Pan Xiong, Qijun WANG, Shengjie LIN
Принадлежит: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of monitoring a semiconductor device fabrication process and method of fabricating a semiconductor device using the same
Номер патента: US20220068728A1. Автор: Youngjoo Lee,Taekyun KANG,Hyowon Bae,Sang Yoon Han,Jitae PARK,Doo Young Gwak,Aekyung KIM,Kyunggon You,Seongjin IN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.