Method of forming a transistor and structure therefor.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US20140264565A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Balaji Padmanabhan, Gordon M. Grivna, Prasad Venkatraman
Принадлежит: Semiconductor Components Industries LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US09466708B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US20160380079A1. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Transistor device and method of fabricating a gate of a transistor device

Номер патента: EP3863066A1. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Roland Moennich,Ingmar Neumann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-08-11.

DRAM Circuitry And Method Of Forming DRAM Circuitry

Номер патента: US20240276714A1. Автор: Toshihiko Miyashita,Dan Mocuta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Trench gate nmos transistor and trench gate pmos transistor monolithically integrated in same semiconductor die

Номер патента: US20240113115A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Alireza MOJAB,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Trench gate nmos transistor and trench gate pmos transistor monolithically integrated in same semiconductor die

Номер патента: EP4345882A1. Автор: Robert Haase,Timothy Henson,Harsh Naik,Alireza MOJAB,Honghai He,Ashita Mirchandani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device, integrated circuit and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US09735243B2. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Vielemeyer,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-15.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09679968B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez,Aryan Afzalian. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Heterostructure oxide semiconductor vertical gate-all-around (vgaa) transistor and methods for making the same

Номер патента: US20230262953A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a gate shield in an ED-CMOS transistor and a base of a bipolar transistor using BICMOS technologies

Номер патента: US9633995B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09755032B1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of forming capacitors through wafer bonding

Номер патента: US20240276735A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming stacked capacitors through wafer bonding

Номер патента: US20240274651A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a low capacitance semiconductor device and structure therefor

Номер патента: CN1808708B. Автор: 普拉萨德·文卡塔曼. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-05-30.

METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20190081159A1. Автор: Li Wei,Song Zhen,Wang Guoying. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, and display apparatus

Номер патента: EP3549157A4. Автор: Wei Li,Zhen Song,Guoying Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-24.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor with a negative capacitance and a method of creating the same

Номер патента: US20220302315A1. Автор: FENG Yuan,Tung Ying Lee,Jin Cai,Ming-Shiang LIN,Chia-Cheng Ho,Tzu-Chung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Enhanced method of introducing a stress in a transistor channel by means of sacrificial sources/drain regions and gate replacement

Номер патента: US09431538B2. Автор: Pierre Morin,Shay REBOH. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Manufacturing method of polysilicon layer, and polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, and display apparatus including the same

Номер патента: US20160133725A1. Автор: Hyunduck CHO,Youngjun Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method of forming crystallized semiconductor layer, method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, and display apparatus

Номер патента: US11101368B2. Автор: Yonglian QI,Dan Wang,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Yun Qiu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method of forming crystallized semiconductor layer, method of fabricating thin film transistor, thin film transistor, and display apparatus

Номер патента: US20210217872A1. Автор: Yonglian QI,Dan Wang,Lianjie QU,Hebin ZHAO,Yun Qiu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Methods of forming a gate contact for a transistor above an active region and the resulting device

Номер патента: US09947589B1. Автор: Lars W. Liebmann,Ruilong Xie,Chanro Park,Nigel G. Cave,Andre P. Labonte,Mark V. Raymond. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method to reduce parasitic gate capacitance and structure for same

Номер патента: US09419102B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20230187538A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20210104618A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of Forming Transistor

Номер патента: US20240282842A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabrication the same

Номер патента: US20240363633A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit device including stacked transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4456124A1. Автор: Jaehong Lee,Kang-ill Seo,Sooyoung Park,Seungchan Yun,Myung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming a protection layer on a semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US09634115B2. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Backside gate contact, backside gate etch stop layer, and methods of forming same

Номер патента: US12119271B1. Автор: Wei-De Ho,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Szuya Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of opening one-side contact in vertical transistor and method of fabricating the one-side junction region using the same

Номер патента: KR101185994B1. Автор: 노경봉,은용석,박은실. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Dielectric gas spacer formation for reducing parasitic capacitance in a transistor including nanosheet structures

Номер патента: US20240194760A1. Автор: Chih-Hao Chang,Wei-Yang Lee,Cheng-Yi Peng,Chia-Pin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12136657B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of making an electrode contact structure and structure therefor

Номер патента: US20130299996A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230335443A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Yu-Chi Pan,Yu-Te Su,Kuan-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Structures for power transistor and methods of manufacture

Номер патента: US20120248534A1. Автор: Qin Huang,Yuming Bai. Владелец: Wuxi Versine Semiconductor Corp Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US6939799B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

TRANSISTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING A GATE OF A TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20210249534A1. Автор: Hutzler Michael,Siemieniec Ralf,Laforet David,Moennich Roland,Neumann Ingmar. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

METHOD OF FORMING CRYSTALLIZED SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD OF FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20210217872A1. Автор: QI Yonglian,WANG DAN,ZHAO Hebin,Qiu Yun,QU Lianjie. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Method of forming spacers of a transistor

Номер патента: FR3098644A1. Автор: Christophe Vallee,Nicolas Posseme,Marceline Bonvalot,Ahmad CHAKER. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-01-15.

Method of forming spacers of a transistor

Номер патента: EP3764390A1. Автор: Christophe Vallee,Nicolas Posseme,Marceline Bonvalot,Ahmad CHAKER. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-01-13.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080073715A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Tunneling field effect transistor and methods of making such a transistor

Номер патента: US09793384B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of forming semiconductor constructions

Номер патента: US09613978B2. Автор: Deepak Thimmegowda,Andrew R. Bicksler,Roland Awusie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Transistor and methods of forming transistors

Номер патента: US20210043767A1. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Transistor and methods of forming transistors

Номер патента: WO2021030078A1. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09825043B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Ta-Pen Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Transistor And Methods Of Forming Transistors

Номер патента: US20220344468A1. Автор: Kamal M. Karda,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Transistor And Methods Of Forming Transistors

Номер патента: US20210043731A1. Автор: Kamal M. Karda,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Methods of forming perpendicular magnetic tunnel junction memory cells having vertical channels

Номер патента: WO2019133484A1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Dafna Beery,Amitay Levi,Andrew J. Walker. Владелец: Spin Memory, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Non-planar transistors and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09735276B2. Автор: Chin-Hsiang Lin,Sey-Ping Sun,Chih-Hang Tung,Cheng-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Transistor and methods of forming integrated circuitry

Номер патента: US12113130B2. Автор: Hung-Wei Liu,Jeffery B. Hull,Sameer Chhajed,Anish A Khandekar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Transistors and methods of forming transistors

Номер патента: US09559194B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Transistors and methods of forming transistors

Номер патента: US09773976B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US8163592B2. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Method of manufacturing semiconductor for transistor and method of manufacturing the transistor

Номер патента: US20110124152A1. Автор: Hong-Suk Yoo,Chang-Hoon Kim,Seon-Pil Jang,Bo-Kyoung Ahn,Gug-Rae Jo,Ju-han Bae,Min-Uk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-26.

Methods of forming wiring to transistor and related transistor

Номер патента: US20140145264A1. Автор: Anna W. Topol,David J. Frank,Steven E. Steen,Douglas C. LaTulipe, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of stressing transistor channel with replaced gate and related structures

Номер патента: SG137804A1. Автор: Huilong Zhu,Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Brian Lee Tessier. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

A Semiconductor layer, a method of manufacturing the same, and a transistor comprising the same

Номер патента: KR102321729B1. Автор: 박진성,김민정,박정우,석장현,이현경,성가진,홍태현. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-11-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220068926A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12029028B2. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Methods to form a silicon cushioning layer architecture and structures formed by these

Номер патента: BRPI0909222A2. Автор: Dmitri Loubychev,Mantu K Hudait,Peter G Tolchinsky,Loren A Chow,Joel M Fastenau,Amy W K Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method of manufacturing field-effect transistor, field-effect transistor, and method of manufacturing display device

Номер патента: KR101736260B1. Автор: 히로시 타다,나오키 코이토. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing field-effect transistor, field-effect transistor, and method of manufacturing display device

Номер патента: US20100295038A1. Автор: Hiroshi Tada,Naoki Koito. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

MANUFACTURING METHOD OF POLYSILICON LAYER, AND POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150155390A1. Автор: Wang Zuqiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, and display apparatus including the same

Номер патента: US20160133725A1. Автор: Hyunduck CHO,Youngjun Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Preparation method of thin film transistor, photomask, thin film transistor and display device

Номер патента: CN107731690B. Автор: 王丽,丁奇,张占东. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

Fabrication method of low-temperature poly-silicon thin film transistor and product

Номер патента: CN105789052A. Автор: 段志勇,周茂清,魏朝刚. Владелец: Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-20.

Preparation method of DMOS (Double diffusion Metal-Oxide-Semiconductor) transistor and DMOS transistor

Номер патента: CN104425274A. Автор: 张忠华,陈定平. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: TW200805672A. Автор: Yoshio Inagaki,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

The preparation method of low-temperature polysilicon film, thin-film transistor and display unit

Номер патента: CN103489788B. Автор: 王磊,田雪雁,任章淳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Method of fabricating semiconductor apparatus having saddle-fin transistor and semiconductor apparatus fabricated thereby

Номер патента: KR100979359B1. Автор: 이상돈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-08-31.

High Voltage Double-Diffused MOS (DMOS) Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20150200198A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240250150A1. Автор: Hung Chia-Yang,Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Chen Yung Tzu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09960234B2. Автор: Kirk HUANG,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09947541B2. Автор: Nicolas Posseme,Olivier POLLET,Maxime GARCIA-BARROS. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of Forming a Nitrogen-Enriched Region within Silicon-Oxide-Containing Masses

Номер патента: US20090215253A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John T. Moore,Neal R. Rueger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of forming a transistor using selective epitaxial growth

Номер патента: US20050176205A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Yu-Kun Chen,Ya-Lun Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Forming a retrograde well in a transistor to enhance performance of the transistor

Номер патента: US20050224874A1. Автор: Haowen Bu,Srinivasan Chakravarthi,Robert Bowen,Pr Chrdambaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of forming a field effect transistor having a stressed channel region

Номер патента: US20060113641A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Method and structure for FinFET isolation

Номер патента: US09490176B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming drain extended mos transistors for high voltage circuits

Номер патента: US20190355583A1. Автор: Gyu-Chul Kim,Igor G. Kouznetsov,Sungkwon Lee. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2019-11-21.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Low leakage power transistor and method of forming

Номер патента: US20030073313A1. Автор: Sameer Pendharkar,Taylor Efland,William Nehrer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Gate spacers and methods of forming

Номер патента: US09577070B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of forming a semiconductor device having asymmetric dielectric regions and structure thereof

Номер патента: WO2006104562A2. Автор: Leo Mathew,Venkat R. Kolagunta,David C. Sing. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Metal oxide thin-film transistor, method of fabricating the same, and array substrate

Номер патента: US09634036B1. Автор: Jiangbo Yao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming a low thermal resistance device and structure

Номер патента: US7022564B1. Автор: Narayan Raja,Roger P. Stout. Владелец: JPMorgan Chase Bank NA. Дата публикации: 2006-04-04.

Method of forming a low thermal resistance device and structure

Номер патента: TW200629423A. Автор: Narayan Raja,Roger P Stout. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2006-08-16.

Method of forming a low thermal resistance device and structure

Номер патента: CN1773669A. Автор: 纳拉扬·拉贾,罗杰·P·斯托特. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2006-05-17.

Preparation method of self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: CN109786256B. Автор: 吕元杰,宋旭波,王元刚,冯志红,梁士雄,蔚翠,何泽召,周闯杰. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2021-05-04.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20220216243A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20200295057A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

FinFET device and method of forming

Номер патента: US09837539B1. Автор: Yi-Wei Chiu,Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Te-Chih Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming a thin film transistor on a transparent plate

Номер патента: US6861301B2. Автор: Yuan-Tung Dai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-01.

