Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Method of making a semiconductor device having a gate electrode with an hourglass shape

Номер патента: US7091094B2
Опубликовано: 15-08-2006
Автор(ы): Hyeong-Mo Yang, Jeong-Hwan Son
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100230748A1. Автор: Satoshi Hikida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Field effect transistor having a gate dielectric with a dipole layer and having a gate stressor layer

Номер патента: US11984506B2. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Dan S. Lavric,Michal MLECZKO,Vishal Tiwari. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09870996B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: EP3378095A1. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006480A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Tz-Hau Guo,Chung-Hao Chu,Meng-Chang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243658A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Tz-Hau Guo,Chung-Hao Chu,Meng-Chang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20190157408A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Tz-Hau Guo,Chung-Hao Chu,Meng-Chang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method for semiconductor device having a T-type gate electrode

Номер патента: US20060009032A1. Автор: So Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor Device Including a Transistor with a Gate Dielectric Having a Variable Thickness

Номер патента: US20160190256A1. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser,Martin Vielemeyer,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20150295078A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of fabricating a vertically profiled electrode and semiconductor device comprising such an electrode

Номер патента: US20030153178A1. Автор: Bernd Maile. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of depositing thin passivating film on microminiature semiconductor devices

Номер патента: US5620909A. Автор: Fan Ren,Jenshan Lin,James R. Lothian. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-04-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372137A1. Автор: Yasuyuki Sakogawa. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190312119A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640629B1. Автор: Toshitaka Miyata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09608054B2. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260813A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352548A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210376099A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Park,Dongjin Lee,Sungjin Kim,Dong Su KO,Ji Eun Lee,Sung Heo,Jiho Yoo,Kyoung-Ho Jung,Moonyoung JEONG,Gyeongsu PARK,Han Jin Lim,EunAe Cho,Yongsu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10483276B2. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190035800A1. Автор: Atsushi Yoshitomi,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Low-cost semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09691893B2. Автор: Francois Hebert,Ju Ho Kim,Seong Min Cho,Yu Shin RYU,Yon Sup PANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of producing a t-shaped gate electrode

Номер патента: US5139968A. Автор: Takuji Sonoda,Iwao Hayase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108650A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: Sung-Gyu Park. Дата публикации: 2006-05-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230378313A1. Автор: Chung-Yi Chiu,Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130270569A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160056259A1. Автор: Chongkwang Chang,Yeong-Jong Jeong,Duck-nam Kim,Youngjoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20140346608A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096630A1. Автор: Shih-Chieh Chao,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Yu-Shih Wang,Tzu-Wen Pan,Jih-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11538917B2. Автор: Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Huan-Chi Ma,Chien-Wen Yu,Ti-Bin Chen,Hui-Hsin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230078993A1. Автор: Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Huan-Chi Ma,Chien-Wen Yu,Ti-Bin Chen,Hui-Hsin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916126B2. Автор: Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Huan-Chi Ma,Chien-Wen Yu,Ti-Bin Chen,Hui-Hsin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384603A1. Автор: Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Huan-Chi Ma,Chien-Wen Yu,Ti-Bin Chen,Hui-Hsin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming fully silicided nmos and pmos semiconductor devices having independent polysilicon gate thicknesses, and related device

Номер патента: US20090057776A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having a low-resistance gate electrode

Номер патента: US20050020045A1. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Tetsuya Taguwa. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode

Номер патента: US5189504A. Автор: Satoshi Nakayama,Tetsushi Sakai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Method of tuning work function for a semiconductor device

Номер патента: US09812366B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of Forming Fully Silicided NMOS and PMOS Semiconductor Devices Having Independent Polysilicon Gate Thicknesses, and Related Device

Номер патента: US20090321846A1. Автор: Shaofeng Yu,Freidoon Mehrad,Steven A. Vitale,Craig H. Huffman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Ohmic electrode for sic semiconductor, method of manufacturing ohmic electrode for sic semiconductor, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: CA2667648A1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010010381A1. Автор: Jong-Wan Jung,Jeong Nam. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-02.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A3. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

A semiconductor device including a cross-coupled gate circuit in a 3d stack and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4036959A2. Автор: Seunghyun Song,Saehan Park,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor device having field plate structures and gate electrode structures between the field plate structures

Номер патента: US9691862B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device Having Field Plate Structures and Gate Electrode Structures Between the Field Plate Structures

Номер патента: US20160204210A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Array substrate having a plurality of gate electrode material lines, source-drain electrode material lines and first metal lines

Номер патента: US09812469B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Jincheng GAO,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20140363939A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-12-11.

High-voltage semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20220069081A1. Автор: Wen-Hsin Lin,Yu-Hao Ho,Chiu-Hao Chen,Cheng-Tsung WU,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11824100B2. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240021697A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20160218210A1. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09570604B2. Автор: Masaki Nagata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having multiple wells and method of making

Номер патента: US11769812B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device including trench structure and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240014303A1. Автор: Minsu Seol,Keunwook SHIN,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818851B2. Автор: Nao NAGATA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device having multiple wells

Номер патента: US20230378296A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955483B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Charge transfer device having an output gate electrode extending over a floating diffusion layer

Номер патента: US5539226A. Автор: Masahide Hirama,Tadakuni Narabu,Yasuhito Maki,Seiichi Kawamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: US20190267391A1. Автор: James Kai,Muneyuki IMAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating a nitrogenated silicon oxide layer and mos device having same

Номер патента: SG151229A1. Автор: YANG Bin,Lee Jae Gon,Zhou Meisheng,Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Ben Ong,Lydia Wong,Alex See Kh,Zhang Zhengquan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods of forming a silicon-insulator layer and semiconductor device having the same

Номер патента: US11195713B2. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-12-07.

Method of forming self-aligned silicide layers on semiconductor devices

Номер патента: US20020182860A1. Автор: Jerry Lin,Cheng-Kuo Yuan,Chi-Wei Chou. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing for memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US9502543B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Gate Structure of Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20240379812A1. Автор: Weng Chang,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530899B2. Автор: Jae-Young Ahn,Ki-Hyun Hwang,Jin-Tae Noh,Bi O Kim,Su-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate electrode with depletion suppression and tunable workfunction

Номер патента: US20140329378A1. Автор: James F. Gibbons,Steven Hung,Judy L. Hoyt. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor devices

Номер патента: US20200013870A1. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device using oxidation

Номер патента: US7365362B2. Автор: Kiyotaka Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050017305A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Masamichi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7075158B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Masamichi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060027879A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Masamichi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09716093B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090170301A1. Автор: Kyung-Doo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20180233592A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230091153A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240363362A1. Автор: Feng Gao,Wen Yi Tan,Wind Zhu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US11069580B2. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of channel patterns

Номер патента: US20210013110A1. Автор: Songse YI,Naery YU,Sumin KIM,Jeongho MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US12009404B2. Автор: Sungmin Kim,Keun Hwi Cho,Seungseok HA,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865612B2. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor Devices Including Gate Structures With Oxygen Capturing Films

Номер патента: US20170148792A1. Автор: Hyun-Jo Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326991A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220302279A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Yu-Ren Wang,Shao-Wei Wang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of operating a semiconductor device having an IGBT and desaturation channel structure

Номер патента: US09621133B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09972717B2. Автор: Dong-Suk Shin,Si-Hyung Lee,Jeong-Yun Lee,Yeong-Jong Jeong,Geo-Myung SHIN,Seo-Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with suppressed hump characteristic

Номер патента: US7944021B2. Автор: Kouji Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced junction leakage current and gate electrode resistance of transistor

Номер патента: US20060115936A1. Автор: Keizo Kawakita,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20130001677A1. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20150024563A1. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9287261B2. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110204451A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150091102A1. Автор: Eisuke Seo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09887194B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of protecting sidewall surfaces of a semiconductor device

Номер патента: US20140120720A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20130341732A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor device having silicide on gate sidewalls in isolation regions

Номер патента: US20150061039A1. Автор: Hoon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20080277694A1. Автор: Prasad Venkatraman,Zia Hossain,Francine Y. Robb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of fabricating metal lines in a semiconductor device

Номер патента: US20020090811A1. Автор: Byung-hee Kim,Gil-heyun Choi,Jong-Myeong Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Metal contact structure and method of forming the same in a semiconductor device

Номер патента: US11854874B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Metal Contact Structure and Method of Forming the Same in a Semiconductor Device

Номер патента: US20240087953A1. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

High-voltage semiconductor devices and methods of formation

Номер патента: US20230387308A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming electrical contact to a semiconductor substrate via a metallic silicide or silicon alloy layer formed in the substrate

Номер патента: US4577396A. Автор: Noriyuki Sakudo,Naoki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1986-03-25.

Method of forming a mass over a semiconductor substrate

Номер патента: US7179361B2. Автор: Rita J. Klein,Dale W. Collins,Richard H. Lane. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-20.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230378305A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US11810960B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12080798B2. Автор: Sung Soo Kim,Dong Hyun ROH,Sun Ki MIN,Chae Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices with superlattice and punch-through stop (PTS) layers at different depths and related methods

Номер патента: US09941359B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620409B2. Автор: Ken Kikuchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Transistor Gate Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240250032A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20160049375A1. Автор: Takashi Hase,Tadatoshi Danno,Ippei Kume,Takashi Onizawa,Shigeru Hirao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10985255B2. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200152753A1. Автор: Dae Hyun Kim,Jisoo Lee,Dongchan Kim,Junghwan HUH,Euiju KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Gate Formation Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20210183713A1. Автор: Chang-Yun Chang,Chih-Hao Yu,Hsiu-Hao Tsao,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166953A1. Автор: Hyung Sun Yun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160118503A1. Автор: Eun-young Lee,Je-Hun Lee,Eun-Hyun Kim,Sang-won Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

FinFET structure with airgap and method of forming the same

Номер патента: US11735641B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Finfet structure with airgap and method of forming the same

Номер патента: US20230369443A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

FinFET Structure with Airgap and Method of Forming the Same

Номер патента: US20220085185A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Wei-Yang Lee,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4350779A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210217665A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device with fin end spacer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200098876A1. Автор: Tung Ying Lee,Wei-Sheng Yun,Tzu-Chung Wang,Kai-Tai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230290848A1. Автор: Dong Soo Kim,Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with interlayer insulation structure including metal-organic framework layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11955529B2. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Transistor comprising an air gap positioned adjacent a gate electrode

Номер патента: US20200066899A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods of forming finfet devices

Номер патента: US20240234534A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230343854A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027594B2. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240379551A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US11923455B2. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20200044074A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods of forming replacement gate structures for nfet semiconductor devices and devices having such gate structures

Номер патента: US20140145274A1. Автор: Huang Liu,Wonwoo Kim,Jean-Baptiste Laloe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Method for producing an n-doped field stop zone in a semiconductor body and semiconductor component having a field stop zone

Номер патента: US20060035436A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices with scalable two transistor memory cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20040227173A1. Автор: Gwan-Hyeob Koh,Su-Jin Ahn,Hyoung-Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20150170919A1. Автор: Yong Sun JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of peak on-state voltage reduction for semiconductor device fabrication

Номер патента: US20240290828A1. Автор: Jifeng Zhou,Xingchong Gu. Владелец: Littelfuse Semiconductor (Wuxi) Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09870949B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Display panels, methods of manufacturing the same and organic light emitting display devices having the same

Номер патента: US09923039B2. Автор: Ki-Wan Ahn,Yong-Jae Jang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Feautures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202699A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Tzu-Hsiang HSU,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor integrated circuit device having vertical channel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640587B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09755054B2. Автор: Hyeon Jun Lee,Ki Hwan Kim,Kap Soo Yoon,Jeong Uk Heo,Myung Kwan Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7968396B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20230117607A1. Автор: Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US7645655B2. Автор: Nobuyuki Mise,Shinji Migita,Yukimune Watanabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09966475B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Desaturable semiconductor device with transistor cells and auxiliary cells

Номер патента: US09899478B2. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09831325B2. Автор: Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09711652B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device production method

Номер патента: US8383484B2. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09859376B2. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09530693B2. Автор: Jong Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120313183A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US09466708B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

MIS transistor having a large driving current and method for producing the same

Номер патента: US6690047B2. Автор: Akira Nishiyama,Mitsuhiro Noguchi,Daisaburo Takashima,Yukihito Oowaki,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-02-10.

