Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US9117777B2
Опубликовано: 25-08-2015
Автор(ы): Benjamin Vincent, Geert Eneman
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2020250612A1. Автор: 増田　健良. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods for Manufacturing a MOSFET

Номер патента: US20190081158A1. Автор: Maik Stegemann,Manfred Pippan,Andreas Riegler,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-03-14.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150372094A1. Автор: Horii Taku,Kijima Masaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing mosfet on semiconductor device

Номер патента: US20070161212A1. Автор: Young Seong Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-12.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09704743B2. Автор: Shunsuke Yamada,Tetsuya Hattori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09508799B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR102293862B1. Автор: 박재영,심현준,이선영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device by selectively removing silicon from silicon carbide substrate to form protective carbon layer on silicon carbide substrate for activating dopants

Номер патента: US09659773B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660073B1. Автор: Chih-Wei Lin,Pi-Kuang Chuang,Chao-Wei Wu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing a recessed semiconductor device

Номер патента: US4642880A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Syunzi Yokogawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Methods for manufacturing devices and semiconductor devices (rear power rails and distribution networks for density scaling)

Номер патента: JP2023097349A. Автор: Zhao Kai,GHOSH Somnath,Mukesh Sagarika,Chu Albert,Dechao Guo,Huiming Bu,Ruilong Xie,Kisik Choi,ルイロン シエ,キシク チョイ,ソムナス ゴーシュ,サガリカ ムケシュ,アルバート チュー,アルバート エム． ヤング,バラスブラマニアン エス． プラナサーシハラン,フイミン ブ,カイ ザオ,ジョン クリストファー アーノルド,ブレント エイ． アンダーソン,デカオ グオ,A Anderson Brent,M Young Albert,S Pranatharthiharan Balasubramanian,Christopher Arnold John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-07.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming silicon oxide film and for manufacturing capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20070218637A1. Автор: Yoshiko Harada,Naotada Ogura. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8866223B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-21.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US8853779B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187480A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Process for manufacturing a power semiconductor device having charge-balance columnar structures on a non-planar surface, and corresponding power semiconductor device

Номер патента: US20120187479A1. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio,Alfio Guarnera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-07-26.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Flexible semiconductor device, method for manufacturing the same, image display device using the same and method for manufacturing the image display device

Номер патента: US20130168681A1. Автор: Takeshi Suzuki,Koichi Hirano,Shinobu Masuda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Power semiconductor device with alternating source region and body contact region and manufacturing method thereof

Номер патента: US11056575B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Metal Rail Conductors For Non-Planar Semiconductor Devices

Номер патента: US20240379854A1. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Lei-Chun Chou,Charles Chew -Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170534A1. Автор: Chien-Hung Lin,Zhi-Chang Lin,Chien-Ning YAO,Ko-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226495A1. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: TW201613092A. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2016-04-01.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3200236A4. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160372370A1. Автор: YAMADA Shunsuke,HATTORI Tetsuya. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8877656B2. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-04.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120261677A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Takeshi Tawara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09954073B2. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170012109A1. Автор: Jun Sakakibara,Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Nozomu Akagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Methods for fabricating electrically-isolated finfet semiconductor devices

Номер патента: US20140213033A1. Автор: David P. Brunco,Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Method for fabricating a thin film semiconductor device

Номер патента: US5637512A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka,Thomas W. Little. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1997-06-10.

Method for manufacturing SIC semiconductor device

Номер патента: US20080318400A1. Автор: Hiroki Nakamura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2584594A4. Автор: Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Satomi Itoh,Hiromu Shiomi,Mitsuru Shimazu,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-07-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2584594A1. Автор: Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Satomi Itoh,Hiromu Shiomi,Mitsuru Shimazu,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN102959690A. Автор: 增田健良,盐见弘,玉祖秀人,宫崎富仁. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160064490A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3336879A1. Автор: Yusuke Fukuda,Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240655A1. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6178106B2. Автор: 富仁 宮崎,宮崎　富仁,誓行 岡本. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-09.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8846488B2. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130093041A1. Автор: Huaxiang Yin,Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Thin-film semiconductor device, display apparatus, and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130075745A1. Автор: Sadayoshi Hotta,Arinobu Kanegae. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240188272A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194788A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chien-Wei Lee,Chien-Chang Su,Yan-Ting Lin,Bang-Ting Yan,Chih Teng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240266169A1. Автор: Chul Joo Hwang. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11967648B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230050036A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420568A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420569A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Recycle wafer of silicon carbide and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Metal rail conductors for non-planar semiconductor devices

Номер патента: US12113132B2. Автор: Wei-Hao Wu,Ru-Gun Liu,Chia-Hao Chang,Chih-Ming Lai,Kuo-Cheng Chiang,Ching-Wei Tsai,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Yi-Hsiung Lin,Charles Chew-Yuen Young,Lei-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nanosheet semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11942550B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Chih-Chiang Chang,Chien-Wei Lee,Chien-Chang Su,Yan-Ting Lin,Bang-Ting Yan,Chih Teng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Semiconductor element, method for fabricating the same, and semiconductor device including the same

Номер патента: US09450064B1. Автор: Byung Jin Cho,Hyun Jun Ahn,Jung Min Moon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film semiconductor and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6291275B1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-18.

Thin film semiconductor and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6458637B1. Автор: Takeshi Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180108730A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: KR101851821B1. Автор: 아르스 크리슈토프 폰. Владелец: 에이비비 슈바이쯔 아게. Дата публикации: 2018-06-11.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6773198B1. Автор: 泰之 河田,誠 内海,内海　誠,河田　泰之,亜樹 瀧川. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Power semiconductor devices and methods for manufacturing such power semiconductor devices

Номер патента: JP6873865B2. Автор: ムナフ・ラヒモ,シャラランポス・パパドポウロス. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-05-19.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN103518252A. Автор: C.冯阿尔斯. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-01-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11862686B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120009801A1. Автор: Masayuki Imaizumi,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20120184092A1. Автор: Hiromu Shiomi,Naoki Ooi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING SAID THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20190006525A1. Автор: Takahashi Eiji,URAOKA Yukiharu,YAMAZAKI Haruka,FUJII Mami. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3491903B2. Автор: 光敏 宮坂. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Thin film transistor, method for manufacturing same and semiconductor device comprising said thin film transistor

Номер патента: TW201727762A. Автор: Eiji Takahashi,Yukiharu Uraoka,Haruka Yamazaki,Mami Fujii. Владелец: Nat Univ Corp Nara Inst Of Science And Tech. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3298472B2. Автор: 和夫 山岸,英子郎 坂井,晴城 坂口,秀幸 徳野. Владелец: 関西日本電気株式会社. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2792551A1. Автор: Hiromu Shiomi,Naoki Ooi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4784955B2. Автор: 光紀 蕨迫,良高 山元,浩之 阿部,保久 小穴,正清 松村,秀夫 小関. Владелец: 株式会社 液晶先端技術開発センター. Дата публикации: 2011-10-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8765557B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-07-01.

Thin film transistor, method for manufacturing same and semiconductor device comprising said thin film transistor

Номер патента: US10475934B2. Автор: Eiji Takahashi,Yukiharu Uraoka,Haruka Yamazaki,Mami Fujii. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2019-11-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device having trench

Номер патента: US9793365B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Lateral short-channel dmos, method for manufacturing same and semiconductor device

Номер патента: EP1571711A1. Автор: Makoto Factory of Shindengen KITAGUCHI. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4911263B2. Автор: 寿一 谷岡,壮之 古橋,昌之 今泉. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: KR100402548B1. Автор: 야스히로 가나야,마사후미 구니이. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing an ldd semiconductor device

Номер патента: EP0197738B1. Автор: Riichirou C/O Patent Division Aoki,Katsuya C/O Patent Division Okumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-08-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing in a semiconductor device a low resistance via without a bottom liner

Номер патента: US09559051B1. Автор: Zhigang Song,Junjing Bao,Yunsheng Song,Yongchun Xin,Jang H. Sim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for fabricating air gap for semiconductor device

Номер патента: US7803713B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-09-28.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060223274A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09966437B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09806167B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2023052355A1. Автор: Lars Knoll,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-04-06.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Nakanishi Yosuke,NOGUCHI Tomoaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170170281A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170243948A1. Автор: Hideto Tamaso,Shunsuke Yamada,So Tanaka,Takahiro Matsui. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

