Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices
Номер патента: US12146092B2
Опубликовано: 19-11-2024
Автор(ы): Cheol Woo Kim, Jae Hoon Kwak, Jin Kyung Jo, Jong Ho Lee, Jung Ha SHIN, Kwang Kuk Lee, Young Bom Kim
Принадлежит: SK Inc, SK Innovation Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-11-2024
Автор(ы): Cheol Woo Kim, Jae Hoon Kwak, Jin Kyung Jo, Jong Ho Lee, Jung Ha SHIN, Kwang Kuk Lee, Young Bom Kim
Принадлежит: SK Inc, SK Innovation Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Film forming method, semiconductor device and manufacturing method of the same
Номер патента: US20020013068A1. Автор: Tomomi Suzuki,Kazuo Maeda,Youichi Yamamoto,Hiroshi Ikakura,Kouichi Ohira,Yoshimi Shioya,Yuichiro Kotake,Shoji Ohgawara. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.