Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device made by multiple anneal of stress inducing layer

Semiconductor device made by multiple anneal of stress inducing layer

Номер патента: WO2007112261A2
Опубликовано: 04-10-2007
Автор(ы): Periannan Chidambaram
Принадлежит: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device made by multiple anneal of stress inducing layer

Номер патента: WO2007112261A3. Автор: Periannan Chidambaram. Владелец: Periannan Chidambaram. Дата публикации: 2007-11-22.

Semiconductor device with multi-layered metalizations

Номер патента: US4200969A. Автор: Masaharu Aoyama,Toshio Yonezawa,Shunichi Hiraki. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: WO2009058248A3. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-22.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: US20090108335A1. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: WO2009058248A2. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-05-07.

Stress transfer by sequentially providing a highly stressed etch stop material and an interlayer dielectric in a contact layer stack of a semiconductor device

Номер патента: EP2220676A2. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US8987103B2. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff,Ralf Otterbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-03-24.

Multi-step deposition of a spacer material for reducing void formation in a dielectric material of a contact level of a semiconductor device

Номер патента: US20100289083A1. Автор: Markus Lenski,Frank Seliger,Volker Jaschke,Kerstin Ruttloff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor devices and methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US12069849B2. Автор: Daeik Kim,Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Taejin Park,Jemin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287964A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Akio Yamano,Aiko TAKASAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of making a semiconductor device using treated photoresist

Номер патента: EP1719162A2. Автор: Stanley M. Filipiak,Cesar M. Garza,William D. Darlington,James E. Vasek. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-11-08.

Method of making a semiconductor device using treated photoresist

Номер патента: EP1719162A4. Автор: Stanley M Filipiak,Cesar M Garza,William D Darlington,James E Vasek. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of making a semiconductor device using treated photoresist

Номер патента: WO2005082122A2. Автор: Stanley M. Filipiak,Cesar M. Garza,William D. Darlington,James E. Vasek. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-09-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20160293759A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and antenna switch module

Номер патента: US20170069586A1. Автор: Hideo Yamagata,Yoshikazu Motoyama,Hiroki Tsunemi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160126325A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device structure with backside contact

Номер патента: US20240290851A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170110544A1. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of forming thereof

Номер патента: EP4394856A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,MyungHoon JUNG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device structure with silicide layer

Номер патента: US20230260793A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Chiang,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200203515A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor Device Including a Conductive Member Within a Trench

Номер патента: US20190273094A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device including a leadframe or a diode bridge configuration

Номер патента: US20200411555A1. Автор: Jefferson W. Hall,Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming semiconductor device contacts

Номер патента: US3740835A. Автор: D Duncan. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1973-06-26.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US9117777B2. Автор: Geert Eneman,Benjamin Vincent. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-08-25.

Semiconductor Device Made by the Method of Producing Hybrid Orientnation (100) Strained Silicon with (110) Silicon

Номер патента: US20080303027A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Structure with different stress-inducing isolation dielectrics for different polarity fets

Номер патента: US20210398862A1. Автор: George R. Mulfinger,Ryan W. Sporer,Chung F. Tan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200027952A1. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US10892329B2. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Silicon on insulator semiconductor device with mixed doped regions

Номер патента: US20190371943A1. Автор: Jack Liu,Charles Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170133490A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Structure of Semiconductor Device Structure Having Fins

Номер патента: US20200312985A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20180308956A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Structure of semiconductor device structure having fins

Номер патента: US10686059B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-16.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device having wiring made by damascene method and capacitor and its manufacture method

Номер патента: US20130011995A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Crystallization processing of semiconductor film regions on a substrate, and devices made therewith

Номер патента: CA2256699C. Автор: James S. Im. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2003-02-25.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for manufacturing semiconductor device and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20190267239A1. Автор: Katsuyoshi Suzuki,Hiroshi Takeno,Tadashi Nakasugi,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20190288000A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods and assemblies for cooling semiconductor devices using carbon allotropes

Номер патента: US20240258197A1. Автор: Michael Roberg,Christo Bojkov,zhi-qi Li,Harold Isom. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Providing stress uniformity in a semiconductor device

Номер патента: WO2008005083A1. Автор: Jian Chen,Mark W. Michael. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor Device Made by Using a Laser Anneal to Incorporate Stress into a Channel Region

Номер патента: US20090065880A1. Автор: Manoj Mehrotra,Amitabh Jain. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190214477A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US9941379B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180190786A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device with a toroidal-like junction

Номер патента: WO2005038867A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230268440A1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Kuo-Liang Yeh,Po-Yu YANG,Mu-Kai Tsai,Fang-Yun Liu,Chien-Tung Yue,Jinn-Horng Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Device with Localized Stressor

Номер патента: US20080258233A1. Автор: Min Cao,Chung-Te Lin,Ru-Shang Hsiao,Ta-Ming Kuan,Cheng-Tung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Interlayer dielectric material in a semiconductor device comprising stressed layers with an intermediate buffer material