SIC SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PN JUNCTION INTERFACE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237558A1. Автор: Imaizumi Masayuki,Hamada Kenji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US20180286963A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-10-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7182850B2. Автор: 誠 内海,泰彦 大西,直之 大瀬. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-05.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6780414B2. Автор: 光央 岡本,憲司 福田,岳志 堤,幹 荒岡,巻渕　陽一,陽一 巻渕,堤　岳志,岡本　光央,福田　憲司. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107039268B. Автор: 胁本节子,岩谷将伸. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP7001364B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN108604552B. Автор: A.米海拉,H.巴托夫,M.拉伊莫,L.诺尔,R.米纳米萨瓦. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-22.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6472776B2. Автор: 節子 脇本,将伸 岩谷. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110176497B. Автор: R.鲁普,A.迈泽. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-06.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP7087280B2. Автор: 祐一 原田,伸一 仲俣,保幸 星,崇 椎木. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2016114057A1. Автор: 光央 岡本,直樹 熊谷,卓巳 藤本,泰彦 大西,憲司 福田,岳志 堤,信介 原田,善行 酒井,原田　信介,大西　泰彦,堤　岳志,岡本　光央,福田　憲司,熊谷　直樹. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9627487B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019044922A1. Автор: 龍太 鈴木,竹内　有一,侑佑 山下,周平 箕谷,愛子 梶. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2017092940A1. Автор: Munaf Rahimo,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Renato Minamisawa,Holger Bartolf. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140057424A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140073116A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013858A1. Автор: Hori Tsutomu,Wada Keiji,Itoh Hironori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160056040A1. Автор: Shunsuke Yamada,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293423A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku,YAMADA Shunsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8999854B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Tomoaki Hatayama. Владелец: Nara Institute of Science and Technology NUC. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5500002B2. Автор: 剛 遠藤,剛 石川,淳 森本,行彦 渡辺,真一朗 宮原,高志 勝野,正樹 小西,広和 藤原,友生 森野. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-05-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5900243B2. Автор: 増田　健良,健良 増田,健二 平塚,雄 斎藤. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2018142744A1. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09842738B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Hiroaki Okabe,Yosuke Nakanishi,Takaaki TOMINAGA,Motoru YOSHIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027576B2. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20190326231A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-10-24.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US20210335730A1. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-10-28.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11075172B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-07-27.

Method for producing an SGT-including semiconductor device

Номер патента: US09514944B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8518756B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Methods of curing a dielectric layer for manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US09923077B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Yoon-Tae Hwang,Moon-Kyu Park,Ki-joong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US8168518B2. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Silicon carbide semiconductor device, inverter circuit using the same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230378292A1. Автор: Junichi Uehara,Yusuke Hayama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210091187A1. Автор: Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11862464B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Process for manufacturing a strained semiconductor device and corresponding strained semiconductor device

Номер патента: US11837558B2. Автор: Santo Alessandro Smerzi,Crocifisso Marco Antonio Renna,Giuseppe D'Arrigo,Michele Calabretta,Alessandro SITTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Multiple-Gate Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20150079753A1. Автор: Tung Ying Lee,Chien-Tai CHAN,Da-Wen Lin,Li-Wen Weng,Hsien-Chin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

MOS-driven semiconductor device and method for manufacturing MOS-driven semiconductor device

Номер патента: US09818845B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hitoshi Sumida,Takeyoshi Nishimura,Kin-On Sin,Chun-Wai Ng,Yoshiaki Toyada,Akihiko Ohi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210320005A1. Автор: Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09449823B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490258B2. Автор: Soo-Yeon Jeong,Tae-Jong Lee,Dong-gu Yi,Jae-Po Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US10109705B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Ultrahigh voltage resistor, semiconductor device, and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20160181351A1. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Strained semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: GB2418533A. Автор: Zoran Krivokapic,Daniel R Collopy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220102502A1. Автор: Shingo Ota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Naoki Matsumoto,Kyoko Okita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180096854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru,NISHIGUCHI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and apparatus for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Keiji Wada,Hideyuki Doi,Hironori Itoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11038019B2. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190237544A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144366A1. Автор: Young Ho Seo,Soo Chang Kang,Ha Yong YANG,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210313175A1. Автор: Keiji Wada,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor thin film and method for manufacturing same and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: KR970063787A. Автор: 아키하루 미야나가,준 고야마,순페이 야마자끼,타케시 후쿠나가. Владелец: 순페이 야마자끼. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020927B2. Автор: Keiji Wada,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device or display device including the same

Номер патента: US20170338107A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130075745A1. Автор: KANEGAE Arinobu,HOTTA Sadayoshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-28.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THICK TOP-METAL-DESIGN AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180012773A1. Автор: Kopta Arnost,Matthias Sven,Papadopoulos Charalampos,Corvasce Chiara. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190131388A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shiro Hino,Tomokatsu Watanabe,Yusuke Yamashiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350602A1. Автор: Rahimo Munaf,Knoll Lars,Minamisawa Renato,Mihaila Andrei,Bartolf Holger. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796886B. Автор: 和田圭司,西口太郎,日吉透,堀井拓,内田光亮. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-01.

Silicon carbide epitaxial substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7211456B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,透 日吉. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

MOS-driven semiconductor device and method for manufacturing MOS-driven semiconductor device

Номер патента: US9553185B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Hitoshi Sumida,Takeyoshi Nishimura,Kin-On Sin,Chun-Wai Ng,Yoshiaki Toyada,Akihiko Ohi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon-carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon-carbide semiconductor device

Номер патента: EP3021353A4. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN115004342A. Автор: 田中贵规,岩松俊明,永久雄一,川畑直之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-02.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190019868A1. Автор: Keiji Wada,Kenji Kanbara,Hironori Itoh,Takemi Terao,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD FOR MANUFACTURING A VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190214470A1. Автор: HARADA Hirofumi,OSUGA Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190355820A1. Автор: Hori Tsutomu,Wada Keiji,Itoh Hironori. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing STI of semiconductor device

Номер патента: KR100967666B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-07.

method for manufacturing in a semiconductor device

Номер патента: KR100379516B1. Автор: 정종완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104871288A. Автор: 北林弘之. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100961195B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-09.

Method for manufacturing single-tab semiconductor device

Номер патента: JP2632931B2. Автор: ピーター・ジェイ・ズデベル,ボーユアン・ファング,アレン・ジェイ・ワグナー. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2010101016A1. Автор: 健一 大塚,健一 浜野,信之 冨田,政良 多留谷. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2010-09-10.

Silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017043165A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP6268948B2. Автор: 光泰 掛布. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN102341893B. Автор: 富田信之,浜野健一,多留谷政良,大塚健一. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-25.

Silicon carbide epitaxial substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN112074928A. Автор: 堀勉,宫濑贵也. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-11.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: US20230042772A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for fabricating conductive feature and semiconductor device

Номер патента: US11842925B2. Автор: Yu-Chang Chang,Che-Hsien LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6287774B2. Автор: 光彦 酒井,弘之 北林. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for manufacturing contacts of semiconductor device

Номер патента: CN1356719A. Автор: 郑丞弼,秋昌雄,池京求,金智秀,徐相勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor array and method for manufacturing same, and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240186319A1. Автор: Zhi Zhang,Zhongwei LUO,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978651B2. Автор: Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Silicon carbide semiconductor device, power conversion device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing power conversion device

Номер патента: WO2018163593A1. Автор: 亘平 足立,裕 福井,梨菜 田中,勝俊 菅原,英之 八田. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for Manufacturing a Vertical Semiconductor Device and Vertical Semiconductor Device

Номер патента: US20150115356A1. Автор: Brandl Peter,Peri Matthias Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide semiconductor device, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107532327B. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Methods for manufacturing silicon carbide semiconductor device and power conversion device

Номер патента: WO2021161436A1. Автор: 史郎 日野,康史 貞松. Владелец: 三菱電機株式会社. Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160049485A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160056260A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,MAEYAMA Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor wafer including silicon carbide wafer and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210143070A1. Автор: Shuhei Mitani,Ippei Takahashi,Yukihiro Wakasugi,Shinya Takei,Haruhito ICHIKAWA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204220A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Sakai Mitsuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

METHOD FOR MANUFACTURING PILLAR-SHAPED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242028A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Method For Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Device

Номер патента: US20210358754A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu,Li Yisuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180363166A1. Автор: Hori Tsutomu,Wada Keiji,NISHIGUCHI Taro. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing sti of semiconductor device

Номер патента: KR100559675B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4535151B2. Автор: 剛 遠藤,英一 奥野,武雄 山本,正樹 小西. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2010-09-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5014749B2. Автор: 成久 三浦,直毅 油谷. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: JPH0748491B2. Автор: ブルース フリツィンガー ラリー,リー クオ―ファ,ル チー―ユァン,ソン ジャンマイ. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-05-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7135531B2. Автор: 一平 高橋,周平 箕谷,真也 武井,治人 市川,幸宏 若杉. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for Manufacturing Pad of Semiconductor Device

Номер патента: KR100292820B1. Автор: 이재구,정태영,고관협. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A4. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for manufacturing high voltage semiconductor device

Номер патента: KR100710188B1. Автор: 김정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-04-20.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for manufacturing a reliable semiconductor device using ECR-CVD and implanting hydrogen ions into an active region

Номер патента: US6071832A. Автор: Hiraku Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating contact plug in semiconductor device

Номер патента: US20080003798A1. Автор: Chang-Youn Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400290B1. Автор: 유용식,홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for manufacturing lines of semiconductor device

Номер патента: KR100688760B1. Автор: 박철수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-28.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400289B1. Автор: 홍권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-24.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100189979B1. Автор: 김의송. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-01.