Method of forming spacers for a gate of a transistor

Номер патента: US09780191B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming an isolation structure for a transistor

Номер патента: SG131938A1. Автор: Chih-Hsin Ko,Chien-Chao Huang,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-05-28.

Method for forming a germanium channel layer for an NMOS transistor device, NMOS transistor device and CMOS device

Номер патента: US09478544B2. Автор: Liesbeth Witters,Roger Loo,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of forming a semiconductor device having a conductor in a sidewall of the substrate

Номер патента: US09761659B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Cheng-Wei Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming semiconductor devices and FinFET devices, and FinFET devices

Номер патента: US09355920B2. Автор: Martin Christopher Holland,Matthias Passlack,Richard Kenneth Oxland. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20240234566A1. Автор: Chih-Ming Lee,Pei-Lun Wang,Chih-Hsiung Huang,Wen-Chih Chiang,Yu-Chang Jong,Cheng-Ming Wu,Yu-Hsien CHU,Ling Mei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of selectively deglazing p205

Номер патента: US20140054727A1. Автор: Hong-Gap Chua,Yee-Chung Chan,Mei-Yu Muk. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of forming a field effect transistor comprising a stressed channel region

Номер патента: US20060076652A1. Автор: Kai Frohberg,Hartmut Ruelke,Joerg Hohage. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Methods of forming doped source/drain contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Glenn Glass,Chandra MOHAPATRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming a reduced resistance fin structure

Номер патента: US09660057B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047587A1. Автор: Po-Hsin Lin,Xue-Hung TSAI,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046663B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US12125920B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Transistor and method of forming same

Номер патента: US09911849B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Veeraraghavan S. Basker,Nicolas L. Breil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Dual-layer channel transistor and methods of forming same

Номер патента: US20240379873A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Mauricio Manfrini,Kuo-Chang Chiang,Hung Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

High voltage double-diffused mos ( dmos) device and method of manufacture

Номер патента: WO2015108903A1. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240363735A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923094B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09786779B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

High voltage double-diffused MOS (DMOS) device and method of manufacture

Номер патента: US09601615B2. Автор: Bomy Chen,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Transistors, methods of forming transistors and display devices having transistors

Номер патента: US09577114B2. Автор: Jin-Woo Lee,Moo-Jin Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09577101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09576956B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method and structure of forming controllable unmerged epitaxial material

Номер патента: US09455331B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US12087587B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240347534A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US20240363351A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09490430B1. Автор: Samuel C. Pan,Chee-Wee Liu,Pin-Shiang Chen,Sheng-Ting Fan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of making a transistor

Номер патента: US09978602B2. Автор: Yves Morand,Maud Vinet,Heimanu Niebojewski. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Systems and devices including multi-gate transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: US20130240967A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Transistors with laterally extended active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US20110183482A1. Автор: Min-Hee Cho,Sung-Sam LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US11854907B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US20240112958A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of modifying the strain state of a semiconducting structure with stacked transistor channels

Номер патента: US09853130B2. Автор: BENOÎT Mathieu,Yves Morand,Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre,Jean-Charles Barbe. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240088033A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen,Chao-Kai Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Transistor and method for forming a transistor

Номер патента: US20210028280A1. Автор: Zhiyuan Ye,Patricia M. Liu,Flora Fong-Song Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Fin field-effect transistor with void and method of forming the same

Номер патента: US12068398B2. Автор: Yi-Jen Chen,Ming-Jhe Sie,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao,Hong Pin Lin,An Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09978782B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor Arrangement with a Load Transistor and a Sense Transistor

Номер патента: US20210083104A1. Автор: Gerhard Noebauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-18.

Method of controlling threshold of transistor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170221716A1. Автор: Koji Akiyama,Junya Miyahara,Yutaka Fujino,Kentaro Shiraga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of controlling threshold of transistor and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10153169B2. Автор: Koji Akiyama,Junya Miyahara,Yutaka Fujino,Kentaro Shiraga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Method of enhancing drive current in a transistor

Номер патента: WO2009018556A2. Автор: Mark R. Visokay,Shaofeng Yu. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-05.

METHOD OF FORMING POLYSILICON FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE INCLUDING POLYSILICON FILM

Номер патента: US20140084268A1. Автор: SEO Jin-Wook,Lee Tak-Young,LEE Ki-Yong,JEONG Min-Jae,SON Yong-Duck. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

Crystalline semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100384499B1. Автор: 스즈키고지,히라마츠마사토. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US20120175611A1. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and display unit

Номер патента: US8395151B2. Автор: Toshitaka Kawashima,Shina Kirita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Preparation method of negative-capacitance fin type field effect transistor and negative-capacitance fin type field effect transistor

Номер патента: CN112997318A. Автор: 夏禹,张日清. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

Method of Forming a Transistor, Method of Patterning a Substrate, and Transistor

Номер патента: US20160093706A1. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming a transistor, method of patterning a substrate, and transistor

Номер патента: US09954068B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor devices, hybrid transistors, and related methods

Номер патента: US11856799B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming a self-aligned transistor and structure therefor

Номер патента: US20070075399A1. Автор: Gordon Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming a self-aligned transistor and structure therefor

Номер патента: US20080017951A1. Автор: Gordon Grivna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming strain-causing layer for mos transistors and process for fabricating strained mos transistors

Номер патента: US20090111272A1. Автор: Pei-Lin Kuo,Huo-Tieh Lu,Jin-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20230387107A1. Автор: Chia-Chen Chang,Cheng-Bo Shu,Yun-Chi Wu,Tsu-Hsiu Perng,Yuan-Cheng Yang,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication method of the metal bridge of heterojunction bipolar transistor and the structure thereof

Номер патента: TW459311B. Автор: Shi-Ming Chen,Wen-Liang Li,Hung-Ren Chen,Ju-Yu Su. Владелец: Epitech Technology Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of forming a transistor having gate protection and transistor formed according to the method

Номер патента: US7808058B2. Автор: Peter L. D. Change. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-10-05.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09559060B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09437546B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Transistor and its method of manufacture

Номер патента: EP2724373A2. Автор: Scott White,Richard Price. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2014-04-30.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and structure to form tensile strained SiGe fins and compressive strained SiGe fins on a same substrate

Номер патента: US09754941B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09412769B2. Автор: Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Sun-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Transistors, methods of manufacturing a transistor and electronic devices including a transistor

Номер патента: US09583638B2. Автор: Chang-Jung Kim,Sang-Wook Kim,Jae-Chul Park,Sun-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Manufacturing method of transistor with independent contact to substrate

Номер патента: RU2739861C1. Автор: Александр Сергеевич Мокеев,Тамара Александровна Шоболова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-12-29.

Methods of Manufacturing Transistors Including Forming a Depression in a Surface of a Covering of Resist Material

Номер патента: US20170125406A1. Автор: Scott White,Richard Price. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991311B2. Автор: Michael Marrs,Joseph T. Smith. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming backside self-aligned vias and structures formed thereby

Номер патента: WO2017052562A1. Автор: Paul B. Fischer,Mauro J. Kobrinsky,Patrick Morrow,Kimin Jun,Il-Seok Son. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-30.

Method and structure for forming silicon germanium finfet

Номер патента: US20190206999A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Method and structure for forming silicon germanium finfet

Номер патента: US20190333996A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for Forming a Heterojunction Bipolar Transistor and a Heterojunction Bipolar Transistor Device

Номер патента: US20200203509A1. Автор: DESHPANDE Veeresh Vidyadhar,Parvais Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method of forming a self-aligned transistor and structure therefor

Номер патента: HK1104667A1. Автор: Gordon M Grivna. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2008-01-18.

Recessed transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20060278935A1. Автор: Gyong-Sub Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-14.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Vertical bipolar junction transistor and method

Номер патента: US20230268394A1. Автор: Qizhi Liu,Rajendran Krishnasamy,Sarah A. McTaggart. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Method of fabricating an integrated silicon-germanium heterobipolar transistor and an integrated silicon-germanium heterobipolar transistor

Номер патента: US20050001236A1. Автор: Badih El-Kareh,Philipp Steinmann,Alfred Haeusler,Scott Balster. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for forming the gate of a transistor

Номер патента: US20080157132A1. Автор: Dae-Young Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Transistor devices and methods of forming a transistor device

Номер патента: US20210335778A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US20140217512A1. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Integrated circuits having dummy gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US8928088B2. Автор: Chan-Hong Chern,mei-hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076402A1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9917268B1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09520388B2. Автор: Thomas Keena,David M. Heminger. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Methods of forming a field effect transistors

Номер патента: US20030068865A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Device and method of forming 3d u-shaped nanosheet cfet

Номер патента: US20240249978A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

ESD device and structure therefor

Номер патента: US09564424B2. Автор: Harry Yue Gee,David D. Marreiro,Yupeng Chen,Umesh Sharma,Ralph Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: WO2023161360A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-31.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: EP4235794A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-08-30.

Electron hole spin qubit transistor, and methods for forming a electron hole spin qubit transistor

Номер патента: AU2023225130A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-08-22.

METHODS OF FORMING REPLACEMENT GATE STRUCTURES FOR TRANSISTORS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20150041905A1. Автор: Ponoth Shom,Choi Kisik,Xie Ruilong,Fan Su Chen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD OF MANUFACTURING JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING IMAGING APPARATUS, JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20160064449A1. Автор: Kumano Hideomi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

Field-effect transistor, its method of production, and method of monolithic integration of a field-effect transistor and a laser

Номер патента: FR2631744A1. Автор: Jean-Pierre Hirtz,Eric Barbier,Jean-Yves Raulin. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1989-11-24.

Preparation method of patterned metal film layer, thin film transistor and display substrate

Номер патента: CN109378271B. Автор: 刘军,李伟,王东方,张扬,方金钢,丁录科,程磊磊. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of forming replacement gate PFET having TiALCO layer for improved NBTI performance

Номер патента: US09449887B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Vijay Narayanan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Forming a thin film electric cooler and structures formed thereby

Номер патента: US20080230106A1. Автор: Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor processing method of forming a conductive gate line and semiconductor processing method of making ohmic contact between a transistor gate line and a substrate diffusion region

Номер патента: US6066549A. Автор: Monte Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-23.

Methods of forming interconnect structures with selectively deposited pillars and structures formed thereby

Номер патента: US20200343137A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Method of evaluating core based system-on-a-chip (SoC) and structure of SoC incorporating same

Номер патента: US20020170007A1. Автор: Rochit Rajsuman. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2002-11-14.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20190074281A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Organic semiconductor thin film and method of manufacturing the same and thin film transistor and electronic device

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Jie Xu,Zhenan Bao,Jong Won Chung,Sangyoon Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-11-16.

Amorphous devices and interconnect system and method of fabrication

Номер патента: US4471376A. Автор: William R. Morcom,Glenn M. Friedman. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1984-09-11.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09633999B1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming insulating layer and method of manufacturing transistor using the same

Номер патента: US8183136B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Deok-Hyung Lee,Dong-Chan Kim,Soo-jin Hong,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of forming contact openings for a transistor

Номер патента: US09484217B2. Автор: Nicolas Posseme. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-01.

