Semiconductor device, static random access memory cell and manufacturing method of semiconductor device
Номер патента: US10170483B2
Опубликовано: 01-01-2019
Автор(ы): Kun-Mu Li, Ming-Hua Yu, Tsz-Mei Kwok, Yi-Jing Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-01-2019
Автор(ы): Kun-Mu Li, Ming-Hua Yu, Tsz-Mei Kwok, Yi-Jing Lee
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device
Номер патента: US20210013196A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.