Method for manufacturing of power semiconductor device

Номер патента: KR101916936B1. Автор: 이주환,우혁. Владелец: 현대오트론 주식회사. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for manufacturing an integrated semiconductor device

Номер патента: DE2238450C3. Автор: David F. Los Altos Calif. Allison (V.St.A.). Владелец: Scientific Micro Systems Inc. Дата публикации: 1980-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Transistor and method for manufacturing same, semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240179922A1. Автор: Wenyu HUA,Xilong Wang. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

High-voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09876069B1. Автор: Chih-Wei Lin,Keng-Yu Lin,Pao-Hao Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR BASE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180019307A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,FUKADA Yusuke. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US8975700B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-10.

Composite substrate, method for manufacturing composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR20230004728A. Автор: 히로유키 기노시타. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-06.

Composite substrate, method for manufacturing composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN115668443A. Автор: 木下博之. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-31.

Methods for manufacturing non-planar semiconductor devices having germanium-based active regions with a combined release-etch passivation step.

Номер патента: EP2901488B1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-21.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for crystallizing thin film, method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing electronic apparatus, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20120196395A1. Автор: Yoshio Inagaki,Katsuya Shirai,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Shin Hotta,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing thin film semiconductor device, method for manufacturing display, method for manufacturing thin film transistor, and method for forming semiconductor thin film

Номер патента: WO2000004572A1. Автор: Hisao Hayashi,Yasushi Shimogaichi,Masahiro Minegishi,Makoto Takatoku. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2000-01-27.

Method for manufacturing power semiconductor device having split-gate structure

Номер патента: WO2022095162A1. Автор: Zhi He,Paolo ORGANTINI,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Alessandro MONTAGNA,Junjie AN. Владелец: Wuxi Xichanweixin Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11588049B2. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3832733A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Semiconductor Device and Method For Manufacturing Same

Номер патента: US20210234041A1. Автор: Huajun JIN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2010046794A1. Автор: Anco Heringa,Jan Sonsky. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-04-29.

Silicon carbide substrate, silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Keiji Ishibashi,Tsutomu Hori,Yu Saitoh,Kosuke Uchida,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for controlling silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6711100B2. Автор: 山田　隆二,隆二 山田,学 武井. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-17.

Silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method for designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP3203528B1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-23.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, EL DISPLAY PANEL, AND EL DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20130075711A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130214290A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061675A1. Автор: Miura Naruhisa,Hino Shiro,Furuhashi Masayuki,Watanabe Tomokatsu,Tanioka Toshikazu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170032968A1. Автор: SUGAHARA Kazuyuki,OKABE Hiroaki,YOSHIDA Motoru,Nakanishi Yosuke,TOMINAGA Takaaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2017-02-02.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210091187A1. Автор: ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160225854A1. Автор: Wada Keiji,Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-04.

Field effect semiconductor device and method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: JP4907929B2. Автор: 景一 松下. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: CN103038887A. Автор: 林宏,河内玄士朗,川岛孝启. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4169072B2. Автор: 暁夫 町田,敏夫 藤野,正洋 河野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: CN103597602A. Автор: T·克劳森,M·拉希莫,A·科普塔,M·安登纳. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-02-19.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6988175B2. Автор: 民雅 呂,武志 俵,將昭 宮島,真樹 宮里. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Vertical semiconductor device, module and system each including the same, and method for manufacturing the vertical semiconductor device

Номер патента: US9177958B2. Автор: Min Soo Yoo,Seong Wan RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-11-03.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP7259215B2. Автор: 舜基 成田. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: WO2013021416A1. Автор: 玄士朗 河内,林　宏,孝啓 川島. Владелец: パナソニック液晶ディスプレイ株式会社. Дата публикации: 2013-02-14.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: CN103975422A. Автор: 六鎗広野,伊东浩二,小笠原淳. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Power semiconductor device and method for manufacturing the power semiconductor device

Номер патента: US8629498B2. Автор: Shuhei Nakata,Naruhisa Miura,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-01-14.

Thin film semiconductor device and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US20080054266A1. Автор: Akio Machida,Tadahiro Kono,Toshio Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Reverse conducting semiconductor device and method for manufacturing reverse conducting semiconductor device

Номер патента: US12002806B2. Автор: Koichi Nishi,Takahiro Nakatani,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190013198A1. Автор: NISHIGUCHI Taro,HIRATSUKA Kenji,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device Having a Reduced Oxygen Concentration

Номер патента: US20190035909A1. Автор: Schmidt Gerhard,Baumgartl Johannes,Schloegl Daniel,Kuenle Matthias,Lercher Erwin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160071949A1. Автор: Hiyoshi Toru. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Method for manufacturing isolation in semiconductor device

Номер патента: KR101004805B1. Автор: 문원. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-01-04.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100309136B1. Автор: 안성현,이덕형,임승무,조현룡,김송강. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-12.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: WO2020258865A1. Автор: 吴秉桓. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2020-12-30.

Method for manufacturing vertically integrated semiconductor device

Номер патента: US9911822B2. Автор: Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: EP3916767A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100587609B1. Автор: 채은철. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-06-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5072482B2. Автор: 成久 三浦,史郎 日野,潤 加藤,達夫 大森,永輔 ▲徳▼光. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN103988310A. Автор: 增田健良,日吉透,畑山智亮. Владелец: NAT UNIVERSITY CORP NARA I OF. Дата публикации: 2014-08-13.

Wafer and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: EP3916767A4. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6658406B2. Автор: 有一 竹内,佐智子 青井,克己 鈴木,竹内　有一,鈴木　克己,陽 天野,隆幸 里村. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP2596686B2. Автор: 基 晩 韓,チャング ホワン,ダグドン カン,永 帝 崔,宙 永 尹. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-02.

Lateral short-channel dmos, method for manufacturing same and semiconductor device

Номер патента: WO2005029590A1. Автор: Makoto Kitaguchi. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for manufacturing insulation film semiconductor device

Номер патента: KR100248352B1. Автор: 김형수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR102237433B1. Автор: 김동원,박재영,조근휘,강명길,하라다요시나오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4296633B2. Автор: 剛 遠藤,英一 奥野,邦彦 原,伸治 天野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: WO2022113187A1. Автор: 望 原田,賢一 金澤. Владелец: 賢一 金澤. Дата публикации: 2022-06-02.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Substrate for epitaxial growth, method for manufacturing the same, semiconductor device including the same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11978627B2. Автор: Binbin Li,Jiahao Zhang,Mingxin Chen,Bohsiang TSENG,Juiping LI,Yao Huo. Владелец: Fujian Jingan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for fabricating side contact in semiconductor device using double trench process

Номер патента: US20110129975A1. Автор: Sang-Oh Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device

Номер патента: EP1615260A3. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Roesner,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-23.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US12146092B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for fabricating storage electrode of semiconductor device

Номер патента: US7220641B2. Автор: Ki Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Structure in a substrate for the manufacturing of a semiconductor device and process for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: US20080009139A1. Автор: Thomas Hecht,Henry Bernhardt,Steffen Mueller,Kristin Schupke,Kevin Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160189955A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,IRSIGLER Peter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210066288A1. Автор: Rahimo Munaf. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A4. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Doping system, doping method and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190228971A1. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140051241A1. Автор: Takashi Tsuji,Fumikazu Imai,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170012109A1. Автор: AKAGI Nozomu,TAKEUCHI Yuichi,SAKAKIBARA Jun,MIZUNO Shoji. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150072486A1. Автор: TAKEUCHI Yuichi,SUGIYAMA Naohiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160133705A1. Автор: Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163817A1. Автор: Kubota Ryosuke,Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150279967A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing STI of semiconductor device

Номер патента: KR100480897B1. Автор: 이준현. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-04-07.