Opening fill process and structures formed thereby

Номер патента: US09978583B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming tuneable temperature coefficient FR embedded resistors

Номер патента: US09972616B2. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Opening fill process and structure formed thereby

Номер патента: US09627313B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of forming a gate contact for a semiconductor device above the active region

Номер патента: US09899321B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming reduced resistance local interconnect structures and the resulting devices

Номер патента: US09553028B2. Автор: Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit structure to resolve deep-well plasma charging problem and method of forming the same

Номер патента: US09449888B2. Автор: David Yen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor mos, cmos devices and capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2004082005B1. Автор: Ronald A Weimer,Denise M Eppich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor mos, cmos devices and capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1604392A1. Автор: Denise M. Eppich,Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-14.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09666491B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US09847336B2. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Graphene layer, method of forming the same, device including graphene layer and method of manufacturing the device

Номер патента: US09660036B2. Автор: Jaeho Lee,Hyowon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor layout structures for controlling sizes of transistors without changing active regions, and methods of controlling the same

Номер патента: US20080141204A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US09466612B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming copper iodide layer and structures including copper iodide layer

Номер патента: US20230243032A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Vacuum channel transistor and diode emitting thermal cathode electrons, and method of manufacturing the vacuum channel transistor

Номер патента: US20100102325A1. Автор: Hyun Tak Kim,Dae Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-29.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09818751B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09646972B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Transistor and its method of manufacture

Номер патента: US20080029371A1. Автор: Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Young-Moon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Transistor and its method of manufacture

Номер патента: US7550791B2. Автор: Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Young-Moon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-23.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US20160163721A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US09741726B2. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Transistor package, amplification circuit including the same, and method of forming transistor

Номер патента: US09853605B2. Автор: Kazumi Shiikuma. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of forming a nitrogen-containing carbon film and system for performing the method

Номер патента: US12068154B2. Автор: Hirotsugu Sugiura,Yoshiyuki Kikuchi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of forming a molded substrate electronic package and structure

Номер патента: US20240258225A1. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Unit pixel of image sensor, image sensor including the same and method of manufacturing image sensor

Номер патента: US09929204B2. Автор: Yong-Chan Kim,Moo-Sup Lim,Eun-sub SHIM,Seung-sik KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332011A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Polycrystalline silicon carbide substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4439630A1. Автор: Carlo Riva,Alexandre Ellison,Björn MAGNUSSON LINDGREN. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Driving method of organic electroluminescence emission part

Номер патента: US09449556B2. Автор: Junichi Yamashita,Katsuhide Uchino. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming semiconductor integrated device

Номер патента: US20050221551A1. Автор: Yoshinori Ueda,Naohiro Ueda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Method of forming a molded substrate electronic package and structure

Номер патента: US20210106156A1. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming a molded substrate electronic package and structure

Номер патента: US11961794B2. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Won Bae Bang. Владелец: Amikor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

METHODS OF FORMING PACKAGE STRUCTURES FOR ENHANCED MEMORY CAPACITY AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20190074281A1. Автор: Thomas Shanto A.,Singh Navneet K.,Balakrishnan Ranjul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

METHODS OF FORMING PACKAGE STRUCTURES FOR ENHANCED MEMORY CAPACITY AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Thomas Shanto A.,Singh Navneet K.,Balakrishnan Ranjul. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

METHODS OF FORMING INTERCONNECT STRUCTURES WITH SELECTIVELY DEPOSITED PILLARS AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20200343137A1. Автор: Lu Chih-Wei,Liao Wei-Hao,Lee Chung-Ju,TIEN Hsi-Wen,Dai Pin-Ren. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Method of forming structural body having phase separation structure and structural body having phase separation structure

Номер патента: TW201435509A. Автор: Daiju Shiono,Tasuku Matsumiya,Ken Miyagi,Tsuyoshi Kurosawa,Kenichiro Miyashita,Katsumi Ohmori. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Method of routing an electrical connection on a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: MY134889A. Автор: Hun Kwang Lee,Hong Ing Ooi. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2007-12-31.

METHOD OF FORMING A MOLDED SUBSTRATE ELECTRONIC PACKAGE AND STRUCTURE

Номер патента: US20180158767A1. Автор: Kim Gi Jeong,Chung Ji Young,Kim Byong Jin,Bang Won Bae. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD OF FORMING A MOLDED SUBSTRATE ELECTRONIC PACKAGE AND STRUCTURE

Номер патента: US20160276236A1. Автор: Kim Gi Jeong,Chung Ji Young,Kim Byong Jin,Bang Won Bae. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of forming a molded substrate electronic package and structure

Номер патента: US20230240457A9. Автор: Ji Young Chung,Gi Jeong Kim,Byong Jin Kim,Won Bae Bang. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method of forming conductive connection structure on multilayer board and structure thereof

Номер патента: TWI244187B. Автор: Jen-Kuang Fang,Ching-Fu Horng,Shau-Chuo Wen,Chia-Yang Chou. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2005-11-21.

Method of forming conductive connection structure on multilayer board and structure thereof

Номер патента: TW200623375A. Автор: Jen-Kuang Fang,Ching-Fu Horng,Shau-Chuo Wen,Chia-Yang Chou. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-07-01.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Method of manufacturing organic light emitting diode display

Номер патента: US20160133841A1. Автор: Jin Won Sun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

METHOD OF MAKING A STRUCTURE HAVING AN ADJUSTED SEAL CORD AND STRUCTURE OBTAINED

Номер патента: FR2922203B1. Автор: David Henry,Xavier Baillin,Jean Brun,Thierry Enot. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-11-20.

Deposited thin build-up layer dimensions as a method of relieving stress in high density interconnect printed wiring board substrates

Номер патента: EP1133904A1. Автор: Jan I. Strandberg,James L. Ii Lykins. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-09-19.

Method of securing a semiconductor chip on a base plate and structure thereof

Номер патента: US5923956A. Автор: Akihiro Yano,Yuji Kondou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-13.

METHOD OF FABRICATING AN AIR GAP USING A DAMASCENE PROCESS AND STRUCTURE OF SAME

Номер патента: US20140252633A1. Автор: Lee Chung-Ju,Tsai Cheng-Hsiung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of fabricating photoelectric device of group III nitride semiconductor and structure thereof

Номер патента: US7824942B2. Автор: Chih Peng Hsu,Shih Cheng Huang,Po Min Tu,Wen Yu Lin,Shih Hsiung Chan. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Method of assessing potential for charging damage in soi designs and structures for eliminating potential for damage

Номер патента: US20050093072A1. Автор: Henry Bonges,David Harmon,Terence Hook,Wing Lai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Forming a thin film electric cooler and structures formed thereby

Номер патента: US7902617B2. Автор: Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Method of controlling electrically continuous state of mos transistor and integrated circuit obtained by applying the method

Номер патента: JPS6435949A. Автор: Budouu Aran,Bonaru Marii-Furansuwaazu,Ruiyonnmarutan Maruteiinu. Владелец: BIYUN SA. Дата публикации: 1989-02-07.

ORGANIC SEMICONDUCTOR THIN FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20170331045A1. Автор: Chung Jong Won,Bao Zhenan,Xu Jie,LEE Sangyoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-16.

MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR PATTERN, THIN FILM TRANSISTOR, AND MASK

Номер патента: US20220005843A1. Автор: Zhang Ning,ZHONG Shuting. Владелец: TCL CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of manufacturing thin film transistor, thin film transistor, and transistor array

Номер патента: US20160072068A1. Автор: Shizuo Tokito,Yoshinori Katayama,Daisuke Kumaki,Tomoko Okamoto,Kenjiro Fukuda,Kenichi Yatsugi. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2016-03-10.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND ELECTRONIC DEVICE COMPRISING THE THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20180123064A1. Автор: Kim Joo Young,YUN Youngjun,CHOI Ajeong,JUNG Jiyoung,Lee Yong-Uk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication Methods of Patterned Metal Film Layer, Thin Film Transistor and Display Substrate

Номер патента: US20200126809A1. Автор: Liu Jun,Li Wei,Zhang Yang,WANG Dongfang,DING Luke,FANG Jingang,CHENG Leilei. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20200295007A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20190181142A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Devices Having a Transistor and a Capacitor Along a Common Horizontal Level, and Methods of Forming Devices

Номер патента: US20210343719A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Devices having a transistor and a capacitor along a common horizontal level, and methods of forming devices

Номер патента: EP3682477A1. Автор: Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240332176A1. Автор: Ting-Chu Ko,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Touch panel and method of forming the same

Номер патента: US09465475B2. Автор: Jium Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods of forming dram assemblies, transistor devices, and openings in substrates

Номер патента: US20020072208A1. Автор: Er-Xuan Ping,Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Methods of forming connector pad structures, interconnect structures, and structures thereof

Номер патента: US09570410B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Wei-Yu Chen,Chia-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming the spacers on lateral flanks of a transistor gate using successive implantation phases

Номер патента: US12033859B2. Автор: Nicolas Posseme,Valentin BACQUIE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming a semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09646951B2. Автор: Sudhama C. Shastri,Richard D. Moyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby

Номер патента: US09631065B2. Автор: Arjun Krishnan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Anna M. Prakash,James C. Matayabas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Arrays Of Memory Cells Individually Comprising A Capacitor And A Transistor And Methods Of Forming Such Arrays

Номер патента: US20200219807A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Arrays of memory cells individually comprising a capacitor and a transistor and methods of forming such arrays

Номер патента: EP3750181A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-16.

Forming a reticle for extreme ultraviolet radiation and structures formed thereby

Номер патента: US20060102986A1. Автор: Bryan Rice,Kramadhati Ravi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Brush, method of forming a brush, and structure embodied in a machine readable medium used in a design process

Номер патента: US20210274926A1. Автор: Rajeev Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Brush, method of forming a brush, and structure embodied in a machine readable medium used in a design process

Номер патента: EP4114229A1. Автор: Rajeev Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods and structures for processing semiconductor devices using polymeric materials and adhesives

Номер патента: US09449940B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200402933A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: EP3891791A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-10-13.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: WO2020117652A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

Packaged transistor devices with input-output isolation and methods of forming packaged transistor devices with input-output isolation

Номер патента: US20200176402A1. Автор: Haedong Jang,Zulhazmi Mokhti,Frank Trang. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods of forming configurable microchannels in package structures

Номер патента: US09997377B2. Автор: Arnab Choudhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09460995B2. Автор: Gordon M. Grivna,Chun-Li Liu,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of forming a bi-directional transistor with by-pass path

Номер патента: US8530284B2. Автор: Stephen P. Robb,Francine Y. Robb. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2013-09-10.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: US20160381800A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming poly pattern in r-string of lcd drive ic and structure of the same

Номер патента: US20090096064A1. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming poly pattern in R-string of LCD drive IC and structure of the same

Номер патента: US7713830B2. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Methods of forming low interface resistance rare earth metal contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09934976B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Robert S Chau,Matt Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Rf power transistor packages with internal harmonic frequency reduction and methods of forming rf power transistor packages with internal harmonic frequency reduction

Номер патента: WO2009002387A3. Автор: Simon Wood,Donald Farrell. Владелец: Donald Farrell. Дата публикации: 2009-02-19.

