• Главная
  • Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11901359B2. Автор: Jin Won Lee,Hyun Ho Jung,Jeong Yun Lee,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8962428B2. Автор: Lele CHEN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-02-24.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US12094799B2. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of making a semiconductor device having a thermal contact

Номер патента: US20220384296A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20160126236A1. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230352550A1. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180122930A1. Автор: Shinichi Okamoto,Tsutomu Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US12051696B2. Автор: Jaeseok Yang,Taehyung Kim,Panjae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20170040427A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09991351B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US09905662B2. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20160104772A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of making a semiconductor device using a dummy gate

Номер патента: US20180261674A1. Автор: Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130244385A1. Автор: Naoto Saitoh. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190131448A1. Автор: Yoshinori Yoshida,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20230420544A1. Автор: Hans Mertens,Sujith Subramanian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170179124A1. Автор: Ju-youn Kim,Sang-jung KANG,Ji-Hwan An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Including an Edge Area

Номер патента: US20140302667A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11488829B1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20220367192A1. Автор: Kuan-Ying LAI,Chung-Yi Chiu,Chang-Mao Wang,Hsin-Yu Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US11069580B2. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US20210013110A1. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A3. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-27.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4290583A2. Автор: Alexander Viktorovich Bolotnikov,Peter Almem LOSEE,Yang Sui. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11984324B2. Автор: Yu-chen Wei,Feng-Inn Wu,Tzi-Yi Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1165012A. Автор: Pieter J.W. Jochems. Владелец: Pieter J.W. Jochems. Дата публикации: 1984-04-03.

Method of making a semiconductor device including an all around gate

Номер патента: US20140357036A1. Автор: Huiming Bu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240282639A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220319928A1. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230378299A1. Автор: Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12002716B2. Автор: Chen-Ping CHEN,Shu-Wen Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP3945599A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240047379A1. Автор: Alim Karmous,Norbert Labrenz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11942552B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369464A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210313454A1. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11757023B2. Автор: Yu-Cheng Shen,Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160268397A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Device, Semiconductor Component and Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20200111759A1. Автор: Carsten Von Koblinski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20150311317A1. Автор: Thorsten Meyer,Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11881508B2. Автор: Taegon Kim,Seong Hoon JEONG,Sunjung Kim,Kyungin Choi,Hyunchul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20220320278A1. Автор: Taegon Kim,Seong Hoon JEONG,Sunjung Kim,Kyungin Choi,Hyunchul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US8278168B2. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20120009746A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230143543A1. Автор: Shigenobu Maeda,Choongsun Kim,Myoungkyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090155971A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200321433A1. Автор: Isamu SUGAI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device by Plasma Doping

Номер патента: US20170062587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09923092B2. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20070184601A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050250326A1. Автор: Tomoko Matsuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080076213A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Tzung-Yu Hung,Chao-Ching Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of forming a semiconductor device including trench termination

Номер патента: US9773693B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150303096A1. Автор: Ming Zhang,Yasuki Yoshihisa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230335637A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11855211B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4080583A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20160104796A1. Автор: Thierry Coffi Herve Yao,Moshe Agam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-04-14.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Methods Of Forming A Semiconductor Device Comprising First And Second Nitride Layers

Номер патента: US20180301410A1. Автор: Kanta Saino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140151758A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-05.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: WO2007092653A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Da Zhang. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-08-16.

Manufacturing method for crystalline semiconductor film, semiconductor device, and display device

Номер патента: US20130140573A1. Автор: Yoshinobu Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-06.

Methods Of Forming A Semiconductor Device Comprising First And Second Nitride Layers

Номер патента: US20170148731A1. Автор: Kanta Saino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20090057831A1. Автор: Florin Udrea,Cerdin Lee. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP2067164A1. Автор: Philippe Lance,Yann Weber,Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming power semiconductor device

Номер патента: US20230187537A1. Автор: Sang-Yong Lee,Sang-Su Woo. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6096606A. Автор: Steven L. Merchant. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120025286A1. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Vertical semiconductor device and method of manufacturing vertical semiconductor device

Номер патента: US20190267486A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20170365678A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130221440A1. Автор: Shigeru Mori. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160268398A1. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9620624B2. Автор: Shinichi Kawamura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: USRE28703E. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Hein Koelmans. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-02-03.

Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures

Номер патента: SG11201901450QA. Автор: Roy E Meade,Sumeet C Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: EP1880415A1. Автор: Jan Sonsky,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12021144B2. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US11869963B2. Автор: John Twynam,Albert Birner,Helmut Brech. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US9070604B2. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Method of making a semiconductor device having multilayer structure

Номер патента: US5229313A. Автор: Ikunori Takata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-07-20.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20180096894A1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20210134971A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi-On CHUI,Bi-Fen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20160093731A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110079852A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180158914A1. Автор: Shoji Kitamura,Kazuhiro Kitahara,Tsukasa TASHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device including contact plugs

Номер патента: US12046512B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12062580B2. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240355681A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09870923B2. Автор: Toshiyuki Matsui. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US8907423B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20130087854A1. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a field effect transistor

Номер патента: WO1999027576A3. Автор: Louis Praamsma. Владелец: Philips Svenska AB. Дата публикации: 1999-09-02.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Methods of fabricating a semiconductor device having low contact resistance

Номер патента: US20120208335A1. Автор: Ho Jin Cho,Yong Soo Joung,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Etching method and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US09972696B2. Автор: Sang Won Bae,Hoyoung Kim,Wonsang Choi,Jae-Jik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020127785A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150279747A1. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9355916B2. Автор: Naoki Yokoyama,Motonobu Sato,Shintaro Sato,Daiyu Kondo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US20160211240A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080200020A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1579488B1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Jacob C. Hooker,Vincent C. Venezia,Charles J. J. Dachs. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-12-07.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: CA1179787A. Автор: Shyam P. Murarka,Chuan C. Chang,Dawon Kahng,James A. Cooper, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1984-12-18.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US11888024B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-30.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170186838A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230087935A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130316523A1. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20210376068A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200395463A1. Автор: Sangwoo Pae,Miji Lee,HwaSung Rhee,ByungJae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220102374A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12010844B2. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20220059703A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200395478A1. Автор: Peter A. Burke,Dean E. Probst,Prasad Venkatraman. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20190319091A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of forming a semiconductor device with STI structures on an SOI substrate

Номер патента: US9741625B2. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device having a channel extending vertically

Номер патента: US7910435B2. Автор: Hyoung-Seub Rhie. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Method of manufacturing a semiconductor device comprising a¹field effect transistor and a capacitor

Номер патента: IE903227A1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080277722A1. Автор: Joon-Jin Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of Processing a Semiconductor Device

Номер патента: US20170236913A1. Автор: Martin Poelzl,Heimo Hofer,Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-17.

Power semiconductor device and method of manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20230369515A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

A method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device

Номер патента: WO2009013531A2. Автор: Paul Ronald Stribley. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: EP4372825A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20140160390A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080179693A1. Автор: Hyun-Woo CHUNG,Yong-Chul Oh,Jae-Man Yoon,Hui-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160240641A1. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Jun OKAWARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20240154027A1. Автор: Kai-Kuen Chang,Ping-Hung Chiang,Hsin-Han WU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20180182876A1. Автор: Tadashi Inoue,Yukihiro Shibata. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11843037B2. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: EP4060746A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20130069714A1. Автор: Jai-Kwang Shin,U-In Chung,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-21.

Memory cell comprising first and second transistors and methods of operating

Номер патента: US09905564B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20130168662A1. Автор: Thomas Kugler,Christopher Newsome,Mohd K. Othman. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP4345908A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20170301769A1. Автор: Yasuyuki Arai,Setsuo Nakajima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20240105785A1. Автор: ANKIT Kumar,Hungjin Kim. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20150270276A1. Автор: Bernd Landgraf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240072151A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020074572A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040150055A1. Автор: Takashi Akioka,Masao Shinozaki,Kinya Mitsumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090004826A1. Автор: Hyun Park,Byung-hong Chung,Jeong-lim Nam,Young-Hoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: CA1217116A. Автор: Jan Bloem,Wilhelmus A.P. Claassen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-01-27.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US20200266191A1. Автор: Mark Griswold,Amit Paul,Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160254264A1. Автор: Tomonori MIZUSHIMA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US7592658B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20080116498A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20050181556A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020179979A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Han-Soo Kim,Yong Park,Kang-Sik Cho,Hoo-Seung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120184079A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Seung-Hun Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Sun-Ghil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080020567A1. Автор: Byung-hee Kim,Dae-Yong Kim,Eun-ji Jung,Hyun-Su Kim,Jong-Ho Yun,Eun-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09911828B2. Автор: NAKJIN SON,Yeon Ho Park,Kyungsoo Kim,Wookhyun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09871122B2. Автор: Jaeseok Yang,Hyunjae Lee,In-wook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5401671A. Автор: Shigeki Komori,Katsuhiro Tsukamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US9147579B2. Автор: Reiko Hiruta. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230215815A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110049709A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20120007238A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of Forming a Semiconductor Device Having a Dummy Feature