Method for manufacturing isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100382556B1. Автор: 정이선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for manufacturing isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100752219B1. Автор: 한상규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN113161232A. Автор: 小岛贵仁,大瀬直之. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-23.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device using damascene process

Номер патента: KR100675896B1. Автор: 김현정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: KR20150110339A. Автор: 타카히로 야마모토,요이치로 미타니,아키히토 오노,노부유키 토미타,켄이치 하마노. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-10-02.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2096669A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-09-02.

Method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230377893A1. Автор: Tadahiro Ishizaka,Shunji YAMAKAWA,Kohichi Satoh,Masato Sakamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09748140B1. Автор: Carsten Von Koblinski,Thomas Grille,Ursula Hedenig,Markus Ottowitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Optical semiconductor device and method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20200303903A1. Автор: Hideki Yagi,Takuo Hiratani,Naoko Konishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Optical semiconductor device and method for making the device

Номер патента: US09634185B2. Автор: Yang Qiu,Hugo Bender. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor capacitive element, method for manufacturing same and semiconductor device provided with same

Номер патента: US20030201484A1. Автор: Ken Ozawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Capacitor and method for fabricating the same and semiconductor device

Номер патента: US20030184950A1. Автор: Shunji Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

A method for fabricating isolation regions in semiconductor devices

Номер патента: DE3379700D1. Автор: Hiroshi C O Fujitsu Limit Goto,Akira C O Fujitsu Limit Tabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-05-24.

Method for fabricating metal plug of semiconductor device

Номер патента: TWI281725B. Автор: Jung-Geun Kim,Ki-Hong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-21.

And a method for manufacturing a laminated semiconductor device and a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI416689B. Автор: Kenichi Takeda,Kazuyuki Hozawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for manufacturing a repairable semiconductor device and repairable semiconductor device with a redundancy circuit

Номер патента: DE3937504C2. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-21.

Method for manufacturing contact of semiconductor device

Номер патента: KR100275341B1. Автор: 김진웅,김정호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for manufacturing inductor of semiconductor device

Номер патента: KR100800920B1. Автор: 문상태. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100594270B1. Автор: 김윤기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Method for manufacturing the mml semiconductor device

Номер патента: KR100316059B1. Автор: 조정호,문원. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for manufacturing dielectric-isolated semiconductor device

Номер патента: JPH0719836B2. Автор: 弘通 大橋,純一 大浦,優 新保,恒男 塚越. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100556535B1. Автор: 최치홍. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-06.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: KR102238755B1. Автор: 유성욱,노태문,김상기,구진근,박종문,박건식,임병원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2021-04-12.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431281B2. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for cell boundary encroachment and semiconductor devices implementing the same

Номер патента: US09530795B2. Автор: Scott T. Becker,Jonathan R. Quandt,Dhrumil Gandhi. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Structure and method for diminishing delamination of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09627299B1. Автор: Kyle Mitchell Flessner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20100248462A1. Автор: Munaf Rahimo,Jan Vobecky. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-30.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method and computing system for manufacturing three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20240213054A1. Автор: Sunghoon Kim,Youngsik OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Process and system for manufacturing an encapsulated semiconductor device

Номер патента: US20090011549A1. Автор: Agatino Minotti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for fabricating side contact in semiconductor device

Номер патента: US20120149205A1. Автор: Sung-Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display device, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor element, and semiconductor element

Номер патента: EP2079105A4. Автор: Yasumori Fukushima,Michiko Takei,Masao Moriguchi,Yutaka Takafuji,Kazuhide Tomiyasu,Steven Roy Droes. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-25.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100351241B1. Автор: Nam Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8749063B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210060818A1. Автор: Matsumoto Naoki,Okita Kyoko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Flexible semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP2312620A1. Автор: Seiichi Nakatani,Takashi Ichiryu,Koichi Hirano,Tatsuo Ogawa,Takeshi SAZUKI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180237942A1. Автор: Wada Keiji,Doi Hideyuki,Itoh Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Method for fabricating fine pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100363703B1. Автор: Min Kyung Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160163545A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2016-06-09.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140252376A1. Автор: Itoh Satomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE AND SYSTEM EACH INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140015034A1. Автор: RYU Seong Wan,YOO Min Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

BIPOLAR PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140034997A1. Автор: Kopta Arnost,Rahimo Munaf,Andenna Maxi,CLAUSEN Thomas. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-02-06.

INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180191337A1. Автор: ISHIDA Hiroshi,Masuda Shinichi,Yoshida Kenichi,Yoshiwatari Shinichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-05.

Bipolar punch-through semiconductor device and method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP2359404A1. Автор: Munaf Rahimo,Arnost Kopta,Ulrich Schlapbach. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2011-08-24.

Silicon carbide substrate, method for producing same, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016084561A1. Автор: 恭子 沖田,翼 本家. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2016-06-02.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JPWO2017199580A1. Автор: 吉田　健一,健一 吉田,裕司 石田,晋一 増田,増田　晋一,石田　裕司,新一 吉渡. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: CN108028646B. Автор: 吉田健一,石田裕司,增田晋一,吉渡新一. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor device having a conductive layer consisting of a high-melting point metal silicide and a method for manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE3373954D1. Автор: Katsuya Okumura,Tatsuzo Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-11-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190035684A1. Автор: Kawai Jun,Tomita Yosuke,NAGAYA Masatake. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170047423A1. Автор: Sojka Damian,Schmenn Andre. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

RECYCLE WAFER OF SILICON CARBIDE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220085172A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing electrode of semiconductor device

Номер патента: US20180102413A1. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Tamaso Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150287597A1. Автор: Kitabayashi Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Method for Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20170338306A1. Автор: Mauder Anton,Schulze Hans-Joachim,Huesken Holger,Roesner Wolfgang. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP5564763B2. Автор: 智幸 山崎. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for manufacturing a flash semiconductor device

Номер патента: KR100992783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 동부하이텍. Дата публикации: 2010-11-05.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100690996B1. Автор: 이승철,곽노열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device with a single crystal substrate

Номер патента: US8728877B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100762224B1. Автор: 김호웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2800137A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100361521B1. Автор: 김태균,장세억. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101231229B1. Автор: 김경철. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2013-02-08.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: KR100422342B1. Автор: 김태균,여인석,장세억,차태호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-10.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181375A1. Автор: Kubota Ryosuke,Masuda Takeyoshi,Horii Taku. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20180082851A. Автор: 이일형,김종규,김상국,공유철,윤혜지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170121850A1. Автор: Miyazaki Masayuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-04.

SOLID STATE IMAGE PICKUP APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150214263A1. Автор: YOSHIOKA HIROTAKA,NOJIMA KENTA,IKEDA Kenta,KOTOO Kengo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100670747B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244924B1. Автор: 박흥수,송재인,정승필,장규환. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012500A. Автор: 박인성,김경훈,박영욱,남갑진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device by simple step of forming dielectric layer and apparatus therefor

Номер патента: KR100450685B1. Автор: 원석준,정용국,권대진,윤명근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160181160A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09455197B2. Автор: Kazuo Kobayashi,Yoichiro Tarui,Hideaki Yuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

DOPING SYSTEM, DOPING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190228971A1. Автор: NAKAZAWA Haruo,IGUCHI Kenichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method for manufacturing pressure sensitive semiconductor device

Номер патента: ES374318A1. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1972-03-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2010205824A. Автор: Kazuhiro Tsuruta,和弘 鶴田,Jun Kawai,潤 河合. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5369762B2. Автор: 和弘 鶴田,潤 河合. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2006332357A. Автор: Takeshi Yamamoto,Jun Kawai,潤 河合,剛 山本. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-12-07.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Optoelectronic semiconductor device comprising a filling material and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024227522A1. Автор: Michael Huber,Helena DOBLINGER,Jochen BRENDT,Peter Deutscher,Joern KAMPMEIER,Thomas FILZ. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220199868A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11804579B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Optoelectronic semiconductor device, optoelectronic semiconductor apparatus and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Method and apparatus for manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20110079629A1. Автор: Atsushi Yoshimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for fabricating fine pattern in semiconductor device