Methods and structures for processing semiconductor devices

Номер патента: US20150179493A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Methods and structures for handling integrated circuits

Номер патента: US09824906B2. Автор: Terry Lynne Barrette. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming in package integrated capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US20060124985A1. Автор: Jiangqi He,Xiang Zeng,Jack Zhong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Integrated Assemblies Which Include Carbon-Doped Oxide, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190348419A1. Автор: Sanh D. Tang,Silvia Borsari,Sau Ha Cheung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of fabricating low melting point solder reinforced sealant and structures formed thereby

Номер патента: US09808875B2. Автор: Sriram Srinivasan,Deepak V. Kulkarni,Leonel R. Arana,Gregory S. Constable,Carl L. Deppisch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Organic thin film transistors and methods for their manufacturing and use

Номер патента: US09680097B2. Автор: Monica Katiyar,Saumen MANDAL. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY KANPUR. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming bit line contact via

Номер патента: US20040198008A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Hui-Min Mao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Methods of fabricating multichip packages and structures formed thereby

Номер патента: US20090244867A1. Автор: Raj Bahadur,Marcos Valles,Matthew J. Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Memory cell array structure having bit line for reducing signal resistance, memory device including the same, and method of forming the same

Номер патента: US20240196629A1. Автор: Bipul C. Paul,Sandeep Puri,Venkatesh Periyapatna Gopinath. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication of stacked die and structures formed thereby

Номер патента: US09466595B2. Автор: Kramadhati V. Ravi,Jim Maveety. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20160343754A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20180175088A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020004264A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for fabricating a simplified CMOS polysilicon thin film transistor and resulting structure

Номер патента: US20020005518A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US09935140B2. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Forming sacrificial composite materials for package-on-package architectures and structures formed thereby

Номер патента: US09793233B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Leonel R. Arana,Rajasekaran Swaminathan,Yosuke Kanaoka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of forming under device interconnect structures

Номер патента: US09721898B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Don Nelson,Il-Seok Son,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of fabricating an F-RAM

Номер патента: US09548348B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods of forming under device interconnect structures

Номер патента: US09490201B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Don Nelson,Il-Seok Son,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Forming sacrificial composite materials for package-on-package architectures and structures formed thereby

Номер патента: US09472519B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Leonel R. Arana,Rajasekaran Swaminathan,Yosuke Kanaoka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Conductive spacers for semiconductor devices and methods of forming

Номер патента: US20080272398A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Viraj Y. Sardesai,Gregory Costrini,Leland Chang,Gary Bela Bronner,Ramachandra Divakaruni,Haizhou Yin,David Michael Fried. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Methods of laser surface modification of ceramic packages for underfill spread control and structures formed thereby

Номер патента: US20090061232A1. Автор: Ravi K. Nalla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming SRAM cell

Номер патента: US20060088964A1. Автор: Hyuck-Chai Jung,Hyeong-Mo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Fin Field-Effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12051626B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20120028455A1. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8440521B2. Автор: Ichiro Yamamoto,Eiji Hasegawa,Naomi Fukumaki,Toshihiro Iizuka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-14.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240355680A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Neng LIN,Ying-Liang Chuang,Chun-Cheng CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method to form nanosized pattern on substrate (versions) and structure with pattern comprising nanosized self-assembled self-built structures

Номер патента: RU2462412C2. Автор: Чарлз Т. БЛЭК,Тимоти Дж. ДЭЛТОН,Брюс Б. ДОРИС,Карл РЕЙДЕНС,Чарлз Т. БЛЭК (US),Тимоти Дж. ДЭЛТОН (US),Брюс Б. ДОРИС (US),Карл РЕЙДЕНС (US). Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-27.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US12137566B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Forming a stress compensation layer and structures formed thereby

Номер патента: US09929080B2. Автор: Saikumar Jayaraman,Daewoong Suh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming hexagonal silicon phase by implanting krypton ions in a film of silicon oxide on a monocrystalline silicon wafer

Номер патента: RU2710479C1. Автор: Давид Исаакович Тетельбаум,Алексей Николаевич Михайлов,Дмитрий Сергеевич Королев,Дмитрий Алексеевич Павлов,Николай Олегович Кривулин,Валерий Константинович Васильев,Алёна Андреевна Никольская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-12-26.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

On-chip DC-DC power converters with fully integrated GaN power switches, silicon CMOS transistors and magnetic inductors

Номер патента: US09806615B1. Автор: Hariklia Deligianni,Devendra K. Sadana,Edmund J. Sprogis,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780104B2. Автор: Hisashi Kato,Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Manufacturing method of display device, display device, and display device formation substrate

Номер патента: US09640600B2. Автор: Toshihiro Sato,Hiroshi Oooka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Wafer to wafer bonding process and structures

Номер патента: US09613926B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220384512A1. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

A method of forming nano-patterns on a substrate

Номер патента: SG11201901931UA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Yefeng YU,Kwang Wei Joel Yang,Zhaogang DONG,Ramon Paniagua-Dominguez. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-04-29.

Image sensor including a transistor with a vertical channel and a method of manufacturing the same

Номер патента: EP4099387A2. Автор: Wonseok Lee,Eunsub Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-07.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020135028A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of treating substrates and substrate treated using said method

Номер патента: RU2459312C2. Автор: Казуя САЙТО,Сусуму САКИО,Хидео ТАКЕИ,Казухиро ВАТАНАБЕ,Синсуке ИГУТИ,Хироюки ЯМАКАВА,Кюзоу НАКАМУРА,Юй-хсынь ЛИНЬ,Хуан-чун ЧАН,Тун-Цзюн У. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2012-08-20.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12029023B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: WO2016209475A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20230301049A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US20210272967A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Yasutoshi Okuno,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050253202A1. Автор: Hiroaki Hazama,Kazuhito Narita,Hirohisa Iizuka,Eiji Kamiya,Norio Ohtani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Substrate mask patterns, methods of forming a structure on a substrate, methods of forming a square lattice pattern from an oblique lattice pattern, and methods of forming a pattern on a substrate

Номер патента: US09741580B2. Автор: Kevin R. Shea,William R. Brown,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Shane J. Trapp,Vishal Sipani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627620B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming electromagnetic interference shielding layer of ball grid array semiconductor package and base tape for the method

Номер патента: US09613913B2. Автор: Sung Hwan Choi,Tae Sup HAN. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and structure for a large-grain high-K dielectric

Номер патента: US09590063B2. Автор: Rama I. Hegde. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09466531B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Memory device with back-gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20230389283A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Meng-Han LIN,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of a composite photovoltaic structure

Номер патента: US20200402728A1. Автор: Shih-Wen Liao. Владелец: Ways Technical Corp Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of manufacturing heat sink and heat sink

Номер патента: US20210138592A1. Автор: Keiichi Takahashi,Kazuto Arai. Владелец: Nakamura Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Broadband radio frequency power amplifiers, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170149392A1. Автор: Lei Zhao,Michael E. Watts,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Method of forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20110027976A1. Автор: Jung-Wook Lee,Dong-Ho You,Ki-hoon Lee. Владелец: IPS Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Post bump and method of forming the same

Номер патента: US20090184420A1. Автор: Chang-Sup Ryu,Seung-Hyun Cho,Seung-Wan Kim,Jin-won Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Rf amplifier with conductor-less region underlying filter circuit inductor, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20190020314A1. Автор: David F. Abdo,Basim H. Noori,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: WO2005064672A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-07-14.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230309348A1. Автор: Yu-gwang Jeong,Subin BAE,SungWon Cho,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Dongmin LEE,Sungjoo Kwon,Joonyong Park,Hyunah SUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Integrated circuit memory cells and methods of forming

Номер патента: EP1700339A2. Автор: Alexander Paterson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-09-13.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US20240371757A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a bottom electrode of a magnetoresistive random access memory cell

Номер патента: US09847477B2. Автор: Wei-Chieh Huang,Jieh-Jang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of forming metal film

Номер патента: US09828694B2. Автор: Masaya Oda,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09761580B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

RF power transistors with video bandwidth circuits, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09692363B2. Автор: Ning Zhu,Damon G. Holmes,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap

Номер патента: US09685372B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Hui-Jung TSAI,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Mesoporous metal oxide microsphere electrode compositions and their methods of making

Номер патента: US09620783B2. Автор: Mariappan Parans Paranthaman,Gilbert M. Brown,Zhonghe BI,Craig A. Bridges. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Manufacturing method of structure with conductor layer, wiring body with substrate, and structure with substrate

Номер патента: JP5969089B1. Автор: 孝治本戸,健史塩尻,真悟小椋. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Shrink band for fixation, coupling method of the shielded connector and, bundle type braided shield and, structure for shielded connector using the shrink band

Номер патента: KR100993098B1. Автор: 조세훈. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2010-11-08.

Shrink band for fixation, coupling method of the shielded connector and, bundle type braided shield and, structure for shielded connector using the shrink band

Номер патента: KR20100070743A. Автор: 조세훈. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2010-06-28.

Method of molding and forming a switch device

Номер патента: US3252206A. Автор: Robert G Stevens. Владелец: Molding Engineers Inc. Дата публикации: 1966-05-24.

Organic el display device, method of manufacturing organic el display device, organic transistor, and method of manufacturing organic transistor

Номер патента: US20090072734A1. Автор: Atsushi Yoshizawa,Takashi Chuman,Satoru Ohta,Chihiro Harada. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Method of forming a substrate core with embedded capacitor and structures formed thereby

Номер патента: US09572258B2. Автор: Sriram Srinivasan,John S. Guzek,Joel A. Auernheimer,Cengiz A. Palanduz,Victor Prokofiev. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming differential direction diagrams in antennas of circular electronic scanning

Номер патента: RU2680732C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of using a field-effect transistor as a current sensing device

Номер патента: US09813063B2. Автор: Gary L. Stirk,Karthik Kadirvel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming blank of sheet material particularly for making electron beam tube mask and apparatus for performing the method

Номер патента: RU2041755C1. Автор: Fr],Фердинан Де Смэ Габриэль. Владелец: Соллак. Дата публикации: 1995-08-20.

Method of forming a transmitting and receiving radiation pattern in an antenna of circular electronic scanning

Номер патента: RU2714533C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2020-02-18.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of forming shell of soft pack battery

Номер патента: US20240109116A1. Автор: Chin-Han Wang. Владелец: Huang Chiem Metal Composite Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Apparatus and method for forming a wire bundle and coupling the wire bundle to a structure

Номер патента: US20190341755A1. Автор: Robert T. Johnson,Jin-Seog Seo,Jesse A. Laplante,Jacky-Vy C. Chau. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-11-07.

Method of forming positive electrode active material and method of fabricating secondary battery

Номер патента: US20230295005A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yohei MOMMA,Tetsuji Ishitani,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming connector press-connecting terminal

Номер патента: US20020031957A1. Автор: Yujiro Imai. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of manufacturing a solid electrolyte membrane

Номер патента: US12087911B2. Автор: Satoru Nakamura,Midori Takasaki,Ryo Ishiguro,Sotaro NAMBU. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming a self-gated transistor and structure therefor

Номер патента: US20050218963A1. Автор: Alan Ball,Paul Harriman,Stephen Meek,Suzanne Nee. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-10-06.

METHOD OF FORMING A LOW POWER DISSIPATION REGULATOR AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20130272034A1. Автор: Louvel Jean-Paul,Basso Christophe. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2013-10-17.

Method of reducing voltage stress of a transistor

Номер патента: GB2384634B. Автор: Michael J Allen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-10-29.

Method of manufacturing structurally reinforced preforms and attaching manufacturing apparatus and structurally reinforcing elements to the preform carrier

Номер патента: KR100193588B1. Автор: 티.버클리 다니엘,더블유. 호른 지그프리드. Владелец: 더 씨.에이. 로톤 컴파니. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing capacitor connecting line of memory

Номер патента: US12004343B2. Автор: Yang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Driving method of organic electroluminescence emission part

Номер патента: US20140139569A1. Автор: Junichi Yamashita,Katsuhide Uchino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Metal droplet ejection three-dimensional (3D) object printer and method of operation for forming a metal support structure

Номер патента: CN116275093A. Автор: C-H·刘,P·J·麦康维尔,S·普拉哈拉耶,J·M·勒费夫尔,D·K·赫尔曼,P·S·拉梅什. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2023-06-23.