Номер патента: US20090166814A1. Автор: Ralf Richter,Joerg Hohage,Michael Finken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device structure having protection caps on conductive lines

Номер патента: US11557508B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20200381293A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160276178A1. Автор: Yi Seul Han,Byong Jin Kim,In Bae Park,Jae Beum Shim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having hybrid bonding interface, method of manufacturing the semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device assembly

Номер патента: US20210242050A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor Device Including Electrode Trench Structure and Isolation Trench Structure and Manufacturing Method Therefore

Номер патента: US20200303528A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Juergen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor Device Including Trenches and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151789A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Yvonne Gawlina,Hans Peter Felsl,Andre Rainer Stegner,Maria Cotorogea,Georg Seibert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Three dimensional package for semiconductor devices and external components

Номер патента: US12062597B2. Автор: Sreenivasan Kalyani Koduri,Christopher Daniel Manack. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Method of interconnecting semiconductor devices and assembly of interconnected semiconductor devices

Номер патента: US20240266320A1. Автор: Yifan Guo. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US10283612B2. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240234468A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Taku Umebayashi,Reijiroh Shohji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device structure with spacer

Номер патента: US12040237B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Yi-Ren CHEN,Shih-Hsun Chang,Pei-Lin Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device structure with conductive contacts of different widths and method for preparing the same

Номер патента: US20240258235A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240047503A1. Автор: Suguru Saito,Nobutoshi Fujii. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10170483B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20210111245A1. Автор: Kohei Adachi,Kazuhiro Mochizuki,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Ryoji Kosugi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor device structure with protection cap

Номер патента: US20230154788A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11742372B2. Автор: Nobutaka Ukigaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device capable of preventing an increase in the number of manufacturing steps relating to wiring and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11495543B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190081040A1. Автор: Toshiyuki Kanaya,Tsuyoshi Hosono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290782A1. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062654B2. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Structure formation in a semiconductor device

Номер патента: US12068363B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method and system for making and cleaning semiconductor device

Номер патента: US8673764B1. Автор: Zhugen Yuan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and power converting device

Номер патента: US20240274557A1. Автор: Seiji Oka,Tetsu Negishi,Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: EP1902472B1. Автор: Robert John Stephenson,Robert Mears,Scott A. Kreps,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan S.F. Yiptong. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425547A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220310803A1. Автор: Tadashi Watanabe,Yukinori Nose. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230116560A1. Автор: Hideharu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220093787A1. Автор: Hideharu Kojima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160365423A1. Автор: Hsin-Hui Hsu,Chih-Ming Sun,Ming-Han Tsai. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming a groove-like area in a semiconductor device

Номер патента: US20020076898A1. Автор: Hirokazu Fujimaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby

Номер патента: WO2006081315A2. Автор: Kevin Beernink. Владелец: United Solar Ovonic Corporation. Дата публикации: 2006-08-03.

Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby

Номер патента: EP1851805A2. Автор: Kevin Beernink. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2007-11-07.

Method of eliminating curl for devices on thin flexible substrates, and devices made thereby

Номер патента: US20070013019A1. Автор: Kevin Beernink. Владелец: United Solar Ovonic LLC. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of making a semiconductor device using a nanochannel glass matrix

Номер патента: US5306661A. Автор: Brian L. Justus,Ronald J. Tonucci. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1994-04-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099009A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Mariko SUMIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20210358530A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20230139527A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US20020123185A1. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Semiconductor device having a voltage-regulator device

Номер патента: US6583453B2. Автор: Masafumi Doi,Hirotsugu Honda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-24.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US11545203B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20180323182A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor devices formed of iii-nitride compounds, lithium-niobate-tantalate, and silicon carbide

Номер патента: WO2003071605A3. Автор: William Alan Doolittle. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: GB9024722D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-02.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20020195682A1. Автор: Katsumi Satoh,Youichi Ishimura,Hideki Haruguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230155036A1. Автор: Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Yu-Chun Shen,Shun-Neng WANG,Ya-Chi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140138708A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor devices having modulated nanowire counts

Номер патента: WO2013095645A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Seiyon Kim,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having three-dimensional bodies with modulated heights

Номер патента: US20130320448A1. Автор: Tahir Ghani,Kelin J. Kuhn,Annalisa Cappellani,Rafael Rios,Aura Cecilia Davila Latorre. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11776852B2. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023164821A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200105608A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Fu-Hsiang Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: WO2024118238A1. Автор: Martin Domeij,Jimmy Robert Hannes FRANCHI. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200235201A1. Автор: Syunki Narita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9105716B2. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Yusuke Kawaguchi,Miwako Akiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor cell structure and power semiconductor device

Номер патента: US20190027563A1. Автор: Yi Zhong,Yong Liu,YANG Cao,Jianan Wang,Gangyi Hu,Kaizhou Tan,Yonghui Yang,Zhaohuan Tang,Kunfeng Zhu. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor Device Having a Field Termination Structure and a Charge Balance Structure, and Method of Producing the Semiconductor Device