Номер патента: US20110076851A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140065800A1. Автор: Yasuyuki Kawada,Yoshiyuki Yonezawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Wet cleaning method for cleaning small pitch features

Номер патента: US09558927B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Rework method for wafers of manufacturing semiconductor devices using the same, and method of manufacturing semiconductor devices thereby

Номер патента: TW392231B. Автор: Chun-deuk Lee,Bo-yong Lee,Mi-sook Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing a nitride semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: EP2051308A3. Автор: Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Atsushi Watanebe. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-04-14.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013907A1. Автор: Tanaka Takanori,Kuroiwa Takeharu,UJIHARA Toru,Furusho Tomoaki,HARADA Shunta,MURAYAMA Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210166941A1. Автор: Wada Keiji,MIYASE Takaya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104885197B. Автор: 玄番润. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070224537A1. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130252400A1. Автор: Horii Taku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Tamaso Hideto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-02-13.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140057461A1. Автор: Shiomi Hiromu. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140065800A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,YONEZAWA Yoshiyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160020156A1. Автор: Tsuno Takashi,YAMADA Satomi. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150267320A1. Автор: Yamamoto Takahiro,Ohno Akihito,Tomita Nobuyuki,Hamano Kenichi,Mitani Yoichiro. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-09-24.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210327702A1. Автор: KOJIMA Jun,HARA Kazukuni,NAGAYA Masatake,Kawaguchi Daisuke,SASAOKA Chiaki,ONDA Shoichi. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170275779A1. Автор: NISHIGUCHI Taro,HIRATSUKA Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100268782B1. Автор: 임찬. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

Method for manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100446431B1. Автор: 신중욱. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2004-08-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100380269B1. Автор: 이기정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-04-16.

Method for manufacturing nitride compound semiconductor device

Номер патента: CN105308720B. Автор: 帕特里克·罗德,维尔纳·贝格鲍尔,菲利普·德雷克塞尔,彼得·施陶斯. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-20.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3343492B2. Автор: 昌浩 足立. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

Plasma etching method for manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: KR100230981B1. Автор: 김경훈,곽규환,이휘건,김성경,문대식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device including Ta2O5 dielectric film

Номер патента: JP3628278B2. Автор: 泳 旭 朴,興 秀 朴,起 演 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100400763B1. Автор: 정혁채. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-12-31.

Silicon carbide epitaxial substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017043164A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for manufacturing flip-chip semiconductor device

Номер патента: TW201340195A. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100404221B1. Автор: 김광진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-01.

Layer-stacked wiring and method for manufacturing same and semiconductor device using same and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070221922A1. Автор: Jun Tanaka,Hiroshi Kanoh. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3792980A1. Автор: JianFeng Zhang,Eddie Huang,Jingjing CUI. Владелец: Ween Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Thin film semiconductor device, display, and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: TW200830555A. Автор: Kaoru Abe,Shinji Kubota,Hiroaki Morita,Tomohiro Shiotani. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-07-16.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Process for producing bipolar semiconductor device utilizing predeposition of dopant and a polycrystalline silicon-gold film followed by simultaneous diffusion

Номер патента: US4290188A. Автор: Takeshi Fukuda,Naoaki Kobayashi,Yoshito Ichinose. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-09-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130207124A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017149580A1. Автор: 広行 吉元,渊 卜,島　明生. Владелец: 株式会社日立製作所. Дата публикации: 2017-09-08.

Wide-gap semiconductor device and method for manufacturing wide-gap semiconductor device

Номер патента: EP3159933A1. Автор: Shunichi Nakamura,Atsushi Ogasawara,Yusuke Maeyama,Ryohei Osawa,Akihiko SHIBUKAWA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130171778A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130210208A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-08-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140073101A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hayashi Hideki,Saitoh Yu. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTIRES, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160181160A1. Автор: KOBAYASHI Kazuo,Tarui Yoichiro,YUKI Hideaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon Carbide Epitaxial Substrate and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190242014A1. Автор: HONKE Tsubasa,MIYASE Takaya,Kanbara Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Method for manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100396689B1. Автор: 김상균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-11-17.

Method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: JP2745640B2. Автор: 順一 石川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Method for manufacturing transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100955679B1. Автор: 지연혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5207939B2. Автор: 健一 大塚,寛 渡邊,直毅 油谷,吉徳 松野,研一 黒田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor

Номер патента: WO2007026781A1. Автор: Shinichi Yamate. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2007-03-08.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device and substrate for semiconductor device

Номер патента: JP3984014B2. Автор: 島 一 郎 水,松 尚 人 親,野 元 永,田 敬 山,藤 力 佐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130183820A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru,Hatayama Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130244428A1. Автор: Ohno Jun-ichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Method for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP1089328A1. Автор: Manfred Kraxenberger,Ines Kneupel,Bruno Spuler,Thorsten Schedel,Karl Mautz. Владелец: Semiconductor 300 GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-04-04.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100348297B1. Автор: 박승현,고상기,심필보,권우현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3721588B2. Автор: 孝一 橋本. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100388683B1. Автор: 황재성,권성운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-06-25.

Method for manufacturing of the semiconductor device

Номер патента: KR100613097B1. Автор: 정세광. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3525149B2. Автор: 勝典 上野. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160189978A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2016-06-30.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077011A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09870983B2. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543169B2. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing apparatus comprising semiconductor device, semiconductor device, and apparatus comprising semiconductor device

Номер патента: WO2022024369A1. Автор: 徹 田中,誉史 福島,久志 木野,祐樹 煤孫. Владелец: 国立大学法人東北大学. Дата публикации: 2022-02-03.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160189978A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-06-30.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140319663A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Lead frame, method for manufacturing lead frame, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140319663A1. Автор: Koji Tomita,Masachika Masuda,Atsushi Kurahashi,Kazuyuki Miyano,Masaki Yazaki,Satoshi Shibasaki,Kazuhito UCHIUMI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A4. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method for manufacturing a CMOS device having twin wells and an alignment key region

Номер патента: US5252510A. Автор: Dai H. Lee,Hyung L. Ji. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-10-12.

Surface-mount semiconductor device having exposed solder material

Номер патента: US09824956B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Systems and methods for forming semiconductor cutting/trimming blades

Номер патента: US20200206869A1. Автор: Jonathan S. Hacker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130295314A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Adhesive Sheet and Method for Manufacturing the Same, Semiconductor Device Manufacturing Method and Semiconductor Device

Номер патента: US20080261039A1. Автор: Maiko Tanaka,Michio Uruno,Takayuki Matsuzaki,Ryoji Furutani,Michio Mashino,Teiichi Inada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: KR100915491B1. Автор: 마이코 다나카,미치오 우루노,타카유키 마츠자키,료지 후루타니,미치오 마시노,테이이치 이나다. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2009-09-03.

Adhesive sheet and method for manufacturing the same, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US8465615B2. Автор: Maiko Tanaka,Michio Uruno,Takayuki Matsuzaki,Ryoji Furutani,Michio Mashino,Teiichi Inada. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Method for fabricating nanometer gate in semiconductor device using thermally reflowed resist technology

Номер патента: TW200424759A. Автор: Edward Y Chang,Huang-Ming Lee. Владелец: Univ Nat Chiao Tung. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Transistor array and method for manufacturing same, and semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2023272881A1. Автор: 张帜,华文宇,骆中伟. Владелец: 芯盟科技有限公司. Дата публикации: 2023-01-05.

Apparatus for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3897478B2. Автор: 勝喜 内海,隆広 松尾,弘 日高. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Arrangement for data transmission between an equipment for manufacturing of a semiconductor device and a communicating device and method for operating the arrangement

Номер патента: WO2002017029A1. Автор: Eckhard Marx,Ricco Walter. Владелец: Abakus Software Gmbh. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: TWI545723B. Автор: Takao Sato,Masatoshi Fukuda. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2016-08-11.

COF tape carrier, semiconductor element, COF semiconductor device, and method for manufacturing of COF semiconductor device

Номер патента: US20040070057A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-15.

Process for manufacturing a surface-mount semiconductor device, and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20160351476A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-12-01.

THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE IN WHICH THROUGH-ELECTRODE SUBSTRATE IS USED

Номер патента: US20170148719A1. Автор: ASANO Masaaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

A method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100855263B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-09-01.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100507865B1. Автор: 진승우,오훈정,이태혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-18.