Номер патента: US20080261375A1. Автор: Kevin Lucas,Rainer Thoma,Judith Mueller,Robert Boone,Yves Rody. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9653283B2. Автор: Jinghua Ni,Fenglian Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150243523A1. Автор: Jinghua Ni,Fenglian Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200194A1. Автор: Shuai ZHANG,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of forming a semiconductor device and structure thereof

Номер патента: EP1774580A2. Автор: Omar Zia,Sinan Goktepeli,Byoung W. Min,Nigel G. Cave,Venkat R. Kolagunta. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US20180090392A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having deep wells

Номер патента: US10134644B2. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20150064895A1. Автор: Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1953813A3. Автор: Kunio Hosoya,Saishi Fujikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230276718A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Amrita Singh,Elvedin MEMISEVIC. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device having a Buried Field Plate

Номер патента: US20150214311A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240274593A1. Автор: Seokho KIM,Sumin Park,Joohee Jang,Seongmin Son,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US10242936B2. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170077280A1. Автор: Chisato Furukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200402885A1. Автор: Keun Soo Kim,Yu Jin Jeon,Young Ik Kwon,Mi Kyoung Choi. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4310918A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240030217A1. Автор: Gerhard Prechtl,Oliver Häberlen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230369252A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2. Автор: Jeong-Hwan Son,Hyeong-Mo Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: US7348229B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak,Raymond James Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150104904A1. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210098291A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11424159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US6022773A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150137184A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US8957453B2. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-02-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11715636B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Manufacturing method of mis-type semiconductor device

Номер патента: US20140287572A1. Автор: Toru Oka,Junya Nishii,Takahiro Sonoyama,Kiyotaka MIZUKAMI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230326741A1. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench isolation structure

Номер патента: US6455381B1. Автор: Masahiro Shimizu,Yoshitaka Fujiishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100025827A1. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of fabricating a semiconductor device having a pre metal dielectric liner

Номер патента: US20070155111A1. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5766996A. Автор: Toshiyuki Hayakawa,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20180130665A1. Автор: Hyun Park,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160336431A1. Автор: Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Wen-Chung Yang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1275137A1. Автор: Antonius M. P. J. Hendriks,Margriet L. Diekema. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Fabrication method of integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20200395241A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongsoo Woo,Joonyoung Choi,Junsoo Kim,Namho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110318910A1. Автор: Haruo Nakazawa,Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4870031A. Автор: TADASHI Nishimura,Yasuo Inoue,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1989-09-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6465295B1. Автор: Kenji Kitamura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20110204417A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device including forming an amorphous silicon layer over and reacting with a silicide layer

Номер патента: US20040245581A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170069748A1. Автор: Takeshi Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: CA1216966A. Автор: Pieter J.W. Jochems. Владелец: Pieter J.W. Jochems. Дата публикации: 1987-01-20.

Method of forming a semiconductor device having several gate levels

Номер патента: US4724218A. Автор: Pierre Blanchard,Jean P. Cortot. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-02-09.

Method of producing compound semiconductor device

Номер патента: EP1363167A3. Автор: Hiroshi Kobayashi,Takanori Matsumoto,Akiyoshi Kudo. Владелец: EKC Technology KK. Дата публикации: 2007-06-06.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20160365477A1. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US10332974B2. Автор: Chun-Yen Chang,Hao-Chung Kuo,Chen-Yu Li. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-06-25.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US20120238089A1. Автор: Shigeru Shiratake,Akio Nishida,Hisakazu Otoi,Yasuaki Yonemochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with BICMOS circuit

Номер патента: US5824560A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-10-20.

Method of manufacturing a semiconductor device with a BiCMOS circuit

Номер патента: US5970332A. Автор: Armand Pruijmboom,Willem Van Der Wel,Alexander C. L. Jansen,Ronald Koster. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor device with high packing density and having field effect transistors

Номер патента: US5385857A. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-01-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1150855A. Автор: Marnix G. Collet,Hermanus L. Peek. Владелец: Hermanus L. Peek. Дата публикации: 1983-07-26.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP1057218A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-12-06.