Номер патента: US20240194778A1. Автор: Armin Willmeroth,Frank Hille,Michael Hell,Caspar Leendertz,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2589484A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230207691A1. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Super junction semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9190469B2. Автор: Hyuk Woo,Chang Yong Choi,Moon Soo Cho,Kwang Yeon JUN,Soon Tak KWON. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device with spacer of gradually changed thickness and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11728408B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11901447B2. Автор: Guangtao Han. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296490A1. Автор: Tatsuya Shiraishi,Masaharu Shimabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US12046672B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device having a thin film transistor

Номер патента: US20020130322A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027590B2. Автор: Munetaka Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210249314A1. Автор: Tohru Kawai,Yuta MIZUKAMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240204097A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US12034073B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230025796A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Isolation of semiconductor devices by buried separation rails

Номер патента: US20230197527A1. Автор: Richard Geiger,Peter Baumgärtner,Uwe Hodel,Walther Lutz,Georgios Panagopoulos,Richard HUDECZEK,Alexander Bechtold,Carla Moran Guizan,Johannes Xaver Rauh,Roshini Sachithanandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Embedded die packaging for power semiconductor devices for improved solder reliability

Номер патента: US20240213127A1. Автор: Di Chen,Hossein MOUSAVIAN,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Edge Seal for Bonded Stacks of Different Size Semiconductor Devices

Номер патента: US20240038613A1. Автор: Arun Ramakrishnan,Liming Tsau,Reza Sharifi,Dharmendra Saraswat,Sam Zhao,Sam Karikalan,Mayank Mayukh. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a plurality of semiconductive devices

Номер патента: US20230130979A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh,Bernhard Drummer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device assembly, method for manufacturing same, and application thereof

Номер патента: US20240243095A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Spacer for chips on wafer semiconductor device assemblies

Номер патента: US20240055366A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Packaged Semiconductor Devices, Methods of Packaging Semiconductor Devices, and PoP Devices

Номер патента: US20150050779A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Jui-Pin Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20160358905A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Compound semiconductor devices having buried resistors formed in buffer layer

Номер патента: US20190027471A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190348401A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US10297577B2. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-21.

Technique for strain engineering in silicon-based transistors by using implantation techniques for forming a strain-inducing layer under the channel region

Номер патента: US20080296692A1. Автор: Kai Frohberg,Uwe Griebenow,Martin Gerhardt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device, semiconductor package, and electronic device

Номер патента: US20140225236A1. Автор: Yong-Hoon Kim,In-Ho Choi,Keung-Beum Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-14.

Technique for strain engineering in silicon-based transistors by using implantation techniques for forming a strain-inducing layer under the channel region

Номер патента: US7871877B2. Автор: Kai Frohberg,Uwe Griebenow,Martin Gerhardt. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070218617A1. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming semiconductor device including p-n diode

Номер патента: US20180019318A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170110412A1. Автор: Chen-Hua Yu,Vincent Chen,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Ching-Feng Yang,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Lin,Tzu-Chun Tang,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device assembly with heat transfer structure formed from semiconductor material

Номер патента: US20190229096A1. Автор: James M. Derderian,Jaspreet S. Gandhi,Sameer S. Vadhavkar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor devices with flexible reinforcement structure

Номер патента: US20240304465A1. Автор: Chan H. Yoo,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device package and method of forming

Номер патента: US12034033B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with dynamic array section

Номер патента: WO2009017828A2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device measurement method

Номер патента: US20220077004A1. Автор: Hongxiang Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device, related circuit, chip, electronic device, and preparation method

Номер патента: US20240282767A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Loucheng DAI,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertically mountable semiconductor device and methods

Номер патента: US20020031857A1. Автор: Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20190384669A1. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220050739A9. Автор: Ho Kyun AN,Dong Hyun Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP1766685A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: WO2005109510A1. Автор: Artto Aurola. Владелец: Artto Aurola. Дата публикации: 2005-11-17.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device manufacture with in-line hotspot detection

Номер патента: US12057355B2. Автор: Michael Shifrin,Avron GER. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Creation of stress in the channel of a nanosheet transistor

Номер патента: US20210020743A1. Автор: Tenko Yamashita,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Bernier,Nicolas Loubet,Guillaume Audoit. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of designing semiconductor device allowing control of current driving capability depending on shape of element forming region

Номер патента: US20040181386A1. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device having device element structures with pn junction formed in active region and voltage withstanding rings formed in periphery region surrounding the active region and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266433A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7132686B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Taketomi Asami,Hiroshi Shibata,Yasuyuki Arai,Hiroki Adachi,Naoya Sakamoto,Toru Takayama,Masahiko Hayakawa,Ritsuko Kawasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-07.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Backside stress compensation for gallium nitride or other nitride-based semiconductor devices

Номер патента: US20110140118A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20210066482A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device including a passivation structure and manufacturing method

Номер патента: US20200185297A1. Автор: Dethard Peters,Christian Stahlhut,Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath,Bernd Zippelius,Juergen Steinbrenner,Paul Salmen,Tobias Schmidutz,Vice Sodan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20230207618A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Dual metal gate structures on nanoribbon semiconductor devices