Method of device of cutoff waterproofing at reconstruction of buildings and structures for reconstruction and re-profiling of industrial enterprises

Номер патента: RU2725347C1. Автор: Дмитрий Владимирович Топчий,Азарий Абрамович Лапидус. Владелец: Дмитрий Владимирович Топчий. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of manufacturing a microfluidic structure, in particular a biochip, and structure obtained by said method

Номер патента: CA2449193C. Автор: Eiichi Tamiya,Laurent Griscom,Bruno Le Pioufle,Horoyuki Fujita,Patrick Degenaar. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2010-04-20.

Method of operating cooling sections with determination of valve characteristics and structures related therewith

Номер патента: RU2479369C2. Автор: Клаус ВАЙНЦИРЛЬ,Маркус ФОРШ,Удо БОРГМАНН,Штефан ШМОРС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2013-04-20.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming a power supply controller and structure therefor

Номер патента: US09467055B2. Автор: Joel Turchi,Stéphanie CONSEIL. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming transistors having raised extension regions

Номер патента: US11756624B2. Автор: Haitao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming a bus coupler and structure therefor

Номер патента: US09941693B2. Автор: Frederiek Ronald STEVENS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Control method of multi-zone rectifier-inverter converter of single-phase alternating current

Номер патента: RU2716493C1. Автор: Станислав Васильевич Власьевский,Виктор Васильевич Семченко,Олег Викторович Мельниченко. Владелец: Акционерное общество "ДОРОЖНЫЙ ЦЕНТР ВНЕДРЕНИЯ КРАСНОЯРСКОЙ ЖЕЛЕЗНОЙ ДОРОГИ". Дата публикации: 2020-03-12.

Method of forming a balancing circuit for a plurality of battery cells and structure therefor

Номер патента: US09472961B2. Автор: Bart De Cock. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: EP3087618A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: WO2015099899A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Display panel and method of manufacturing display panel

Номер патента: US20240237441A9. Автор: Jonghee PARK,Chung Sock Choi,Hyewon Kim,Sunho Kim,Juchan Park,SungJin Hong,Pilsuk Lee,Yoomin KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a semiconductor device and circuit therefor

Номер патента: US20210211126A1. Автор: Jaume Roig-Guitart,Johan Camiel Julia Janssens,Frederick Johan G Declercq,Teddy BONNIN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-07-08.

Logic gate devices and methods of forming a logic gate device

Номер патента: US11050426B1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-06-29.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming a semiconductor device and circuit

Номер патента: US20210288622A1. Автор: Martin PODZEMNY. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Streaming dot pattern, method of forming streaming dot pattern, method for information input/output using streaming dot pattern and dot pattern

Номер патента: RU2568308C2. Автор: Кенджи ЙОШИДА. Владелец: Кенджи ЙОШИДА. Дата публикации: 2015-11-20.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Display panel and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240237420A9. Автор: Chung Sock Choi,Hyewon Kim,Sunho Kim,Juchan Park,SungJin Hong,Pilsuk Lee,Yoomin KO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Method of producing electrophotographic photosensitive member, method of producing organic device, and emulsion for charge transporting layer

Номер патента: US09575422B2. Автор: Atsushi Okuda,Yohei Miyauchi,Keiko Yamagishi,Kimihiro Yoshimura,Harunobu Ogaki,Hiroki Uematsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Device and method of implementation of image display support

Номер патента: RU2627097C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Ули ТЕССЕЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of forming microelectronic devices including staircase structures, and related microelectronic devices

Номер патента: WO2024228811A1. Автор: Yiping Wang,David H. Wells,Mojtaba Asadirad,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming microelectronic devices including staircase structures, and related microelectronic devices

Номер патента: US20240373636A1. Автор: Yiping Wang,David H. Wells,Mojtaba Asadirad,Harsh Narendrakumar Jain,Matthew J. King. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US09824626B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: EP4393166A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of testing for compatibility of nuclear fuel powder with material of fuel element cladding

Номер патента: RU2581846C1. Автор: Виталий Георгиевич Баранов,Дмитрий Павлович Шорников,Борис Александрович Тарасов,Степан Николаевич Никитин,Мария Сергеевна Юрлова,Марина Александровна Бурлакова. Владелец: федеральное государственное автономное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Method of manufacturing of anatomical preparations of animals

Номер патента: RU2660255C1. Автор: Александр Николаевич Власенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московская государственная академия ветеринарной медицины и биотехнологии - МВА имени К.И. Скрябина" (ФГБОУ ВО МГАВМиБ - МВА имени К.И. Скрябина). Дата публикации: 2018-07-05.

Method of analysis and/or processing of fertilized egg

Номер патента: RU2665136C1. Автор: Вячеслав Александрович Базлов,Тариел Зурабович Мамуладзе,Алла Михайловна Зайдман,Наталья Юрьевна Пахомова,Елена Леонидовна Строкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2018-08-28.

Method of filtration material production

Номер патента: RU2635617C1. Автор: Айтан Галандар кызы Мурадова,Александр Игоревич Шарапаев,Валерий Семенович Митин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming a photoresist absorber layer and structure including same

Номер патента: US20230091094A1. Автор: Michael Givens,David De Roest,Hannu Huotari,Charles DEZELAH,Arpita Saha,Daniele Piumi,Yoann Tomczak,Ivan Zyulkov,Monica Thukkaram,Jerome Innocent. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-23.

Self-healing targets, methods of manufacturing self-healing targets, and methods of utilizing self-healing targets

Номер патента: US20230417517A1. Автор: Elijah David Lorence. Владелец: Infinite Defense LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: EP1740630A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: CPH Innovations Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Compounds derived from polyanhydride resins with film-forming, uv- absorbing, and photostabilizing properties, compositions containing same, and methods of using the same

Номер патента: WO2005082961A1. Автор: Anna Pavlovic,Craig A. Bonda. Владелец: Cph Innovations Corp.. Дата публикации: 2005-09-09.

Crystalline form of hidamide, method of its production and use

Номер патента: RU2603138C1. Автор: Сяньпин ЛУ,Чжибинь ЛИ. Владелец: Шэньчжэнь Чипскрин Байосайенсиз, Лтд.. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of hydrogenation of phenol

Номер патента: WO2018057289A1. Автор: Alfred K. Schultz,Jose Antonio Trejo O'Reilly. Владелец: Rohm and Haas Company. Дата публикации: 2018-03-29.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: WO2023028450A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Piezoelectric ceramic crystals integrating an impedance matching region and a backing region, methods of designing piezoelectric ceramic crystals, and methods of forming piezoelectric ceramic crystals

Номер патента: CA3230100A1. Автор: Aaron Avagliano,Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2023-03-02.

Reinforcement method of foundation base during reconstruction of buildings and structures

Номер патента: RU2708929C1. Автор: Петр Степанович Пинчук,Владимир Васильевич Щербаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2019-12-12.

METHOD FOR FORMING A SURFACE LAYER IN PRODUCTS AND STRUCTURES EXECUTED ON THE BASIS OF BINDER

Номер патента: RU2015115313A. Автор: Игорь Викторович Прохоров,Андрей Сергеевич Монтянов,Андрей Александрович Якшин. Владелец: Игорь Викторович Прохоров. Дата публикации: 2016-11-20.

Monolithic plate with electric contacts and methods of its manufacturing

Номер патента: RU2721490C2. Автор: Феликс Фернандо,Доминик Бернауэр. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2020-05-19.

Modular landscaping system and structures

Номер патента: CA2081683C. Автор: Harry W. Scott, Jr.,Randall W. Britt,Kenneth L. Renfroe,Robert L. Ramsey,J. Marlin Deaver,Brooks A. Morton. Владелец: Thompson Industries Inc. Дата публикации: 1995-02-07.

Methods of preparing polymorphic form a of bazedoxifene acetate

Номер патента: IL207504A0. Автор: . Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of making and forming a first surface optical disk

Номер патента: TWI265514B. Автор: Brian S Medower,David L Blankenbeckler. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of providing and forming a gravel pack about well screens in wells

Номер патента: US2076489A. Автор: Howard O Williams. Владелец: EDWARD E JOHNSON Inc. Дата публикации: 1937-04-06.

STEEL PLATE FOR STRUCTURAL PIPES OR TUBES, METHOD OF PRODUCING STEEL PLATE FOR STRUCTURAL PIPES OR TUBES, AND STRUCTURAL PIPES AND TUBES

Номер патента: US20180057905A1. Автор: ENDO Shigeru,Ishikawa Nobuyuki,Shimamura Junji,Ota Shusaku,YASUDA Kyono. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-01.

Steel plate for structural pipes or tubes, method of producing steel plate for structural pipes or tubes, and structural pipes and tubes

Номер патента: US20180057906A1. Автор: Nobuyuki Ishikawa,Yoshiaki Ota,Shusaku Ota,Shinichi Kakihara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

STEEL PLATE FOR STRUCTURAL PIPES OR TUBES, METHOD OF PRODUCING STEEL PLATE FOR STRUCTURAL PIPES OR TUBES, AND STRUCTURAL PIPES AND TUBES

Номер патента: US20180298460A9. Автор: ENDO Shigeru,Ishikawa Nobuyuki,Shimamura Junji,Ota Shusaku,YASUDA Kyono. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2018-10-18.

Steel plate for structural pipes or tubes, method of producing steel plate for structural pipes or tubes, and structural pipes and tubes

Номер патента: US20180298461A9. Автор: Nobuyuki Ishikawa,Yoshiaki Ota,Shusaku Ota,Shinichi Kakihara. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method of making gas turbine engine blade from composite material

Номер патента: RU2689618C2. Автор: Клеман РУССИЙ,Давид МАРСАЛЬ,Жереми БЛАШЬЕ. Владелец: Сафран Эркрафт Энджинз. Дата публикации: 2019-05-28.

Method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes and structures made with such method

Номер патента: EP2172292B1. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Method of manufacturing a microfluidic structure, in particular a biochip, and structure obtained by said method

Номер патента: EP1397211A1. Автор: Laurent Griscom,Bruno Le Pioufle,Horoyuki Fujita,Patrick Degenaar,Eiichi School of Materials Science TAMIYA. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2004-03-17.

Method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes and structures made with such method

Номер патента: KR101456725B1. Автор: 스티븐 에이 밀러,프랩햇 쿠마. Владелец: 에이치. 씨. 스타아크 아이앤씨. Дата публикации: 2014-10-31.

Method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes and structures made with such method.

Номер патента: MX2009010724A. Автор: Prabhat Kumar,Steven A Miller. Владелец: Starck H C Inc. Дата публикации: 2010-10-05.

Method of manufacturing bulk metallic structures with submicron grain sizes and structures made with such method

Номер патента: CA2681424A1. Автор: Prabhat Kumar,Steven A. Miller. Владелец: HC Starck Inc. Дата публикации: 2010-04-06.

Manufacturing method of structure that functions as chair seat or backrest and structure using the same

Номер патента: JP4790133B2. Автор: 和幸堀内,利造村上. Владелец: Takano Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Method of surgical planning

Номер патента: CA2873856C. Автор: Andrew Charles Davison. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of producing a monolithic integrated structure incorporating optoelectronic components and structure thus produced.

Номер патента: FR2710455A1. Автор: Giraudet Louis,Ghirardi Frederic. Владелец: Ghirardi Frederic. Дата публикации: 1995-03-31.

Method of fabricating a fibre reinforcement for a composite structure and structural composite with the same reinforcement

Номер патента: EP0556088B1. Автор: Jean-Louis Darrieux. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1996-01-03.

Ink jet nozzle structure and method of making

Номер патента: CA1059197A. Автор: Guido Galli,Charles Chiou,Karl H. Loeffler,Max R. Lorenz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-24.