A method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2000038237A1. Автор: Pierre H. Woerlee,Andreas H. Montree,Jurriaan Schmitz. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-06-29.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8058124B2. Автор: Akiko Fujita,Masataka Ono. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20100197122A1. Автор: Akiko Fujita,Masataka Ono. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030141549A1. Автор: Ichiro Mizushima,Kiyotaka Miyano,Kazuya Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Method of fabricating a semiconductor device using element isolation by field shield

Номер патента: US5672526A. Автор: Koichiro Kawamura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-09-30.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20150325519A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP2842164A1. Автор: Hermanus Leonardus Peek,Willem Hendrik Maes,Wilco Klaassens. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-03-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110089513A1. Автор: Nobuyuki Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200312857A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240032272A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11812602B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170084665A1. Автор: Byung-Kyu Park,Shawn Michael O'rourke,Frank Caris,Brian Rees. Владелец: dpiX LLC. Дата публикации: 2017-03-23.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7071041B2. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060275622A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060134865A1. Автор: Tsukasa Doi,Hiroyuki Inuzuka,Kazumasa Mitsumune. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12094804B2. Автор: Zhan Ying,Jie Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US09947632B2. Автор: CHI HO Leung,Shun Tik Yeung,Pompeo V Umali,Wai (Kan Wae) Lam. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20160133520A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of bonding a semiconductor device using a compliant bonding structure

Номер патента: EP2404331A2. Автор: Stefano Schiaffino,John E. Epler,James G. Neff. Владелец: Philips Lumileds Lighing Co LLC. Дата публикации: 2012-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12040308B2. Автор: Jin Woong Kim,Sung Kyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210013144A1. Автор: Ji Yeon Ryu,Jae Beom Shim. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Semiconductor Device

Номер патента: US20210143113A1. Автор: Katsuhiro TAKAO. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230352397A1. Автор: Eiji HIRAIWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US20020064950A1. Автор: Toshio Nagata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method of making flexible semiconductor device with graphene tape

Номер патента: US11456188B2. Автор: Zhijie Wang,Meng Kong Lye,You Ge. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20170069550A1. Автор: Ran Yan,Pei-Yu Chou,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US12040218B2. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US11137435B2. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-05.

System and method of testing a semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20200033389A1. Автор: Yongho Cho,Junbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: US20220137607A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: EP4200903A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a stacked capacitor

Номер патента: US7811895B2. Автор: Shinpei Iijima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080284027A1. Автор: Hisaya Sakai,Kazuya Okubo,Kazuo Kawamura,Shinichi Akiyama,Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6358835B1. Автор: Ryuichi Kanamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and process control system for a semiconductor manufacturing assembly

Номер патента: WO2022093308A1. Автор: Philip Gröger. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having a stacked capacitor

Номер патента: US20090221127A1. Автор: Shinpei Iijima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040253800A1. Автор: Yong-Sun Ko,Sang-Sup Jeong,Jae-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-16.

Methods of Forming a Semiconductor Device Having a Contact Structure

Номер патента: US20110151658A1. Автор: Changhun Lee,Keemoon Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160079201A1. Автор: Won Chul Do,Jin Hee Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Method of Producing a Semiconductor Device and Semiconductor Device Having a Through-Wafer Interconnect

Номер патента: US20120286430A1. Автор: Jochen Kraft,Jordi Teva. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2012-11-15.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20100178736A1. Автор: Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US20240186446A1. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09905518B2. Автор: Hiroshi Okumura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing a semiconductor device, pattern correction apparatus, and computer-readable recording medium

Номер патента: US20080241972A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of manufacturing a semiconductor device for reducing resistance of a CoSi2 layer

Номер патента: US20040209450A1. Автор: Cheng-Shun Chen,Wan-Yi Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US6815148B2. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-11-09.