Номер патента: EP4141920A2. Автор: Yang-chun Cheng,Andy Chih-Hung Wei,Dax CRUM. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor dies including low and high workfunction semiconductor devices

Номер патента: US12069862B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with inner spacer

Номер патента: US20230299204A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi-On CHUI,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394889A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20200303494A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20110215418A1. Автор: Miho Watanabe,Wataru Saito,Syotaro Ono,Shunji Taniuchi,Munehisa Yabuzaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Epitaxial Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230068065A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US12040333B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Satoshi Yoshimoto,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito,Marina Hiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor Device Including First and Second Semiconductor Elements

Номер патента: US20130146971A1. Автор: Franz Hirler,Ulrich Glaser,Christian Lenzhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-06-13.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: WO2016042330A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230018480A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Po-Yu Lin,Wei-Han Fan,Tzu-Hua Chiu,Kuan-Hao CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20230207625A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: EP4404267A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Epitaxial structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US12074068B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Winnie Victoria Wei-Ning Chen,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device structure with nanostructure and method for forming the same

Номер патента: US20220238647A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Ching-Wei Tsai,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of evaluating semiconductor device and apparatus for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20170108545A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: EP3195369A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2017-07-26.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Nitride-based semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12034051B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having nanosheet transistor and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220320283A1. Автор: Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200388671A1. Автор: Toshihiro Okuda,Mizue Kitada,Gotaro TAKEMOTO. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9196722B2. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20190305126A1. Автор: Toru Oka,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160322491A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222500A1. Автор: Takeshi Ishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120034744A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140312416A1. Автор: Masanori Fukui,Nobuki Miyakoshi. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141239A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Edge termination structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4218057A1. Автор: Edward Robert Van Brunt,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11769837B2. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20220165877A1. Автор: Yung-Han Chen,Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12062651B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Masaaki Iwai,Akira Yoshioka,Masaaki Onomura,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno,Naonori HOSOKAWA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Devices and Methods for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200365723A1. Автор: Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20210143081A1. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014178335A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and process for production thereof

Номер патента: US20050179054A1. Автор: Takayuki Toyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230299144A1. Автор: Shinichiro Matsunaga. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263775A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049069A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US20240297214A1. Автор: Bo Gao,Fei Hu,Yunbin GAO,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and driving method of semiconductor device

Номер патента: US7508035B2. Автор: Masanao Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20200287012A1. Автор: Toru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12033895B2. Автор: Chun-Hung Lee,Shih-Chiang Chen,Hsiu-Hao Tsao,Tze-Chung Lin,Chung-Shu WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method (and related apparatus) for forming a semiconductor device with reduced spacing between nanostructure field-effect transistors

Номер патента: US12034004B2. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Zhi-Chang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263156A1. Автор: Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor Device with Field Plate and Method

Номер патента: US20080296694A1. Автор: Jan Sonsky. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20210288177A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

SYSTEM FOR DESIGNING A SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE MADE, AND METHOD OF USING THE SYSTEM

Номер патента: US20160035715A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,CHOU WEN-SHEN. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SYSTEM FOR DESIGNING A SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE MADE, AND METHOD OF USING THE SYSTEM

Номер патента: US20180323182A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,CHOU WEN-SHEN. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US6773936B2. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of reducing low-frequency noise for semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20030087508A1. Автор: Mikio Fujiwara,Makoto Akiba. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140091316A1. Автор: Toshihide Kikkawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148948A1. Автор: Younghwan Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Jaejoon Oh,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Group III-V Semiconductor Device with Strain-Relieving Layers

Номер патента: US20160233327A1. Автор: Scott Nelson,Brett Hughes,Ronald H. Birkhahn. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: GB2603681A. Автор: Nakamura Keisuke,YAGYU Eiji,YOSHITSUGU Koji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, power unit, and amplifier

Номер патента: US20180090595A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10483276B2. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230274999A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240249994A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Chia-Kuei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor Device and Method of Forming Air Gap Adjacent to Stress Sensitive Region of the Die

Номер патента: US20130093068A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method of generating layout and method of manufacturing semiconductor devices using same

Номер патента: US20190131139A1. Автор: Dong Hyun Kim,Sung Keun Park,Byung Sung Kim,Ho Jun Choi,In Wook OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Thin semiconductor device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20160284628A1. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semicondcutor package and method of dicing semiconductor device

Номер патента: US20200203270A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chien-Ling Hwang,Hsin-Hung Liao,Sung-Yueh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

A taped semiconductor device, a method and an apparatus for producing the same

Номер патента: WO2016064351A1. Автор: Wansheng Lin. Владелец: Super Components (Singapore) Pte Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Stacked semiconductor device

Номер патента: US20240274578A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20190341368A1. Автор: Chih-Pin Hung,Chih-Yi Huang,Ian HU,Ming-Han WANG,Tsun-Lung HSIEH. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor Device Structures for Bipolar Junction Transistors and Methods of Fabricating Such Structures

Номер патента: US20080003757A1. Автор: Louis Lu-Chen Hsu,Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12068165B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230238295A1. Автор: Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US20040167656A1. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-26.