Method for manufacturing tape carrier semiconductor device

Номер патента: JP2653554B2. Автор: 保憲 千川,嘉昭 本田,勝信 森,直之 田島,孝明 津田,崇道 前田. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1997-09-17.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: KR100462105B1. Автор: 미야키요시노리,스즈키히로미치,니시타타카후미,이토후지오,카메오카아키히코,니시쿠니히코,스즈키가즈나리,쯔보사키쿠니히로. Владелец: 가부시키가이샤 히타치초에루. 에스. 아이. 시스테무즈. Дата публикации: 2004-12-17.

Semiconductor element substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: CN102362345A. Автор: 塚本健人,户田顺子,马庭进. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-22.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100869343B1. Автор: 김영대,이기정,김진혁,노재성,길덕신,박경웅,도관우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-19.

Apparatus and method for manufacturing the organic semiconductor device with a large size of substrate

Номер патента: KR100375076B1. Автор: 김동수,최동권,배경빈. Владелец: 에이엔 에스 주식회사. Дата публикации: 2003-03-07.

Method for manufacturing CMOS analog semiconductor device

Номер патента: JP2990497B2. Автор: チャン キム ヨン. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1999-12-13.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2927660B2. Автор: 篤雄 小西,孝司 白井,統夫 松村. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1999-07-28.

Method for manufacturing and packaging semiconductor devices

Номер патента: FR1531911A. Автор: . Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1968-07-05.

A method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100447976B1. Автор: 김의식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-09-10.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: KR100703830B1. Автор: 미야키요시노리,스즈키히로미치,니시타타카후미,이토후지오,카메오카아키히코,니시쿠니히코,스즈키가즈나리,쯔보사키쿠니히로. Владелец: 가부시키가이샤 히타치초에루. 에스. 아이. 시스테무즈. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100328451B1. Автор: 박일규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for manufacturing a monolithic semiconductor device having integrated surface micromachine structures

Номер патента: KR100440651B1. Автор: 리스틱 류비사,에이. 2 세 셔만스카이 프랭크. Владелец: 모토로라 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-10-22.

Wiring board, method for manufacturing same and semiconductor device

Номер патента: WO2006054637A1. Автор: Hideki Higashitani. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2006-05-26.

Leadframe and method for manufacturing resin-molded semiconductor device

Номер патента: US20030178708A1. Автор: Osamu Adachi,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for manufacturing a compound semiconductor device

Номер патента: US6531383B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Method for manufacturing resin sealed semiconductor device

Номер патента: JPH10178030A. Автор: 亮 新帯,Akira Niiobi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Method for manufacturing resin-molded semiconductor device

Номер патента: JP2778608B2. Автор: 育男 小松. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130341648A1. Автор: Masuda Takeyoshi,HIRATSUKA Kenji,Saitoh Yu,Shimazu Mitsuru,Kanbara Kenji,Tanaka Sou. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-26.

Board for mounting semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: CN100370602C. Автор: 福富直树,若岛喜昭,直之进,木田明成. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR19980071494A. Автор: 헤르베르트 섀퍼,폴커 레만,한스 라이징어,헤르만 벤트,라인하르트 슈텡글,마르틴 프라노쉬,게릿 랑에. Владелец: 로더리히 네테부쉬. Дата публикации: 1998-10-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150262892A1. Автор: Sugimoto Hiroshi,Nakamura Takuyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5562211B2. Автор: 政良 多留谷,博明 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for manufacturing a power semiconductor device having a latch-up control structure

Номер патента: KR970072465A. Автор: 김태훈. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing charge-coupled semiconductor device

Номер патента: JP2724702B2. Автор: 一郎 藤井. Владелец: NIPPON TEKISASU INSUTSURUMENTSU KK. Дата публикации: 1998-03-09.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110260165A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for manufacturing junction semiconductor device

Номер патента: US20090004790A1. Автор: Hideki Hashimoto,Yoshimitsu Saito,Seiichi Yokoyama,Kensuke Iwanaga,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Resin-sealed semiconductor device, mold for resin seal, method for manufacturing resin-sealed semiconductor device and lead frame

Номер патента: TW201230257A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-07-16.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

LEAD FRAME, METHOD FOR MANUFACTURING LEAD FRAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077011A1. Автор: Kurahashi Atsushi,MASUDA Masachika,TOMITA Koji,MIYANO Kazuyuki,YAZAKI Masaki,SHIBASAKI Satoshi,UCHIUMI Kazuhito. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-03-16.

Interposer, method for manufacturing interposer, and semiconductor device

Номер патента: US09646924B2. Автор: Hideaki Sakaguchi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing semiconductor products, corresponding semiconductor product and device

Номер патента: US20180190572A1. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-07-05.

Interconnect structures for assembly of multi-layer semiconductor devices

Номер патента: US09812429B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for fabricating semiconductor device and method for fabricating capacitor in a semiconductor device

Номер патента: TWI274381B. Автор: Wu-An Weng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: US09575410B2. Автор: Takahiro Sasaki,Tatsuya Hirata,Satoshi Shibui,Taisuke Yamada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Metal substrate with insulation layer and method for manufacturing the same, semiconductor device and method for manufacturing the same, and solar cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110192451A1. Автор: Ryuichi Nakayama,Shinya Suzuki,Keigo Sato,Shigenori Yuya,Shuji Kanayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Capacitor, Method for manufacturing the capacitor, Semiconductor device including the capacitor, and Method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100553839B1. Автор: 박제민,박진준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-24.

Laminate, method for manufacturing the laminate, semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: PH12018550032A1. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-09-24.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210036181A1. Автор: Toshiyuki Nitta. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130302570A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-14.

Method for fabricating crown-type of semiconductor device

Номер патента: TW437012B. Автор: Yong-Sun Sohn,Seung-Woo Shin. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-05-28.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: TW200606999A. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

A deposition mask, a method for manufacturing an organic semiconductor device, and a method for manufacturing an organic EL display

Номер патента: KR102366019B1. Автор: 히로시 가와사키,야스코 소네,구미코 호카리. Владелец: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor luminous element and method for manufacture thereof, and semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: KR100866269B1. Автор: 스즈키야스히코,고토오사무,아사노타케하루,타케야모토노부,시부야카츠요시,미즈노타카시,토조츠요시,우치다시로,이케다마사오. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2008-11-03.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device and capacitor of semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: KR101626954B1. Автор: 김진용,이종철,권오성,김범석,조규호,김완돈,탁용석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-06-03.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY APPARATUS, EL DISPLAY PANEL, AND EL DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20130082271A1. Автор: KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

METHOD FOR FORMING PASSIVATION AREA ON SEMICONDUCTOR DEVICE, INFRARED RADIATION SENSITIVE PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR PASSIVATING SURFACE OF BODY

Номер патента: FR2872345A1. Автор: Charles Cockrum,David R Rhiger,Eric F Schulte. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 2005-12-30.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, and lead frame for resin-sealed semiconductor device

Номер патента: TW201214586A. Автор: Toshiyuki Tamate. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2012-04-01.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, MODULE AND SYSTEM EACH INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150017769A1. Автор: RYU Seong Wan,YOO Min Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033703A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-02-01.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING PORTIONS OF A CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220077368A1. Автор: EBERHARD Franz. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220149256A1. Автор: Hoeppel Lutz,Molnar Attila. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170335489A1. Автор: Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2017-11-23.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Von Malm Norwin,Göötz Britta. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106536793A. Автор: 宫崎正行. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: DE102017115181A1. Автор: Luca Haiberger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-01-10.

Methods for Manufacturing Multiple Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Devices

Номер патента: JP6824172B2. Автор: ヘッペル ルッツ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-02-03.

Optoelectronic semiconductor device comprising a dielectric layer and a transparent conductive layer and method for manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20220190222A1. Автор: Ivar Tangring. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2016125404A1. Автор: 正行 宮崎. Владелец: 富士電機株式会社. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor devices and method for manufacturing the same, semiconductor device modules, circuit substrates and electronic apparatuses

Номер патента: US20050263759A1. Автор: Masakuni Shiozawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Resin composition, resin sheet, cured film, method for manufacturing cured film, semiconductor device and display device

Номер патента: JPWO2020026937A1. Автор: 有希 増田,啓華 橋本,祐貴 竹山. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2021-08-02.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the nitride semiconductor device

Номер патента: KR20230061401A. Автор: 료따 후나꼬시. Владелец: 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-05-08.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100743008B1. Автор: 코지 노자키,미와 코자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-07-27.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102016112779B4. Автор: Patrick Graschl. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-02-24.

A method for manufacturing a power semiconductor device, a sheet for hot pressing and a thermosetting resin composition for hot pressing.

Номер патента: JPWO2019044798A1. Автор: 一尊 本田,裕太 小関. Владелец: Resonac Corporation. Дата публикации: 2020-09-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137198A1. Автор: HARADA Shin,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-05-30.

WIRING BOARD PROVIDED WITH THROUGH ELECTRODE, METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160079149A1. Автор: YOSHIDA Tomohiro. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for Manufacturing an Optical Semiconductor Device and a Silicone Resin Composition Therefor

Номер патента: US20170226378A1. Автор: Hikita Aya,Yang Qingxu,Temme George Henry,Becker Kevin,Nagao Kazuya. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-10.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100252852B1. Автор: 연충규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for manufacturing surface mount semiconductor device

Номер патента: JP3432982B2. Автор: 忠士 山口. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-04.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3182302B2. Автор: 篤雄 小西. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-07-03.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244288B1. Автор: 박현. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20010058980A. Автор: 이정석,박상수,김상익. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-07-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006351A. Автор: 박정수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012486A. Автор: 조창현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100192927B1. Автор: 최양규. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100230363B1. Автор: 강만석,안승준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100373344B1. Автор: 이승욱,김일욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2504194B2. Автор: 俊秀 安井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-05.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP3125187B2. Автор: オン・チョル・ゾ. Владелец: エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド. Дата публикации: 2001-01-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881828B1. Автор: 김유성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006344A. Автор: 김명선,백선행. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980006372A. Автор: 강만석,안승준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012514A. Автор: 이기홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100680444B1. Автор: 이상완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3449796B2. Автор: 明 小島,博之 深澤,徹 紀平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-22.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012493A. Автор: 조창현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device with heat sink

Номер патента: JP2969591B2. Автор: 典永 渡辺,慎一 西. Владелец: Goto Seisakusho KK. Дата публикации: 1999-11-02.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: JP2939220B2. Автор: 貞 圭 李,馨 勳 姜,永 洛 高. Владелец: SANSEI DENSHI KK. Дата публикации: 1999-08-25.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3843654B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達,哲正 丸尾. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2006-11-08.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0155903B1. Автор: 박영욱. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-10-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012526A. Автор: 이권재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN104518062B. Автор: 崔承奎,金材宪,郑廷桓,郭雨澈,张三硕. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2927066B2. Автор: 茂 横須加. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-28.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012521A. Автор: 박종호,이상문,안창문. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100624946B1. Автор: 천영일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-19.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR0169597B1. Автор: 한진수,김현곤. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-01-15.

Method for Manufacturing Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR101067859B1. Автор: 정용순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3436159B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW350118B. Автор: Jung-kyu Lee,Seong-Hun Kang,Young-Lark Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-11.

Method for manufacturing capacitance of semiconductor device with dielectric film having high dielectric constant

Номер патента: JPH11297964A. Автор: Ki-hoon Lee,Byoung-Taek Lee,秉 澤 李,起 薫 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-29.

Glass wiring substrate, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: WO2019117073A1. Автор: 藤田　貴志. Владелец: 凸版印刷株式会社. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor devices

Номер патента: KR20000003644A. Автор: 이정호,홍기로. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-01-25.

Metal substrate having insulating layer, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: WO2012137498A1. Автор: 重徳 祐谷,佐藤　圭吾,陽太 宮下. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for manufacturing the embeded semiconductor device with pip capacitor and logic transistor

Номер патента: KR100517152B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-26.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP2591930B2. Автор: 錫銖 金. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-19.

Method for manufacturing capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100474593B1. Автор: 신동석,박동수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100305017B1. Автор: 박주온. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-11-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100369484B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-29.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3278533B2. Автор: 伸治 馬場,光恭 松尾. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-30.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JPH07101698B2. Автор: 聡 五味. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-01.

The method for manufacturing light emitting semiconductor device

Номер патента: CN105489715B. Автор: 韩尚宪,李尚准,李东律,金承贤,尹晳胡,金长美. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100418856B1. Автор: 김성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-19.

Lead frame and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP3915337B2. Автор: 匡紀 南尾,修 安達. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Method for manufacturing mold type semiconductor device

Номер патента: US20070158850A1. Автор: Nobuyuki Kato,Naohiko Hirano,Shoji Miura,Yoshitsugu Sakamoto,Takanori Teshima,Akihiro Niimi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Backside-illuminated photodiode array, method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: AU2003280857A1. Автор: Masayuki Ishida,Katsumi Shibayama,Takafumi Yokino. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2004-06-15.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980012532A. Автор: 홍원철,신중현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100967204B1. Автор: 윤창준. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-05.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100382537B1. Автор: 오승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-26.

Method for manufacturing a trench channel for vacuum transistor device and vacuum transistor device

Номер патента: US10102996B2. Автор: Antonino FIUMARA,Marcello Frazzica,Giuseppe Digrazia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-10-16.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US20210119418A1. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US11456576B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Kazumasa Kishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE102020123854A1. Автор: Christian Lauer,Alexander Behres,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICES FOR CURRENT STOP LAYERS

Номер патента: FR2736211A1. Автор: Manabu Kato,Seiji Ochi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-03.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100233846A1. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US09438242B2. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming organic semiconductor thin film and method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4552160B2. Автор: 章裕 野元. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Method for forming semiconductor thin film and method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200947779A. Автор: Takahiro Ohe,Miki Kimijima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-11-16.

INTERPOSER, METHOD FOR MANUFACTURING INTERPOSER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140376189A1. Автор: SAKAGUCHI Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100414730B1. Автор: 김대영,박재범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100192365B1. Автор: 라관구. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Laminate structure and method for manufacturing same, and semiconductor device

Номер патента: EP3796372A4. Автор: Iwao Kunishima,Yoshiki Kamata,Junji Tominaga,Noriyuki Miyata. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP3604525B2. Автор: 允承 辛,源徹 洪. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-22.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of determining an overlay error, method for manufacturing a multilayer semiconductor device, atomic force microscopy device, lithographic system and semiconductor device

Номер патента: EP3472628A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-24.

Curable resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, semiconductor device, and polymer precursor

Номер патента: US20220002488A1. Автор: Atsuyasu Nozaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20100112812A1. Автор: Tadahito Fujisawa,Shoji Mimotogi,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Micro electro mechanical device, method for manufacturing the same, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090127590A1. Автор: Hiroyuki Shimada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A4. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Photosensitive resin composition, cured film, laminate, method for manufacturing cured film, method for manufacturing laminate, and semiconductor device

Номер патента: TW201740195A. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

METHOD OF DETERMINING AN OVERLAY ERROR, METHOD FOR MANUFACTURING A MULTILAYER SEMICONDUCTOR DEVICE, ATOMIC FORCE MICROSCOPY DEVICE, LITHOGRAPHIC SYSTEM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190310284A1. Автор: Sadeghian Marnani Hamed,VAN ES Maarten Hubertus. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Diaphragm-type semiconductor device and method for manufacturing diaphragm-type semiconductor device

Номер патента: US20020171114A1. Автор: Yasutoshi Suzuki,Keiichi Shimaoka,Seiichiro Ishio,Hirofumi Funahashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

METHOD FOR MANUFACTURING WAVEGUIDE-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140342491A1. Автор: YONEDA Yoshihiro,YAGI Hideki,MASUYAMA Ryuji,Konishi Naoko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for manufacturing contact in semiconductor device

Номер патента: KR100733428B1. Автор: 안태항. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-29.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100548525B1. Автор: 류두열. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3272188B2. Автор: 康樹 原田,典裕 寺田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-08.

Method for manufacturing and testing semiconductor devices on a resin-coated wafer

Номер патента: US7262610B2. Автор: Mikio Ohtaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Metal joints, methods for manufacturing metal joints, semiconductor devices and methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: JP6918311B2. Автор: 須賀　唯知,唯知 須賀,正剛 赤池,下田　将義,将義 下田,慶人 木下,木下　慶人,カトレエン イェルチェル,然 赫,赤池　正剛. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-11.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120298998A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

FILM FOR USE IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR PRODUCING THE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052269A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130092956A1. Автор: Hori Tsutomu,ISHIBASHI Keiji,Saitoh Yu,Uchida Kosuke,UETA Shunsaku. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130045592A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Shiomi Hiromu,Miyazaki Tomihito,Tamaso Hideto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120068312A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120073743A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

ADHESIVE SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120135176A1. Автор: TANAKA Maiko,URUNO Michio,MATSUZAKI Takayuki,FURUTANI Ryoji,MASHINO Michio,INADA Teiichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Mold for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: JP2855787B2. Автор: 明稔 原. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-02-10.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Method for manufacturing barrier layer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI543262B. Автор: 董寰乾,黃宏勝. Владелец: 中國鋼鐵股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7143769B2. Автор: 丈晴 黒岩,泰広 木村,健一 ▲濱▼野,茂久 山本. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and apparatus for manufacturing alloyed junction semiconductor devices

Номер патента: CA625724A. Автор: C. Ingraham Robert. Владелец: Sylvania Electric Products Inc. Дата публикации: 1961-08-15.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120061688A1. Автор: Miura Naruhisa,Nakata Shuhei,Watanabe Shoyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120261677A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-10-18.