METHOD OF LOWERING AND INSTALLING A STRUCTURE IN THE WATER AND STRUCTURE WILLING TO BE INSTALLED IN A SUBSEA LOCATION TO PERFORM A PRIMARY FUNCTION

Номер патента: BR112017017565B1. Автор: Stéphane BOMBINO. Владелец: Acergy France SAS. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of comparative evaluation of batches of transistors by quality and reliability

Номер патента: RU2739480C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of manufacturing microlens, microlens, optical film, screen for projection, and projector system

Номер патента: US20050088750A1. Автор: Hironori Hasei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of manufacture of compositions of matter,especially food compositions and structural materials,using surface active agents comprising functional protein material

Номер патента: IL51922A. Автор: . Владелец: Viscose Group Ltd. Дата публикации: 1980-06-30.

Fletching Sleeve System and Method of Application and Manufacture

Номер патента: US20130072332A1. Автор: Ben D. Blosser,Sean E. Gordon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Manufacturing method of reinforcing fiber using broken yarn of glass fiber and structure thereof

Номер патента: KR100295418B1. Автор: 김기진. Владелец: 영성산업 주식회사. Дата публикации: 2001-10-24.

Process for forming a graded index optical material and structures formed thereby

Номер патента: US4545646A. Автор: Ronald T. Smith,Mao-Jin Chern,John W. Peters. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-10-08.

Method of manufacturing porous electrode wire for electric discharge machining and structure of the electrode wire

Номер патента: WO1999006183A1. Автор: Ki Chul Seong. Владелец: Ki Chul Seong. Дата публикации: 1999-02-11.

Method of manufacturing porous electrode wire for electric discharge machining and structure of the electrode wire

Номер патента: CA2267621A1. Автор: Ki Chul Seong. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-02-11.

Method of manufacturing porous electrode wire for electric discharge machining and structure of the electrode wire

Номер патента: EP0930131B1. Автор: Ki Chul Seong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-22.

MANUFACTURE METHOD OF COLOR FILTER ON ARRAY LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20170153519A1. Автор: Xu Yong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Method of setting recoverable safety valve in lithium ion cell and structural device

Номер патента: CN100403580C. Автор: 阳如坤,严燕,苗砚月. Владелец: CHUANGMIN BATTERY TECH Co Ltd SHENZHEN CITY. Дата публикации: 2008-07-16.

Method of producing a thermal barrier coating comprising inclined layers and structures thus obtained

Номер патента: WO2004067943A1. Автор: Christophe Arnould,Lucien Fantino,Francois Monget. Владелец: Eads Space Transportation Sa.. Дата публикации: 2004-08-12.

Method of setting recoverable safety valve in lithium ion cell and structural device

Номер патента: CN1564340A. Автор: 阳如坤,严燕,苗砚月. Владелец: CHUANGMIN BATTERY TECH Co Ltd SHENZHEN CITY. Дата публикации: 2005-01-12.

Method of piercing and mandrel unit using hydroforming, and part and structure produced by hydroforming

Номер патента: RU2417853C2. Автор: Коити САТО,Юкихиса КУРИЯМА,Масааки МИЗУМУРА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-05-10.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for forming a surface layer in articles and structures based on a binder

Номер патента: WO2016171586A1. Автор: Игорь Викторович Прохоров,Андрей Сергеевич Монтянов,Андрей Александрович Якшин. Владелец: Игорь Викторович Прохоров. Дата публикации: 2016-10-27.

METHOD FOR FORMING A COATING ON A WHEEL AND STRUCTURE THEREOF

Номер патента: FR2869816B1. Автор: Kuo Bin Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-21.

Method of repairing a tube using a flow through tube plug, methods of repairing and forming a laminated tubesheet, and heat exchanger

Номер патента: EP1624273A2. Автор: Larry Junior Burkhalter,Michael Stanley De Courcy,Stephen Kenneth Weinberg,Keith Frederick Briegel. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2006-02-08.

Inflatable element adapted for forming a plane wall when inflated, and structure comprising such a wall

Номер патента: CA2274932C. Автор: Didier Lucas. Владелец: EURO-SHELTER. Дата публикации: 2005-04-26.

Production of a liquid crystal display used for optical switches and displays comprises using an anodic bonding step to form a temperature resistant adhesion frame, and structuring the adhesion frame to produce an equalization chamber

Номер патента: DE10132114A1. Автор: Hans-Joachim Cornelius,Andreas Kragge. Владелец: Codixx AG. Дата публикации: 2003-01-23.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN112390766B. Автор: 王臻,黄福良,朱国荣,屠勇军,彭灵超. Владелец: Zhejiang Tianyu Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Purification method of ibrutinib crystal form A

Номер патента: CN113214261A. Автор: 王亚平,竺伟. Владелец: SYNCOZYMES (SHANGHAI) CO Ltd. Дата публикации: 2021-08-06.

Preparation method of palbociclib crystal form A

Номер патента: CN106317053A. Автор: 刘鹏,易崇勤,黄琪,冀蕾,李学义. Владелец: PKUCare Pharmaceutical R&D Center. Дата публикации: 2017-01-11.

Preparation method of febuxostat crystal form A

Номер патента: CN109776448B. Автор: 胡建强,胡明明,刘培强,刘景宝,鲍明波,贺俊华. Владелец: Shandong Langnuo Pharmaceutical Co ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

METHOD OF DESIGNING AND FORMING A CHANNEL OF FLOW-TYPE THIN-WALL DRIP IRRIGATION BELT

Номер патента: US20200364384A1. Автор: HOU Peng,Feng Ji,WANG Zhifu,Li Yunkai. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method of designing and forming a channel of flow-type thin-wall drip irrigation belt

Номер патента: US11449648B2. Автор: Ji Feng,PENG Hou,Yunkai Li,Zhifu WANG. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Method of consolidating/simultaneously forming a plurality of composites

Номер патента: EP0909825B1. Автор: Peter Nagy,Harlan L. Woods,Richard C. Lewis,Stephen A. Kraus. Владелец: Textron Systems Corp. Дата публикации: 2001-11-28.

OPEN PERFORATED MATERIAL AND METHOD OF IMAGING TO FORM A VISION CONTROL PANEL

Номер патента: US20140141197A1. Автор: Hill George Roland,Godden Mark David. Владелец: CONTRA VISION LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Method of designing and forming a sheet metal part

Номер патента: CN101574716A. Автор: 谢尔盖·法德勒威奇·高洛瓦申科. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2009-11-11.

Open perforated material and method of imaging to form a vision control panel

Номер патента: CA2991344A1. Автор: George Roland Hill,Mark David Godden. Владелец: Contra Vision Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of stitching to form a seam

Номер патента: KR102384210B1. Автор: 임지민. Владелец: 주식회사 명품사컴퍼니. Дата публикации: 2022-04-08.

Mold and method of hydroforming to form a hollow member

Номер патента: DE102020129877B3. Автор: Uli Sofan,Holger Prigge. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of manufacturing and forming a cushion body

Номер патента: US20110068498A1. Автор: Shinji Sugiyama,Mika Ito. Владелец: TS Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Cold-spray device and method of cold-spray forming a part

Номер патента: EP3817829B1. Автор: Alexander Pai-chung TENG,John Russell BUCKENLL. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of forming a structural composite and structural composite obtained thereby

Номер патента: WO2018156592A1. Автор: Hamid Saadatmanesh,Davoud ZAMANI,Oksana PILATOVA. Владелец: Dowaksa Usa LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Systems and Methods of Forming Hydrogel Structures and Structures Formed Therefrom

Номер патента: US20210324365A1. Автор: Srinivasa R. Raghavan,So Hyun AHN,Ankit Gargava. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Structure formation apparatus, method and structure

Номер патента: EP4240586A1. Автор: Patricia MACGILLIVRAY. Владелец: Corridoor Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of driving a transistor, a driving element using the same, and a display panel and a display apparatus having the driving element

Номер патента: US7760172B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Beohm-Rock Choi,In-Su Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-20.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Method and structure of ion implanted elements for the optimization of resistance

Номер патента: US20070111355A1. Автор: Russell Johnson,Curtis Rahn. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

STRUCTURES INCLUDING A SiOCN PHOTORESIST ADHESION LAYER AND METAL-OXIDE RESIST AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20240361695A1. Автор: Yiting Sun,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Jérôme Samuel Nicolas,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of reconstruction of insulating surface of cathode-polarizable metal structures and structures (variants) and electroactive monomer immobilized as gel substance and method of providing polymeric organic compound with capability of electrodeposition from water solutions on cathode

Номер патента: RU2667843C1. Автор: Николай Николаевич Петров,Виктор Викторович Доценко,Николай Николаевич Буков. Владелец: Михеев Михаил Николаевич. Дата публикации: 2018-09-24.

Structure from foamed concrete and structural reinforcement mesh and method of its erection

Номер патента: RU2693071C1. Автор: Дянъи ЛИ. Владелец: Дянъи ЛИ. Дата публикации: 2019-07-01.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

Device and method of continuous long element forming made from foam plastic, plant with said element and structural element made from said foam plastic

Номер патента: RU2502597C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Джилэнбери Трейдинг Лтд.. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Organic solid crystal—method and structure

Номер патента: US12031228B2. Автор: Tanya Malhotra,Andrew John Ouderkirk,Tingling Rao,Kimberly Kay CHILDRESS,Arman Boromand,Poer Sung,II Lafe Joseph Purvis,Taha Masood. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Structure including silicon germanium oxide photoresist underlayer and method of forming same

Номер патента: US20240377751A1. Автор: Fanyong Ran,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-11-14.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming and apparatus for generating satellite constellation

Номер патента: RU2719067C2. Автор: Дзунити АМИМОТО,Масанобу ФУДЗИМУРА. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of forming porous fibres

Номер патента: RU2739906C1. Автор: Василий А. ТОПОЛКАРАЕВ,Райан Дж. МАКИНИНИ,Юэвень СЮЙ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of forming recommended routes for railway cars

Номер патента: RU2745549C1. Автор: Александр Владимирович Докучаев,Андрей Петрович Котенко,Андрей Андреевич Котенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of forming fiber bragg grating with phase shift

Номер патента: RU2676191C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов,Виктория Александровна Новикова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-12-26.

Method of producing adiponitrile

Номер патента: RU2373191C2. Автор: Филипп Леконт,Беатрис БАРАТО. Владелец: Родиа Шими. Дата публикации: 2009-11-20.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Electro-optical device, electronic device and method of driving electro-optical device

Номер патента: US12080235B2. Автор: Takehiko Kubota,Hitoshi Ota. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of forming composite image, system for realising said method, method of calculating mismatch value and data medium

Номер патента: RU2475850C2. Автор: Джини А. ГРИНДСТАФФ,Шейла Дж. УАЙТЭКЕР. Владелец: Интегрэф Софтвеа Текнолоджис Кампэни. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of determining humidity threshold for formation of gas hydrate in samples of natural coal

Номер патента: RU2725047C1. Автор: Валерий Васильевич Дырдин,Вячеслав Геннадьевич Смирнов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Stack of sheets of paper, a dispenser having such a pile, and a method of forming such pile

Номер патента: RU2709394C1. Автор: Иоанн Дени,Магнус ФАЛЬК,Пол КАРЛСОН. Владелец: Эссити Хайджин Энд Хелт Актиеболаг. Дата публикации: 2019-12-17.

System and method of forming training set for machine learning algorithm

Номер патента: RU2711125C2. Автор: Александр Александрович Чигорин,Константин Викторович Лахман,Виктор Сергеевич Юрченко. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-01-15.

Method of producing stereoscopic images with a synthesized stereo base value

Номер патента: RU2703611C1. Автор: Аркадий Сергеевич Фомкин,Леонид Семёнович Капелюшник. Владелец: Акционерное общество "Стелла-К". Дата публикации: 2019-10-21.