Production managing system of semiconductor device

Номер патента: US6711453B2. Автор: Keizo Yamada,Yousuke Itagaki,Takeo Ushiki,Tohru Tsujide. Владелец: Fab Solutions Inc. Дата публикации: 2004-03-23.

Semiconductor device and method of integrating power module with interposer and opposing substrates

Номер патента: US20240072008A1. Автор: Yusheng Lin,Mingjiao Liu,Jinchang ZHOU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4290584A1. Автор: Qian Zhao,Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Loucheng DAI,Chaofan SONG,Lianghao WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688863C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device and Method of Forming RF FEM and RF Transceiver in Semiconductor Package

Номер патента: US20120319302A1. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Bumpless semiconductor device

Номер патента: US20040217460A1. Автор: Yukio Yamada,Masayuki Nakamura,Hiroyuki Hishinuma. Владелец: Sony Chemicals Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394888A1. Автор: Luca DE-MICHIELIS,Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: EP4394881A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Elizabeth BUITRAGO,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: WO2010100577A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC. Дата публикации: 2010-09-10.

Molding apparatus and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US12011859B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230282534A1. Автор: Takumi Shigemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186308A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Ming-Yu Yen,Hung-Chih Chen,Chin-Wei Liang,Kai-Fung Chang,Sheng-Feng Weng,Yi-Yang Lei,Hung-Chou LIAO,Cheyu LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device package with vertically stacked passive component

Номер патента: US20240258288A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141238A1. Автор: Boni Kofi Boksteen,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

A die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP3754703A1. Автор: Mr. Paolo CREMA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-23.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Die attachment method for semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20200402895A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: WO2024141212A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Luca De Michielis,Babak NIKBERG. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Field-controlled high-power semiconductor devices

Номер патента: WO1999065082A1. Автор: Jian H. Zhao. Владелец: Rutgers, the State University. Дата публикации: 1999-12-16.

Semiconductor device structure with fine boron nitride spacer patterns and method for forming the same

Номер патента: US20220037155A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230307445A1. Автор: Masayuki Hanaoka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230269868A1. Автор: Tomomi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die on a Fan-Out WLCSP

Номер патента: US20150001709A1. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275132A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20180076106A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Detection of force applied by pick-up tool for transferring semiconductor devices

Номер патента: US11756810B1. Автор: Daniel Brodoceanu,Pooya Saketi,Oscar Torrents Abad,Ali Sengül. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11735411B2. Автор: Eiichi Yamamoto,Takahiko Mitsui,Tsubasa Bando. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor Device and Power Conversion Device

Номер патента: US20210091217A1. Автор: Mutsuhiro Mori,Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Three-Dimensional Vertically Oriented Integrated Capacitors

Номер патента: US20110233726A1. Автор: Rui Huang,Heap Hoe Kuan,Seng Guan Chow,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20030155658A1. Автор: Valery Ioffe,Askhad Maksutov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-21.

Substrate for semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020177328A1. Автор: Kimihiro Sasaki,Tomonobu Hata,Akira Kamisawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266310A1. Автор: Tsuyoshi Tanigaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087760B2. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20140315352A1. Автор: Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240312976A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035840A1. Автор: Tomoko Matsudai,Bungo Tanaka,Yuuichi OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20160118491A1. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor devices

Номер патента: WO2006080413A3. Автор: Hiroyuki Ueda,Masahiro Sugimoto,Tsutomu Uesugi,Narumasa Soejima,Tetsu Kachi. Владелец: Tetsu Kachi. Дата публикации: 2006-10-19.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199781A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056273A1. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Enhancement-mode semiconductor device

Номер патента: US20220199780A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Hetero-Junction Semiconductor Device And Method of Manufacturing a Hetero-Junction Semiconductor Device

Номер патента: US20160343841A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240243177A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240297227A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266429A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Masanao Ito,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same

Номер патента: NZ549359A. Автор: Igor Sankin,Janna B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160380093A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20030030058A1. Автор: Katsumi Satoh,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: NL2021436B1. Автор: NAKAMURA Hideyuki,Ito Hirokazu,Matsuzaki Yoshifumi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: NL2035068A. Автор: NAKAMURA Hideyuki,ABE Sho. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Semiconductor device, semiconductor device fabrication method, and electronic device

Номер патента: US20230275001A1. Автор: Kozo Makiyama,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Junya Yaita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and voltage transfer unit

Номер патента: US20170330886A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230014283A1. Автор: Tetsuya Shoji,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20220278194A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20130062611A1. Автор: Mayumi Morizuka,Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194772A1. Автор: Qiyue Zhao,Zhiwen DONG,Shaopeng CHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device, fabrication method, and electronic device