BIPOLAR PUNCH-THROUGH SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120319227A1. Автор: Matthias Sven. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-12-20.

MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MOS-DRIVEN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130001681A1. Автор: . Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5187118B2. Автор: 一洋 藤川. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Dual damascene structure and method for forming the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3774399B2. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

WIRING BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: JP4649098B2. Автор: 正徳 佐藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-09.

Etching method and method for manufacturing substrate for semiconductor device

Номер патента: JP4978548B2. Автор: 誠 石川,範之 斉藤,隆伸 香月. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP4400035B2. Автор: 克行 鳥居,良治 高橋. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-20.

Method for manufacturing phase-change semiconductor device and phase-change semiconductor device

Номер патента: CN101728482B. Автор: 蒋莉,黎铭琦,邵颖. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-07.

Silicon Carbide Semiconductor Device and Method for Manufacturing Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: JP6823614B2. Автор: 憲司 福田,憲幸 岩室,崇 辻,福田　憲司. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-03.

Method for manufacturing structure of semiconductor device for forming structure of dual damascene

Номер патента: CN102386126A. Автор: 洪中山. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120028452A1. Автор: SUZUKI Kenji. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120028453A1. Автор: Watanabe Hiroshi,Yutani Naoki,Ohtsuka Kenichi,Kuroda Kenichi,MATSUNO Yoshinori,Shikama Shozo. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A STRAINED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120034749A1. Автор: LEE Hyun-Jung,Lim Kwan-Yong,Koh Chung-Geun,Kwon Tae-Ouk,Kim Seok-Hoon,Cha Tae-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120058617A1. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-03-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120208302A1. Автор: Wada Keiji,Shiomi Hiromu,Hiyoshi Toru,Itoh Satomi,Namikawa Yasuo,Shimazu Mitsuru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SAID CONTACT

Номер патента: US20120223398A1. Автор: Zhong Huicai,Liang Qingqing. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120309148A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: FORCE MOS TECHNOLOGY CO. LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR MANUFACTURING WAFER-BONDED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130029438A1. Автор: Takai Toshiaki,Sakigawa Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

METHOD FOR MANUFACTURING TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130040435A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130045593A1. Автор: OOI Naoki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130065384A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130078771A1. Автор: Wada Keiji,Masuda Takeyoshi,Hiyoshi Toru. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130130482A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hatayama Tomoaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4719991B2. Автор: 信之 加藤,有一 竹内. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100311034B1. Автор: 박순오. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-09.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2781918B2. Автор: 克吉 光井,昌秀 犬石,隆 黒井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-30.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR980008911A. Автор: 방석철,안승준. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100227621B1. Автор: 방철원. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3486421B2. Автор: 光敏 宮坂,リトル タマス. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR970077641A. Автор: 박상훈. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100306902B1. Автор: 최홍민. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for manufacturing BiCMOS type semiconductor device

Номер патента: JP3240823B2. Автор: 郁夫 吉原,真 元吉,康義 猪田,浩一 田平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3317346B2. Автор: 克司 寺島. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-26.

Film forming apparatus and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4888219B2. Автор: 陽一郎 樽井,淳 綾. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2841467B2. Автор: 恭三 関家. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3531291B2. Автор: 有一 竹内,規仁 戸倉,健 宮嶋,一都 原. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-05-24.

Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2532490B2. Автор: 裕 居相,年国 宮本,重樹 犬丸. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1996-09-11.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4267810B2. Автор: 秀明 田中. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for manufacturing electrode of semiconductor device

Номер патента: JPS5567134A. Автор: Nobuo Maeda. Владелец: Akai Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-21.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2913180B2. Автор: 舜平 山崎,久人 篠原. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-28.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP2786199B2. Автор: 服部　　正,村本　　英俊,誠二 藤野,正美 山岡,伸義 ▲榊▼原. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 1998-08-13.

Apparatus and method for manufacturing resin-packaged semiconductor device

Номер патента: JP2000299329A. Автор: Moriji Miyamoto,守二 宮本. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-24.

Method for manufacturing reverse blocking semiconductor device

Номер патента: JP5201303B2. Автор: 道生 根本. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5092868B2. Автор: 健一 浜野,隆夫 沢田,博明 岡部. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3136692B2. Автор: 隆 野口,弘範 塚本. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-02-19.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP3071940B2. Автор: 舜平 山崎,保彦 竹村. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-31.

Method for manufacturing insulated gate semiconductor device

Номер патента: JP2652368B2. Автор: 舜平 山崎. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-10.

Method for manufacturing high-power semiconductor device die

Номер патента: CN102637598A. Автор: 徐爱民,潘洁,高占成. Владелец: RUNAO ELECTRONICS (YANGZHOU) CO Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3937956B2. Автор: 敏 竹中. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4956783B2. Автор: 谷本　　智,一聡 児島,徹夫 高橋. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP3516710B2. Автор: 裕 奥秋,正剛 南部. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP4016928B2. Автор: 健一 大塚,陽一郎 樽井,哲也 高見,昌之 今泉,景子 藤平. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3486420B2. Автор: 光敏 宮坂. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5687078B2. Автор: 善夫 藤井,寛 渡邊,義幸 中木,剛史 川上,川上　剛史. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-03-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6086360B2. Автор: 憲司 福田,直之 大瀬,民雅 呂,福田　憲司,將昭 宮島. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2005101424A. Автор: Masafumi Ata,誠文 阿多,Seiji Shiraishi,誠司 白石. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5990444B2. Автор: 鈴木　賢二,賢二 鈴木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2016-09-14.

Method for manufacturing pad in semiconductor device

Номер патента: KR100572493B1. Автор: 조경수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6091242B2. Автор: 幸史 大久野. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Method for manufacturing MIS type semiconductor device

Номер патента: JP3424326B2. Автор: 博之 海本,清之 森田. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2003-07-07.

Method for manufacturing field-effect semiconductor device

Номер патента: JP2782027B2. Автор: 舜平 山崎,宏勇 張. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-30.

Method for manufacturing glass-sealed semiconductor device

Номер патента: JP2613882B2. Автор: 康彦 落合. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-28.

Method for manufacturing ultra-thin semiconductor device

Номер патента: JP2654878B2. Автор: 圭一 辻本,真也 三村. Владелец: MITSUI HAITETSUKU KK. Дата публикации: 1997-09-17.

Capacitor and method for manufacturing capacitor on semiconductor device with metal grid electrode

Номер патента: CN102956437B. Автор: 洪中山. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-05-13.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2616685B2. Автор: 定幸 諸井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5360011B2. Автор: 谷本　　智. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for manufacturing field effect semiconductor device

Номер патента: CN1853277A. Автор: 阿多诚文,白石诚司. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP5995604B2. Автор: 健一 大塚,直毅 油谷,陽一郎 樽井,寿一 谷岡,大塚　健一,油谷　直毅. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-21.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP3997886B2. Автор: 佐一郎 金子,星　　正勝. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2672871B2. Автор: 直樹 茂木,慎一 岩崎,滋 成瀬. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 1997-11-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3307021B2. Автор: 敏 竹中. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP2623276B2. Автор: 義彦 小池,青山　　隆,義昭 岡島. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-06-25.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP3413704B2. Автор: 正文 国井. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-06-09.

Method for manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: JP2003249505A. Автор: Takuto Yasumatsu,拓人 安松. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: JP4181743B2. Автор: 光敏 宮坂,秀忠 時岡,哲也 小川,寛明 次六. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-11-19.

Method for manufacturing MOS type semiconductor device

Номер патента: JP2845955B2. Автор: 浩之 福永. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-13.

Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: JP2714002B2. Автор: 賢治 宮島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-02-16.

Method for manufacturing 3C-SiC semiconductor device

Номер патента: JPH0815143B2. Автор: 昭一郎 松本. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-02-14.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.