Method of etching a semiconductor device

Номер патента: US7144749B2. Автор: Khim Hong Ng,Chin Ling Pong. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2006-12-05.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20020009888A1. Автор: Akira Mizumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20080227258A1. Автор: Keon-Soo Kim,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020019089A1. Автор: Masahiro Shimizu,Takashi Miyajima,Toshinori Morihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240249941A1. Автор: Ching-Yu Chang,Wei-Han Lai,Jing Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12099301B2. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Underlayer composition and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240369932A1. Автор: Chien-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09996658B2. Автор: Youngseok Kim,Noyoung CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of producing a semiconductor device including treatment with dilute hydrofluoric acid

Номер патента: US8951844B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Naomi Yanai,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11923273B2. Автор: Chia-Tien Wu,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20170345679A1. Автор: Sangjin Kim,TaeYong KWON,Yunkyeong JANG,Donghoon HWANG,Sebeom OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7592260B2. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130034960A1. Автор: HAIYANG Zhang,Dongjiang Wang,Minda Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and designing a mask pattern

Номер патента: US20020197567A1. Автор: Akira Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20080057735A1. Автор: Min Chul Gil. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device with a contact hole

Номер патента: US20020182854A1. Автор: Junichi Miyano,Kiyohiko Toshikawa,Yoshikazu Motoyama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057734A1. Автор: Dae Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130178067A1. Автор: Eunsung KIM,Chulho Shin,Han Geun Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150227046A1. Автор: Jaeho Kim,Kyoungmi KIM,Jungsik CHOI,Jeong Ju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and recording medium

Номер патента: US20160284552A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of making a semiconductor device with V2V rail

Номер патента: US12125792B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09984887B2. Автор: Motomu DEGAI. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09966262B2. Автор: JaeWoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20090075462A1. Автор: Rolf Weis,Dirk Manger,Christoph Noelscher. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of separating a semiconductor device from a substrate

Номер патента: WO2024052695A1. Автор: Tongtong ZHU,Kunal Kashyap,Jia-liang TU,Kai-Jyun Huang. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of selectively transferring semiconductor device

Номер патента: US11901478B2. Автор: Shih-I Chen,Hao-Min Ku,Fu-Chun Tsai,Hsin-Chih CHIU,You-Hsien Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20160071859A1. Автор: Sadatoshi Murakami,Weiting Wang,Fumiharu Nakajima,Yoko Yokoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7534657B2. Автор: Yoshihiko Yamaguchi,Yusuke Ohta,Atsushi Fujishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150235994A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takashi Ohba. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9484280B2. Автор: Tiam Meng PON,Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

A semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP1808885A1. Автор: Dale C. Jacobson,Wade A. Krull. Владелец: Semequip Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US3811183A. Автор: W Celling. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5405803A. Автор: Takahisa Kusaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1995-04-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and substrate carrier structure

Номер патента: US20110183496A1. Автор: Yuichi Kaneko. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20090289361A1. Автор: Seiya Fujii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Optical semiconductor device and method of assembling optical semiconductor device

Номер патента: US20210098523A1. Автор: Kyohei Maekawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10896869B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-01-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5106782A. Автор: Tadashi Matsuno,Hideki Shibata,Kazuhiko Hashimoto,Hisayo Momose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20090042383A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Jin Gyun Kim,Bon-young Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of manufacturing a semiconductor device with a multilayer wiring

Номер патента: US6143651A. Автор: Marian N. Webster,Albertus G. Dirks. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Semiconductor device and method of enveloping the semiconductor device

Номер патента: CA1093704A. Автор: Gerard J. Scholten,Johannes Brandsma. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-13.

Method of manufacturing a semiconductor device with capacitor electrodes

Номер патента: US6890817B2. Автор: Takashi Uehara,Hiroshi Maeda,Toshiyuki Oashi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Method of fabricating a semiconductor device and method of cleaning a crystalline semiconductor surface

Номер патента: US5948161A. Автор: Hirotaka Kizuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240014063A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9818735B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20200111750A1. Автор: Stefan Beyer,Marius Aurel Bodea,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190080964A1. Автор: Hiroyuki Utsunomiya. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by using said method

Номер патента: US4052269A. Автор: Jacques Michel,Michel Iost. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1977-10-04.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190122953A1. Автор: Yuki Inaba,Taiki Satou. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Wafer and method of making, and semiconductor device

Номер патента: US20230230936A1. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240006218A1. Автор: Bernhard Goller,Gregor Langer,Matteo Piccin,Nilesha Mishra,Franz-Josef Pichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4300557A1. Автор: Bernhard Goller,Gregor Langer,Matteo Piccin,Nilesha Mishra,Franz-Josef Pichler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-03.

Method of severing a semiconductor device composite

Номер патента: US20140248758A1. Автор: Guido Weiss,Albert Perchtaler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190279921A1. Автор: Kiyoaki Kadoi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12009210B2. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of forming a semiconductor device and related semiconductor devices

Номер патента: US20200211981A1. Автор: Adam L. Olson,John D. Hopkins,Jeslin J. Wu,Rohit Kothari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230245889A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

A method of forming a semiconductor device

Номер патента: GB2247346A. Автор: Andrew Jonathan Moseley. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1992-02-26.

Method of manufacturing a semiconductor device with a copper wiring layer

Номер патента: US5084412A. Автор: Yasushi Nakasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5989992A. Автор: Toshiki Yabu,Mizuki Segawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Method of manufacturing a semiconductor device including alignment mark

Номер патента: US9018073B2. Автор: Shigeki Yoshida,Makoto Kawano. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1165903A. Автор: Jan Dieleman,Franciscus H.M. Sanders,Jozef A.M. Sanders. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1984-04-17.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US4588472A. Автор: Isao Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-05-13.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US4305974A. Автор: Ryoji Abe,Makoto Serigano,Shuji Tabuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-12-15.

Method of manufacturing a semiconductor device having a plurality of elements

Номер патента: US5019526A. Автор: Tetsuo Fujii,Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY175969A. Автор: D Moyers Richard,C Shastri Sudhama. Владелец: Semiconductor Components Ind Llc. Дата публикации: 2020-07-17.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: GB1498096A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1978-01-18.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: CA1217576A. Автор: Hiroshi Goto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices

Номер патента: US5360509A. Автор: Joseph Y. Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,John Latza,Lawrence Laterza. Владелец: GI Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Method of manufacturing a semiconductor device by ion implantation through an ion-sensitive resist

Номер патента: US5037767A. Автор: Peter J. Daniel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1991-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230411257A1. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230299016A1. Автор: Myoungsoo Kim,Jisung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200185343A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180269171A1. Автор: Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US11806903B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Manufacturing method of housing for semiconductor device

Номер патента: US20220134616A1. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of packaging a semiconductor device with a clip

Номер патента: US20130285249A1. Автор: Chee Chian Lim,Yoke Chin Goh,Boon Huat Lim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060211214A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170062327A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11764135B2. Автор: Siang Miang Yeo,Mohd Hasrul Bin ZULKIFLI. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230317454A1. Автор: Ji Hoon Kim,Jae Han Park,Chang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180166290A1. Автор: Akihiro Kikuchi,Takeshi Kuroda,Shintaro KOSEKI. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180068944A1. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9831179B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,Woo-Sung Yang,Jee-hoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230352370A1. Автор: George Scott,Kwang Seok Oh,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of making a semiconductor device having multiple die redistribution layer

Номер патента: US20080160674A1. Автор: Hem Takiar,Shrikar Bhagath. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US20160218036A1. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-28.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US9978640B2. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8399351B2. Автор: Masashi Takahashi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-19.

Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer

Номер патента: US4698126A. Автор: Anton P. M. Van Arendonk,Alfred J. Van Roosmalen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-10-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150064913A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhisa Matsuda,Tsubasa IMAMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US3589939A. Автор: Yoshio Tanaka,Seiichi Iwamatsu,Minoru Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-06-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced leak paths

Номер патента: US20150332957A1. Автор: Guan-Jie Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240162149A1. Автор: Ji Seong Kim,Wan Sup SHIN,Yoon Ho KANG,Seok Min JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20210320079A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180269169A1. Автор: Takeshi Morita,Yukihiro Imura,Shinjiro Kato,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US20190140131A1. Автор: Tsuyoshi Waki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100123244A1. Автор: Kunihiro Takeda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Optical semiconductor device and method of fabricating optical semiconductor device

Номер патента: US20060054916A1. Автор: Yoshihiko Hanamaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09887154B2. Автор: Takuya Takahashi,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing a semiconductor device and a device obtained by means of said method

Номер патента: US20020123223A1. Автор: Johannes Van Rijckevorsel,Eugene Vriezen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device having an alignment mark

Номер патента: US20050170615A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6596582B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Yoshitaka Fujiishi,Eiji Hasunuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010016371A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Akihiko Iwaya,Chikako Imura,Toshihiro Shiotsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3891481A. Автор: Reinhold Kaiser. Владелец: Telefunken Patentverwertungs GmbH. Дата публикации: 1975-06-24.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US3762967A. Автор: H Holzer,W Scherber. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-10-02.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20070254389A1. Автор: Chang-ki Hong,Jeong-Nam Han,Dae-hyuk Kang,Kun-tack Lee,Sung-il Cho,Jung-min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor Device, Memory Module, and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20090273044A1. Автор: Rainer Leuschner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US12119337B2. Автор: Junichi Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US20210240227A1. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing a semiconductor device for attaching to a flexible display

Номер патента: US11619974B2. Автор: Cheng-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-04.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2664894C1. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080038897A1. Автор: Hiroshi Yoshino,Kazushi Suzuki,Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method of making a semiconductor device using a nanochannel glass matrix

Номер патента: US5306661A. Автор: Brian L. Justus,Ronald J. Tonucci. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1994-04-26.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20010006830A1. Автор: Volker Strutz,Rüdiger Uhlmann,Stephan Wege,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-07-05.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Method of making a semiconductor device with changeable interconnection

Номер патента: US6069076A. Автор: Yasuji Takahashi. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2000-05-30.

Three-dimensional (3d) semiconductor devices and methods of fabricating 3d semiconductor devices

Номер патента: US20160240555A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US11894418B2. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11949209B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230198223A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: WO2008007259A3. Автор: Hoang Viet Nguyen. Владелец: Hoang Viet Nguyen. Дата публикации: 2008-06-12.

Memory cell with planarized carbon nanotube layer and methods of forming the same

Номер патента: WO2009088890A3. Автор: Mark Clark,Yoichiro Tanaka,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and device manufactured by the method

Номер патента: US3811975A. Автор: Lierop J Van. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170062361A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US9793228B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160086961A1. Автор: Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20190386456A1. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US11038317B2. Автор: Eiichiro OKAHISA,Shohei Itonaga. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240121951A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3747203A. Автор: J Shannon. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1973-07-24.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050032264A1. Автор: James O'gorman. Владелец: Eblana Photonics Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Method of producing a semiconductor device having a light transparent window

Номер патента: US4812420A. Автор: Takashi Takahama,Kunito Sakai,Sadamu Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US3772770A. Автор: H Arndt,F Belke. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1973-11-20.

Photoresist underlayer and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230393474A1. Автор: Ching-Yu Chang,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory Cell Comprising First and Second Transistors and Methods of Operating

Номер патента: US20240243492A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Jin-Woo Han,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of patterning a semiconductor device

Номер патента: US6054395A. Автор: Eric Knappenberger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200388320A1. Автор: Soo Min Lee,Ki Hwan SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240341104A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: WO2015130657A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US9473861B1. Автор: Dennis Wayne Mitchler,James Gregory Ryan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5470778A. Автор: Hiroyuki Yoshida,Katsushi Boku,Takayuki Niuya,Yoshihiro Ogata,Toshiyuki Nagata,Yoichi Miyai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device including memory cells storing multi-bit data and operating method of the semiconductor device

Номер патента: US10796775B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor device for performing a program operation and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240170079A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200143010A1. Автор: Kang-Min Jung,Sangtae Kim,Bong-Soo Kang,Sooyong Lee,Kyoil KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US9302904B2. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of fabricating integrated semiconductor device and structure thereof

Номер патента: US20150044808A1. Автор: Shuo-Lun Tu,Ming-Tung Lee,Hsueh-I Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device configured to store parity data and method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20240021223A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

A method of testing a semiconductor device as well as a corresponding testing device

Номер патента: EP4290251A1. Автор: Magnus RUMMEY. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method of testing the semiconductor device

Номер патента: US20240177791A1. Автор: Jun Hyuk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of testing a semiconductor device as well as a corresponding testing device

Номер патента: US20230400503A1. Автор: Magnus Siegfried RUMMEY. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US20090007045A1. Автор: Noriaki Oda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of designing a semiconductor device

Номер патента: US8146044B2. Автор: Noriaki Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Method of making a semiconductor device force and/or acceleration sensor

Номер патента: US5840597A. Автор: Siegbert Hartauer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of measuring a semiconductor device

Номер патента: US11830176B2. Автор: Kai Lee,Chih-Chien Huang,Hao-Hsiang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: CA1255192A. Автор: Charles T. Foxon. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-06-06.

Semiconductor device and method of controlling the semiconductor device

Номер патента: US11907681B2. Автор: Taro Fujii,Takao Toi,Katsumi Togawa,Teruhito TANAKA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.