Номер патента: EP3958295A1. Автор: Weibin Chen,Zilan Li,Shuxin Zhang. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2584273C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Магомед-Али Вахаевич Зубхаджиев,Асламбек Идрисович Хасанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Чеченский государственный университет (ФГБОУ ВПО Чеченский государственный университет). Дата публикации: 2016-05-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230101385A1. Автор: Shingo KABUTOYA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240206173A1. Автор: Tatsunori Isogai,Shunsuke Okada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12021122B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Electrical test structure to detect stress induced defects using diodes

Номер патента: US20100032670A1. Автор: Yuguo Wang,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203861A1. Автор: Tadayuki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20100155933A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US20050006744A1. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Package for semiconductor devices

Номер патента: US7696617B2. Автор: Tadashi Kodaira,Jyunichi Nakamura,Shunichiro Matsumoto,Kazuhiko Ooi,Eisaku Watari. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device testing apparatus and semiconductor device manufacturing method using it

Номер патента: US20020033707A1. Автор: Hideo Miura,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Naoto Ban,Hiroya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20080296723A1. Автор: Akira Fujiwara,Masayuki Ito,Katsuhiro Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Infrared-based metrology for detection of stress and defects around through silicon vias

Номер патента: US20150226681A1. Автор: Ming Lei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8293563B2. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: EP2873094A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-20.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: WO2014011638A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US8659018B2. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and integrated semiconductor device

Номер патента: US20110297932A1. Автор: Masami Kuroda,Gaku Shimada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device including stress-inducing layer and method of forming the same

Номер патента: KR20200000954A. Автор: 이정민,박정환,김영현,이동규,홍경일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-06.

Semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: RU2544887C2. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Масанори ОГУРА,Тецунобу КОТИ,Масаси КИТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-03-20.

Light-emitting diode semiconductor device in casing for surface wiring

Номер патента: RU2267188C2. Автор: С.П. Черных,Г.В. Федорова. Владелец: Черных Сергей Петрович. Дата публикации: 2005-12-27.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for inspecting semiconductor device structure

Номер патента: US20190101586A1. Автор: Baohua Niu,Chi-Chun Lin,Chia-Nan Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and lead frame assembly/lead frame for making a semiconductor device

Номер патента: US20020047194A1. Автор: Yuichi Douki,Hideshi Hanada,Jun Sugimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Mounting structure and method of mounting semiconductor device

Номер патента: US20010040791A1. Автор: Fumio Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor Device and Manufacturing Method for Semiconductor Device

Номер патента: US20240234359A9. Автор: Takayuki Oshima,Osamu Ikeda,Naoki Sakurai,Takuma Hakuto. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Method for operating an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20210385918A1. Автор: Uli Hiller,Martin Moritz,Sebastian Stigler,Benjamin Höflinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US6232146B1. Автор: Warren M. Farnworth,Walter L. Moden,Larry D. Kinsman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: GB9323785D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-05.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device, semiconductor body and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1604401A1. Автор: Josephus A. A. Den Ouden. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-12-14.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20170133567A1. Автор: Koichi Fukasawa. Владелец: Citizen Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290759A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and light emitting element package including same

Номер патента: US12057537B2. Автор: Sang Youl Lee,Ji Hyung Moon,Ki Man Kang,Yoon Min JO. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including combed bond pad opening, assemblies and methods

Номер патента: US20010050845A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Radiation hardened semiconductor devices and packaging

Номер патента: US20230387079A1. Автор: Chong Leong Gan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213300A1. Автор: Isaya Sobue,Hideyuki Komuro. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor device package

Номер патента: US20070096343A1. Автор: Dong Kim,Jin Park,Young Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160365419A1. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20220223609A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234637A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Mirng-Ji Lii,Chen-En Yen,Chin-Wei Kang,Cheng-Jen Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170069769A1. Автор: Yoshiaki Yamamoto,Tsuyoshi Horikawa,Tohru Mogami,Keiji Sakamoto,Keizo Kinoshita,Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20010013646A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-16.

Low profile reinforced package-on-package semiconductor device

Номер патента: WO2016100304A1. Автор: Dong Wook Kim,Hong Bok We,Young Kyu Song,Kyu-Pyung Hwang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-23.

Embedded type package of power semiconductor device

Номер патента: US6455929B1. Автор: C. G. Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20040173885A1. Автор: Motonobu Nishimura,Katsuhiko Shishido,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device and dc-to-dc converter

Номер патента: US20110156678A1. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Detecting sudden changes in acceleration in semiconductor device or semiconductor packaging containing semiconductor device

Номер патента: US20140346619A1. Автор: Timothy M. Sullivan,Benjamin J. Pierce,Stephen P. Ayotte,Heather M. TRUAX. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Stacked chip scale semiconductor device

Номер патента: US20240243101A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device connector, semiconductor device carrier, semiconductor device socket using the same and probe card

Номер патента: US20060138641A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Semiconductor device package

Номер патента: US20240222285A1. Автор: Sang Youl Lee,Eun Dk LEE,Ki Man Kang. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20160293564A1. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device housing plural stacked semiconductor elements

Номер патента: US20040178485A1. Автор: Jun Nakai,Tomokazu Otani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and equipment

Номер патента: US20240006389A1. Автор: Hiroaki Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4148782A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler,Jerry Rudiak. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device package

Номер патента: US7629685B2. Автор: Dong Jin Kim,Jin Woo Park,Young Bok Yoon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US10276464B2. Автор: Yasutaka Shimizu,Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021165309A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Höppel,Fabian Kopp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Active protection circuits for semiconductor devices

Номер патента: US20230275042A1. Автор: Michael A. Smith,Kenneth W. Marr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device packages including thermally insulating materials and methods of making and using such semiconductor packages

Номер патента: US20140327130A1. Автор: JIAN Li,Shijian Luo,Steven Groothuis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device, method for manufacturing same and portable device

Номер патента: US20020045292A1. Автор: Kenji Iida,Atsunori Kajiki. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274513A1. Автор: Yasufumi Matsuoka,Kenichi Yoshimochi,Koshun SAITO,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266277A1. Автор: Yoshiaki Aizawa,Katsuhiro TAKAO,Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130087876A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2009093623A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hidekazu Takahashi,Hiroki Adachi,Daiki Yamada,Yohei Monma. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and power management ic

Номер патента: US20230361092A1. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US12015020B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and power management IC

Номер патента: US11742336B2. Автор: Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140054757A1. Автор: Takayuki Hirose,Toshiyuki Kojima,Norihito Tsukahara,Keiko Ikuta,Kohichi Tanda,Lianji Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Stacked semiconductor device including esd protection circuits and method of fabricating the stacked semiconductor device

Номер патента: US20130009278A1. Автор: Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Power semiconductor device

Номер патента: US10553559B2. Автор: Takayuki Yamada,Takao Mitsui,Masaru Fuku,Ryuichi Ishii,Noriyuki Besshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20120018762A1. Автор: Osamu Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Multistage coupling semiconductor carrier, semiconductor device using the semiconductor carrier

Номер патента: US6194787B1. Автор: Naoji Senba,Kazuyuki Mikubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240203970A1. Автор: Hiroshi Nakaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor Device and Switching Circuit

Номер патента: US20150171070A1. Автор: Masayuki Hanaoka. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20030052394A1. Автор: Namiki Moriga,Yasuhito Suzuki,Akira Takaki,Hiroshi Horibe,Fumiaki Aga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device and inspection method thereof

Номер патента: US20090009208A1. Автор: Yoichi Okumura. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, apparatus for manufacturing semiconductor device, and method for evaluating semiconductor device

Номер патента: US20110240846A1. Автор: Yasutaka Takeuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Light emitting device, semiconductor device, and method of manufacturing the devices

Номер патента: US20020056841A1. Автор: Koichi Miyazaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435851A2. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321674A1. Автор: Chi-Yuan Chen,Shih-Chin Lin,Pu-Shan Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180366414A1. Автор: Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20240213360A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Yasuhiro Nakasha,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180308826A1. Автор: Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20200052573A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Takashi Masuhara,Mamoru Kamikura,Kodai Katagiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240170354A1. Автор: Yasutaka Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222255A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Light-emitting semiconductor device, optoelectronic component, projection device and electronic device

Номер патента: WO2023247720A1. Автор: Joerg Erich Sorg,Bilal SAIF. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20140042585A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US11914940B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20240193343A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and system and method of crystal sharing

Номер патента: WO2007145653A2. Автор: Michael R. May,Marcus William May. Владелец: SIGMATEL, INC.. Дата публикации: 2007-12-21.

Semiconductor device and method of controlling the same

Номер патента: US7859915B2. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device, control system, and synchronization method

Номер патента: US20180159540A1. Автор: Hitoshi Suzuki,Hiromichi Yamada,Teppei Hirotsu,Akihiro YAMATE,Yoichi Yuyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240147705A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Hae Won Choi,Yun Sang Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US20190389368A1. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US10615789B1. Автор: Nobutake Taniguchi,Tatsuya Uda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US10766405B2. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

System for designing a semiconductor device, device made, and method of using the system

Номер патента: US20210200929A1. Автор: Jaw-Juinn Horng,Yung-Chow Peng,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods, apparatus and systems for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices

Номер патента: US20050156618A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

Vanadyl and vanadate for use in reducing stress-induced metabolic derangement

Номер патента: US20230241078A1. Автор: Josephus Johannes De Kimpe,Lekhram Changoer,Hendrik Jan Cornelis Meijerink. Владелец: CFM Pharma Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Biomarkers for Efficacy of Prophylactic Treatments Against Stress-Induced Affective Disorders

Номер патента: US20230285322A1. Автор: Christine Ann DENNY,Josephine Cecelia MCGOWAN,Michael KIEBISH. Владелец: Research Foundation for Mental Hygiene Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Compositions and Methods for the Prevention and Treatment of Stress-Induced Fear, Depressive-Like and Anxiety-Like Behavior

Номер патента: US20240238379A1. Автор: Christine A. Denny,Briana K. Chen. Владелец: Research Foundation for Mental Hygiene Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for measuring biaxial stress in a body subjected to stress inducing loads

Номер патента: US4033182A. Автор: Wayman N. Clotfelter. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1977-07-05.

Apparatus and methods for applying stress-induced offset compensation in sensor devices

Номер патента: US8215177B2. Автор: Todd F. Miller,David A. Hayner. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-10.

Integration of stress decoupling and particle filter on a single wafer or in combination with a waferlevel package

Номер патента: US20200331748A1. Автор: Bernhard WINKLER,Christian Geissler,Florian Brandl,Robert Gruenberger,Claus Waechter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Correction for stress induced leakage current in dielectric reliability evaluations

Номер патента: US20150061724A1. Автор: Ernest Y. Wu,Steven W. Mittl. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of testing semiconductor devices and system for testing semiconductor devices

Номер патента: US20180188311A1. Автор: Oh Song Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Dynamic trim selection based on operating voltage levels for semiconductor devices and associated methods and systems

Номер патента: US20220238166A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US7109740B2. Автор: Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Cheng Chieh Lee,Kuei Lin Huang,Yong Liang Chen,Jui Liang Wang,Pao Ta Chien,Hsiang-Han Kung,Chao Hsiung Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-09-19.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Method for retesting semiconductor device

Номер патента: US20060022697A1. Автор: Yong Chen,Cheng Lee,Jui Wang,Chiu-Cheng Lin,Chin-Chen Chuan,Hsiang-Han Kung,Kuei Huang,Pao Chien,Chao Hwu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Voltage fluctuation estimating method and apparatus, semiconductor device operation verification apparatus, semiconductor device designing method, printed circuit board designing method, and program

Номер патента: US20100023909A1. Автор: Yasuo Kouzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192263A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Sivakumar Nadarajan,Amit K. Gupta,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Compositions and methods for the prevention of stress-induced fear, depressive-like and anxiety- like behavior

Номер патента: EP4132496A1. Автор: Christine A. Denny,Briana K. Chen. Владелец: Research Foundation for Mental Hygiene Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20190284044A1. Автор: Guangcai Fu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: US20240192267A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Test board for semiconductor devices

Номер патента: US20240094283A1. Автор: Ho Nam KIM,Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386399A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,PRASANTH Sundararajan,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Managing data reliability in semiconductor devices

Номер патента: US12067267B2. Автор: Shih-Chou Juan,Wei-Yan Jang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US20090285214A1. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

System controller, semiconductor device, and method of testing interface

Номер патента: US8488606B2. Автор: Kenji Uchida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: EP4417984A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for placing semiconductor devices in consideration of distance information from macro device

Номер патента: US20240249060A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20010054710A1. Автор: Masahiro Tanaka,Isao Asaka,Shigeru Takada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Estimating a property of a semiconductor device using a quantum computing device

Номер патента: WO2024096767A1. Автор: Rui Hou,Ahsan Javed AWAN,Anders WINKA. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2024-05-10.

A method for predicting a lifetime of a power semiconductor device

Номер патента: WO2024175541A1. Автор: Michal Orkisz,Marcin Firla,Erald Pjetri. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Sensor semiconductor device

Номер патента: US20200064295A1. Автор: Frederik Willem Maurits Vanhelmont,Nebojsa NENADOVIC,Dimitri Soccol,Micha IN'T ZANDT. Владелец: Sciosense BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device for adjusting threshold value shift due to short channel effect

Номер патента: US20040113649A1. Автор: Jörg Berthold,Rafael Guardia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-17.

SYSTEM FOR DESIGNING A SEMICONDUCTOR DEVICE, DEVICE MADE, AND METHOD OF USING THE SYSTEM

Номер патента: US20140042585A1. Автор: HORNG Jaw-Juinn,Peng Yung-Chow,CHOU WEN-SHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for surgical management of stress-induced urinary incontinence in females of reproductive age with use of collost collagen material

Номер патента: RU2567329C1. Автор: Альфия Галимовна Ящук,Ильнур Ирекович Мусин,Альбина Гайнулловна Имельбаева,Раиса Аркадьевна Нафтулович,Елена Михайловна Попова. Владелец: Ильнур Ирекович Мусин. Дата публикации: 2015-11-10.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2581418C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова". Дата публикации: 2016-04-20.

Thermosetting resin composition and method making protective coating for semiconductor devices

Номер патента: RU2391361C2. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2506660C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2014-02-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Thermoelectric semiconductor device for local carvenous hypothermia

Номер патента: RU2343883C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Гарун Ильясович Аминов,Гарун Иль сович Аминов,Тамила Арслановна Рагимова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-01-20.

Device for encapsulating semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: RU2066898C1. Автор: Ю.П. Смирнов,А.Д. Сидоренко,В.Ф. Дибров,В.И. Самохвалов. Владелец: Сидоренко Александр Дмитриевич. Дата публикации: 1996-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.