Semiconductor Devices Having Gate Structures with Conductive Patterns of Different Widths and Methods of Fabricating Such Devices

Номер патента: US20100133604A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Ju-Hyung Kim,Sung-Il Chang,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor devices with a sloped surface

Номер патента: US20200328275A1. Автор: Seetharaman Sridhar,Haian Lin,Frank Alexander Baiocchi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device comprising a field electrode

Номер патента: US09728614B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,David Laforet,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6891238B2. Автор: Hideki Satake,Yuichiro Mitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device, power diode, and rectifier

Номер патента: US09685562B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20050048708A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Trench type power transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20130069143A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chia-Hui Chen,Sung-Shan Tai,Shian-Hau Liao. Владелец: Sinopower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US12142653B2. Автор: Chih-Wei Hung,Chien-Hung Liu,Kuo-Pin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices including recessed source/drain silicides and methods of forming the same

Номер патента: SG10201804486SA. Автор: Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Chul Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Semiconductor devices including recessed source/drain silicides and methods of forming the same

Номер патента: US20200343350A1. Автор: Sang Jin HYUN,Heon Bok LEE,Chul Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20120052645A1. Автор: Masaki HANEDA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230387297A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Fabrication method for semiconductor device

Номер патента: US20070134863A1. Автор: Marie Mochizuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Gate Structure of a Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20230317525A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105836A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20180374862A1. Автор: Byoung Il Lee,Tak Lee,Ji Mo GU,Jun Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device with isolation between conductive structures

Номер патента: US11742398B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device exhibiting reduced parasitics and method for making same

Номер патента: US20120256277A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: US20060017098A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

A semiconductor device with a high-k gate dielectric and a metal gate electrode

Номер патента: EP1790006A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210273051A1. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160293705A1. Автор: Jae-Young Park,Sun-Young Lee,Dong-Hun Lee,Bon-young Koo,Jae-jong Han,Han-Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US20160380079A1. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US20140264565A1. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Transistor of semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110133288A1. Автор: Ki Bong Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP4148807A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12125706B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09406796B2. Автор: Katsushige Yamashita,Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20040046217A1. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2004-03-11.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US6875662B2. Автор: Hideo Miura,Tomio Iwasaki. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2005-04-05.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US6140192A. Автор: Hsiao-Ling Lu,Tri-Rung Yew,Michael W C Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240097015A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Ryouichi KAWANO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230132488A1. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Charge-coupled device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1267975A. Автор: Jan W. Slotboom,Henricus G. R. Maas,Geert J. T. Davids,Kazimierz Osinski. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-04-17.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Method of forming a single poly cylindrical flash memory cell having high coupling ratio

Номер патента: US6103575A. Автор: Ko-Hsing Chang. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20220052157A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US11937425B2. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device and electric apparatus

Номер патента: US20190115461A1. Автор: Hiroshi Ono,Tatsuo Shimizu,Daimotsu Kato,Toshiya Yonehara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of manufacturing a P-channel power MOSFET

Номер патента: US09825167B2. Автор: Hitoshi Matsuura,Yoshito Nakazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240055491A1. Автор: Sung-Li Wang,Chung-Liang Cheng,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Lin-Yu HUANG,Min-Hsuan LU,Harry CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11776999B2. Автор: Tatsuya Nishiwaki,Tsuyoshi Kachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11903206B2. Автор: Young Jin Kwon,Jong Seon AHN,Ji Sung CHEON,Seok Cheon Baek,Woong Seop Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09935017B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09659827B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US20170221771A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240079493A1. Автор: Chun-Chia Chen,Kun-Tsang Chuang,Yu-Shan Huang,Tung-I Lin,Guan-Qi Chen,Chen Chi Hsiao,Fang Yi Liao,Yu Shan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Gettering regions and methods of forming gettering regions within a semiconductor wafer

Номер патента: US20020022346A1. Автор: Fernando Gonzalez,Jeffrey Honeycutt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Apparatus and method of activating impurity atom in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20060105552A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-18.

Electroless plating bath used for forming a wiring of a semiconductor device, and method of forming a wiring of a semiconductor device

Номер патента: US5795828A. Автор: Mikio Nishio,Shin Hashimoto,Masayuki Endo,Akemi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-18.

Method of forming polycrystalline silicon thin films for semiconductor devices

Номер патента: US5464795A. Автор: Shizuo Oguro. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US09577051B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US20140299937A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of forming contact and semiconductor device manufactured by using the method

Номер патента: US20130277848A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US20140017886A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, method of manufacturing gate-all-around/multi-gate semiconductor device with body contact, and electronic apparatus

Номер патента: US20240072135A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods of Arranging L-Shaped Cell Blocks In Semiconductor Devices

Номер патента: US20110286295A1. Автор: HongSik Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Methods of forming doped epitaxial SiGe material on semiconductor devices

Номер патента: US09455140B2. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Murat Kerem Akarvardar,Jody A. FRONHEISER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Methods of forming epitaxial source/drain features in semiconductor devices

Номер патента: US12119378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices by implantation of an oxidation-retarding material

Номер патента: US09673083B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of epitaxial structure formation in a semiconductor

Номер патента: US09768017B1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a recess in a semiconductor substrate having at least one pn junction

Номер патента: US3570195A. Автор: Michio Otsuka,Syuji Sugioka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-03-16.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Methods of Forming Patterns with Multiple Layers for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170125256A1. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210134955A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of Forming Epitaxial Source/Drain Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200075724A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu,Jia-Heng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of forming patterns with multiple layers for semiconductor devices

Номер патента: US10014181B2. Автор: Hong-Rae Kim,Jun-Soo Lee,Jeon-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20040033686A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device having a metal-semiconductor junction with a reduced contact resistance

Номер патента: US20020027285A1. Автор: Takashi Matsuura,Junichi Murota,Masao Sakuraba,Yosuke Shimamune. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7022624B2. Автор: Choon Kun Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887157B2. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Chemical liquid, manufacturing method of modified substrate, manufacturing method of laminate, and chemical liquid container

Номер патента: US20240337013A1. Автор: Atsushi Mizutani,Koichi Sato,Akihiro HAKAMATA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semicondutor device using the same

Номер патента: US09928333B2. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of fabricating a semiconductor on insulator device having a frontside substrate contact

Номер патента: US20100163993A1. Автор: Piebe A. Zijlstra. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor integrated circuit device having component transistor with protected gate electrode

Номер патента: US5517050A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing display apparatus, apparatus of manufacturing semiconductor device, and display apparatus

Номер патента: US20090095962A1. Автор: Yoshio Inagaki,Koichi Tsukihara,Koichi Tatsuki,Goh Matsunobu,Nobuhiko Umezu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of designing a layout of a semiconductor device including field effect transistor and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: USRE49780E1. Автор: Jung-Ho Do,Sanghoon Baek,Taejoong Song,Jinyoung Lim,Sungwe Cho,Giyoung Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US8278168B2. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-10-02.

Methods of forming a semiconductor device

Номер патента: US20120009746A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor integrated circuit device having reservoir capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150357377A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20100072556A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120280329A1. Автор: Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hongbae PARK,Hyung-seok HONG,Sunghun HONG,Hagju CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-08.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20220085153A1. Автор: Hiroki Nakajima,Tomohiko Sugita,Naomi Yanai,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA,Tatsuhiko Koide,Takaumi Morita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods of forming a resistor structure between adjacent transistor gates on an integrated circuit product and the resulting devices

Номер патента: US20180366461A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Manfred Eller,Daniel Jaeger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of forming an integrated circuit (ic) with shallow trench isolation (sti) regions and the resulting ic structure

Номер патента: US20180247956A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Methods of forming a pattern of a semiconductor device

Номер патента: US09520289B2. Автор: Jin Park,Hyun-Woo Kim,Cha-Won Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10474783B2. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making enhancement-mode and depletion-mode IGFETS using selective doping of a gate material

Номер патента: US5885874A. Автор: Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-03-23.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US09837371B2. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US09460967B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of forming cantilevered protrusion on a semiconductor die

Номер патента: US09935045B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of fabricating self aligned schottky junctions for semiconductors devices

Номер патента: EP1958244A1. Автор: Markus Müller. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-08-20.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: US7435669B2. Автор: Dae Kyeun Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Compartment Shielding for a Semiconductor Package

Номер патента: US20240321845A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A3. Автор: Glenn C Abeln,Gompel Toni D Van,Mohamad Jahanbani,James D Burnett,Peter J Beckage,Kyle T Gilliland. Владелец: Kyle T Gilliland. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming trench isolation in a semiconductor device

Номер патента: WO2006112964A2. Автор: Peter J. Beckage,James D. Burnett,Glenn C. Abeln,Toni D. Van Gompel,Mohamad Jahanbani,Kyle T. Gilliland. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of separating semiconductor dies from a semiconductor substrate, semiconductor substrate assembly and semiconductor die assembly

Номер патента: US09972535B2. Автор: Markus Brunnbauer,Franco Mariani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Polishing compostion for semiconductor process, manufacturing method of polishing composition and method for manufacturing semiconductor device by using the same

Номер патента: US20230332014A1. Автор: Han Teo PARK,Jang Kuk KWON,Seung Chul Hong,Deok Su Han. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device, method of designing a layout of a semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180157781A1. Автор: SUBHASH KUCHANURI,Sidharth Rastogi,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Method of forming a leadframe for a semiconductor package

Номер патента: US20050037544A1. Автор: Darrell Truhitte,Guan Quah. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US6387749B1. Автор: Chan Lim. Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-14.

Method of manufacturing semiconductor chip, semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US10410976B2. Автор: Kazuhito Higuchi,Taizo Tomioka,Tomohiro Iguchi,Yusaku Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-10.

Structure and method of reinforcing a conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: US20170207189A1. Автор: Jing Wu,Honghui Wang,Haizhong SHI. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US20160293419A1. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Method of Forming Conductive Contacts on a Semiconductor Device with Embedded Memory and the Resulting Device

Номер патента: US20120322225A1. Автор: Till Schloesser,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods of forming layer patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20140242800A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Tae-Hwan OH,Yu-Ra KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of manufacturing a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020001858A1. Автор: Han Song,Dong Kim,Kyong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method of fin selection for improved performance in semiconductor devices

Номер патента: US20240046021A1. Автор: Shellin Liu,Jui-Tse Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of fabricating a mask for a semiconductor device

Номер патента: US20080280213A1. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-13.

Method of improving a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20080124899A1. Автор: Wen Lin. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-05-29.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20230386910A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of planarizing a surface of a semiconductor wafer

Номер патента: US20040018733A1. Автор: Baek Hak. Владелец: 1st Silicon (Malaysia) Sdn Bhd. Дата публикации: 2004-01-29.

Method of manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20070166941A1. Автор: Jeong Ho Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of forming fine patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20180182623A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Yil-hyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for manufacturing a semiconductor device including interconnections having a smaller width

Номер патента: US20080090409A1. Автор: Taizo Yasuda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: US20200286837A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device with vias having a zinc-second metal-copper composite layer

Номер патента: WO2020180910A1. Автор: Nazila Dadvand. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of repairing shorts in parallel connected vertical semiconductor devices by selective anodization

Номер патента: US4488349A. Автор: Koichi Murakami,Teruyoshi Mihara. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-18.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of dry etching copper thin film and semiconductor device

Номер патента: US11791165B2. Автор: Cheewon CHUNG,Jaesang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of fabricating void-free conductive feature of semiconductor device

Номер патента: US20230402313A1. Автор: Cheng-Yan Ji,Chu-Hsiang HSU,Jing Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

FinFET device having flat-top epitaxial features and method of making the same

Номер патента: US11769771B2. Автор: Ming-Hua Yu,Yi-Jing Lee,Li-Wei Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of manufacturing double diffused drains in semiconductor devices

Номер патента: US20080132024A1. Автор: Shao-Yen Ku,Hung-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09780199B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with low concentration opposite type doping drain end gate electrode

Номер патента: US20240363720A1. Автор: Henry Litzmann Edwards. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device comprising gate electrode having arsenic and phosphorus

Номер патента: US7714364B2. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

MOS transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050139875A1. Автор: Hak-Dong Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Dual threshold voltage (VT) channel devices and their methods of fabrication

Номер патента: US11967615B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Neville L. DIAS,Hsu-Yu Chang,Roman W. OLAC-VAW,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

[method of forming ldd of semiconductor devices]

Номер патента: US20040229416A1. Автор: Ming-Sung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor devices comprising a heterojunction

Номер патента: US3679496A. Автор: Ties Siebolt Te Velde,Sybrandus Van Heusden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Schottky device having conductive trenches and a multi-concentration doping profile therebetween

Номер патента: US09716151B2. Автор: Mohammed Tanvir Quddus,Mingjiao Liu,Michael Thomason,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Gate-all-around semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09601488B2. Автор: Niamh Waldron,Nadine Collaert,Clement Merckling. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007119389A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-25.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210057409A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US11855226B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Thin film transistor, semiconductor device and method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20240097041A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Hung-Wei Li,Mauricio Manfrini,Neil Quinn Murray. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09911659B2. Автор: Chul Woong Lee,Youngmook Oh,Hanseung KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Fin-shaped semiconductor device, fabrication method, and application thereof

Номер патента: US12040356B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258305A1. Автор: Chung-Hui Chen,Tsung-Hsin Yu,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Cmos device, method of manufacturing cmos device, and semiconductor memory device including cmos device

Номер патента: US20240074175A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09997633B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Gate Capping Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230317828A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09859129B2. Автор: Chii-Ming Wu,Chi-Cherng Jeng,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Chen-Chieh Chiang,Chia-Pin Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09837537B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09449886B2. Автор: Mei-Yun Wang,I-Wen Wu,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Shih-Wen Liu,Hsiao-Chiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Gate contact and via structures in semiconductor devices

Номер патента: US12002885B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US7952093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Semiconductor devices including finFETs and local interconnect layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US09443851B2. Автор: RWIK Sengupta,RAHEEL Azmat. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Gate Spacers In Semiconductor Devices

Номер патента: US20230387245A1. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Spacer structures and contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230369456A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09543381B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Po-Chi WU,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20210288166A1. Автор: Zi-Wei FANG,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US11705507B2. Автор: Zi-Wei FANG,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP3951886A1. Автор: Seung Yoon Kim,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-09.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210233906A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices having fin shaped channels

Номер патента: US09536881B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sung-Bong Kim,Chang-wook Moon,Sang-pil Sim,Dong-Hun Lee,Hyung-Soon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1754255A1. Автор: Gerben Doornbos,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-02-21.

Semiconductor device with fin isolation

Номер патента: US20230369059A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of designing a datapath in a semiconductor component, and semiconductor component having a datapath

Номер патента: WO2021259476A1. Автор: Mustafa Badaroglu. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor devices and manufacturing methods of the same, and electronic systems including semiconductor devices

Номер патента: US20240315039A1. Автор: Inho Kim,Young-Ho Lee,Jumi Yun,Wongi Hong,Gyeongsik EOM,Chankyu KIM,Dasom JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of assembling carbon nanotubes of a semiconductor device via fringing field assisted dielectrophoresis

Номер патента: US09923160B2. Автор: Fei Liu,Kangguo Cheng,Shu-Jen Han,Qing Cao,Zhengwen Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of anodising a surface of a semiconductor device

Номер патента: US09786808B2. Автор: Xi Wang,Jie Cui. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20240349520A1. Автор: Seungwoo Paek,Sunil Shim,Jimin Lee,Moorym CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of making and stacking a semiconductor package

Номер патента: US6564454B1. Автор: Steven Webster,Thomas P. Glenn,Roy D. Holloway. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of intensive cooling of high-heat-stressed semiconductor devices

Номер патента: RU2657341C1. Автор: Александр Семенович Косой,Алексей Борисович Шмелев,Юрий Павлович Большаков,Егор Александрович Дружинин,Наталья Игоревна Вяземская,Андрей Александрович Михасев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "РСК Лабс" (ООО "РСК Лабс"). Дата публикации: 2018-06-13.

Method of employing multi-layer tab tape in semiconductor device assembly by selecting, breaking, downwardly bending and bonding tab tape trace free ends to a ground or power plane

Номер патента: US5638596A. Автор: John McCormick. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-06-17.

Method of stacking semiconductor element in a semiconductor device

Номер патента: US6958259B2. Автор: Hitoshi Shibue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of forming an inductor on a semiconductor wafer

Номер патента: US8309452B2. Автор: Qing Zhang,Yaojian Lin,Haijing Cao. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit boa and electronic instrument

Номер патента: US6908776B2. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming metal lines and bumps for semiconductor devices

Номер патента: US20080076248A1. Автор: Dong-Hyeon Jang,Soon-bum Kim,Sung-min Sim,Jae-Sik Chung,Se-Yong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US5937306A. Автор: Jin Gu Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Methods of forming metallization patterns on beam lead semiconductor devices

Номер патента: US4011144A. Автор: Albert K. Bachman. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1977-03-08.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5920767A. Автор: Nobuyuki Hosoi,Hideki Goto,Satoru Nagao,Hideyoshi Horie,Toshinari Fujimori. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of manufacturing a device comprising a semiconductor body

Номер патента: US3968565A. Автор: Jan T. Gerkema,Theodorus Cornelius Johannes Maria Bertens,Hendrikus Josephus Antonius Van Dijk. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-07-13.

Semiconductor device with electrodes having a columnar portion

Номер патента: US11842971B2. Автор: Kenji Fujii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for making a solid-state color imaging device having an integral color filter and the device

Номер патента: US4081277A. Автор: Thomas William Martin,William Andrew Light,Albert Thomas Brault. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1978-03-28.

Method of designing arrangement of tsv in stacked semiconductor device and designing system for arrangement of tsv in stacked semiconductor device

Номер патента: US20140258949A1. Автор: Myung-Soo JANG,Jae-Rim LEE,Jong-Wha Chong,Min-Beom KIM,Wen Rui LI,Cheol-Jon JANG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2014-09-11.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190043988A1. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device including stress application layer

Номер патента: US12087858B2. Автор: Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230275153A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE,Tzu-Hsiang HSU,Jyun-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region

Номер патента: US09543421B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device having fin-type pattern

Номер патента: US09941283B2. Автор: Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09893074B2. Автор: Young Woo Park,Jae Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20160049415A1. Автор: Yoshiyuki Ishigaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9312267B2. Автор: Yoshiyuki Ishigaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor memory device having ferroelectric gate insulating layer

Номер патента: US11871579B2. Автор: Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of making elevated source/drain using poly underlayer

Номер патента: US6211025B1. Автор: Mark I. Gardner,Mark C. Gilmer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-04-03.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20110124173A1. Автор: YAMADA Satoru,Sung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09484265B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chii-Horng Li,Kun-Mu Li,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240334674A1. Автор: Miao SUN,Feng-Lun Wu,Chung-Ping Hsia,Guangrong WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070132040A1. Автор: Shigeyuki Yokoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242946A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6461796B1. Автор: Tatsuya Kunikiyo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-08.

Strained and unstrained semiconductor device features formed on the same substrate

Номер патента: US09917154B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of functional element of semiconductor device

Номер патента: RU2727557C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor device, inverter circuit, drive, vehicle, and elevator

Номер патента: US20220045175A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device having optimized drain termination and method therefor

Номер патента: US20200066838A1. Автор: Moshe Agam,Johan Camiel Julia Janssens,Jaroslav Pjencak. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: TW200805676A. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-01-16.

Semiconductor device having decoupling capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US7883970B2. Автор: Ji-Young Kim,Hyun-Ki Kim,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of fabricating polysilicon layer, thin film transistor, organic light emitting diode display device including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09576797B2. Автор: Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Tae-Hoon Yang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having spacer and method of making same

Номер патента: US5929483A. Автор: Heon-Jong Shin,Hyun-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-27.

Method of manufacturing solid-state image sensor

Номер патента: US09917135B2. Автор: Masashi Kusukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070052031A1. Автор: Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160204252A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20180294220A1. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US10396029B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US10068849B2. Автор: Tomoaki Uno,Koujirou Matsui,Takehiko Sakamoto,Kazuyuki Umezu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Thin film transistor, method of fabricating the same, and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US20140363936A1. Автор: Dae-woo Lee,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Young-dae Kim,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Maxim Lisachenko,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi,Ji-Su Ahn,Sang-Yon Yoon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of designing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290686A1. Автор: Jongdoo Kim,Juyun PARK,Yeojin NA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09825024B2. Автор: Jong-Hoon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US5942450A. Автор: Du-Heon Song. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US20160283634A1. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for designing a layout of a semiconductor device including at least one risk via

Номер патента: US09904753B2. Автор: Byung-Moo KIM,Seung Weon PAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and making thereof

Номер патента: EP1668673A2. Автор: Anthony Ciancio,Jennifer H. Morrison,Mark D. Griswold,Amudha R. Irudayam. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-06-14.

Semiconductor device and making thereof

Номер патента: WO2005036597A2. Автор: Anthony Ciancio,Jennifer H. Morrison,Mark D. Griswold,Amudha R. Irudayam. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536825B2. Автор: Choong-ho Lee,Jung-Gun You,Wei-Hua Hsu,Hyung-Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor devices having late-formed isolation structures

Номер патента: US11908857B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20050236676A1. Автор: Tohru Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180181679A1. Автор: Chang Min Hong,Hee Bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20160043216A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN,Yi-Ning He,Jhih-Ming Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device including ferroelectric material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20230275150A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210313452A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997639B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110588A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972718B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530892B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having an Integrated pn Diode Temperature Sensor

Номер патента: US20200006185A1. Автор: Mark Harrison,Georg SCHINNER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09530870B2. Автор: Nam-Kyu Kim,Seokhoon Kim,Jinbum Kim,Gyeom KIM,Byeongchan Lee,Kwan Heum Lee,Choeun LEE,Sujin JUNG,Dong Chan Suh,Jieon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502560B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11764304B2. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09825036B2. Автор: Ming-Hua Yu,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11824105B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079479A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09735261B2. Автор: Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Meng-Ku Chen,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20040061189A1. Автор: Sang-Yong Kim,Ji-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8421155B2. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120193717A1. Автор: Eiji Yoshida,Akira Katakami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor Devices Having Epitaxial Layers with Suppressed Lateral Growth and Related Methods of Manufacturing Such Devices

Номер патента: US20070072399A1. Автор: Jun-Ho Lee,Young-Pil Kim,Hyung-ik Lee,Jin-Bum Kim,Hion-suck Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215332A1. Автор: Satoshi Toriumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150200135A1. Автор: Naoya Inoue,Hiroshi Sunamura,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods of forming semiconductor devices to include single body interconnection patterns using fine patterning techniques, and semiconductor device so formed

Номер патента: US09590034B2. Автор: Chul Lee,Seok-ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11195954B2. Автор: Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Jungtaek Kim,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11777032B2. Автор: Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Jungtaek Kim,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11769716B2. Автор: Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Chin-Yu Ku,Cheng-Lung Yang,Yung-Sheng Lin,Fu Wei Liu,Tang-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335431A1. Автор: Huan WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20140138769A1. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Aoyama,Masaki HANEDA,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20120256264A1. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Aoyama,Masaki HANEDA,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US6818489B2. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and methods of forming the same

Номер патента: US11973027B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20190267252A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190074250A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Tsen Lu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120074504A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11856777B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240081066A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US11942513B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20210098573A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20240194735A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jui-Chien Huang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20060081940A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of forming a trench using epitaxial lateral overgrowth

Номер патента: US09768273B2. Автор: Ravi Joshi,Martin Poelzl,Johannes Baumgartl,Matthias Kuenle,Christoph Gruber,Georg Ehrentraut,Juergen Steinbrenner,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Process for manufacturing a power electronic device having a current spreading layer

Номер патента: US20240297043A1. Автор: Cateno Marco Camalleri,Mario Giuseppe Saggio,Edoardo Zanetti,Laura Letizia SCALIA,Massimo Boscaglia,Alfio Guarnera,Mario Pietro BERTOLINI,Massimiliano CANTIANO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a transistor

Номер патента: US12002870B2. Автор: SIMON Thomas,Robert Wallis,Ivor GUINEY,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768018B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,YuJeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9245753B2. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-26.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing a double gate transistor

Номер патента: EP2050140A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150348783A1. Автор: Yusuke Fukuda. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Thin film transistor, array substrate and method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09391097B2. Автор: Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09490179B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

High density 3d rail stack arrays and method of making

Номер патента: US20040159860A1. Автор: Andrew Walker,Roy Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Kedar Patel. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230197853A1. Автор: Chul Min Bae,Ji Hye Han,Jung Yun Jo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US20230090278A1. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic apparatus

Номер патента: US12014968B2. Автор: Eiichirou Kishida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of making semiconductor device with floating bate

Номер патента: US5633184A. Автор: Katsuhiko Tamura,Yukari Imai,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-05-27.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having a transistor portion that includes an output resistive portion

Номер патента: US10916539B2. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09754977B2. Автор: Jae hak Lee,Sung Hoon Lim,Young Gu Kang,Sung In Ro,Woong Ki JEON,Dong Gun Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559210B2. Автор: Jae hak Lee,Sung Hoon Lim,Young Gu Kang,Sung In Ro,Woong Ki JEON,Dong Gun Oh. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100304555A1. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8053292B2. Автор: Akio Kaneko,Satoshi Inaba,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-08.

Fabrication method of pixel structure

Номер патента: US20100233859A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yi-Sheng Cheng,Ming-Yan Chen,Ying-Chi Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-09-16.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230320136A1. Автор: Seulki Kim,Seungrae Kim,Yeeun KANG,Shoyeon KIM,Donghyun WON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device including passivation layer and method of fabricating electronic apparatus

Номер патента: US20230361251A1. Автор: Hyunjoon Kim,Dongkyun KIM,Seogwoo Hong,Junsik Hwang,Kyungwook Hwang,Minchul YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of forming layout of semiconductor device

Номер патента: US20200111791A1. Автор: Chien-Hao Chen,Yi-Ting Chen,Chia-Hung Wang,En-Chiuan Liou,Sho-Shen Lee,Jhao-Hao Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20070166887A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yi-Lung Cheng,Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Manufacture method of TFT substrate involving reduced number of masks and structure of TFT substrate so manufactured

Номер патента: US09793298B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Extremely thin semiconductor-on-insulator (etsoi) integrated circuit with on-chip resistors and method of forming the same

Номер патента: US20120187493A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Laterally recessed gate electrode in thin film transistors

Номер патента: US20230369506A1. Автор: Cheng Tan,Travis W. LaJoie,Mark Armstrong,Van H. Le,Abhishek Anil Sharma,Timothy JEN,Miriam R. Reshotko,Moshe Dolejsi,Deepyanti Taneja. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: EP1929531A2. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J. D. Klem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-11.

Quantum dot optical devices with enhanced gain and sensitivity and methods of making same

Номер патента: WO2007102051A3. Автор: Gerasimos KONSTANTATOS,Edward Sargent,Larissa Levina,Ian Howard,Jason Clifford,Ethan J D Klem. Владелец: Ethan J D Klem. Дата публикации: 2007-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20190067273A1. Автор: Takatoshi Oe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

High voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283915A1. Автор: Duck-Ki Jang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming a vertical double gate semiconductor device and structure thereof

Номер патента: EP1476901A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Leo Mathew,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-11-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8350328B2. Автор: Takashi Ishigaki,Yusuke Morita,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160225896A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Jong-Sung Jeon,Kee-Moon Chun,Jin-Hyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060180861A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shigeto Maegawa,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090127623A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Shigeto Maegawa,Mikio Tsujiuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09818666B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor-on-insulator device having a laterally-graded channel region and method of making

Номер патента: US5670389A. Автор: Marco Racanelli,Wen-Ling Margaret Huang,Hyungcheol Shin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Device with ferroelectric or negative capacitance material, method of manufacturing device with ferroelectric or negative capacitance material, and electronic apparatus

Номер патента: US20230352585A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070001238A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070249106A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025340A1. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240321947A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09653387B2. Автор: Prasad Venkatraman,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09620443B2. Автор: Prasad Venkatraman,Chun-Li Liu,Phillip Celaya,Ali Salih,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240249988A1. Автор: Yu-Chang Chen,Jen-Chieh Kao,Wei-Tung CHANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20180294033A1. Автор: Keiichi Maekawa,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of encapsulating semiconductor devices utilizing a dispensing apparatus with rotating orifices

Номер патента: US20020058360A1. Автор: Joseph M. Brand,Scott Gooch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory device having an insulating film and a trap film joined in a channel region

Номер патента: US5338954A. Автор: Noriyuki Shimoji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1994-08-16.

Display device and method of fabricating the same

Номер патента: US11942488B2. Автор: Joon Seok Park,Hyung Jun Kim,Jun Hyung LIM,Eok Su Kim,Kyung Jin JEON,So Young Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of making liquid crystal display device with oxide thin film transistor

Номер патента: US09847353B2. Автор: Dong Kug KO,Jong Sang PYO,Ji Yong LIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413617A1. Автор: Kihyun Kim,Younggil PARK,Dongyeon Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method of self-confinement of conductive bump material during reflow without solder mask

Номер патента: US09899286B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20160070848A1. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor device comprising two-dimensional material and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230275128A1. Автор: Sangwoo Kim,Taehyeong Kim,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Minseok SHIN,JunYoung KWON,Jaehwan Jung,Pin Zhao. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having a photon absorption layer to prevent plasma damage

Номер патента: US7026662B2. Автор: Seung-Chul Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-11.

Method of decomposing layout of semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09928330B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of decomposing layout of semiconductor device for quadruple patterning technology process and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09841672B2. Автор: Dong-Gyun Kim,Ji-Young JUNG,Dae-Kwon Kang,Jae-Seok Yang,Sung-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Mask for photolithography, method for fabricating the same and method for manufacturing semiconductor device using the mask

Номер патента: US09470972B2. Автор: Suk-joo Lee,Se-Jin Park,Jong-Doo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8120118B2. Автор: Takaaki Kawahara,Jiro Yugami,Shinsuke Sakashita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070066043A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20050282386A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Method and apparatus for sweeping overflowed resin on semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US6116487A. Автор: Nobuhiro Nagamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor Device Having Gradient Doping Profile

Номер патента: US20130313642A1. Автор: Chih-Hsiang Huang,Feng-Cheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7268393B2. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-11.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor device package having warpage control and method of forming the same

Номер патента: US20230299017A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Trench in semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20040121532A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520408B2. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20090065864A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of using silicon rich carbide as a barrier material for fluorinated materials

Номер патента: SG142153A1. Автор: Xu Yi,Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Han Licheng,Joseph Xie Zhifeng. Владелец: Inst Of Microelectronics. Дата публикации: 2008-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282712A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282711A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor device package having dummy dies

Номер патента: US12125822B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09991203B2. Автор: Nae-in Lee,Byung-hee Kim,Rak-Hwan Kim,Jin-Nam Kim,Eun-ji Jung,Jong-min Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

High voltage semiconductor device having improvements to the dv/dt capability and plasma spreading

Номер патента: CA1163020A. Автор: Victor A.K.. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-02-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210111085A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A2. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-28.

Method and installation for producing an anti-reflection and/or passivation coating for semiconductor devices

Номер патента: WO2011048069A3. Автор: Roland Trassl,Nicolas Auriac. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Dicing-tape integrated film for backside of semiconductor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679797B2. Автор: Akihiro Fukui,Naohide Takamoto,Hiroyuki Hanazono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method of patterned structure of semiconductor device

Номер патента: US09673049B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543439B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor package with conformal EM shielding structure and manufacturing method of same

Номер патента: US09536841B2. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor package, electronic apparatus and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220293432A1. Автор: Junghoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09633926B2. Автор: Yuya Takano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240222134A1. Автор: Pinyen Lin,Chih-Kai Yang,Yi-Chen Lo,Yi-Shan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Hemt device and method of making

Номер патента: WO2006031654A2. Автор: Michel E. Aumer,Rowland C. Clarke. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240312923A1. Автор: Jeonggi Jin,Byeongchan KIM,Jumyong Park,Solji Song,Chungsun Lee,Jinho AN,Juil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Shallow trench isolation type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20020020887A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Young-min Kwon,Chang-Lyoung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of fabricating topside structure of a semiconductor device

Номер патента: US5989938A. Автор: Hsingya Arthur Wang,Bandali B. Mohamed,Shyam Garg,Bruce Pickelsimer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Liquid crystal display device and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE41632E1. Автор: Kwangjo Hwang,Changwook Han. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Display device with an improved contact hole arrangement for contacting a semiconductor layer through an insulation film

Номер патента: US20030209709A1. Автор: Hideo Tanabe,Takao Nakamura,Shigeo Shimomura,Makoto Ohkura,Yasukazu Kimura,Masaaki Kurita. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2003-11-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Interconnect Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20150187697A1. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110204486A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8093723B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7977238B2. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100203724A1. Автор: Takayuki Oshima,Hizuru Yamaguchi,Eiichi Murakami,Hideo Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Kazuyuki Tsunokuni,Kousuke Okuyama,Kan Takeuchi,Takako Funakoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09679848B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Interconnect structure for semiconductor devices

Номер патента: US09460997B2. Автор: Liang-Guang Chen,Han-Hsin Kuo,Chi-Ming Tsai,Chung-Chi Ko,Neng-Jye Yang,Fu-Ming HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240021721A1. Автор: Yusuke Masumoto,Junpei TAKAISHI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220157849A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US11963351B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein

Номер патента: SG152150A1. Автор: Zuo Biao,LUN Zhao,PARK Jae Eon,Richard Anthony Conti,William C Wille,Johnny Widodo,Kim Jun Jung,Kim Joo Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-05-29.

Method of forming a staircase in a semiconductor device using a linear alignment control feature

Номер патента: US09985046B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Makoto Yoshida,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Hiro Kinoshita,Jixin Yu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2019018050A1. Автор: Tong Zhang,James Kai,Takashi Orimoto,Johann Alsmeier,Shinsuke YADA,Akihisa SAI,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

A method of manufacturing a trench gated vdmos

Номер патента: EP1145436A3. Автор: Raymond J. E. Hueting,Godefridus A. M. Hurkx,Adam R. Brown. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-28.

Method of providing variant fills in semiconductor trenches

Номер патента: US6410402B1. Автор: Liang-Kai Han,Jay Harrington. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935073B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming conductive and insulating layers

Номер патента: US09865575B2. Автор: HeeJo Chi,HanGil Shin,KyungMoon Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09633965B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of fabricating features associated with semiconductor substrates

Номер патента: US09466504B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09455270B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device, stacked type semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030111721A1. Автор: Katsunobu Mori,Hiroyuki Nakanishi,Toshiya Ishio. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US7161195B2. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20140117543A1. Автор: Chan Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Three-dimensional semiconductor memory device having sidewall and interlayer molds

Номер патента: US09418911B2. Автор: Woojin Cho,Hansoo Kim,Jaehoon Jang,Wonseok Cho,Jae-Joo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Lateral transistor structure and method of making the same

Номер патента: US3651565A. Автор: David V Talbert. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1972-03-28.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device composed of the substrate

Номер патента: US5227339A. Автор: Sadahiro Kishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210020763A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming a semiconductor package and leadframe therefor

Номер патента: US20050127482A1. Автор: James Letterman,Joseph Fauty,James Knapp. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Method for making a complementary metal gate electrode technology

Номер патента: US6130123A. Автор: Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Semiconductor device and method of self-confinement of conductive bump material during reflow without solder mask

Номер патента: US9379084B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Metal-insulator-semiconductor device manufacture

Номер патента: CA1120605A. Автор: William A. Pliskin,Joseph F. Shepard,Martin Revitz,James R. Gardiner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Structure and method of new power mos and igbt with built-in multiple vt's

Номер патента: US20220209005A1. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Structure and method of new power MOS and IGBT with built-in multiple VT'S

Номер патента: US11984500B2. Автор: Min-Hwa Chi,Peng Li,Conghui LIU,Dongyang ZHOU,Jinpeng QIU. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of fabricating a structure with an oxide layer of a desired thickness on a Ge or SiGe substrate

Номер патента: US20060270244A1. Автор: Nicolas Daval,Yves-Mathieu Le Vaillant. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor packages and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240120207A1. Автор: Wen-Hsiung LU,Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Chieh-Ning Feng,Lung-Kai MAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of forming an electronic device structure having an electronic component with an on-edge orientation and related structures

Номер патента: US20210043589A1. Автор: Shaun Bowers. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of forming isolation structures in a semiconductor manufacturing process

Номер патента: US20070178662A1. Автор: CHEN Liao,Chun Chen,Chi Huang,Yung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

Gallium Nitride Based Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing the Same

Номер патента: EP2428995A3. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-29.

Semiconductor device package with stress reduction design and method of forming the same

Номер патента: US11894320B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Methods of manufacturing the gallium nitride based semiconductor devices

Номер патента: US20140327049A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Ki-se Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of Dispositioning and Control of a Semiconductor Manufacturing Process

Номер патента: US20240258066A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: Fractilia LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of dispositioning and control of a semiconductor manufacturing process

Номер патента: WO2024178198A1. Автор: Michael E. Adel,Chris Mack. Владелец: FRACTILIA, LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of forming fiber-shaped structure, fiber-shaped structure, and device having the fiber-shaped structure

Номер патента: US20220025551A1. Автор: LEI Wei,Zhe Wang,Zhixun Wang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of driving a display element for a portable display device having a cholesteric liquid crystal

Номер патента: EP2290641A1. Автор: Shunji Baba,Fumio Yamagishi,Junji Tomita,Shigeru Hashimoto,Kenzo Nishide,Masaki Nose,Yoshiyasu Sugimura,Yoshikazu Yabe,Tomohisa Shingai,Takahiro Hirano,Futoshi Kisuno. Владелец: Fujitsu Frontech Ltd. Дата публикации: 2011-03-02.

Method of bonding a metal connection to an electrode including a core having a fiber or foam-type structure for an electrochemical cell, and a resulting electrode

Номер патента: US5558681A. Автор: Roelof Verhoog,Claude Precigout,Marie-Th er ese Loustau. Владелец: SAFT Societe des Accumulateurs Fixes et de Traction SA. Дата публикации: 1996-09-24.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US7989242B2. Автор: Gee-Sung Chae,Byung-Geol Kim,Jae-Seok Heo,Woong-Gi Jun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US09989828B2. Автор: Yohsuke Kanzaki,Tadayoshi Miyamoto,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Hiroshi Matsukizono,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Array substrate for liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090309102A1. Автор: Gee-Sung Chae,Byung-Geol Kim,Jae-Seok Heo,Woong-Gi Jun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Organic light emissive display having an insulating layer contacting a semiconductor layer through a contact hole

Номер патента: US11908874B2. Автор: Jun Ki Jeong,Seon Young Choi,Jae Hyung Cho,Jee Hoon SIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Microlens of CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060145218A1. Автор: Joon Hwang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Display device having a conductive metal layer disposed on a surface of an antireflection layer

Номер патента: US12041818B2. Автор: Gyung Min Baek,Ju Hyun Lee,Hyun Eok Shin,Sung Joo KWON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20170261790A1. Автор: Yohsuke Kanzaki,Tadayoshi Miyamoto,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Hiroshi Matsukizono,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device including memory structure

Номер патента: US20240237326A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US5661676A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: WO2020107216A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of fabricating micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode array substrate, micro light emitting diode display apparatus

Номер патента: EP3888130A1. Автор: Peng Chen,Xinxia ZHANG,Guolei Wang,Hengbin LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20150048370A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09508759B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230066509A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device having a memory cell portion and a logic portion

Номер патента: US5608241A. Автор: Osamu Matsumoto,Masayuki Yoshida,Sachiko Shibuya,Nobuyoshi Chida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240170511A1. Автор: Naoki Komai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105558A1. Автор: Eitaro Miyake,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with surface mounting terminals

Номер патента: US20080315378A1. Автор: Takeshi Otani,Toshiyuki Hata,Ichio Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device with channel switching structure and method of making same

Номер патента: US09646710B2. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038868A1. Автор: Ryota Miwa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09905500B2. Автор: Prasad Venkatraman,Jason Mcdonald,Chun-Li Liu,Ali Salih,Balaji Padmanabhan,Mihir Mudholkar. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and fault detecting method

Номер патента: US09935577B2. Автор: Yuji Takehara,Daisuke IIJIMA,Katsutoshi Bito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030080412A1. Автор: Masaaki Irie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09478559B2. Автор: Sung Lae OH,Jae Eun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Doherty amplifier and semiconductor device

Номер патента: US20130169366A1. Автор: Hiroaki Deguchi,Kaname Ebihara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Doherty amplifier and semiconductor device

Номер патента: US8598954B2. Автор: Hiroaki Deguchi,Kaname Ebihara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor device with patterned ground shielding

Номер патента: US09607942B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Chin-Wei Kuo,Cheng-Wei Luo,Kung-Hao Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Stacked capacitor with enhanced capacitance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871095B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Szu-Yu Wang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US12058852B2. Автор: Chia-Tien Wu,Hsiang-Wei Liu,Wei-Chen CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240282715A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230354717A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304606A1. Автор: Wei-Hao Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor light detection device and method of detecting light of specific wavelength

Номер патента: US20190103502A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device, method of manufacturing thereof, circuit board and electronic apparatus

Номер патента: US09589886B2. Автор: Haruki Ito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor Devices Having Supportive Plating Structures

Номер патента: US20230268290A1. Автор: Uthayarajan A/L Rasalingam,Janice Jia Min Ling. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor wafer and method of manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: US09842779B2. Автор: Kazutaka ERIGUCHI,Noritomo Mitsugi,Tsuyoshi Kubota,Kei Matsumoto. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Array substrate and method of preparing the same

Номер патента: US09859269B2. Автор: Li Chai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Devices having dielectric layers with thiosulfate-containing polymers

Номер патента: US09691997B2. Автор: Deepak Shukla,Kevin M. Donovan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of evaluating metal contamination in semiconductor sample and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US09372223B2. Автор: Kei Matsumoto,Ryuji OHNO. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor devices having power rails and signal tracks arranged in different layer

Номер патента: US11756876B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with switching element protection

Номер патента: US11824464B2. Автор: Yuki KUMAZAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor module arrangement and method for producing a semiconductor module arrangement

Номер патента: US09888601B2. Автор: Christoph Koch,Patrick Jones,Michael Sielaff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US20210184142A1. Автор: Eijiro Iwase,Hiroki Sugiura,Koji Tonohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Doherty amplifier and semiconductor device

Номер патента: US8395450B2. Автор: Hiroaki Deguchi,Kaname Ebihara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor package having a solder wetting structure

Номер патента: US20240250056A1. Автор: Subaramaniym Senivasan,Mohd Afiz Hashim,Varun PARTHASARATHY,Zhi Yuan Goh,Azmil Abdullah,Kah Wai Lau,Ahmad Zulkarnain Samsudin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatus for routing signals, multi-layer card, packaged semiconductor device, and method of fabricating a package for a semiconductor device

Номер патента: TW580762B. Автор: Mark P Jamieson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-21.

Method of identifying a weakest interface where delamination is most likely to occur in a multi-layer dielectric film stack

Номер патента: US5493926A. Автор: Landon B. Vines,Felix H. Fujishiro,Danny W. Echtle,Annette Garcia. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1996-02-27.

Integrated circuit packaging system with coreless substrate and method of manufacture thereof

Номер патента: US09673171B1. Автор: Heesoo Lee,HeeJo Chi,Omin Kwon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Tape substrate and semiconductor module for smart card, method of fabricating the same, and smart card

Номер патента: US20090079053A1. Автор: Yucai Huang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-26.

Packaging and cooling method and apparatus for power semiconductor devices

Номер патента: US09443786B1. Автор: George R. Woody,Wally E. Rippel,Paul F. Carosa,David L. Bogdanchik,Lon C. COOPER. Владелец: AC Propulsion Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US7470590B2. Автор: Werner Juengling,Kunal R. Parekh,Steven M. McDonald. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-30.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20060231528A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US20050255701A1. Автор: Werner Juengling,Steven McDonald,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device including power mesh

Номер патента: US20230335485A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210313263A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Photoelectric cells incorporating wrinkles and folds to enhance efficiency and bendability and method of making

Номер патента: US20140261675A1. Автор: Howard Stone,Yueh-Lin Loo,Jongbok Kim,Pilnam Kim,Nicolas Pegard,Jason Fleischer. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-09-18.

Photoelectric cells incorporating wrinkles and folds to enhance efficiency and bendability and method of making

Номер патента: US10680193B2. Автор: Howard Stone,Yueh-Lin Loo,Jongbok Kim,Pilnam Kim,Nicolas Pegard,Jason Fleischer. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-09.

Encapsulated semiconductor device and encapsulation method

Номер патента: US09831467B2. Автор: Herbert Lifka,Peter Van De Weijer,Sören HARTMANN,Jens Meyer,Stefan Peter Grabowski,Rainald Manfred Gierth,Manfred Stephan RUSKE,Volker Lambert Van Elsbergen,Petrus Cornelis-Paulus Bouten. Владелец: OLEDWorks GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20070138638A1. Автор: Noriyuki Nagai,Yukitoshi Ota,Tsuyoshi Hamatani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of measuring misregistration in the manufacture of topographic semiconductor device wafers

Номер патента: EP3970184A1. Автор: Amnon Manassen,Daria Negri,Gilad Laredo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US09748450B2. Автор: Martin Brandl,Markus Burger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US5304844A. Автор: Hiromichi Suzuki,Kanji Otsuka,Hajime Hasebe,Osamu Horiuchi,Takayuki Okinaga,Gen Murakami,Takashi Emata,Yuuji Shirai. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of predicting shape of semiconductor device

Номер патента: US20200201952A1. Автор: Ji-Hye Lee,Kwang-Hoon KIM,Woo-Young CHEON,Do-Yun Kim,Sung-Bo Shim,Dong-Chul Ihm,Ki-Wook SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the device

Номер патента: US20180342432A1. Автор: Tomoshige Yunokuchi. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Method of manufacturing an ion-barrier film on a microchannel plate

Номер патента: RU2686065C1. Автор: Владимир Ильич Локтионов,Николай Иосифович Беспалко,Сергей Аврамович Кесаев,Дмитрий Валериевич Горшков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Катод". Дата публикации: 2019-04-24.

Semiconductor device and method of operating the same

Номер патента: US20180062325A1. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor USB device for detecting foreign substances and method of operating the same

Номер патента: US11749954B2. Автор: Je Kook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor light-emitting device with an axis of symmetry

Номер патента: US09948065B2. Автор: Yury Georgievich Shreter,Yury Toomasovich Rebane,Aleksey Vladimirovich Mironov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-17.

A method of exposing a semiconductor integrated circuit and a method of exposing a pattern of a semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TWI251720B. Автор: Satoshi Yamauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of using resistance soldering device

Номер патента: US20240250487A1. Автор: William Falk. Владелец: Aptiv Technologies Ag. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a photovoltaic device and device thus obtained

Номер патента: WO2010128459A8. Автор: Stefano Segato,Antonio Maroscia,Fabio Renato Cappelli. Владелец: Fabio Renato Cappelli. Дата публикации: 2010-12-23.

Organic thin film transistor, method of manufacturing the same, and organic light emitting display device having the same

Номер патента: EP1796184A3. Автор: Jin-Seong Park,Min-chul Suh,Taek Ahn. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

Method of Kelvin current sense in a semiconductor package

Номер патента: US20070164775A1. Автор: Erin L. Taylor,John A. Billingsley. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2007-07-19.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A2. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Envision Technology, Inc.. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: US20210194521A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Joseph Pratt,Christopher Mayer,Praveen Chandrasekaran. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of designing a printed circuit board, and package test device having the printed circuit board

Номер патента: US20110004861A1. Автор: Jae-hoon Jeong,Chang-woo Ko,Ki-Jae Song,Hun-Kyo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-06.

Method of reducing mechanical stress on a semiconductor die during fabrication

Номер патента: US20070254407A1. Автор: Hui Liu,Hem Takiar,Cheemen Yu,Chin-Tien Chiu,Jack Chang-Chien,Jiang Java Zhu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

System for and method of automatically reducing power to a semiconductor device

Номер патента: WO2007048014A3. Автор: Sharon Zohar. Владелец: Sharon Zohar. Дата публикации: 2007-11-15.

Systems and methods of compensating for narrowband distortion in power semiconductor devices

Номер патента: EP3843267A1. Автор: DONG Chen,Stephen Summerfield,Mark Cope,Patrick Pratt,Praveen Chandrasekaran,Chris Mayer. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of manufacturing a formable laminated stack in a progressive die assembly having a choke

Номер патента: US7062841B2. Автор: Thomas R Neuenschwander. Владелец: LH Carbide Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of driving a display panel that includes a first display region having a first resolution and a second display region being adjacent to the first display region and having a second resolution higher than the first resolution

Номер патента: US11929004B2. Автор: Jong-Woong Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of striking and maintenance of an electric arc in a medium having a great dielectric strength

Номер патента: GB389946A. Автор: . Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1933-03-30.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12114511B2. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240373650A1. Автор: Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133396B2. Автор: Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor integrated circuit device having function for detecting degradation of semiconductor device and method of driving the same

Номер патента: US09429618B2. Автор: Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Organic Light-Emitting Display Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120175617A1. Автор: Bong-Ju Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor device and method of managing secret information

Номер патента: US20240232383A9. Автор: Akira Hamaguchi,Yuichi Iwaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of customizing an electronic image display device

Номер патента: US09727946B2. Автор: Anne-Catherine Scherlen. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with a resonator

Номер патента: EP1687896A1. Автор: Patrice c/o Société Civile SPID GAMAND. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-08-09.

Semiconductor integrated circuit device having bulk bias control function and method of driving the same

Номер патента: US09996095B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240381625A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240015967A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: EP3848977A1. Автор: Eijiro Iwase,Hiroki Sugiura,Koji Tonohara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074146A1. Автор: Eun A Kim,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240014813A1. Автор: Yuki KUMAZAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

High-frequency processing method of structurally complex articles from polymer materials

Номер патента: RU2717804C1. Автор: Александр Сергеевич Попов,Сергей Константинович Каргапольцев,Денис Витальевич Буторин,Николай Григорьевич Филиппенко,Александр Валерьевич Лившиц,Денис Викторович Баканин,Владимир Сергеевич Бычковский,Алексей Сергеевич Курайтис. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Иркутский государственный университет путей сообщения (ФГБОУ ВО ИрГУПС). Дата публикации: 2020-03-25.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20220038536A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US20210211497A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: EP3846415A1. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11146636B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-12.

Method of operating network-based storage device, method of operating storage system using the same and storage module performing the same

Номер патента: US11765229B2. Автор: Youngjin Cho,Sukkyu Lee,Hanmin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of and system for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020124228A1. Автор: Arshad Madni. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of hologram exposure, mask for hologram exposure, semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20050063030A1. Автор: Chiharu Iriguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of making a sandwich-type, compression-molded, composite component having a cellulose-based core and improved surface appearance

Номер патента: US09707725B2. Автор: Darius J. Preisler,Christopher A. Heikkila. Владелец: Global IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of designing a circuit of a semiconductor device

Номер патента: US20050229133A1. Автор: Kazuaki Goto,Reiko Harada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Articles having a multilayer structure including undercut features interlocked with an adhesive, and methods of making same

Номер патента: US09694538B2. Автор: Mario A. Perez,Kevin M. Lewandowski,Joseph D. Rule,Robert A. Follensbee. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of laying a channel in the incinerator and a device having such a channel

Номер патента: RU2647752C2. Автор: Йоханнес МАРТИН,Торальф ВЕБЕР. Владелец: Мартин ГмбХ Фюр Умвельт-Унд Энергитехник. Дата публикации: 2018-03-19.

Method of determining the initial stage of insulation breakdown and monitoring its development of an existing three-phase electrical network with an isolated neutral

Номер патента: RU2768524C2. Автор: Савелий Черхванович Тюгай,Ольга Владимировна Гудкова,Андрей Викторович Шалдыбин,Артем Николаевич Коростелев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2022-03-24.

Array substrate, method of manufacturing the array substrate, and liquid crystal display device having the array substrate

Номер патента: US20120119215A1. Автор: Su-Jeong Kim,Seung-Beom Park,Jae-Jin Lyu,Yoon-Sung Um,Hye-ran YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device

Номер патента: US7221037B2. Автор: Yasuo Kitaoka,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of simulation and design of a semiconductor device

Номер патента: US20140019101A1. Автор: Zhanming Li. Владелец: Crosslight Software Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

System and method of determining memory ownership on cache line basis for detecting self-modifying code including modification of a cache line with an executing instruction

Номер патента: US20170308477A1. Автор: Colin Eddy,Brent Bean. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of operating sound recognition device identifying speaker and electronic device having the same

Номер патента: US20240203446A1. Автор: Seung Eun CHUNG,Jeong Muk LIM,Kyoung Ju NOH,Hyun Tae JEONG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-20.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A3. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2013-04-18.

A rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: WO2011073674A2. Автор: Anthony Osborne Dye,Marcus Ardron,Gunnar Moeller. Владелец: EPICAM LIMITED. Дата публикации: 2011-06-23.

Rotary device and a method of designing and making a rotary device

Номер патента: US09714655B2. Автор: Marcus Ardron,Gunnar Moeller,Anthony O. Dye. Владелец: Epicam Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of testing radiation hardness of a semiconductor device

Номер патента: US4168432A. Автор: Richard Williams,Murray H. Woods. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-09-18.

A monitoring circuit, an operation method of the monitoring circuit, and a semiconductor system including the same

Номер патента: US20200110883A1. Автор: Dong Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of and device for providing a concentric envelope on an end of an optical fibre, and fibre end provided with an envelope in accordance with the method

Номер патента: CA1135545A. Автор: Giok D. Khoe,Johannes H.F.M. Van Leest,Gerard Kuyt,Adrianus J.J. Franken,Antonius J.A. Nicia,Cornelis J.T. Potters,Hendricus F.G. Smulders. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Method of forming an inductor on a semiconductor substrate

Номер патента: US20070138001A1. Автор: Teng-Yuan Ko,Ying-Zhan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

System and method of determining memory ownership on cache line basis for detecting self-modifying code including modification of a cache line with an executing instruction

Номер патента: US9798670B1. Автор: Colin Eddy,Brent Bean. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of fabricating color filter substrate for liquid crystal display device having patterned spacers

Номер патента: US20050243266A1. Автор: Sang-Chul Ryu. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-03.

Modular fuel injector having a snap-on orifice disk retainer and having a terminal connector interconnecting an electromagnetic actuator with an electrical terminal

Номер патента: US20020084364A1. Автор: Michael Hornby,Robert Mcfarland,Michael Dallmeyer. Владелец: Siemens Automotive Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Modular fuel injector having a low mass, high efficiency electromagnetic actuator and having a terminal connector interconnecting an electromagnetic actuator with an electrical terminal

Номер патента: US20020084360A1. Автор: Dennis Bulgatz,Michael Hornby,Robert Mcfarland,Michael Dallmeyer,James Parish. Владелец: Siemens Automotive Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Tubular pipe handling apparatus having a chassis, and inclined plane, a tray with an extension and side racks, related rack lifting means and support and lifting legs

Номер патента: US09518432B2. Автор: Diego Miranda,Sergio Miranda. Владелец: Vtk Llc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of generating sealing steam for a steam turbine, steam power plant having a steam turbine and method of starting up a steam turbine.

Номер патента: MY129600A. Автор: Neubert Wolfgang. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-04-30.

Liquid jet recording head having a layer of a resin composition curable with an active energy ray

Номер патента: US4688056A. Автор: Hiromichi Noguchi,Tadayoshi Inamoto,Megumi Munakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1987-08-18.

Liquid jet recording head having a layer of a resin composition curable with an active energy ray

Номер патента: US4688052A. Автор: Hiromichi Noguchi,Tadayoshi Inamoto,Megumi Munakata. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1987-08-18.

Master disk for magnetic transfer, a method of drawing a magnetic transfer pattern, and a magnetic recording medium having a transferred magnetic transfer pattern

Номер патента: US20110096429A1. Автор: Hiroto Kikuchi. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

A method of manufacturing a curved structural element made of composite material and having a complex, open cross-section

Номер патента: EP2203288A2. Автор: Sabato Inserra Imparato,Luca Di Tommaso,Vincenzo De Vita,Gianni Iagulli. Владелец: Alenia Aeronautica SpA. Дата публикации: 2010-07-07.

Article having a tubular weft-knitted jersey-based fabric with an enhanced economic grip top band

Номер патента: WO2024213231A1. Автор: Rafael Sérgio PACHECO GONÇALVES,José Fabiano CABOCLO. Владелец: SIGVARIS AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US09811626B2. Автор: Kwangok Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

On-demand table model for semiconductor device evaluation

Номер патента: US20130116985A1. Автор: TONG Li,Peter Feldmann,David W. Winston,Ali Sadigh,Calvin J. Bittner,Richard D. Kimmel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-09.

Articles of apparel including encapsulated insulation panels and methods of making the same

Номер патента: US09999267B2. Автор: Emily STABLEFORD,Patrick Schuller O'SULLIVAN. Владелец: Reebok International Ltd Great Britain. Дата публикации: 2018-06-19.

Method of manufacturing thin film transistor array panel and liquid crystal display

Номер патента: US20040263709A1. Автор: Dong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-30.

Hydrotreating catalyst composition containing heterocyclic polar compound, method of making such catalyst, and process of using such catalyst

Номер патента: RU2673891C2. Автор: Алексей Григорьевич ГАБРИЕЛОВ,Джон Энтони СМЕДЖЕЛ,Эд ГЕНДЖА,Теофиль МЕРИС. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2018-12-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230296928A1. Автор: Wen-Shun Lo,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20080227034A1. Автор: Dae Woo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-18.

Salacia cuspidata extract and methods of extracting and using such extract

Номер патента: WO2009002977A1. Автор: Peter Koepke,Ven Subbiah,Matthew E. Burow. Владелец: SelvaMedica, LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Guidewire having varying diameters and method of making

Номер патента: US20230302259A1. Автор: Robert Charles Hayzelden. Владелец: Abbott Cardiovascular Systems Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing an electrostatic object clamp, electrostatic object clamp and semiconductor processing apparatus

Номер патента: WO2024179830A1. Автор: Simon HALM,Nicholas Alan ALLSOP,Till Warming,Frank Bert WIGGERS,Heike LUDWIG. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-09-06.

Method of manufacturing an electrostatic object clamp, electrostatic object clamp and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4425259A1. Автор: Simon HALM,Nicholas Alan ALLSOP,Till Warming,Frank Bert WIGGERS,Heike LUDWIG. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-09-04.

Diagnostic methods of eosinophilic esophagitis

Номер патента: US09928344B2. Автор: Marc E. Rothenberg,Ting WEN. Владелец: Cincinnati Childrens Hospital Medical Center. Дата публикации: 2018-03-27.

Modified metal-organic framework (mof) compositions, process of making and process of use thereof

Номер патента: AU2024227216A1. Автор: William Morris,Timothy Chiaan WANG,Mitchell Hugh Weston,William Joseph Hoover,Patrick Emmett Fuller,John Paul Siegfried,Randi Danielle Groy,Jeffrey Loren Wells,Edwin Alfonso Argueta Fajardo. Владелец: Numat Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Dual lap high strength adhesive for sheet membrane application, having reflectivity granular particle layer to fully bond to concrete/shotcrete, and a method of making, and using same

Номер патента: US12139644B2. Автор: Amir Rudyan,Paul Thomas Miller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor apparatus and method of detecting characteristic degradation of semiconductor apparatus

Номер патента: US8717058B2. Автор: Ikuo Fukami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Liner for reinforcing a pipe and method of making the same

Номер патента: US09688045B2. Автор: Jerome Francois,Corneilis DEN BESTEN. Владелец: OCV Intellectual Capital LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory circuit device having memory cells constructed on a Bicmos gate array

Номер патента: US5289405A. Автор: Yoshinori Watanabe,Hiroyuki Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-02-22.

Memory compiler with ultra low power feature and method of use

Номер патента: US20050149891A1. Автор: Hung-jen Liao,Ruei-chin Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Device for calibration of device for distribution of liquid fuel and method of use of such device

Номер патента: RU2480397C2. Автор: Филипп КЛУТЬЕ,Пьер МАНЬЕ. Владелец: Токейм Холдинг Бв. Дата публикации: 2013-04-27.

Control method of an unmanned aerial vehicle

Номер патента: RU2698599C1. Автор: Александр Юрьевич Козин,Анатолий Петрович Мищенко,Сергей Петрович Шарков,Андрей Геннадьевич Вдовиченко,Сергей Павлович Полунин,Игорь Олегович Монахов,Евтулган Кимашевич Сыздыков. Владелец: Акционерное Общество "Государственное Машиностроительное Конструкторское Бюро "Радуга" Имени А.Я. Березняка". Дата публикации: 2019-08-28.

Liquid crystal display substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US7298436B2. Автор: Yoshinori Tanaka,Katsunori Misaki,Seiji Doi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Dispersoid reinforced alloy powder and method of making

Номер патента: US09833835B2. Автор: Iver E. Anderson,Robert L. Terpstra. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2017-12-05.

Dispersoid reinforced alloy powder and method of making

Номер патента: US09782827B2. Автор: Iver E. Anderson,Robert L. Terpstra. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2017-10-10.

Catalyst for fischer-tropsch synthesis and method of its preparation

Номер патента: RU2685437C2. Автор: Владимир Зальманович Мордкович,Лилия Вадимовна Синева,Екатерина Владимировна Кульчаковская,Екатерина Юрьевна Асалиева,Кирилл Олегович Грязнов,Светлана Геннадьевна Синичкина. Владелец: ИНФРА ИксТиЭл ТЕКНОЛОДЖИ ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of producing tablets using radio-frequency radiation and particles with absorbent coating

Номер патента: RU2712267C2. Автор: Джерард П. МАКНАЛЛИ,Кристофер И. ШИМЧАК,Вайпул ДЭЙВ,Дэвид Б. КОЧРАН,Грегори КОЛЛ,Стефен УЛЬРИХ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2020-01-28.

Method of laser-induced excitation of ultraintense bubble boiling

Номер патента: RU2682848C1. Автор: Владимир Михайлович Чудновский,Владимир Исаакович Юсупов,Виктор Николаевич Баграташвили. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2019-03-21.

Reactors for continuous processing and methods of their use

Номер патента: RU2531399C2. Автор: Рошан Дж.Дж. ДЖАЧУК,Суприя ДЖАЧУК. Владелец: Ар3 ФЬЮЖН, ИНК.. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of producing chitosan aspartate nanoparticles

Номер патента: RU2713138C1. Автор: Анна Борисовна Шиповская,Татьяна Николаевна Луговицкая,София Вячеславовна Сбитнева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2020-02-03.

Silk-based articles having decreased water uptake and improved mechanical properties, and methods of making and using the same

Номер патента: WO2022147483A9. Автор: David L. Kaplan,Junqi WU,Vincent FITZPATRICK. Владелец: TRUSTEES OF TUFTS COLLEGE. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of estimating solid solution amount of additive element in aluminum alloy, method of producing specimen, and strength evaluation method using the same

Номер патента: US20230109632A1. Автор: Akira Higuchi,Hikaru Takeuchi,Katsunori KUSUNOKI. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Exposure method, exposure device, and method of forming optically-anisotropic layer

Номер патента: US20240288678A1. Автор: Hirotoshi Ando,Satoshi Nagano,Yasuhiro Sekizawa,Takehiko Harasawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Hair styling device and method of use

Номер патента: US09433273B2. Автор: Marwin Kock. Владелец: WIK Far East Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Radar method of detecting low-visibility targets in pulse-doppler radar station with paa

Номер патента: RU2711115C1. Автор: Александр Викторович Хомяков,Виктор Валентинович Сигитов,Сергей Алексеевич Курбатский,Алексей Юльевич Бургасов,Марк Исаакович Ройзен,Сергей Васильевич Замарахин. Владелец: Акционерное общество Центральное конструкторское бюро аппаратостроения. Дата публикации: 2020-01-15.

Method of multi-parameter endorectal ultrasonic examination of rectal adenoma and their malignization

Номер патента: RU2741719C1. Автор: Юлия Леонидовна Трубачева,Евгения Михайловна Богданова,Дмитрий Олегович Киселев,Евгений Геннадиевич Рыбаков,Станислав Викторович Чернышов,Евгений Александрович Хомяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр колопроктологии имени А.Н. Рыжих" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ колопроктологии имени А.Н. Рыжих" Минздрава России). Дата публикации: 2021-01-28.

Method of gas-diesel engine working process organization

Номер патента: RU2700866C1. Автор: Андрей Юрьевич Измайлов,Геннадий Степанович Савельев,Максим Николаевич Кочетков,Евгений Валентинович Овчинников,Андрей Владимирович Трубицын,Сергей Юрьевич Уютов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2019-09-23.

Method of manufacturing a decorative element and a bending block for a forging machine for its implementation

Номер патента: RU2743128C1. Автор: Михаил Михайлович Близнецов. Владелец: Михаил Михайлович Близнецов. Дата публикации: 2021-02-15.

Method of lubrication of friction couple of piston-cylinder of two-stroke engine with external combustion chamber

Номер патента: RU2634504C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for making a poly(ethylene-co-1 -alkene) copolymer with reverse comonomer distribution

Номер патента: US20240002562A1. Автор: Jerzy Klosin,Rhett A. BAILLIE,Ruth Figueroa,Andrew J. Young,Susan Brown,Leslie E. O'leary,Joseph F. DEWILDE. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for making a poly(ethylene-co-1-alkene) copolymer with reverse comonomer distribution

Номер патента: EP4291584A1. Автор: Jerzy Klosin,Ruth Figueroa,Andrew J. Young,Susan Brown,Leslie E. O'leary,Joseph F. DEWILDE,Rhett Baillie. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-20.

Display device having reduced interference

Номер патента: US20200201474A1. Автор: Takayuki Noto,Petr Shepelev,Tetsuo Tanemura. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Melt-spun filaments, yarns, and methods of making the same

Номер патента: EP4248003A1. Автор: Anthony CASCIO. Владелец: Aladdin Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method of repairing a labyrinth seal of a diffuser in a primary pump of a nuclear power station

Номер патента: US20020126791A1. Автор: Louis Mazuy. Владелец: Jeumont SA. Дата публикации: 2002-09-12.

A method of preparing an inkjet ink imaged lithographic printing plate

Номер патента: WO2002094571A1. Автор: Jianbing Huang,Shashikant Saraiya,S. Peter Pappas. Владелец: Kodak Polychrome Graphics, L.L.C.. Дата публикации: 2002-11-28.

Improved nanopore sensing device, components and method of manufacture

Номер патента: GB2590775A. Автор: Anthony Clarke James,Robert Hyde Jason,Miguel Ortiz Bahamon Pedro,Raymond Mackett Paul,Greasty Robert,Edward McKendry Jonathan,david jackson Mark,Kenneth John Wiltshire Richard,Rhys Davies Rhodri,Hyland Mark,Singh Sanghera Gurdial. Владелец: Oxford Nanopore Technologies PLC. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of measuring the am/pm conversion of a device under test

Номер патента: US20200110118A1. Автор: Thilo Bednorz,Werner Held,Walter Weiss,Jan-Patrick Schultheis,Martin LEIBFRITZ. Владелец: Rohde and Schwarz GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of ejecting ink droplets having variable droplet volumes

Номер патента: US09579889B2. Автор: Gregory John McAvoy,Emma Rose Kerr,Misty Bagnat,Vincent Patrick Lawlor,Ronan Padraig Sean O'reilly. Владелец: Memjet Technology Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Improvements in or relating to methods of making diamond to metal seals

Номер патента: GB1013337A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1965-12-15.

Method of filtering submicron particles with gel lattice membrane filter

Номер патента: US5711884A. Автор: Sanford A. Asher,Jay Henis. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 1998-01-27.

A method of preparation of a biological particulate structure

Номер патента: EP2449096A1. Автор: Anton P.J. Middelberg,Yuan Yuan Fan. Владелец: University of Queensland UQ. Дата публикации: 2012-05-09.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

REDUCED SUCROSE SUGAR COATINGS FOR CEREALS AND METHODS OF PREPARATION

Номер патента: US20120003360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of producing cleaning web, image-forming device and fixing device

Номер патента: US20120003020A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: SG181188A1. Автор: Chih-Hung Lin,Tzu-Yun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD OF MONITORING SOOT MASS IN A PARTICULATE FILTER AND MONITORING SYSTEM FOR SAME

Номер патента: US20120000184A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONFINEMENT GROUP FOR A PLATE HEAT EXCHANGER, A METHOD OF OBTAINING SUCH AN EXCHANGER, AND A METHOD OF ABSORBING STRESS IN A CONFINEMENT GROUP FOR PACK-TYPE PLATE HEAT EXCHANGERS

Номер патента: US20120000638A1. Автор: CIPRIANI Luca. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of rejecting semiconductor devices for radiation resistance

Номер патента: RU2253875C2. Автор: В.М. Зыков,Н.Т. Юнда,В.Г. Арчаков,А.В. Шеремет. Владелец: Государственное научное учреждение "Научно-исследовательский институт интроскопии при Томском политехническом университете Министерства образования Российской Федерации" (ГНУ "НИИ ИН при ТПУ"). Дата публикации: 2005-06-10.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making antenna dome cladding from quartz ceramic

Номер патента: RU2436206C1. Автор: Игорь Леонидович Шкарупа,Феодосий Яковлевич Бородай,Владимир Васильевич Викулин,Светлана Прохоровна Бородай. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2011-12-10.

Catalytic reactor for processing sediments of sewage waters and method of their processing (versions)

Номер патента: RU2536510C2. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Александр Дмитриевич Симонов,Николай Алексеевич Языков,Игорь Анатольевич Федоров,Вадим Анатольевич Яковлев,Юрий Владимирович Дубинин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2014-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2641617C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-01-18.

Method of testing attachement insulation resistance in direct current mains with isolated neutral, device for implementation thereof and differential sensor therefor

Номер патента: RU2381513C1. Автор: Игорь Александрович Галкин,Николай Иванович Шаварин,Юрий Николаевич Алимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ЭКРА". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of making a dielectrically isolated semiconductor device

Номер патента: CA1033469A. Автор: Wilhelmus H.C.G. Verkuijlen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1978-06-20.

Method of producing nitraminopropionitrile

Номер патента: RU2481328C1. Автор: Александр Сергеевич Жарков,Наталия Викторовна Лукина,Владимир Николаевич Золотухин,Антонина Алексеевна Лобанова,Валентина Георгиевна Зимина. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 2013-05-10.

Biotransplant for recovery of bone tissue volume in case of degenerative diseases and traumatic injuries of bones and method of obtaining thereof

Номер патента: RU2530622C2. Автор: Алексей Юрьевич Дробышев,Всеволод Арсеньевич Ткачук,Ксения Андреевна Рубина,Вероника Юрьевна Сысоева,Ольга Александровна Григорьева,Елена Викторовна Парфенова,Наталья Игоревна Калинина,Ирина Юрьевна Чаусская. Владелец: Общество с ограниченной ответственной "Генная и клеточная терапия". Дата публикации: 2014-10-10.

Method of analyzing the contaminants of a semiconductor device fabrication facility

Номер патента: TW514681B. Автор: Yong-Woo Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-21.

Installation method of rolling drilling bit bearing structure

Номер патента: RU2499874C1. Автор: Николай Митрофанович Панин,Виталий Иванович Титов,Альберт Федорович Гущин,Борис Николаевич Стадник,Анатолий Владимирович Лельевр. Владелец: Николай Митрофанович Панин. Дата публикации: 2013-11-27.

Method of modifying anion-exchange membranes

Номер патента: RU2410147C2. Автор: Виктор Иванович Заболоцкий,Юрий Александрович Федотов,Наталия Дмитриевна Письменская,Виктор Васильевич Никоненко,Елена Ивановна Белова,Галина Юрьевна Лопаткова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационное предприятие "Мембранная технология". Дата публикации: 2011-01-27.

Method of agglomeration of fuel of organic origin and device for this effect

Номер патента: RU2333938C2. Автор: Владимир Ильич Бондаренко,Петр Иванович Пилов,Владимир Иванович Мальченко,Григорий Овсеевич Куденко,Наталь Владимировна Канарска,Наталья Владимировна Канарская. Владелец: Научно-исследовательский институт горных проблем. Дата публикации: 2008-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.