Creation of stress in the channel of a nanosheet transistor
Номер патента: US20210020743A1
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Guillaume Audoit, Nicolas Bernier, Nicolas Loubet, Remi Coquand, Shay REBOH, Tenko Yamashita
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA, International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-01-2021
Автор(ы): Guillaume Audoit, Nicolas Bernier, Nicolas Loubet, Remi Coquand, Shay REBOH, Tenko Yamashita
Принадлежит: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA, International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nanosheet transistor having abrupt junctions between the channel nanosheets and the source/drain extension regions
Номер патента: US20210151608A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.