Method of forming a competence model

Номер патента: RU2701993C1. Автор: Михаил Валерьевич Митрофанов,Юрий Иванович Стародубцев,Ольга Владимировна Ильина,Евгения Александровна Алисевич,Малика Абдимуратовна Давлятова. Владелец: Михаил Валерьевич Митрофанов. Дата публикации: 2019-10-02.

Method of drying panels and other building structures

Номер патента: WO2013171475A2. Автор: Robert Bresnahan,David MAYLE,Max BURBIDGE,Piers ASHLEY-CARTER,Mark PATTEN,Ian PRITCHETT. Владелец: Lime Technology Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of incorporating carbon nanotubes in a medical appliance, a carbon nanotube medical appliance, and a medical appliance coated using carbon nanotube technology

Номер патента: WO2006052538A3. Автор: Shrirang V Ranade. Владелец: Shrirang V Ranade. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of forming photo-alignment film and method of forming liquid crystal layer

Номер патента: US12124061B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Fumitake Mitobe,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming medium of specified temperature in working chamber of 3d printer

Номер патента: RU2736449C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Дмитрий Николаевич Трушников,Игорь Игоревич Безукладников,Александр Андреевич Осколков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ф2 ИННОВАЦИИ". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of surgical treatment of the chronic lateral instability of the ankle joint with the anteromedial access

Номер патента: RU2680179C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Александр Алексеевич Очкуренко,Авет Гагикович Ширмазанян,Артак Мацакович Мацакян,Бутай Гайдарович Бутаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-02-18.

Rotary detonation gas turbine and the method of detonation combustion in it

Номер патента: RU2745975C1. Автор: Сергей Константинович Исаев. Владелец: Сергей Константинович Исаев. Дата публикации: 2021-04-05.

Method of local controlled reduction of graphene oxide for sensor applications

Номер патента: RU2697471C1. Автор: Николай Сергеевич Стручков,Иван Александрович Комаров,Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Ольга Михайловна Антипова,Эдуард Ервандович Данелян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2019-08-14.

Solar cell frame construction made of carbon fiber and method of frame manufacture

Номер патента: RU2654882C1. Автор: Елена Анатольевна Гаврилова,Владимир Евгеньевич Биткин,Александр Владимирович Денисов,Евгений Валериевич Назаров,Марина Анатольевна Денисова,Александр Вениаминович Родионов,Пётр Павлович Каштанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро "Пластик". Дата публикации: 2018-05-23.

Method of addition of goods and services of different suppliers to electronic basket on the internet

Номер патента: RU2671621C1. Автор: Максим Анатольевич Красавин,Василий Васильевич Корольков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Картис" (Ооо "Картис"). Дата публикации: 2018-11-02.

Method of forming a coating on stamped steels

Номер патента: RU2746518C1. Автор: Александр Александрович Фомин,Владимир Александрович Кошуро,Максим Евгеньевич Федосеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2021-04-14.

Method of forming a section of engagement in a part

Номер патента: RU2726515C2. Автор: Томас БЕТТЕРМАНН. Владелец: Хомаг Борзюстеме Гмбх. Дата публикации: 2020-07-14.

Method of forming wear-resistant surface layer in cobalt-containing hard-alloyed article in the form of die

Номер патента: RU2599315C1. Автор: Анатолий Борисович Коршунов,Валерий Константинович Ковальков,Тамара Борисовна Сагалова,Лариса Николаевна Корсунская,Валентина Егоровна Рысева,Эльвира Анатольевна Карнажицкая,Владимир Анатольевич Коршунов,Илья Викторович Николаев,Татьяна Васильевна Носова. Владелец: Валерий Константинович Ковальков. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20140009524A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Methods of forming polybenzimidazole coating film and of forming film

Номер патента: US20040028824A1. Автор: Masami Aizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20150174895A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of manufacturing nozzle plate

Номер патента: US20070054221A1. Автор: Tsutomu Yokouchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of manufacturing multi-segmented optical fiber and preform

Номер патента: US20020189296A1. Автор: Michael Cain,Richard Fiacco,Liam dePaor,Robert Desorcie,Cynthia Giroux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Methods of synthesizing chabazite zeolites with controlled aluminum distribution and structures made therefrom

Номер патента: US20170107114A1. Автор: Rajamani P. Gounder,John Rocco Di Iorio. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-20.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Methods of forming polybenzimidazole coating film and of forming film

Номер патента: US6896931B2. Автор: Masami Aizawa. Владелец: Clariant Finance BVI Ltd. Дата публикации: 2005-05-24.

Optical recording medium, and method of manufacturing same

Номер патента: US20010017841A1. Автор: Shin Masuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of forming crystalline ito thin film and method of forming on-cell type touch panel

Номер патента: US20190086704A1. Автор: Shaoqing LV. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Near field transducers (NFTS) and methods of making

Номер патента: US09928859B2. Автор: Michael C. Kautzky,Martin Blaber,Mark H. Ostrowski,David Michael Grundman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming a template

Номер патента: WO1993015475A1. Автор: William John Welsh,Mark Andrew Shackleton. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 1993-08-05.

Method for forming a self-aligned Mach-Zehnder interferometer

Номер патента: US09696604B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin,Robb Johnson. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Near field transducers (NFTS) and methods of making

Номер патента: US09620152B2. Автор: Michael C. Kautzky,Martin Blaber,Mark H. Ostrowski,David Michael Grundman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming an aerosol for inhalation delivery

Номер патента: US09439907B2. Автор: Daniel D. Rogers,Peter M. Lloyd,Martin J. Wensley,Daniel Mufson,Craig C. Hodges,Ron L. Hale,Daniel J. Myers,Reynaldo J. Quintana,Joshua D. Rabinowitz,Soonho Song,Jeffrey A. McKinney. Владелец: Alexza Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and methods of encoding biosensor calibration

Номер патента: RU2688222C2. Автор: Игорь ГОФМАН. Владелец: Асцензия Диабетс Кэар Холдингс АГ. Дата публикации: 2019-05-21.

Negative photosensitive polymer composition, method of forming pattern and liquid ejection head

Номер патента: RU2495468C1. Автор: Хио ТАКАХАСИ,Кен ИКЕГАМЕ,Масако СИМОМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of producing 3-trifluoromethyl chalcones

Номер патента: RU2502720C2. Автор: Гари Дэвид АННИС. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming magnetic patterned structure in non-magnetic matrix

Номер патента: RU2526236C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-08-20.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of sealing the bases broken by weak mineral soils

Номер патента: RU2662841C1. Автор: Завен Григорьевич Тер-Мартиросян,Армен Завенович Тер-Мартиросян,Анатолий Юрьевич Мирный,Евгений Станиславович Соболев,Виталий Валентинович Сидоров,Георгий Олегович Анжело,Иван Николаевич Лузин. Владелец: Акционерное Общество "Российский Концерн По Производству Электрической И Тепловой Энергии На Атомных Станциях" (Ао "Концерн Росэнергоатом"). Дата публикации: 2018-07-31.

Method of manufacturing uni- and no-code test stripes

Номер патента: RU2680140C2. Автор: Александер ИБАХ,Ильмаз ИСГЁРЕН. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-02-18.

Method of forming constant vascular access for programmed hemodialysis

Номер патента: RU2740432C1. Автор: Роман Евгеньевич Калинин,Игорь Александрович Сучков,Андрей Александрович Егоров,Вячеслав Владимирович Карпов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-01-14.

Method of forming a secondary anode of an aluminum electrolysis cell with a self-baking anode

Номер патента: RU2698121C1. Автор: Сергей Андреевич Храменко,Евгений Юрьевич Курьянов,Владимир Райнгольдович Шмаль,Андрей Михайлович Константинов,Виктор Юрьевич Бузунов,Игорь Васильевич Черских,Сергей Салихович Ресмятов,Константин Николаевич Бычков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2019-08-22.

Method of medical image forming

Номер патента: RU2736160C1. Автор: Вольдемар Освальдович Ребони,Василий Иванович Нагаев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательская производственная компания "Электрон" (АО "НИПК "Электрон"). Дата публикации: 2020-11-12.

Droplet forming devices for liquid treatment and methods of forming filtered droplets in liquid treatment device

Номер патента: RU2509059C2. Автор: Ричард Пол РИДЕЛЬ,Дуглас Роберт УТЩ. Владелец: Пюр Уотер Пьюрификейшн Продактс, Инк.. Дата публикации: 2014-03-10.

Method of forming coating from ultra-high molecular polyethylene on tillage working tools

Номер патента: RU2725548C1. Автор: Яков Петрович Лобачевский,Сергей Иванович Старовойтов,Андрей Юрьевич Измайлов,Николай Георгиевич Кынев,Бадри Хутаевич Ахалая,Игорь Анатольевич Пехальский,Юлия Сергеевна Ценч,Сергей Андреевич Квас,Юлия Александровна Лопатина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный агроинженерный центр ВИМ" (ФГБНУ ФНАЦ ВИМ). Дата публикации: 2020-07-02.

Method of forming fine pattern

Номер патента: US20040248042A1. Автор: Meiten Koh,Hiroyuki Watanabe,Takuji Ishikawa,Takayuki Araki,Toshiro Itani,Minoru Toriumi,Tamio Yamazaki. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Wire pad design of a connection pad in a prelam body of a smart card, prelam body, smart card, method of forming a wire pad design, and method of forming a smart card

Номер патента: EP4392895A1. Автор: Carsten Nieland,Fycommee AKKADECH. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming hydrophobic coating layer on surface of nozzle plate of inkjet printhead

Номер патента: US20110049095A1. Автор: Jae-Woo Chung,Seung-Mo Lim,Sung-gyu Kang,Kae-dong Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of forming a panel using a forming tool having a central vacuum forming portion and an outer press forming portion

Номер патента: SE539836C2. Автор: Rossander Ronnie,Skåre Mikael. Владелец: Safeman Ab. Дата публикации: 2017-12-12.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

Mesh containers and method of making

Номер патента: WO2006014707A9. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,Neal R Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A3. Автор: Mino Green. Владелец: Mino Green. Дата публикации: 2003-05-08.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: EP1438127A2. Автор: Mino Green. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2004-07-21.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A2. Автор: Mino Green. Владелец: IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2003-01-09.

Method of Forming Concrete Retaining Wall Block

Номер патента: CA2133675A1. Автор: Robert A. Gravier. Владелец: Allan Block Corp. Дата публикации: 1995-04-26.

Method of manufacturing liquid jet head

Номер патента: US20050185025A1. Автор: Masato Shimada,Tetsushi Takahashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Stamper, method of forming a concave/convex pattern, and method of manufacturing an information recording medium

Номер патента: US7829267B2. Автор: Minoru Fujita,Mikiharu Hibi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Press forming method of formed member with flange

Номер патента: US20090145310A1. Автор: Jiro Iwaya,Hiroshi Akamizu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of forming article, coated powder and article

Номер патента: US11945030B2. Автор: David A. Stewart. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Thermoforming mould, method of fabrication of a thermoforming mould, thermoformed product and mould, method of fabrication of a thermoformed product

Номер патента: WO2016135443A1. Автор: Keith Harrison. Владелец: Par-Pak Europe Limited. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Metal container with a carrier ring and methods of making the same

Номер патента: US20240308717A1. Автор: Dennis E. Green,Gerald Meador,Paul Whittaker,Erika S. Love. Владелец: Belvac Production Machinery Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing housing

Номер патента: EP3750650A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Wire pad design of a connection pad in a prelam body of a smart card, prelam body, smart card, method of forming a wire pad design, and method of forming a smart card

Номер патента: US20240338547A1. Автор: Carsten Nieland,Fycommee AKKADECH. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of producing casing

Номер патента: US20210213518A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2021-07-15.

Article and method of forming an article

Номер патента: US09849510B2. Автор: Benjamin Paul Lacy,Srikanth Chandrudu Kottilingam,David Edward Schick,Sandip Dutta. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of making mesh containers with a rail and mesh container formed therefrom

Номер патента: US09687074B2. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,R. Neal Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Layered candle assembly and methods of forming thereof

Номер патента: US09663745B2. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: Candle-Lite Company LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Polymer microfiltration devices, methods of manufacturing the same and the uses of the microfiltration devices

Номер патента: US09658207B2. Автор: Yunqi Zhang,Cha-Mei Tang. Владелец: Creatv Microtech Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Automated method of erection of solid foundations and walls of buildings and structures of plastic blocks

Номер патента: RU2532117C2. Автор: Кирилл Константинович Нежданов,Вячеслав Александрович Туманов,Алексей Александрович Игошин,Антон Вячеславович Туманов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Пензенский государственный университет архитектуры и строительства. Дата публикации: 2014-10-27.

LIGNIN/POLYACRYLONITRILE-CONTAINING DOPES, FIBERS, AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120003471A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of improving frequency response of a transistor and transistor obtained thereby

Номер патента: CA630373A. Автор: F. Rutz Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1961-11-07.

Cooling method of circulating water in cooling water pond

Номер патента: RU2541480C1. Автор: Александр Алексеевич Соловьев,Константин Владимирович Чекарев,Юрий Борисович Малых,Раис Искандрович Нигматулин. Владелец: Раис Искандрович Нигматулин. Дата публикации: 2015-02-20.

Method of forming deep patterned engraved tile and press metal mold structure therefor

Номер патента: JPS5465712A. Автор: Yoshitaka Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-05-26.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR POWER SWITCHING DEVICE AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20130038304A1. Автор: Roig Guitart Jaume,Bauwens Filip. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-14.

Method of manufacturing optical film plate structure with pattern unit and structure thereof

Номер патента: TW200935107A. Автор: Chi-Feng Chen,Sheng-Chiang Peng. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2009-08-16.

Method of determining electrophysical parameters of capacitor structure of memristor characterising moulding process

Номер патента: RU2585963C1. Автор: Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Александр Петрович Касаткин,Мария Николаевна Коряжкина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-06-10.

Processing method of replacing malfunctioned module of printed circuit board (PCB) and structure thereof

Номер патента: TWI280822B. Автор: Ho-Ching Yang. Владелец: Ho-Ching Yang. Дата публикации: 2007-05-01.

Processing method of replacing malfunctioned module of printed circuit board (PCB) and structure thereof

Номер патента: TW200726329A. Автор: Ho-Ching Yang. Владелец: Ho-Ching Yang. Дата публикации: 2007-07-01.

Method of making compound fiber plate of simulated wood floor and structure thereof

Номер патента: TW201226179A. Автор: Wen-Chieh Lee. Владелец: Yong Fa Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-01.

Method of increasing the load-carrying capacity of a beam and structure embodying same

Номер патента: CA841303A. Автор: Kandall Charles. Владелец: Individual. Дата публикации: 1970-05-12.

Erected-type assembling method of core body in non-crystalline iron core transformer, and structure thereof

Номер патента: TW200522096A. Автор: Chang-Nan Chen. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-01.

Method of using a single key to open multiple locks and structure thereof

Номер патента: TW201247982A. Автор: shu-fen Song. Владелец: shu-fen Song. Дата публикации: 2012-12-01.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR TRENCH AND FORMING DUAL TRENCHES, AND STRUCTURE FOR ISOLATING DEVICES

Номер патента: US20120168897A1. Автор: . Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of constructing vertical mine shaft

Номер патента: RU2188948C1. Автор: В.М. Филиппов,А.М. Абрамов,кишев А.С. М,А.С. Мякишев,Ю.В. Ковалев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Фирма Крот и Ко". Дата публикации: 2002-09-10.

Manufacturing method of the insulating structure of vertical isolation transistor and deep-trench capacitor

Номер патента: TW463295B. Автор: Shing-Chuan Tsai,Jr-Hau Jang,Pei-Ying Li,Tsz-En He. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2001-11-11.

Apparatus and methods of forming and manufacturing cob products, cob products, and structures comprising the same

Номер патента: GB202318655D0. Автор: . Владелец: Earth Blocks Ltd. Дата публикации: 2024-01-17.

METHOD OF FORMING A FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SCHOTTKY DIODE

Номер патента: US20120156845A1. Автор: Yilmaz Hamza,Calafut Daniel,Sapp Steven,KOCON Christopher Boguslaw,Probst Dean,Losee Becky,Herrick Robert,Thorup Paul,Rexer Christopher Lawrence. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-06-21.

Method of thermal treatment of concrete and reinforced concrete pieces and structures

Номер патента: RU1821463C. Автор: Самуил Григорьевич Романовский,Сергей Дмитриевич Куликов. Владелец: Научное Проектно-Производственное Предприятие "Магнитрон". Дата публикации: 1993-06-15.

The method of the residual Ear cartilage stem cell of people and structure tissue engineering bone/cartilage thereof

Номер патента: CN102989040B. Автор: 刘伟,刘豫,周广东,曹谊林. Владелец: Shanghai Guorui Life Sci & Tech Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

UNIVERSAL ROLLING BEARING AND METHOD OF ITS APPLICATION IN SEISMIC FOUNDATIONS FOR PROTECTING BUILDINGS AND STRUCTURES FROM HORIZONTAL VIBRATIONS OF THE EARTH'S BARK AT EARTHQUAKES

Номер патента: RU2013125223A. Автор: Раис Каюмович Бикмаев. Владелец: Раис Каюмович Бикмаев. Дата публикации: 2014-12-10.

The method of automatic question-answering method, automatically request-answering system and structure question and answer case library

Номер патента: CN103049433B. Автор: 陈开江. Владелец: Weimeng Chuangke Network Technology China Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-28.

Method of fabricating a porous device with dual restrictive layers and structure thereof

Номер патента: TWI491582B. Автор: Kuo Yu Chien. Владелец: Metal Ind Res & Dev Ct. Дата публикации: 2015-07-11.

Method of and apparatus for continuously lifting and adjusting buildings and structures

Номер патента: PL185980B1. Автор: Witalij Dymitriewicz Zotow,Jurij Konstantinowicz Bołotow,Wadim Grigoriewicz Milawskij,Walerij Sergiejewicz Sadowoj. Владелец: Przed Naukowo Prod Interbiotec. Дата публикации: 2003-09-30.

Preparation method of compound type metal ceramic substrate provided with circuit and structure thereof

Номер патента: CN103117335A. Автор: 方学智,邓焕平,洪迪恩. Владелец: Taiwan Puritic Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

METHODS OF PREPARING POLYMORPHIC FORM A OF BAZEDOXIFENE ACETATE

Номер патента: US20130018184A1. Автор: Cannata Vincenzo,Allegrini Pietro,Cotarca Livius,Verzini Massimo,Barreca Giuseppe,Soriato Giorgio,Brescello Roberto,Andreella Paolo,Tasinato Francesco,Demo Marco,Bassan Fabio. Владелец: WYETH LLC. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of determining speed of response of microwave transistors and photodetectors

Номер патента: RU2002271C1. Автор: Гариф Газизович Акчурин,Андрей Юрьевич Огнищев. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт измерительной аппаратуры. Дата публикации: 1993-10-30.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY UNIT

Номер патента: US20120175611A1. Автор: KIRITA Shina,Kawashima Toshitaka. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-12.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY UNIT

Номер патента: US20120205660A1. Автор: Arai Toshiaki,INAGAKI Yoshio. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY UNIT

Номер патента: US20120256182A1. Автор: Arai Toshiaki,INAGAKI Yoshio. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-11.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR NASAL DILATOR

Номер патента: US20120004683A1. Автор: Gray David,Litman Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making self-scaled self-aligned transistor structure

Номер патента: RU2408951C2. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа,Александр Николаевич Сауров (RU),Николай Михайлович Манжа (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ФГУ "НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2011-01-10.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-35 ZEOLITIC COMPOSITION, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES

Номер патента: US20120003147A1. Автор: . Владелец: UOP LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming large-size load-bearing structures from glass-reinforced plastic and forming device to this end

Номер патента: RU2405710C1. Автор: Александр Анатольевич Андриенко,Ольга Евгеньевна Федорова,Валерий Михайлович Левшаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технологии судостроения и судоремонта" (ОАО "ЦТСС"). Дата публикации: 2010-12-10.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2496409C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Митрофанович Довгаль,Елена Андреевна Липунова,Инесса Андреевна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Method of forming protective coat (versions)

Номер патента: RU2292325C2. Автор: ров Александр Петрович Стол,Александр Петрович Столяров. Владелец: Александр Петрович Столяров. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Номер патента: RU2546893C1. Автор: Владимир Яковлевич Спевак,Николай Владимирович Спевак,Роман Максимович Медведев,Владислав Васильевич Лифатов,Анастасия Александровна Никульникова,Ирина Геннадьевна Шарапова,Евгений Владимирович Моисеев. Владелец: Николай Владимирович Спевак. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Номер патента: RU2483323C1. Автор: Игорь Леонидович Мисюченко,Николай Тимофеевич Ничипоренко,Антон Александрович Булатов,Игорь Евгеньевич Маренич,Иван Елисеевич Ушаков,Борис Сергеевич Трофимов,Вадим Георгиевич Яковлев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Морские комплексы и системы". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of producing microoptical raster

Номер патента: RU2554595C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Галина Кирилловна Костюк,Максим Михайлович Сергеев,Евгений Борисович Яковлев,Роман Алексеевич Заколдаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming domain structure in monocrystalline wafer of nonlinear-optic ferroelectric material

Номер патента: RU2439636C1. Автор: Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Андрей Ришатович Ахматханов,Михаил Владимирович Конев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2012-01-10.

Method of forming data support aircraft flight path and device for its implementation

Номер патента: RU2597309C1. Автор: Валерий Иванович Петунин,Любовь Михайловна Неугодникова,Валерий Дмитриевич Елисеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-09-10.

Номер патента: RU2375465C1. Автор: Святослав Феоктистович Кукин,Олег Георгиевич Девойно,Александр Алексеевич Баркун,Александр Святославович Кукин. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Минский тракторный завод". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of separating ions of organic and bioorganic compounds based on ion mobility increment and transportation of said ions inside supersonic gas stream

Номер патента: RU2468464C1. Автор: Валерий Владиславович Разников,Владислав Валерьевич Зеленов,Илья Вячеславович Сулименков,Александр Робертович Пихтелев,Марина Олеговна Разникова,Геннадий Николаевич Савенков. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of making sculptures or copies thereof

Номер патента: RU2541945C1. Автор: Николай Алексеевич Козин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ростр". Дата публикации: 2015-02-20.

Method of forming domain structure in single-crystal wafer of nonlinear optical ferroelectric material

Номер патента: RU2411561C1. Автор: Дмитрий Константинович Кузнецов,Владимир Яковлевич Шур,Иван Сергеевич Батурин,Станислав Александрович Негашев,Алексей Иванович Лобов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер". Дата публикации: 2011-02-10.

SEMICONDUCTOR APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION THEREOF

Номер патента: US20120001551A1. Автор: Abe Hirohisa,Hong Cheng. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming self-incandescent hollow cathode from titanium nitride for nitrogen plasma generating system

Номер патента: RU2513119C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-04-20.

Method of forming ordered array of nanosized spheroids on substrate

Номер патента: RU2444084C1. Автор: Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ГОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2012-02-27.

Method of forming a transistor and structure therefor

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты