Methods of forming copper iodide layer and structures including copper iodide layer.

Methods of forming copper iodide layer and structures including copper iodide layer

Номер патента: US20230243032A1
Опубликовано: 03-08-2023
Автор(ы): Andrea Illiberi, Bart Vermeulen, Charles DEZELAH, Michael Givens, Varun Sharma
Принадлежит: ASM IP Holding BV
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US9524867B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09865458B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a structure comprising silicon nitride on titanium nitride and structure formed

Номер патента: CN111276400A. Автор: 汤福,D.朗利. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-06-12.

Method of forming a silicon nitride layer

Номер патента: US5907792A. Автор: Jonathan K. Abrokwah,Matthias Passlack,Zhiyi Jimmy Yu,Ravi Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

Methods of forming a phosphorus doped silicon dioxide-comprising layer, and methods of forming trench isolation in the fabrication of integrated circuitry

Номер патента: KR100761189B1. Автор: 브라이언 에이. 바아트스트라. Владелец: 미크론 테크놀로지,인코포레이티드. Дата публикации: 2007-09-21.

Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films

Номер патента: US09647114B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of Forming Corrosion-Inhibiting Cleaning Compositions for Metal Layers and Patterns on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20060287208A1. Автор: Kui-Jong Baek,Yong-Sun Ko,Kwang-Wook Lee,In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Chang-lyong Song,Woong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-21.

STRUCTURE INCLUDING SiOCN LAYER AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20230369040A1. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Bed Prasad Sharma,YoungChol Byun. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Layer structures including two-dimensional channel layer, methods of manufacturing the same, electronic devices including 2d channel layer, and electronic apparatuses including electronic device

Номер патента: US20240038845A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,JunYoung KWON,Minseok YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming a single-crystal hexagonal boron nitride layer and a transistor

Номер патента: TWI737171B. Автор: 曾建智,李連忠,褚志彪,張文豪,陳則安,溫詔凱. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-21.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150221552A1. Автор: Koji Suzuki,Yoshiyuki Kadokura,Yuta Sakamoto,Junichi Hamaguchi,Yukinobu Numata,Shuji Kodaira,Koukichi Kamada,Joji Hiroishi,Akifumi Sano. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Thin film laminate structure, integrated device including the same, and method of manufacturing the thin film laminate structure

Номер патента: US20220238633A1. Автор: Byunghoon NA,Kiyoung Lee,Kookrin Char,Hahoon LEE,Dowon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films

Номер патента: US09396934B2. Автор: John Tolle. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of manufacturing for memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode

Номер патента: US9502543B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Charel Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Methods of forming a patterned, silicon-enriched developable antireflective material and semiconductor device structures including the same

Номер патента: WO2012094183A2. Автор: Dan B. Millward,Kaveri Jain,Jianming Zhou,Anton J. deVilliers,Yuan He,Scott Light,Lijing Gou,Zishu Zhang,Michael Hyatt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Etching liquid for film of multilayer structure containing copper layer and molybdenum layer

Номер патента: US09580818B2. Автор: Satoshi Tamai,Kunio Yube,Satoshi Okabe,Masahide Matsubara. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Graphene layer, method of forming the same, device including graphene layer and method of manufacturing the device

Номер патента: US09660036B2. Автор: Jaeho Lee,Hyowon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Method of forming structure including a doped adhesion film

Номер патента: US20230349040A1. Автор: Moataz Bellah Mousa,Paul Ma,YoungChol Byun,Jiyeon Kim,ChuanDao Wang,Jaebeom LEE,Guannan Chen,Jacqueline WRENCH,Charith Eranga Nanayakkara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of forming Cu pillar bump with non-metal sidewall spacer and metal top cap

Номер патента: US09685372B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yi-Wen WU,Hui-Jung TSAI,Chien Ling Hwang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of manufacturing electron multiplier body, photomultiplier tube, and photomultiplier

Номер патента: US20160260592A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Motohiro Suyama,Shinya Hattori. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of manufacturing electron multiplier body, photomultiplier tube, and photomultiplier

Номер патента: US20180144914A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Motohiro Suyama,Shinya Hattori. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of manufacturing electron multiplier body, photomultiplier tube, and photomultiplier

Номер патента: US09892892B2. Автор: Hiroshi Kobayashi,Motohiro Suyama,Shinya Hattori. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing gas barrier film

Номер патента: US20230257874A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Shinya Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of intercalating insulating layer between metal catalyst layer and graphene layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20170170012A1. Автор: Insu Jeon,Jiyeon Ku,Hyowon KIM,Wonhee KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Manufacturing methode of Field Effect Transistor based on B-dopped graphine layer and P-type Field Effect Transistor using the same

Номер патента: KR20220138522A. Автор: 윤순길,한이레. Владелец: 충남대학교산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of forming chromium nitride layer and structure including the chromium nitride layer

Номер патента: US12087586B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Eric James Shero,Charles DEZELAH,Giuseppe Alessio Verni. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming copper wiring and method and system for forming copper film

Номер патента: US20120196052A1. Автор: Kenzi Suzuki,Osamu Yokoyama,Tadahiro Ishizaka,Atsushi Gomi,Takashi Sakuma,Masamichi Hara,Tatsuo Hatano,Yasushi Mizusawa,Hiroyuki Toshima,Chiaki Yasumuro,Takara KATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Methods of forming conductive patterns and methods of manufacturing semiconductor devices using the same using an etchant composition that includes phosphoric acid, nitric acid, and an assistant oxidant

Номер патента: US09530670B2. Автор: Jung-Hun Lim,Byoung-moon Yoon,Hoon Han,Jae-Wan Park,Young-ok Kim,Jun-youl Yang,Jin-Uk Lee,Tae-Heon Kim,Young-Taek Hong,Keon-Young Kim,Sun-Joong Song. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180261617A1. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10249637B2. Автор: Hideaki Matsumura,Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Methods of Fabricating Semiconductor Devices Including Support Patterns

Номер патента: US20180040483A1. Автор: Yong Sun Ko,Sang Jine Park,In Seak Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-08.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190148397A1. Автор: Do Hyung Kim,Keun Lee,Hyun Seok Lim,Jeong Gil Lee,Sung Nam Lyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing a semiconductor device including capping layer, barrier layer and work function layer

Номер патента: US12046657B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Structure For Crystallization, Method of Crystallization, Method of Forming Active layer of Semiconductor Amorphous silicon layer, And Manufacturing Method of Thin Film Transistor Using the Same

Номер патента: KR101336455B1. Автор: 이충희,김현재,정태훈. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2013-12-04.

Method of fabricating fin structure

Номер патента: US9966263B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Chun-Tsen Lu,Kun-Ju Li,Chih-Hsun Lin,Hsin-Jung Liu,Yi-Han Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of producing etching mask, etching mask precursor, and oxide layer, and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US20180096853A1. Автор: Satoshi Inoue,Masahiro Suzuki,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Method of increasing energy band gap of crystalline aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device comprising crystalline aluminum oxide layer having high energy band gap

Номер патента: KR101446333B1. Автор: 박상진,성정헌,신웅철,최상무,설광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-10-08.

Methods of laser surface modification of ceramic packages for underfill spread control and structures formed thereby

Номер патента: US20090061232A1. Автор: Ravi K. Nalla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming semiconductor device having dielectric layer and related system

Номер патента: US09953827B2. Автор: NaeIn Lee,Hyeoksang Oh,Woochoel NOH,Wonkyu HAN,Gyeongyun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220367253A1. Автор: Chien-Han Chen,Chien-Chih Chiu,Da-Wei Lin,yi tang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160358787A1. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: US6225671B1. Автор: Zhiping Yin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-01.

Slurry composition and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US20230257630A1. Автор: Sangkyun Kim,Seungho Park,Jihye Kim,Jaewoo Lee,Jaehak LEE,Jaeik Lee,Boyun KIM,Wooin Lee,Bohyeok CHOI,Jungeun KANG,Hyukmin KIM. Владелец: KCTech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Photoresist composition and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20170199456A1. Автор: Jin Park,Hyun Woo Kim,Jin Kyu Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9558961B2. Автор: Yukiteru Matsui,Akifumi Gawase,Kenji Iwade,Takahiko Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a thin layer of silicone, thin silicone layer and application

Номер патента: PL1661686T3. Автор: Michael Bauer,Kurt Stark,Josef Muller,Walter Gunter. Владелец: Infiana Germany Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2010-10-29.

Method of making ferroelectric thin film having a randomly oriented layer and spherical crystal conductor structure

Номер патента: US7220598B1. Автор: Toru Nasu,Shinichiro Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating a semiconductor device comprising a porous dielectric layer and the device

Номер патента: KR20230037121A. Автор: 김기정,이현철,김종천,신동휘,홍현실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-03-16.

Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same

Номер патента: US09490325B2. Автор: Keith Doran Weeks. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09881849B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming an integrated circuit with heat-mitigating diamond-filled channels

Номер патента: US09728483B2. Автор: Daniel J. Ewing,Kyle W. Maples. Владелец: Honeywell Federal Manufacturing and Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making a Wiring Board having an Engineered Metallization Layer and Resultant Apparatus

Номер патента: US20090113705A1. Автор: Jeffery A. Dean,William S. McKinley,Steve T. Nicholas. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Neutron Detectors and Methods of Fabricating the Same Using Boron as Neutron Conversion Layer and Conformal Doping Source

Номер патента: US20230065803A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2023-03-02.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: EP4097772A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2022-12-07.

Neutron detectors and methods of fabricating the same using boron as neutron conversion layer and conformal doping source

Номер патента: WO2021155202A1. Автор: Jesus Alfonso Caraveo Frescas,Siddartha Srinivasan Nandagopala Krishnan,Carlos Hugo Avila-Avendano,Manuel Quevedo Lopez. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2021-08-05.

Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers, and devices so fabricated

Номер патента: WO2012138512A1. Автор: Jasper Cabalu,Alan Wellford Dillon. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers, and devices so fabricated

Номер патента: US20120256211A1. Автор: Jasper Cabalu,Alan Wellford Dillon. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Method of fabricating plastic part having three-dimensional image and visual effect and structure thereof

Номер патента: TW200829413A. Автор: Yih Far Chen,Chieh-Jen Cheng,Chun-Chin Huang,Yuan Hung Wang,Cheng-Chung Kuan,Chun-Lang Liao,Jo-Wen Wu,Jyh Huei Lay,Micheler Jhu,Tzung Yan Chen. Владелец: Tech Media Corp U. Дата публикации: 2008-07-16.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US7691756B2. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereor, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: US20100139526A1. Автор: Janos Farkas,Srdjan Kordic,Cindy Golberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: CN101287777A. Автор: 亚诺什·法尔卡斯,斯尔詹·科尔迪克,辛迪·戈德堡. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-10-15.

Thin film structure including metal seed layer and method of forming oxide thin film on transparent conductive substrate by using the metal seed layer

Номер патента: US09595361B2. Автор: Jae-ho Lee,Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Seong-Jun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Bipolar plate of fuel cell with composite corrosion-resistant gastight conductive coating and method of forming thereof

Номер патента: US12051831B2. Автор: Sergei Panov,Aleksei IVANENKO,Sergei Shubenkov,Sergei NEFEDKIN,Vladimir SEVASTIANOV. Владелец: Zeroavia Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same

Номер патента: US09917178B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Devices including gate spacer with gap or void and methods of forming the same

Номер патента: US09559184B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US12021117B2. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230154985A1. Автор: Kei-Wei Chen,Ying-Lang Wang,Wen-Hsi Lee,Te-Ming Kung,Shu Wei Chang. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240234419A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien Ning Yao,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming high voltage transistor and structure resulting therefrom

Номер патента: US20240234566A1. Автор: Chih-Ming Lee,Pei-Lun Wang,Chih-Hsiung Huang,Wen-Chih Chiang,Yu-Chang Jong,Cheng-Ming Wu,Yu-Hsien CHU,Ling Mei LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Opening fill process and structures formed thereby

Номер патента: US09978583B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Opening fill process and structure formed thereby

Номер патента: US09627313B2. Автор: Chi-Yuan Chen,Wei-Jung Lin,Chia-Han Lai,Chun-I Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

FinFET device structure and methods of making same

Номер патента: US09379220B2. Автор: yu chao Lin,Chao-Cheng Chen,Cheng-Han Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Eric Chih-Fang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Multiple gate field-effect transistors having various gate oxide thicknesses and methods of forming the same

Номер патента: US20240243016A1. Автор: Wen-Hung Huang,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Wei Lee,Zoe Chen,Hsueh-Ju CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Rf devices with nanotube particles for enhanced performance and methods of forming the same

Номер патента: US20240234241A1. Автор: Julio C. Costa,Todd Gillenwater. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

RF devices with nanotube particles for enhanced performance and methods of forming the same

Номер патента: US12074086B2. Автор: Julio C. Costa,Todd Gillenwater. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Method of Forming Internal Spacer for Nanowires

Номер патента: US20180166534A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Soon Aik Chew. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-14.

Gate-All-Around Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230261114A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of Forming Dielectric Material-Containing Structures

Номер патента: US20120220098A1. Автор: Dave Peterson,Cunyu Yang,Vishwanath Bhat,Noel Rocklein,Chris M. Carlson,Praveen Vaidyanathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Capacitors, dielectric structures, and methods of forming dielectric structures

Номер патента: WO2010044965A1. Автор: Dave Peterson,Cunyu Yang,Vishwanath Bhat,Noel Rocklein,Chris M. Carlson,Praveen Vaidyanathan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-04-22.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming insulating layer and method of manufacturing transistor using the same

Номер патента: US8183136B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Deok-Hyung Lee,Dong-Chan Kim,Soo-jin Hong,Seong-Hoon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-22.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US12148836B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20160099179A1. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

FINFET semiconductor devices and method of forming the same

Номер патента: US09812559B2. Автор: Kyung-In Choi,Bong-Soo Kim,Hyun-gi Hong,Hyun-seung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacture method of AMOLED back plate and structure thereof

Номер патента: US09590020B2. Автор: Yuanjun Hsu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240379857A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US09443952B2. Автор: Yi-Wen Chen,Chen-Ming Huang,Shih-Fang Tzou,Po-Cheng Huang,Jian-Wei Chen,Shui-Yen Lu,Chun-Tsen Lu,Chih-Jung Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming fin isolation regions on FinFET semiconductor devices using an oxidation-blocking layer of material and by performing a fin-trimming process

Номер патента: US09431306B2. Автор: Kern Rim,Kangguo Cheng,Ajey Poovannummoottil Jacob,Ali Khakifirooz,Bruce Doris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of producing structure

Номер патента: RU2607336C1. Автор: Александр ШИБКО,Изабель БЕРТРАНД,Сильвен ПЕРУ,Соташетт ВАН,Патрик РЕНО. Владелец: Сойтек. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a semiconductor capacitor using amorphous carbon

Номер патента: US7824998B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yuan-Hung Liu,Chi-Hsin Lo,Yeur-Luen Tu,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Method Of Making Split Gate Non-volatile Flash Memory Cell

Номер патента: US20190198647A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Andy Liu,Leo XING,Melvin DIAO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming semiconductor devices

Номер патента: US20240304628A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Chun-Heng Chen,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282629A1. Автор: Chih-Yuan Ting,I-Chang Lee,Yu-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Carrier structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282761A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Jyh-Cherng Sheu,Wei-Ting YEH,Zheng Yong Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of forming a layer structure, chip package and chip arrangement

Номер патента: US20240335912A1. Автор: Alexander Heinrich,Alexander Roth,Catharina Wille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional integrated circuit structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020601A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Test structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369146A1. Автор: Chih Ting Yeh,Wen Han Hung,Yen-Ning CHEN,Mao-Chia WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of forming wafer level underfill materials and structures formed thereby

Номер патента: US09631065B2. Автор: Arjun Krishnan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Anna M. Prakash,James C. Matayabas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming overlay mark structure

Номер патента: US20200013724A1. Автор: Yi-Ting Chen,En-Chiuan Liou,Hsiao-Lin Hsu,Sho-Shen Lee,zheng-feng Chen,Lu-Wei KUO. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Processing method of substrate and manufacturing method of liquid ejection head

Номер патента: US09552984B2. Автор: Ryoji Kanri,Atsushi Hiramoto,Atsunori Terasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US09465287B2. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20140205952A1. Автор: Yuan He,Scott Light,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Methods of Forming Interconnect Structures in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20210375756A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming different sized patterns

Номер патента: US09449840B1. Автор: Cheol Kyu Bok,Keun Do Ban,Jung Gun Heo,Hong Ik Kim,Jong Cheon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US20220293420A1. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-15.

Method of forming patterns, integrated circuit device, and method of manufacturing the integrated circuit device

Номер патента: US11728167B2. Автор: Dongjun Lee,Taejin Park,Sunghee Han,Keunnam Kim,Daehyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240192588A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Tsung-Chih Chien,Tsung Chuan LEE,Hao-Shiang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming openings in a material layer

Номер патента: US09911611B2. Автор: Ru-Gun Liu,Yung-Sung Yen,Chieh Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming patterns and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09905754B1. Автор: Jong-Kyu Kim,Sang-Kuk Kim,Yil-hyung LEE,Yoo-Chul Kong,Hye-Ji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Conductive external connector structure and method of forming

Номер патента: US09875979B2. Автор: Chi-Hung Lin,Chien-Ming Huang,Meng-Fu Shih,Chin-Yu Ku,Cheng-Lin Huang,Wei-Chih Huang,Wen-Ming Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Chun-Yen Lo,Yuan-Fu Liu,Yung-Chiuan Cheng,Chen-Hsun Liu,Chien-Pin Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming different sized patterns

Номер патента: US09691614B2. Автор: Cheol Kyu Bok,Keun Do Ban,Jung Gun Heo,Hong Ik Kim,Jong Cheon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming pattern and method of manufacturing integrated circuit device by using the same

Номер патента: US09659790B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of making a semiconductor device using a barrier and antireflective coating (BARC) layer

Номер патента: US09589798B2. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming bump pad structure having buffer pattern

Номер патента: US20150235974A1. Автор: Hyun-Suk Chun,Soo-Jae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of forming a passivation layer

Номер патента: US20190131259A1. Автор: QIN Yuan,Jun Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Method of forming a pattern

Номер патента: US20210335721A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of filling shallow trenches

Номер патента: US8685830B2. Автор: HAO LI,FAN CHEN,Kai Xue,Jia Pan,Yongcheng Wang,Xiongbin Chen,Keran Zhou. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of forming interconnect structures in semiconductor fabrication

Номер патента: US20240274528A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of producing an etching mask, method of etching a structure into a substrate, use of a tetrel layer and structure for producing a mask

Номер патента: US20240304446A1. Автор: Martin TILKE,Meik PANITZ,Sabine Zybell,Lutz RAUPACH. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of coating an inductive stabilization ballast with an insulating layer, and inductive stabilization ballast coated with an insulating layer by means of this method

Номер патента: CA1201628A. Автор: Jacobus I.M. Van Dam. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-03-11.

Method of manufacturing separator-composite electrode comprising multilayer-structured inorganic layer and separator-composite electrode manufactured thereby

Номер патента: US11978921B2. Автор: Bum Young JUNG,Kyoung Ho Kim,Jeong Gil Kim,Jung Gu Han. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Nanostructures consisting of gate metals and gate metal sub oxides and methods of their production

Номер патента: RU2493939C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Роберт МЮЛЛЕР,Хельмут ХААС,Хольгер БРУММ,Герхард ГИЛЛЕ,Манфред БОБЕТ. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2013-09-27.

Resin surface layer and method of fabricating the same, composite having the resin surface layer and method of fabricating the same

Номер патента: TW200911525A. Автор: Chung-Chih Feng,Chien-Chia Huang,Cheng-Chi Wu,Pai-Hsiang Wu,Chih-Shih Wang. Владелец: San Fang Chemical Industry Co. Дата публикации: 2009-03-16.

Methods of forming articles including metal structures having maximized bond adhesion and bond reliability

Номер патента: US09468986B2. Автор: Martin O'Toole,Ernesto Gene de la Garza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US8946012B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20140187002A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods of forming source/drain regions using multilayer side wall spacers and structures so formed

Номер патента: US20030186508A1. Автор: Do-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-02.

Methods of forming integrated circuits with a planarized permanet layer and methods for forming finfet devices with a planarized permanent layer

Номер патента: US20150380269A1. Автор: Dinesh Koli,Deepasree KONDUPARTHI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

METHOD OF PRODUCING ETCHING MASK, ETCHING MASK PRECURSOR, AND OXIDE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20200027743A1. Автор: INOUE Satoshi,Suzuki Masahiro,Shimoda Tatsuya,Fujimoto Nobutaka,FUKADA Kazuhiro,NISHIOKA Kiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

Process of forming an electronic device including a semiconductor layer and another layer adjacent to an opening within the semiconductor layer

Номер патента: US7670895B2. Автор: Michael D. Turner,Peter J. Beckage,Toni D. Van Gompel,Mohamad M. Jahanbani. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-02.

Method of forming graphene nanopattern by using mask formed from block copolymer

Номер патента: US09748108B2. Автор: Seongjun Park,Yunseong LEE,Seongjun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09755037B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yasuhiro Yoshiura,Takao KACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of preventing bridging between polycrystalline microscale features

Номер патента: IL140566A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-06-01.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US20240266304A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: RU2606248C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-01-10.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20240203839A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of patterning dielectric layers for metallization and related structures

Номер патента: US20190206795A1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor devices having planarized insulation layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US20120214316A1. Автор: Sung-Min Cho,Se Jung Park,Yi Koan Hong,Jin-Woo Bae,Inseak Hwang,Myangsik Han,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-23.

Bonding structures in semiconductor packaged device and method of forming same

Номер патента: US11990428B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hao Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of fabricating T-type gate

Номер патента: US7141464B2. Автор: Sang Gi Kim,Jong Moon Park,Bo Woo Kim,Yong Sun Yoon,Jin Gun Koo,Seong Wook Yoo,Kun Sik Park,Yoon Kyu Bae,Byung Won Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-11-28.

Method of fabricating T-type gate

Номер патента: US20060079030A1. Автор: Sang Gi Kim,Jong Moon Park,Bo Woo Kim,Yong Sun Yoon,Jin Gun Koo,Seong Wook Yoo,Kun Sik Park,Yoon Kyu Bae,Byung Won Lim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor devices having a conductive layer stacking with an insulating layer and a spacer structure through the conductive layer

Номер патента: US12136586B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of self-aligned double patterning

Номер патента: US10734284B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin,Yi-Ching Chang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Method of forming a semiconductor device in a semiconductor layer and structure thereof

Номер патента: TW200402834A. Автор: Gowrishankar L Chindalore,Alexander Hoefler,Chi-Nan Brian Li. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-02-16.

Method of forming a semiconductor device in a semiconductor layer and structure thereof

Номер патента: US20030222306A1. Автор: Chi Li,Gowrishankar Chindalore,Alexander Hoefler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US11862539B2. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming isolation region in integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US5004701A. Автор: Kazumasu Motokawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-04-02.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US20210050284A1. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

METHOD OF FORMING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ENHANCED WETTABLE FLANK AND STRUCTURE

Номер патента: US20200144164A1. Автор: Rivera-Marty Pedro Joel. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of forming a semiconductor device having a diffusion barrier stack and structure thereof

Номер патента: US20060202339A1. Автор: Varughese Mathew,Sam Garcia,Lynne Michaelson,Edward Acosta,Ritwik Chatterjee,Stanley Filipiak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of forming a packaged semiconductor device having enhanced wettable flank and structure

Номер патента: US10529655B2. Автор: Pedro Joel Rivera-Marty. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-07.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of fabricating semiconductor device using dry etching

Номер патента: US20170301569A1. Автор: Youngjae Kim,Chanmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Conductive layer, method of manufacturing the conductive layer, capacitor including the conductive layer and method of manufacturing the capacitor

Номер патента: KR100647465B1. Автор: 김영진,이승진,박재영,김경석,김승범,남석우,이현덕,이고은,형용우,이욱열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of etching away a selected portion of a dielectric layer and tapering the edge

Номер патента: YU227474A. Автор: E J Ham,R R Sopen. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device having a porous dielectric layer and air gaps

Номер патента: KR100817956B1. Автор: 베스링빌렘에프에이,무트사에르스코르넬리스에이에이치에이,그라베스타인디르크제이. Владелец: 엔엑스피 비 브이. Дата публикации: 2008-03-31.

Method of providing an electronic device including dies, a dielectric layer, and an encapsulating layer

Номер патента: US8293588B2. Автор: Jinbang Tang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device and driver circuit with source and isolation structure interconnected through a diode circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09607981B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-Gate Devices And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20240105806A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-Gate Devices And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230395679A1. Автор: Chih Chieh Yeh,Ming-Lung Cheng,Huang-Hsuan LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

METHODS OF FORMING GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION FOR VERTICAL FINFET, AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20190393342A1. Автор: Soss Steven R.,Xie Ruilong,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Methods of forming gate contact over active region for vertical finfet, and structures formed thereby

Номер патента: TW202013599A. Автор: 謝瑞龍,輝臧,史蒂芬Ｒ索斯. Владелец: 美商格芯（美國）集成電路科技有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Method of forming source and drain of a field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: US8084788B2. Автор: Judson Robert Holt,Abhishek Dube,Eric C. T. Harley,Shwu-Jen Jeng,Jeremy J Kempisty,Hasan Munir Nayfeh,Keith Howard Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of forming a semiconductor device having a patterned gate dielectric and structure therefor

Номер патента: US8946002B2. Автор: Marian Kuruc,Juraj Vavro. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of making a double gate semiconductor device with self-aligned gates and structure thereof

Номер патента: WO2006023019A2. Автор: Yang Du,Leo Mathew. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-02.

METHOD OF MANUFACTURING FOR MEMORY TRANSISTOR WITH MULTIPLE CHARGE STORING LAYERS AND A HIGH WORK FUNCTION GATE ELECTRODE

Номер патента: US20170092729A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Polishchuk Igor,Levy Sagy Charel. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Method of coating metal structural member to resist corrosion, composition of coating, and structural member including coating

Номер патента: WO2023205666A3. Автор: Sameerkumar Vasantlal Patel. Владелец: Sheet Pile, Llc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of coating metal structural member to resist corrosion, composition of coating, and structural member including coating

Номер патента: US20230331996A1. Автор: Sameerkumar Vasantlal Patel. Владелец: Sheet Pile LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of coating metal structural member to resist corrosion, composition of coating, and structural member including coating

Номер патента: WO2023205666A2. Автор: Sameerkumar Vasantlal Patel. Владелец: Sheet Pile, Llc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device

Номер патента: US12058899B2. Автор: Jun-Ho Choi,Jin-Koo Chung,Byoung-Hee PARK,Jeong-Woo MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: US09966481B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Douglas Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: US09443994B2. Автор: Oliver Schultz-Wittmann,Douglas Crafts. Владелец: Tetrasun Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of charging capacity structure

Номер патента: US8673730B2. Автор: Li-Hsun Chen,Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Pei-Chun Hung. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-18.

Manufacturing method of charging capacity structure

Номер патента: US20130130463A1. Автор: Li-Hsun Chen,Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Pei-Chun Hung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

Method of manufacturing thin-film solar cell

Номер патента: US20150243830A1. Автор: Manabu Tanaka,Masashi Kondou. Владелец: Solar Frontier KK. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Production method of organic EL device

Номер патента: US10600984B2. Автор: Masataka Iwasaki,Takaaki Okamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of designing interconnect structure of semiconductor apparatus and method of manufacturing semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US20220366122A1. Автор: Jaeyong Shin,Jeonghoon Ahn,Yunki Choi,Yeongjun Kwon,Joonnyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

METHODS OF FORMING PACKAGE ON PACKAGE ASSEMBLIES WITH REDUCED Z HEIGHT AND STRUCTURES FORMED THEREBY

Номер патента: US20190103357A1. Автор: Yong Khang Choong,Lim Min Suet,Goh Eng Huat,Koh Boon Ping,Sir Jiun Hann,SONG WIL CHOON. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor and method of manufacturing the same, display substrate, and display apparatus

Номер патента: US09704998B2. Автор: Chunsheng Jiang,Jingfei Fang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

METHOD OF FORMING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ENHANCED WETTABLE FLANK AND STRUCTURE

Номер патента: US20190148270A1. Автор: Rivera-Marty Pedro Joel. Владелец: AMKOR TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods of forming nitride read only memory and word lines thereof

Номер патента: US20090061609A1. Автор: Chi-Pin Lu,Ling-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Shielded electrical contact and doping through a passivating dielectric layer in a high-efficiency crystalline solar cell, including structure and methods of manufacture

Номер патента: WO2011119910A2. Автор: Oliver Schultz-Wittman,Douglas Crafts. Владелец: TETRASUN, INC.. Дата публикации: 2011-09-29.

Hole transport layer comprising thermally conductive inorganic structure, perovskite solar cell comprising same, and method of manufacturing same

Номер патента: US20210273185A1. Автор: Taiho Park,Kyoungwon CHOI. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230380160A1. Автор: Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Interconnected electrode structure, method of manufacturing same, and use of same

Номер патента: US20240047589A1. Автор: HAO Zhang,Jing Wang,Chao Gong,Zhenguo Wang,Jian Lin,Qun Luo,Changqi Ma. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming LED semiconductor device having annealed encapsulant layer and annealed luminescence conversion material layer

Номер патента: US7955879B2. Автор: YuSik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Micro optical bench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1555665A2. Автор: Hyung Choi,Yong-Sung Kim,Seok-whan Chung,Woong-Lin Hwang,Jae-Ho You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-20.

Photoelectric conversion device module and manufacturing method of the photoelectric conversion device module

Номер патента: US20090320897A1. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Method of manufacturing an optical member having stacked high and low refractive index layers

Номер патента: US8168938B2. Автор: Atsushi Toda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of manufacturing an optical member having stacked high and low refractive index layers

Номер патента: US20090267244A1. Автор: Atsushi Toda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers, and devices so fabricated

Номер патента: TW201244174A. Автор: Jasper Cabalu,Alan Wellford Dillon. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of forming trench cut

Номер патента: US09490136B1. Автор: Chia-Tien Wu,Yung-Hsu WU,Yu-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming self-aligned metal lines and vias

Номер патента: US09607893B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of producing mask

Номер патента: US8080478B2. Автор: Junichi Ito,Yuichi Ohsawa,Chikayoshi Kamata,Saori Kashiwada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and structure for semiconductor mid-end-of-line (MEOL) process

Номер патента: US09633999B1. Автор: Chung-Ju Lee,Hsiang-Ku Shen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated circuits and methods of forming the same with effective dummy gate cap removal

Номер патента: US09917016B2. Автор: Klaus Hempel,Dina Triyoso. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming a singe metal that performs N and P work functions in high-K/metal gate devices

Номер патента: US09633856B2. Автор: Su-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of split gate structure and split gate structure

Номер патента: US20200328281A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Shih-Chi Lai,Hung-Chih Chung,Hsien-Yi Cheng. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US20180061963A1. Автор: Chih-Wei Yang,Po-Wen Su,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wen-Chien Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Gate structure and method of forming the same

Номер патента: US12015070B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Li-Te Hsu,Tsung Fan Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09871114B2. Автор: Hsueh Wen Tsau,Chia-Ching Lee,Da-Yuan Lee,Chung-Chiang WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and structure for semiconductor device having gate spacer protection layer

Номер патента: US09831090B2. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen,Chih Wei Lu,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

FINFET structures and methods of forming the same

Номер патента: US09647071B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Hybrid material electrically programmable fuse and methods of forming

Номер патента: US20190067191A1. Автор: Chun Yu Wong,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of forming a semiconductor device structure having an isolation layer to isolate a conductive feature and a gate electrode layer

Номер патента: US11756995B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods of forming tuneable temperature coefficient FR embedded resistors

Номер патента: US09972616B2. Автор: Chia-Hong Jan,Walid Hafez,Chen-Guan LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Tunnel junction field effect transistors having self-aligned source and gate electrodes and methods of forming the same

Номер патента: US09356129B2. Автор: Saptharishi Sriram,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046663B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240363735A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chi-Hsiang Chang,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG,Ya-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09922930B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09437546B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094823B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods and structures for a split gate memory cell structure

Номер патента: US09590058B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of forming stacked trench contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09559060B2. Автор: Bernhard Sell,Oleg Golonzka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Isolation structure of semiconductor and method of forming the same

Номер патента: US20210376074A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal Gate Scheme for Device and Methods of Forming

Номер патента: US20180226485A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Metal gate scheme for device and methods of forming

Номер патента: US09941376B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and structure to form tensile strained SiGe fins and compressive strained SiGe fins on a same substrate

Номер патента: US09754941B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method and structure for FinFET comprising patterned oxide and dielectric layer under spacer features

Номер патента: US09735256B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Yung Jung Chang,Shih-Hao Chen,Mu-Tsang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a reduced resistance fin structure

Номер патента: US09660057B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Kejia Wang,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Fin-last FinFET and methods of forming same

Номер патента: US09543301B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure and method of forming semiconductor device

Номер патента: US09496385B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20200135476A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09905676B2. Автор: Yang Xu,Jinbum Kim,Kang Hun MOON,Choeun LEE,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming self-aligned split-gate memory cell array with metal gates and logic devices

Номер патента: US09721958B2. Автор: FENG Zhou,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of fabricating FinFET device and structure thereof

Номер патента: US09653593B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating dual trench isolated selective epitaxial diode array

Номер патента: US20150102455A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131297A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131298A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Gate Structure and Methods of Forming Metal Gate Isolation

Номер патента: US20190334003A1. Автор: Meng-Fang Hsu,Chun-Sheng Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200168507A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Yao-Sheng Huang,Fang-Wei Lee,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Hung-Chang Sun,Yu-wei LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor-on-oxide structure and method of forming

Номер патента: US20140191359A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US12132050B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: US20220093623A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240371869A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923094B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating semiconductor device including replacement process of forming at least one metal gate structure

Номер патента: US09812367B2. Автор: Jeong-Nam Han,Ju-youn Kim,Tae-Won Ha,Ji-Hwan An,Kwang-yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of forming trenches with different depths

Номер патента: US09779984B1. Автор: Mei-Yun Wang,Chao-Hsun Wang,Hsien-Cheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583610B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Fu-Yu Chu,Ruey-Hsin Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Source/drain regions for fin field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09577101B2. Автор: Chi-Wen Liu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Devices and methods of forming higher tunability FinFET varactor

Номер патента: US09437713B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron,Gopal Srinivasan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Finfets and methods of forming finfets

Номер патента: US20180240711A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Method of forming FinFET with low-dielectric-constant gate electrode spacers

Номер патента: US11749755B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12080782B2. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230299182A1. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Nanostructure field-effect transistor device and methods of forming

Номер патента: US20240321581A1. Автор: Shun-Hui YANG,Chun-Liang Lai,Yun-Chen Wu,Yen Ju Chen,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US12087639B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Transistor Contacts and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240332357A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240363431A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Chih-Chang Hung,Chieh-Ning Feng,Chun-Liang Lai,Yih-Ann Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240371984A1. Автор: Jun Noh Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with tunable epitaxy structures and method of forming the same

Номер патента: US12112989B2. Автор: Chih-Hsiang Huang,Shih-Hao Lin,Hsin-Wen Su,Tzu-Hsiang HSU,Szu-Chi Yang,Chong-De LIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09953876B1. Автор: Elliot John Smith,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US09761689B2. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of packaging acoustic wave resonator devices on wafers and related wafers and structures

Номер патента: US20240258991A1. Автор: Robert Charles DRY,Mary Winters,Kenneth Fallon,Carlos R. Padilla,Ethan Gram,Westbrook Hoose. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of managing communication buffers for a plurality of communication layers and node employing the same

Номер патента: US20060077993A1. Автор: Marco Naeve,Luis Pereira,Sujit Das. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2006-04-13.

Method and structure for double lining for shallow trench isolation

Номер патента: US20070087519A1. Автор: Liu Chi-Kang,XIN Wang,Ze Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods and structures for processing semiconductor devices using polymeric materials and adhesives

Номер патента: US09449940B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of forming a semiconductor package with conductive interconnect frame and structure

Номер патента: US09917039B2. Автор: Marc Alan Mangrum,Thinh Van Pham. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming connector pad structures, interconnect structures, and structures thereof

Номер патента: US09570410B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Wei-Yu Chen,Chia-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming metal wiring for high voltage element

Номер патента: US20050153549A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods and structures for processing semiconductor devices

Номер патента: US20150179493A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Forming a reticle for extreme ultraviolet radiation and structures formed thereby

Номер патента: US20060102986A1. Автор: Bryan Rice,Kramadhati Ravi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Methods of forming low interface resistance rare earth metal contacts and structures formed thereby

Номер патента: US09934976B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack Kavalieros,Niloy Mukherjee,Robert S Chau,Matt Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods and structures for handling integrated circuits

Номер патента: US09824906B2. Автор: Terry Lynne Barrette. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Wafer to wafer bonding process and structures

Номер патента: US09613926B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Wen-Ching Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of forming a die structure including a controlled thickness layer and an apparatus for performing the method

Номер патента: US20240222351A1. Автор: Anshuman Cherala,Mario Johannes Meissl. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230268274A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming interconnect structures

Номер патента: WO2024040200A1. Автор: Jian Zhou,Vinod Purayath,Kenta Ohama. Владелец: Avient Corporation. Дата публикации: 2024-02-22.

Interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220359414A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods of Performing Chemical-Mechanical Polishing Process in Semiconductor Devices

Номер патента: US20200312708A1. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US12068254B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods of performing chemical-mechanical polishing process in semiconductor devices

Номер патента: US11742239B2. Автор: Shih-Kang Fu,Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11658070B2. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Methods of forming ruthenium conductive structures in a metallization layer

Номер патента: US09589836B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Systems and methods of forming a reduced capacitance device

Номер патента: US09472453B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Package structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230307338A1. Автор: Shin-puu Jeng,Chia-Hsiang Lin,Chien-Tung Yu,Chi-Pu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of forming integrated circuits and multiple critical dimension self-aligned double patterning processes

Номер патента: US09431264B2. Автор: Linus Jang,Ryan Ryoung Han Kim,Young Joon MOON. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240128194A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240312835A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Package structures having height-adjusted molding members and methods of forming the same

Номер патента: US09799615B1. Автор: Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Shih-Wei Liang,Yu-Chia Lai,Chang-Pin Huang,Hsien-Ming Tu,Ren-Xuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of forming an electronic package and structure

Номер патента: US09768091B2. Автор: Azhar Aripin. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12033889B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20170278765A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Encapsulated Wafer Level Chip Scale Package (EWLCSP)

Номер патента: US20200006177A1. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods of forming configurable microchannels in package structures

Номер патента: US09997377B2. Автор: Arnab Choudhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Test key strcutures, integrated circuit packages and methods of forming the same

Номер патента: US09991207B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Li-Hsien HUANG,Shao-Yun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of forming low profile fan-out package with vertical interconnection units

Номер патента: US09704780B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of forming encapsulated wafer level chip scale package (EWLCSP)

Номер патента: US09704769B2. Автор: Yaojian Lin,Seung Wook Yoon,Thomas J. Strothmann. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Conductive structure and method of forming the same

Номер патента: US09564359B2. Автор: Chih-Wei Chang,Pin-Wen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194569A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Hung-Chun Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor Structure and Method of Forming

Номер патента: US20170301562A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Substrate, electro-optical device, electronic apparatus, method of forming substrate, method of forming electro-optical device, and method of forming electronic apparatus

Номер патента: US7413978B2. Автор: Hideki Tanaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Forming a stress compensation layer and structures formed thereby

Номер патента: US09929080B2. Автор: Saikumar Jayaraman,Daewoong Suh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Package structure and method of fabrcating the same

Номер патента: US12148732B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Chia-Wei Wang,Hui-Jung TSAI,Yu-Tzu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Package structure and method of forming package structure

Номер патента: US20180286823A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Forming a thin film electric cooler and structures formed thereby

Номер патента: US20080230106A1. Автор: Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321733A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Chi-Feng Lin,Jo-Lin Lan,Ming-Yuan Gao,Chun Hsiang YANG. Владелец: Ltd Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of forming fine pitch RDL over semiconductor die in fan-out package

Номер патента: US09721922B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Pandi C. Marimuthu. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Bitline structure for DRAM and method of forming the same

Номер патента: US20040106280A1. Автор: Kuo-Chien Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of forming copper interconnections for semiconductor integrated circuits on a substrate

Номер патента: EP1466352A1. Автор: Hyung-Sang Park,Sang-Won Kang. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-13.

Interposer including a copper edge seal ring structure and methods of forming the same

Номер патента: US12040289B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Ming-Da Cheng,Hong-Seng Shue,Yao-Chun Chuang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

RF devices with enhanced performance and methods of forming the same

Номер патента: US12046483B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa,Merrill Albert Hatcher, JR.,Philip W. Mason. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

RF device without silicon handle substrate for enhanced thermal and electrical performance and methods of forming the same

Номер патента: US12062623B2. Автор: Michael Carroll,Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274539A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Tapered semiconductor waveguides and method of making same

Номер патента: CA2020246A1. Автор: Uziel Koren,Thomas L. Koch. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1991-02-04.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US20130187279A1. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11749644B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming a capacitor

Номер патента: US20020154468A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US12100664B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Interposer including a copper edge seal ring structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240332220A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Chen-Shien Chen,Ming-Da Cheng,Hong-Seng Shue,Yao-Chun Chuang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US20240371783A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structures including buried digit lines and related methods

Номер патента: US09947666B2. Автор: Suraj Mathew,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices in CMOS applications

Номер патента: US09613855B1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods of forming semiconductor packages with an intermetallic layer comprising tin and at least one of silver, copper or nickel

Номер патента: US09564409B2. Автор: Michael J. Seddon,Francis J. Carney. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming copper distribution with a thick cobalt-containing insert in the structure of devices operating based on magnetic tunnel junction

Номер патента: RU2694289C1. Автор: Эрван Филипп Мари Гапиан,Валентина Александровна Гайдедей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА". Дата публикации: 2019-07-11.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160329237A1. Автор: Minghsing Tsai,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Jeng-Shiou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20190326156A1. Автор: Minghsing Tsai,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Jeng-Shiou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Interconnect structure for connecting dies and methods of forming the same

Номер патента: US20160336231A1. Автор: Chia-Chieh Lin,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-17.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20090053873A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of forming chip package having stacked chips

Номер патента: US12087737B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Package structure including lower molded structure including a substrate portion, and methods of forming the package structure

Номер патента: US20240321759A1. Автор: Shang-Yun Hou,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Chin-Liang Chen,Hao-Cheng Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US20240371757A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09892960B2. Автор: Minghsing Tsai,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Jeng-Shiou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines

Номер патента: US09818641B1. Автор: Guillaume Bouche,Jason Eugene STEPHENS. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming under device interconnect structures

Номер патента: US09721898B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Don Nelson,Il-Seok Son,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240371920A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao,Ying-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Interconnect structure for connecting dies and methods of forming the same

Номер патента: US09553020B2. Автор: Chia-Chieh Lin,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods of forming under device interconnect structures

Номер патента: US09490201B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Don Nelson,Il-Seok Son,M. Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Interconnect structure for connecting dies and methods of forming the same

Номер патента: US09406712B2. Автор: Chia-Chieh Lin,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Shih Pei Chou,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of forming copper-based conductive structures by forming a copper-based seed layer having an as-deposited thickness profile and thereafter performing an etching process and electroless copper deposition

Номер патента: US20130309863A1. Автор: Xunyuan Zhang,Ming He,Larry Zhao,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: EP3143640A1. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150371955A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Jeng-Shiou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Conductive Interconnects and Methods of Forming Conductive Interconnects

Номер патента: US20210249304A1. Автор: Yi Hu,Dave Pratt,Frank Speetjens,Raju Ahmed,Yung-Ta Sung,Aaron K. Belsher,Siva Naga Sandeep Chalamalasetty,Darin S. Miller,Allen R. Gibson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Novel through silicon contact structure and method of forming the same

Номер патента: US20210313251A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Integrated Assemblies Having One or More Modifying Substances Distributed Within Semiconductor Material, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20210175249A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Purnima Narayanan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods of fabricating multichip packages and structures formed thereby

Номер патента: US20090244867A1. Автор: Raj Bahadur,Marcos Valles,Matthew J. Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Dt capacitor with silicide outer electrode and/or compressive stress layer, and related methods

Номер патента: US20150279925A1. Автор: Dong Hun Kang,Rishikesh Krishnan,Herbert L. Ho,Nicolas L. Breil,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure for capacitor protection, package structure, and method of forming package structure

Номер патента: US20200286983A1. Автор: Zhe Liu,Hongjie Wang,Borrong Huang,Diong Hing Ding. Владелец: Suzhou Tf Amd Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device including channel structure and through electrode, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US12120877B2. Автор: Hyuk Kim,Jinyoung Park,Yeongeun YOOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming low height split gate memory cells

Номер патента: US09972493B2. Автор: Hieu Van Tran,Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Mechanisms of forming damascene interconnect structures

Номер патента: US09953868B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Chun-Chieh Lin,Chien-An Chen,Ming Hsing Tsai,Wen-Jiun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated assemblies having one or more modifying substances distributed within semiconductor material, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US12144176B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Purnima Narayanan. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Seal rings structures in semiconductor device interconnect layers and methods of forming the same

Номер патента: US09780046B2. Автор: Han-Ping Pu,Pei-Haw Tsao,Hsin-Yu Pan,Yu-Chen Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Three-dimensional memory device containing annular etch-stop spacer and method of making thereof

Номер патента: US09780034B1. Автор: Zhenyu Lu,Tadashi Nakamura,Tong Zhang,Masanori Tsutsumi,Kota Funayama,Ryoichi EHARA,Youko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: US09679841B2. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming self aligned continuity blocks for mandrel and non-mandrel interconnect lines

Номер патента: US09679809B1. Автор: Lei Yuan,Yan Wang,Guillaume Bouche,Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Chenchen Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing semiconductor package including forming a recessed region in a substrate

Номер патента: US09570368B2. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09385080B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Mei-Hui Fu,Shih-Chi Lin,Hon-Lin Huang,Wei-Jung Lin,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Copper interconnection structure and method for forming copper interconnections

Номер патента: US20120003390A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160329247A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Bo-I Lee,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

A method of forming dual gate oxide layers of varying thickness on a single substrate

Номер патента: EP1145307A1. Автор: Jeffrey Lutze,Emmanuel de Muizon. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-10-17.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming fine interconnection for a semiconductor device

Номер патента: US20200185268A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Apparatus and method of forming channels in a heat-exchanging device

Номер патента: WO2004083759A2. Автор: Mark McMaster,James Lovette,Thomas W. Kenny, Jr.. Владелец: Cooligy, Inc.. Дата публикации: 2004-09-30.

Method and structure for controlling the interface roughness of cobalt disilicide

Номер патента: US6809030B2. Автор: Cyril Cabral, Jr.,James Mckell Edwin Harper,Robert Joseph Purtell,Christian Lavoie,Kirk David Peterson,Yun Yu Wang,Roy Arthur Carruthers,Ronnen Andrew Roy,Paul David Agnello,Jean Louise Jordan-Sweet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-26.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Method of forming trenches

Номер патента: US20160358813A1. Автор: Chin-Lung Lin,Yi-Hsiu Lee,Harn-Jiunn Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming electronic devices by ion implanting

Номер патента: US20090155726A1. Автор: Eric Apelgren,Nabil R. Yazdani. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-06-18.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094764B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371778A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of filling gaps between dies using silicon dioxide

Номер патента: US20240355696A1. Автор: Ku-Feng Yang,Kuang-Wei Cheng,Chih-Hang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Bond structures and the methods of forming the same

Номер патента: US09893028B2. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-Chih Chiou,Ming-Fa Chen,Yi-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming contact holes using pillar masks and mask bridges

Номер патента: US09875932B2. Автор: Nam-Gun Kim,Chan-Mi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods and structures to repair device warpage

Номер патента: US09859234B2. Автор: HONG Shen,Cyprian Emeka Uzoh,Guilian Gao,Arkalgud R. Sitaram,Bongsub LEE,Charles G. Woychik,Akash Agrawal,Scott McGrath. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Forming sacrificial composite materials for package-on-package architectures and structures formed thereby

Номер патента: US09793233B2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Leonel R. Arana,Rajasekaran Swaminathan,Yosuke Kanaoka. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US11923661B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Hideki Kimura,Kota Tokuda,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Radio frequency component and method of making same

Номер патента: WO2003096379A3. Автор: Kenneth Neal Segal,Alan Kogut,Mark K Pryor,John E Marks,Patrick N Bonebright. Владелец: Alan Kogut. Дата публикации: 2004-07-22.

Method of Manufacturing Highly Durable Electrolyte Membrane for Fuel Cells

Номер патента: US20240234777A9. Автор: Se Wook Jang,Kweon Ju Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cathode for lithium air battery comprising hollow structure and method of manufacturing same

Номер патента: US11114673B2. Автор: Hansung Kim,Gwang Seok OH,Katie Heeyum Lim,Heejun Kweon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2021-09-07.

Cathode for lithium air battery comprising hollow structure and method of manufacturing same

Номер патента: US20200373587A1. Автор: Hansung Kim,Gwang Seok OH,Katie Heeyum Lim,Heejun Kweon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-26.

Laser diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090092163A1. Автор: Shoji Hirata,Yoshiro Takiguchi,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Radio frequency component and method of making same

Номер патента: US20030021928A1. Автор: John Marks,Alan Kogut,Mark Pryor,Patrick Bonebright,Kenneth Segal. Владелец: Composite Optics Inc. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of Manufacturing Highly Durable Electrolyte Membrane for Fuel Cells

Номер патента: US20240136559A1. Автор: Se Wook Jang,Kweon Ju Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for forming overcoat layer of ac plasma display panel, including steps of forming dielectric layer through printing, heating dielectric layer, and quickly cooling dielectric layer

Номер патента: KR100443493B1. Автор: 권혁채. Владелец: 오리온전기 주식회사. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of manufacturing heterogeneous electrochemical capacitors having a double electric layer and of manufacturing and balancing the coulombic capacities of electrodes for use therein

Номер патента: US8597996B1. Автор: Samvel Kazaryan,Gamir Kharisov,Sergey Litvinenko,Sergey Razumov. Владелец: UNIVERSAL SUPERCAPACITORS LLC. Дата публикации: 2013-12-03.

Method of making a display device having a light-blocking layer and display device having the same

Номер патента: US7578718B2. Автор: Jae Hwan Oh,Yeong Seok Kim,Jae Joon Shim. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2009-08-25.

Method of making a display device having a light-blocking layer and display device having the same

Номер патента: CN1921053A. Автор: 沈在俊,金永锡,冈本珍范. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

A method of manufacturing a separator with water-based binder adhesive layer and a separator manufactured thereby

Номер патента: KR101838654B1. Автор: 송헌식,유비오. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of making a display device having a light-blocking layer and display device having the same

Номер патента: TWI317960B. Автор: Kuninori Okamoto,Yeong Seok Kim,Jae Joon Shim. Владелец: Cheil Ind Inc. Дата публикации: 2009-12-01.

Method of manufacturing a resistor device having an electric resistance layer and a cathode ray tube

Номер патента: EP0197584B1. Автор: Gerardus Arnoldus Herman Maria Vrijssen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-07-03.

Method to reduce parasitic gate capacitance and structure for same

Номер патента: US09419102B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09818751B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09646972B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

3D devices with 3D diffusion breaks and method of forming the same

Номер патента: US12040236B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing perpendicular MTJ device

Номер патента: US09929340B2. Автор: Takuya Seino. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming a transistor and structure therefor

Номер патента: US09466708B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Bipolar junction transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12068400B2. Автор: Chun-Tsung Kuo,Chuan-Feng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240381653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9917268B1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076402A1. Автор: Cheng-Hang Hsu,Hsiao-Wen Zan,Shao-Fu Peng. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197850A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Three dimensional memory device and method of making thereof by forming channel and memory film after word line replacement

Номер патента: US12101936B2. Автор: Akio Nishida,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Ramy Nashed Bassely SAID,Tatsuya Hinoue,Ryousuke ITOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363687A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of forming integrated fin and strap structure for an access transistor of a trench capacitor

Номер патента: US09564444B2. Автор: Dae-Gyu Park,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230036606A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods of forming doped source/drain contacts and structures formed thereby

Номер патента: US20200176601A1. Автор: Anand Murthy,Karthik Jambunathan,Seiyon Kim,Glenn Glass,Chandra MOHAPATRA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device structure including forksheet transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20220328477A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Transistor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240079497A1. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US12046681B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of forming a fine pattern, display substrate, and method of manufacturing the same using the method of forming a fine pattern

Номер патента: US8575031B2. Автор: Sang-Ho Park,Se-Hwan Yu,Chong-Sup CHANG,Ji-seon Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-05.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Gate-All-Around Structure with Self Substrate Isolation and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210098634A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Gate-all-around structure with self substrate isolation and methods of forming the same

Номер патента: US20240339545A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Cheng-Ting Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nanosheet and nanowire devices having doped internal spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773886B1. Автор: Mark S. Rodder,Jorge A. Kittl,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nanosheet devices with cmos epitaxy and method of forming

Номер патента: US20190019733A1. Автор: CHENG Chi,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Nicolas Loubet,Pietro Montanini. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of forming memory cells, high voltage devices and logic devices on a semiconductor substrate

Номер патента: WO2023172280A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Methods of forming a nano-sheet transistor device with a thicker gate stack and the resulting device

Номер патента: US09991352B1. Автор: Ruilong Xie,Julien Frougier,Steven Bentley,Ali Razavieh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate logic device and metal-free erase gate, and method of making same

Номер патента: US09793281B2. Автор: FENG Zhou,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09768300B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

MOS device with epitaxial structure associated with source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US09673324B1. Автор: Shu-Yen Chan,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices including a stressor in a recess and methods of forming the same

Номер патента: US09548301B2. Автор: Nae-in Lee,Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Hyun-Chul Kang,Young-Tak Kim,Chul-Woong Lee,Dong-hyun Roh,Hoi-sung Chung,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220093763A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Encapsulation structure of display unit and method of forming the same

Номер патента: US20160322604A1. Автор: Huan JIANG,ChienLin Wu,Hsinju HO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240186396A1. Автор: Kai Jen,Shou-Chi Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Controlled collapse chip connection (c4) structure and methods of forming

Номер патента: US20140042630A1. Автор: Timothy H. Daubenspeck,David J. Hill,Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Package structures including discrete antennas assembled on a device

Номер патента: US09419339B2. Автор: Ofir Degani,Valluri R. Rao,Telesphor Kamgaing. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of forming semiconductor structures including metal insulator metal capacitor

Номер патента: US10050103B2. Автор: Sheng Yu Lin,Chia-Wei Liu,Chun Hua CHANG,Fang-Ting KUO,Chien-Ying WU,Ren-Wei Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Interconnected integrated circuit (ic) chip structure and packaging and method of forming same

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Wolfgang Sauter,David B. Stone,Nicholas A. Polomoff,Mark W. Kuemerle,Jawahar P. Nayak,Eric W. Tremble,Seungman Choi,Eric S. Parent. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of forming an integrated avalanche photodiode

Номер патента: WO2024128976A1. Автор: Yue Chen,Xiao Gong,Jishen ZHANG,Haiwen Xu. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-06-20.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332261A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming monolithic cmos-mems hybrid integrated, packaged structures

Номер патента: WO2011003057A3. Автор: Nishit A. Choksi,Joseph M. Chalil,Krishna G. Kumar. Владелец: Advanced Microfab, LLC. Дата публикации: 2011-04-14.

Methods of fabricating low melting point solder reinforced sealant and structures formed thereby

Номер патента: US09808875B2. Автор: Sriram Srinivasan,Deepak V. Kulkarni,Leonel R. Arana,Gregory S. Constable,Carl L. Deppisch. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220320127A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Manufacturing method of a composite photovoltaic structure

Номер патента: US20200402728A1. Автор: Shih-Wen Liao. Владелец: Ways Technical Corp Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit device and method of making the same

Номер патента: WO1998000872A1. Автор: Derryl D. J. Allman,John W. Gregory,James P. Yakura,John J. Seliskar,Dim Lee Kwong. Владелец: Gill, David, Alan. Дата публикации: 1998-01-08.

Backside refraction layer for backside illuminated image sensor and methods of forming the same

Номер патента: US12107104B2. Автор: Po-Han Chen,Kuo-Cheng Lee,Fu-Cheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Backside refraction layer for backside illuminated image sensor and methods of forming the same

Номер патента: US20240379704A1. Автор: Po-Han Chen,Kuo-Cheng Lee,Fu-Cheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Method and structure for non-single-polycrystalline capacitor in an integrated circuit

Номер патента: US20050202629A1. Автор: James Beasom,Donald Hemmenway,Dustin Woodbury,Robert Kinzig,Timothy Valade,Kitty Elshot. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Photosensitive device and method of its manufacture

Номер патента: RU2685032C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Генадий Викторович Святец,Константин Павлович Котляр,Родион Романович Резник,Илья Петрович Сошников,Георгий Эрнстович Цырлин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2019-04-16.

Method of Forming Infrared Detector

Номер патента: US20240120430A1. Автор: Yen-Chang Chen. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Brush, method of forming a brush, and structure embodied in a machine readable medium used in a design process

Номер патента: US20210274926A1. Автор: Rajeev Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Brush, method of forming a brush, and structure embodied in a machine readable medium used in a design process

Номер патента: EP4114229A1. Автор: Rajeev Bajaj. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Through-stack contact via structures for a three-dimensional memory device and methods of forming the same

Номер патента: US20210366924A1. Автор: Hirofumi TOKITA,Takayuki MAEKURA,Romain MENTEK. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Magnetic structures, methods of forming the same and memory devices including a magnetic structure

Номер патента: US09634238B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kwang-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory cells and semiconductor structures including electrodes comprising a metal, and related methods

Номер патента: US09553264B2. Автор: Dale W. Collins,Scott E. Sills,Marko Milojevic,Si-Young Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device including bonding enhancement layer and method of forming the same

Номер патента: US20220406740A1. Автор: Taeseong Kim,Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Taeyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: US20160381800A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Methods of forming trenches in packages structures and structures formed thereby

Номер патента: WO2016209475A1. Автор: Pramod Malatkar,Robert Nickerson,Prasanna Raghavan,Naga Sivakumar Yagnamurthy,Huiyang FEI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Method of forming poly pattern in r-string of lcd drive ic and structure of the same

Номер патента: US20090096064A1. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Method of forming poly pattern in R-string of LCD drive IC and structure of the same

Номер патента: US7713830B2. Автор: Byung-Ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-11.

Method of forming conductive bumps for cooling device connection

Номер патента: US09899296B2. Автор: Perre Kao,Chun-Jen Chen,You-Hua Chou,Yi-Jen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09627620B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device including alignment key, electronic system, and method of forming the same

Номер патента: US20220302041A1. Автор: Seungmin Lee,Kwanyong Kim,Wonseok Cho,Sungwon SHIN,Juyoung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321740A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata,Masanori OISUGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices with solder-based connection terminals and method of forming the same

Номер патента: US09831202B2. Автор: Yong-Hwan Kwon,Tae-Je Cho,Ju-Il Choi,Sun-Kyoung SEO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09761580B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640761B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09385262B2. Автор: Yukinobu Suzuki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Liquid Crystal Display and Method of Forming the Same

Номер патента: US20120140155A1. Автор: Dae-Seung Yun. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of forming in package integrated capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US20060124985A1. Автор: Jiangqi He,Xiang Zeng,Jack Zhong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Contact pad structure and method of forming the same

Номер патента: US20210384219A1. Автор: HAO Zhang,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yonggang YANG,Yiming AI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321742A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Capacitor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12082398B2. Автор: Jyun-Hua Yang,Kai Hung Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Backside illuminated image sensor device having an oxide film and method of forming an oxide film of a backside illuminated image sensor device

Номер патента: US09691809B2. Автор: Li Te Hsu,Hung Jui Chang,Jeng Chang HER,Chung-Bin Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09493341B2. Автор: Anthony K. Stamper,John G. Twombly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Fabrication of stacked die and structures formed thereby

Номер патента: US09466595B2. Автор: Kramadhati V. Ravi,Jim Maveety. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufracturing structure of dielectric grid for a semiconductor device

Номер патента: US09419048B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chi-Cherng Jeng,Yin-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Three-dimensional memory device with layer contact via structures located in a memory array region and methods of forming the same

Номер патента: US20240381639A1. Автор: Takaaki IWAI,Yuji TOTOKI,Keisuke Izumi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of Forming a Metal Line and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same

Номер патента: US20070249097A1. Автор: Sang-Gab Kim,Jang-Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123215A1. Автор: Mina Kim,Yongjun JO,Seulbee Lee,Kwangchul Jung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of forming a device with planar split gate non-volatile memory cells, high voltage devices and finfet logic devices

Номер патента: EP4214756A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US9601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of fabricating vias in solder pads of a ball grid array (BGA) substrate

Номер патента: US20030022419A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09890039B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09862598B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09815690B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

LED metal substrate package and method of manufacturing same

Номер патента: US09768369B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09764944B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structures having active regions including indium gallium nitride, methods of forming such semiconductor structures, and related light emitting devices

Номер патента: US09634182B2. Автор: Ding Ding,Li Huang,Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-04-25.

Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same

Номер патента: US09608188B2. Автор: Matthew L. Scullin,Douglas Crane,Adam Lorimer,Sasi Bhushan Beera,Sravan Kumar R. Sura,Lindsay MILLER,John REIFENBERG. Владелец: Alphabet Energy Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US09601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

LED metal substrate package and method of manufacturing same

Номер патента: US09559276B2. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09493343B2. Автор: Anthony K. Stamper,Jeffrey C. Maling,Russell T. Herrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a memory and method of forming a memory array

Номер патента: US09362498B2. Автор: Robert Strenz,Klaus Knobloch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Light extraction substrate of organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193966A1. Автор: Jooyoung Lee. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Methods of fabricating storage elements and structures having edgeless features for programmable layer(s)

Номер патента: US9595671B1. Автор: Pascal Verrier,Jeffrey Allan SHIELDS,Kuei Chang Tsai. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of manufacturing optical detection element and optical detection element

Номер патента: US20240194816A1. Автор: Wei Dong,Kazutoshi Nakajima,Hiroyasu Fujiwara. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190081047A1. Автор: Shih-Fang Tzou,Ger-Pin Lin,Chia-Wei Wu,Li-Wei Feng,Chih-Chi Cheng,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Organic luminescent display device and method of manufacturing at organic luminescent display device

Номер патента: US20140175412A1. Автор: Hirotsugu Sakamoto,Kohei Takahashi,Takeshi Ookawara,Hiroshi Oooka,Yuuko Matsumoto. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of forming semiconductor layer and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20140159081A1. Автор: Seong Suk Lee,Jeong Wook Lee,Dong Ju Lee,Dong Yul Lee,Heon Ho Lee,Ok Hyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Thin film resistors and methods of manufacture

Номер патента: US20120126370A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Dustin K. Slisher,Robert R. Robison,David L. Harmon,Kimball M. Watson,Jeffrey H. Sloan,Joseph M. Lukaitis,Stewart E. Rauch, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method of forming DRAM device having capacitor and DRAM device so formed

Номер патента: US20060138516A1. Автор: Hee-Il Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

[overlay mark and method of fabricating the same]

Номер патента: US20050074945A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Electronic apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US20240256092A1. Автор: Dong-Hyun Lee,Soyeon PARK,Jeongho Lee,Won Ho Kim,Yanghee KIM,Hyungchul Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing multilayer ceramic device

Номер патента: EP1580820A1. Автор: Takahiro Nakano,Takeo Tsukada,Masaru Nanao,Hideya Sakamoto. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-09-28.

Method of manufacturing multilayer ceramic device

Номер патента: US20050213283A1. Автор: Takahiro Nakano,Takeo Tsukada,Masaru Nanao,Hideya Sakamoto. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Electron transport layer including mixed composition, method of manufacturing light-emitting device including the electron transport layer, and light-emitting device and electronic device using the same

Номер патента: US20240206219A1. Автор: Jongwoo Shin,Changhee Lee,Jonghoon Kim,Jaekook HA,SeHun KIM,JinGoo KANG,Juyon LEE,Yonghwi KIM,Myoungjin Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Plating bath for forming thin resistance layer, method of formation of resistance layer, conductive base with resistance layer, and circuit board material with resistance layer

Номер патента: EP1424407A1. Автор: Hideo Otsuka,Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Sadao Matsumoto,Yuuki Kikuchi. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Plating bath for forming thin resistance layer, method of formation of resistance layer, conductive base with resistance layer, and circuit board material with resistance layer

Номер патента: TW200415967A. Автор: Hideo Otsuka,Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Sadao Matsumoto,Yuuki Kikuchi. Владелец: Furukawa Circuit Foil. Дата публикации: 2004-08-16.

Plating bath for forming thin resistance layer, method of formation of resistance layer, conductive base with resistance layer, and circuit board material with resistance layer

Номер патента: US20040144656A1. Автор: Hideo Otsuka,Yuuji Suzuki,Akira Matsuda,Sadao Matsumoto,Yuuki Kikuchi. Владелец: Furukawa Circuit Foil Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of producing hot-formed copper-base products from molten metal

Номер патента: GB1119770A. Автор: . Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1968-07-10.

Manufacturing method of structural element made from steel capable of self-hardening outdoors and structural element manufactured by this method

Номер патента: RU2539883C2. Автор: Мануэль ОТТО,Йоахим ШЁТТЛЕР,Стефан МЮТЦЕ,Михаэль БРАУН,Уве ЭГГЕРС,Корд ШЭФНЕР,Фридрих ЛЮТЕР,Торстен РАЙЕР. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of forming magnetic tunnel junction device

Номер патента: RU2461082C2. Автор: Ся ЛИ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures

Номер патента: US09604839B2. Автор: Anthony K. Stamper,Christopher V. Jahnes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing metal-graphite brush material for motor

Номер патента: US20090060772A1. Автор: Hiroshi Kobayashi. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of forming a substrate core with embedded capacitor and structures formed thereby

Номер патента: US09572258B2. Автор: Sriram Srinivasan,John S. Guzek,Joel A. Auernheimer,Cengiz A. Palanduz,Victor Prokofiev. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of manufacturing layered structure constituting all-solid-state battery, apparatus for manufacturing the same, and all-solid-state battery provided with layered structure

Номер патента: US09484568B2. Автор: Osamu Sugino,Masahiko Nagasaka,Shogo Nakajima,Takayuki Nozawa,Ikuto Mishima. Владелец: Sintokogio Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of forming colored appearance and conductive casing

Номер патента: US20140051296A1. Автор: I-Cheng Chuang,Chih-Wei Tu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Methods of forming flexible interconnect circuits

Номер патента: US12035459B2. Автор: Kevin Michael Coakley,Dongao Yang,Malcolm Parker BROWN,Michael Lawrence Miller,Paul Henry Lego. Владелец: Cellink Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Method of forming a transparent conductive member, and a free-standing transparent conductive film

Номер патента: US20230125845A1. Автор: Filip Granek,Lukasz Witczak,Maciej Chrzanowski,Artur Podhorodecki. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2023-04-27.

Quantum dot laser diode and method of manufacturing the same

Номер патента: US9006749B2. Автор: Jin Soo Kim,Dae Kon Oh,Ho Sang Kwack,Jin Hong Lee,Sung Ui Hong,Byung Seok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-04-14.

Method of forming a transparent conductive member, and a free-standing transparent conductive film

Номер патента: US12073962B2. Автор: Filip Granek,Lukasz Witczak,Maciej Chrzanowski,Artur Podhorodecki. Владелец: XTPL SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multi-layer wiring board and sheet having foreign portions

Номер патента: US20060223331A1. Автор: Shunji Aoki,Masayuki Yoshida,Genichi Watanabe,Junichi Sutoh. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Pouch-type secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US12126035B2. Автор: Jun Kyu Park,Jun Yeob Seong,Sang Wook YIM,Ki Taek Jung. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Gas permeable metal with porosity gradient and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240141505A1. Автор: Meng-Hsiu Tsai,Chun-Wei Chiu. Владелец: National Kaohsiung University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-05-02.

Preparation method of laser cladding high-entropy alloy powder and cladding layer and application

Номер патента: CN104141084A. Автор: 罗震,段瑞,颜福裕,谈辉. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-12.

Method of forming a flexible display panel and alignment layer and spacer thereof

Номер патента: US20110083797A1. Автор: Chi-Neng Mo,Jui-Shu Chou,Mei-Tsao Chiang,Chi-Yuan Huang,Keng-Yu Tsao,Ching-Shan Tsai. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Method of manufacturing a transparent and birefringent thin solid mineral layer and optic component with a transparent and birefringent thin solid mineral layer

Номер патента: US09389353B2. Автор: Jong Wook Kim,Thierry Gacoin,Khalid Lahlil,Jacques Peretti,Jean-Pierre Boilot. Владелец: ECOLE POLYTECHNIQUE. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of fabricating nanometer-scale flowchannels and trenches with self-aligned electrodes and structures formed by the same

Номер патента: WO2002073314A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-09-19.

Method of installation and verification of elements of metallic framework for buildings and structures

Номер патента: RU2676297C1. Автор: Михаил Михайлович Титов,Дарья Вячеславовна Мартынова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Новосибирский государственный архитектурно-строительный университет (Сибстрин). Дата публикации: 2018-12-27.

Method of using reduced dimensionality nmr spectroscopy for rapid chemical shift assignment and structure determination of proteins

Номер патента: WO2002003081A2. Автор: Thomas A. Szyperski. Владелец: THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK. Дата публикации: 2002-01-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230422470A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming a series resonant switching power supply control circuit and structure therefor

Номер патента: HK1143466A1. Автор: ‧司杜勒. Владелец: 半導體元件工業有限責任公司. Дата публикации: 2010-12-31.

System and method of determining an insurance premium quote based on human telematic data and structure related telematic data

Номер патента: US10424023B1. Автор: Matthew James Manzella,Alinawaz Ismaili. Владелец: Allstate Insurance Co. Дата публикации: 2019-09-24.

Surface acoustic wave resonator structure and method of forming the same, and filter

Номер патента: US20230299740A1. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang,Jingyong LIU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Surface acoustic wave resonator structure and method of forming the same, and filter

Номер патента: US11990891B2. Автор: Guojun WENG,Gongbin Tang,Jingyong LIU. Владелец: Shenzhen Newsonic Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Manufacturing method of display apparatus and display apparatus

Номер патента: US20240138183A1. Автор: Hiroki Adachi,Kenichi Okazaki,Sachiko Kawakami,Satoru Idojiri,Yasutaka Nakazawa,Hayato Yamawaki,Naoto GOTO,Takayuki OHIDE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of manufacturing circuit board

Номер патента: US7047629B2. Автор: Takeshi Suzuki,Satoru Tomekawa,Tatsuo Ogawa,Fumio Echigo,Daizo Andoh,Yoshihiro Kawakita,Shinobu Kokufu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074169A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11856754B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230389295A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of forming a series resonant switching power supply control circuit and structure therefor

Номер патента: TW201037955A. Автор: Roman Stuler. Владелец: Semiconductor Components Ind. Дата публикации: 2010-10-16.

Switch frame, method of transmitting the switch frame and a quality indicator channel structure including the switch frame

Номер патента: CA2484616C. Автор: Ki Jun Kim,Young Woo Yun,Soon Yil Kwon,Cheol Woo You. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2011-06-14.

Method of assembling fastener structure on plate body

Номер патента: US20210148390A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of assembling fastener structure on plate body

Номер патента: US20210025438A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivetech Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of combining an analysis filter bank following a synthesis filter bank and structure therefor

Номер патента: US20050018796A1. Автор: Anantharaman Balasubramanian,Ravindra Sande. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Method of patterning a base layer

Номер патента: WO2015075552A1. Автор: Marc FERRO,George Malliaras. Владелец: Bioflex Devices. Дата публикации: 2015-05-28.

Coding method of reducing interlayer redundancy using mition data of fgs layer and device thereof

Номер патента: CN101455083B. Автор: 姜晶媛,洪镇佑,裵泰眠,金在坤,鲁勇满,康-赛恩·特鲁昂. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-04-11.

METHOD OF MANUFACTURING A STACK ACTUATOR WITH ALTERNATE ELECTRODE LAYER LAYERS AND PIEZOELECTRIC MATERIAL

Номер патента: FR2959877B1. Автор: Laurent Levin,Nadim Malek. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2013-06-14.

METHOD OF MANUFACTURING A STACK ACTUATOR WITH ALTERNATE ELECTRODE LAYER LAYERS AND PIEZOELECTRIC MATERIAL

Номер патента: FR2959877A1. Автор: Laurent Levin,Nadim Malek. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2011-11-11.

Method of forming pattern structure including silicon nitride

Номер патента: US20240209497A1. Автор: Jihoon Park,Seong Gil Lee,Dong Sub Oh,Wan Jae Park,Hye Joon KHEEL,Yun Woo KIM,Da Yeong JEONG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming copper metal layer on non-metallic material

Номер патента: US20190145008A1. Автор: Kuo-Hsin Chang,Chung-Ping Lai,Jia-Cing Chen,Kuanlin KU. Владелец: BGT Materials Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of heat treatment of structural component out of hardened heat resistant steel and structural component out of hardened heat resistant steel

Номер патента: RU2366746C2. Автор: Франц-Йозеф ЭБЕРТ,Вернер ТРОЯН,Кристиан ШУЛЬТЕ-НЁЛЛЕ. Владелец: Шефлер Кг. Дата публикации: 2009-09-10.

Sunscreen coatings and methods of forming sunscreen coatings

Номер патента: RU2768915C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джеймс П. ТИЛЬ,Адам Д. ПОЛСИН,Пол А. МЕДВИК,Эндрю В. ВАГНЕР,Деннис Дж. О'ШОНЕССИ,Джеффри А. БЕНИГНИ,Дональд ЭНТОНИ. Владелец: Витро Флэт Глас ЛЛК. Дата публикации: 2022-03-25.

Method of obtaining ceramic matrix coating on steel, working in high-temperature aggressive environments

Номер патента: RU2678045C1. Автор: Игорь Всеволодович Улин,Алексей Владимирович Красиков,Михаил Александрович Марков,Дмитрий Анатольевич Геращенков,Алексей Сергеевич Орыщенко,Алексей Филиппович Васильев,Павел Алексеевич Кузнецов,Алина Дмитриевна Быкова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт конструкционных материалов "Прометей" имени И.В. Горынина Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" (НИЦ "Курчатовский институт" - ЦНИИ КМ "Прометей"). Дата публикации: 2019-01-22.

Method of forming high temperature corrosion resistant film

Номер патента: US20070116894A1. Автор: Toshio Narita,Shigenari Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Porous tools and methods of making the same

Номер патента: EP4446045A2. Автор: Nolan COUSINEAU,Nathan Sizemore. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing metal composite powder by wire explosion in liquid and multi carbon layer coated metal composite powder

Номер патента: US09855602B2. Автор: Jung-Ho Park,Jungwoo Lee,Byung-Wook Ahn,Young-il SONG,Jung-kab PARK,Tae-yoo KIM,Jin-ha SHIN,Hwa-jin SON,Younglae CHO,Seung-Bin BAEG,Sook-Young YUN,Su-Jeong SEO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of treating joint in ceramic assembly

Номер патента: US09868276B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques,Khaled LAYOUNI,Yanxia Ann Lu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Heat-insulating fireproof structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240059971A1. Автор: Chun-Che Tsao,Te-Chao Liao,Shih-Hsun Yen. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Polyesterimide resin composition, polyesterimide resin layer, flexible metal foil laminate, and methods of preparing the same

Номер патента: US20240254286A1. Автор: Hyuk Jun Kim,Dae Nyoun Kim,Ki Hoon Kim,Yun Jeong JO,Ra Mi LEE. Владелец: Nexflex Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Rapid hydrothermal preparation method of tetragonal crystal form copper bismuthate photocatalyst and application of tetragonal crystal form copper bismuthate photocatalyst in degradation of methylene blue

Номер патента: CN110479295B. Автор: 张芳,蔡芳,郭鹏然,汪福宪. Владелец: Guangdong Institute Of Analysis (china National Analytical Center Guangzhou). Дата публикации: 2022-07-08.

Methods of producing a building material

Номер патента: WO2024026116A1. Автор: Brent R. Constantz,Seung-Hee Kang,Jacob Schneider,Catherine Levey. Владелец: Blue Planet Systems Corporation. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of producing a continuous lignin fiber, method of producing a structural carbon fiber by using the lignin fiber, and structural carbon fiber produced therefrom

Номер патента: TWI579421B. Автор: 伊莉莎白斯傑賀,格蘭捷樂斯特,伊爾法諾得斯拓,伊達諾柏克,瑞奇哲格. Владелец: 茵芬提亞公司. Дата публикации: 2017-04-21.

Steel sheet and method of producing same

Номер патента: US11732321B2. Автор: Takafumi Yokoyama,Kengo Takeda,Hiroyuki Kawata,Hitoshi Nikaido. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

The forming method of granular pattern foam glass and foam glass coating layer and utilize its noninflammability heat-barrier material

Номер патента: CN107949610A. Автор: 金成振,朴商晔,宋俊镐. Владелец: National Jiangling Yuanzhou University Industry Cooperation Agency. Дата публикации: 2018-04-20.

The preparation method of conducting polymer copolymer nano pipe and its electrochromic layer and electrochromic device

Номер патента: CN108383981A. Автор: 贾鹏,刘天晴,刘丽芳,梁燕萍,白晓霞. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2018-08-10.

Method of stripping multiple plies of a pressure-sensitive adhesive layer, and a pressure-sensitive adhesive layer used therein

Номер патента: TW201335304A. Автор: Naoyuki Matsuo,Nobuyuki Takami,Eiji Yamanaka,Youhei Hayashi,Masahito Niwa,Kaori Miki. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-09-01.

Polarizing film adhesive composition, manufacturing method of polarizing film adhesive layer, polarizing film with adhesive layer, and image display device

Номер патента: US20200032116A1. Автор: Tomoyuki Kimura,Yusuke Toyama,Akiko SUGINO,Hirotomo Ono. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Ultraviolet-curable acrylic pressure-sensitive adhesive composition, ultraviolet-curable acrylic pressure-sensitive adhesive layer, polarizing film having pressure-sensitive adhesive layer, method of manufacturing an ultraviolet-curable acrylic pressure-sensitive adhesive layer, and image display device

Номер патента: KR102222057B1. Автор: 히로후미 가타미,아츠시 야스이,신야 야마모토. Владелец: 닛토덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-03-03.

Manufacturing method of optical member comprising multi layered low-reflection coating layer and optical member menufactured by the same

Номер патента: KR102171280B1. Автор: 박문수,신창훈,오현택,박광승. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-10-28.

Method of manufacturing aluminum nitride basic material being formed diffusioin layer and aluminum nitride basic material thereof

Номер патента: KR101693010B1. Автор: 최원철,강승동. Владелец: (주)씨엠코리아. Дата публикации: 2017-01-06.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming vertical memory devices with improved dummy channel structures

Номер патента: US12137562B2. Автор: Yuhui HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341093A1. Автор: Shun-Li Lan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional flash memory and method of forming the same

Номер патента: US12120873B2. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: EP3087618A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: WO2015099899A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Band filter using film bulk acoustic resonator and method of fabricating the same

Номер патента: EP1684420A3. Автор: In-Sang Song,Kyu-Sik Kim,Seog-Woo Hong,Byeoung-ju Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing piezoelectric actuator, and liquid ejection head

Номер патента: US20090244203A1. Автор: Tsuyoshi Mita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing a composite of copper and resin

Номер патента: US20080026565A1. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming insulating layer and touchscreen manufactured using the same

Номер патента: US09655250B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Joon-Hyung Kim,Mi-Kyoung Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of forming acoustic resonator device wafers integrated with electronic semiconductor switching device wafers using a wafer transfer process and related structures

Номер патента: US20240196753A1. Автор: Daeho Kim,Ramakrishna Vetury,Abhay Saranswarup Kochhar,Kamran Cheema. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of manufacturing superconductor and phononic elements

Номер патента: EP3403285A1. Автор: Milan ALLAN. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2018-11-21.

Light extraction substrate of organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3794653A1. Автор: Jooyoung Lee. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Manufacturing method of display device and display device

Номер патента: US20240040817A1. Автор: Jun Hanari. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing optical element and optical element

Номер патента: US12050335B2. Автор: Hiroshi Sato,Yukito Saitoh,Katsumi SASATA,Akiko Watano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Thin film magnetic head comprising metal layer and method of producing the same

Номер патента: US20080291583A1. Автор: Kazuki Sato,Kosuke Tanaka,Eiji Komura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of fabricating a micro-electromechanical fluid ejection device having enhanced actuator strength

Номер патента: US20050055829A1. Автор: Kia Silverbrook. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2005-03-17.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12096631B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing copper oxide powder, and copper oxide powder

Номер патента: US20230027568A1. Автор: Tomohiko Yamaguchi,Kiyotaka Nakaya,Mami Watanabe,Kyoka Susuki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method of producing structure containing phase-separated structure, method of forming pattern and method of forming fine pattern

Номер патента: US09442371B2. Автор: Daiju Shiono,Takahiro Dazai,Tasuku Matsumiya,Takehiro Seshimo,Ken Miyagi,Yoshiyuki Utsumi,Tsuyoshi Kurosawa,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and Methods of Forming Hydrogel Structures and Structures Formed Therefrom

Номер патента: US20210324365A1. Автор: Srinivasa R. Raghavan,So Hyun AHN,Ankit Gargava. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

Multilayer structures with distinct layers and methods of forming same

Номер патента: US12023642B2. Автор: Srinivasa R. Raghavan,Brady C. ZARKET,Hanchu Wang. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2024-07-02.

Structures and methods of manufacturing including structures formed based on directed force loading or shock induced deformation and orientation of microstructures

Номер патента: US20150298194A1. Автор: Eric Scheid. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-10-22.

Structures and methods of manufacture of microstructures within a structure to selectively adjust a response or responses of resulting structures or portions of structures to shock induced deformation or force loading

Номер патента: US09617612B2. Автор: Eric Scheid. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing uni- and no-code test stripes

Номер патента: RU2680140C2. Автор: Александер ИБАХ,Ильмаз ИСГЁРЕН. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-02-18.

Methods of attaching azide compounds to surfaces and compounds and products thereof

Номер патента: US20240209214A1. Автор: Paul E. Laibinis,Bradley Alan Baker. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of attaching azide compounds to surfaces and compounds and products thereof

Номер патента: WO2022246460A1. Автор: Paul E. Laibinis,Bradley Alan Baker. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-24.

Flexible medicinal container (versions), method of increasing its holding capacity, method for manufacturing the same and method of forming flexible container (versions)

Номер патента: RU2195253C2. Автор: Стивен Л. Смит,Уильям А. СПЕРКО,Роберт Е. ТЕРНЕР,Уильям Б. РЕЙ. Владелец: Б. Браун Медикал, Инк.. Дата публикации: 2002-12-27.

Layered candle assembly and methods of forming thereof

Номер патента: US20170218300A1. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: CL PRODUCTS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Layered Candle Assembly and Methods Of Forming Thereof

Номер патента: US20140170578A1. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: Lancaster Colony Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Method of forming a passivated pigment slurry for an aqueous topcoat coating composition

Номер патента: US09777180B2. Автор: Donald H. Campbell,Rajesh RATHOD,Paragkumar Thanki. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of forming an anti-glare coating on a substrate

Номер патента: US09707592B2. Автор: Songwei Lu. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming graphene-coated diamond particles and polycrystalline compacts

Номер патента: US09670065B2. Автор: Gaurav Agrawal,Soma Chakraborty,Anthony A. DiGiovanni,Danny E. Scott,Vipul Mathur. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Layered candle assembly and methods of forming thereof

Номер патента: US09663745B2. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: Candle-Lite Company LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Porous structure for forming anti-fingerprint coating, method of forming anti-fingerprint coating, substrate comprising the anti-finger-print coating formed by the method, and product comprising the substrate

Номер патента: US09556341B2. Автор: Young Jun Hong,Hyeon Choi,Eun Jeong Lee,Taek Ho Yang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Plasma arc gasification reactors with modified carbon layers and coke consumption

Номер патента: RU2581092C2. Автор: Джеймс САНТОИАННИ,Александр ГОРОДЕЦКИЙ,НИРОП Питер ВАН,Майкл Эрскин ХАЙЕР,Стефани РИЗ,Кент Олис ХИКС. Владелец: АЛЬТЕР ЭнЭрДжи КОРП.. Дата публикации: 2016-04-10.

Removal method of furnace having multilayer refractory structure

Номер патента: RU2500963C1. Автор: Кадзуми КУРАЙОСИ,Ре КАТО,Кацуми МОРИ,Йосихито ДОИ. Владелец: Ниппон Стил Инджиниринг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of producing structure containing phase-separated structure and method of forming top coat film

Номер патента: US09644110B2. Автор: Takahiro Dazai,Takehiro Seshimo,Yoshiyuki Utsumi,Takaya Maehashi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming an oxide using van der waals materials

Номер патента: US20240309553A1. Автор: Hyojin YOON,Bharat Jalan,Sooho Choo. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2024-09-19.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Method of structuring sales and accounting of clients

Номер патента: RU2693621C1. Автор: Вячеслав Николаевич Васильев. Владелец: Индивидуальный предприниматель Васильев Вячеслав Николаевич. Дата публикации: 2019-07-03.

Optical fiber end securing structure and method of securing optical fiber end

Номер патента: US20220221657A1. Автор: Chang-Hung Tien,Jui-Ting Tsai,Ming-Hsing Chung,Jen-Kai Tsai. Владелец: Cloud Light Technology Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of making signs having metalized cube corner sheeting

Номер патента: EP1234196A1. Автор: Paul J. Northey. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-08-28.

Manufacture method of color filter, color filter and liquid crystal display panel

Номер патента: US20160103355A1. Автор: Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-14.

Manufacture method of color filter, color filter and liquid crystal display panel

Номер патента: US9703155B2. Автор: Shih-Hsun Lo,Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Yarn and method of producing the same

Номер патента: US12071715B2. Автор: TAKASHI Ogawa,Takumi Nakanishi,Keita Suizu. Владелец: Sunline Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacture method of color filter, color filter and liquid crystal display panel

Номер патента: US09703155B2. Автор: Shih-Hsun Lo,Shishuai Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming a riveted joint

Номер патента: US20230311197A1. Автор: Russell John Trinick,Samuel Williams,Elliot Jones. Владелец: Atlas Copco IAS UK Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of forming a riveted joint

Номер патента: US11819905B2. Автор: Russell John Trinick,Samuel Williams,Elliot Jones. Владелец: Atlas Copco IAS UK Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for selective separation and transfer of two-dimensional material and method of fabricating device using the same

Номер патента: US20230266663A1. Автор: Yun Seog Lee,Ki-tae Park,Sunggun Yoon,Young Ho Chu. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of device for water treatment facilities

Номер патента: RU2658081C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2018-06-19.

Fastening member for vertical board siding, method of fastening lower end of siding board using the fastening member, and structure fastened using the fastening member

Номер патента: CA2279143C. Автор: Morimichi Watanabe. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Page buffer and verify method of flash memory device using the same

Номер патента: US20060114723A1. Автор: Gi Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of treating patellofemoral arthrosis

Номер патента: RU2706660C1. Автор: Ильдар Фуатович Ахтямов,Алексей Игоревич Кудрявцев,Фирас Майн М Саид. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский Государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-11-19.

Container, preform, mandrel and method of producing container

Номер патента: RU2407681C2. Автор: Джон Келли,Майкл Стефен ДЭЙЛИ,Оле Петер ТРОВОГ,Харальд ХАРРСОН,Ивица ФРАНИЧ. Владелец: Элопак Системc Аг. Дата публикации: 2010-12-27.

Method of forming a product integrally with a surface layer and the product

Номер патента: CA2134155A1. Автор: Hiroyuki Hirakawa. Владелец: Hiroyuki Hirakawa. Дата публикации: 1995-04-30.

Method of using reduced dimensionality nmr spectroscopy for rapid chemical shift assignment and structure determination of proteins

Номер патента: WO2002003081A3. Автор: Thomas A Szyperski. Владелец: Univ New York State Res Found. Дата публикации: 2002-05-23.

Methods of handling adhesive laminate patches

Номер патента: EP3233492A2. Автор: Gordon P. Knutson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-10-25.

Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures

Номер патента: US20060083054A1. Автор: Won-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-20.

Method of natural gas delivery carbon capture for creating quality agriculture planting and structure thereof

Номер патента: TW201534205A. Автор: Rui-Wen Chen. Владелец: Rui-Wen Chen. Дата публикации: 2015-09-16.

Methods of operating a magnetic random access memory device and related devices and structures

Номер патента: US7369428B2. Автор: Won-Cheol Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-06.

METHOD OF MANUFACTURING A TRANSPARENT AND BIREFRINGENT THIN SOLID MINERAL LAYER AND OPTIC COMPONENT WITH A TRANSPARENT AND BIREFRINGENT THIN SOLID MINERAL LAYER

Номер патента: US20150205027A1. Автор: Boilot Jean-Pierre,Gacoin Thierry,Kim Jong Wook,Lahlil Khalid,Peretti Jacques. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Method of inspecting a leakage current characteristic of a dielectric layer and apparatus for performing the method

Номер патента: US20060022698A1. Автор: Yu-Sin Yang,Chung-Sam Jun,Tae-min Eom,Yun-Jung Jee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-02.

METHOD OF STRIPPING MULTIPLE PLIES OF A PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE LAYER, AND A PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE LAYER USED THEREIN

Номер патента: US20130199732A1. Автор: MIKI Kaori,NIWA Masahito,YAMANAKA Eiji,Matsuo Naoyuki,Hayashi Youhei,TAKAMI Nobuyuki. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Manufacturing method of activated carbon fiber with strong adhesion of coating layer and excellent adsorption capacity

Номер патента: KR100340591B1. Автор: 오세민. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2002-08-22.

METHOD OF MANUFACTURING A BIO-MODEL COMPRISING A SYNTHETIC SKIN LAYER AND BIO-MODEL COMPRISING A SYNTHETIC SKIN LAYER

Номер патента: US20190220974A1. Автор: Balakrishnan Yuwaraj Kumar A/L,MATHANESWARAN Vickneswaran A/L,ABDUL RAHMAN Zainal Ariff Bin,TAN Su Tung. Владелец: Universiti Malaya. Дата публикации: 2019-07-18.

A method of producing a fibrous material layer, a fibrous material layer and an absorbent article containing same

Номер патента: EP1424978A1. Автор: Jan Wästlund-Karlsson,Johan Wahlstrom. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2004-06-09.

Method of manufacturing a panel with an adapted, acoustically resistive layer and resulting panel

Номер патента: EP1239454B1. Автор: Alain Porte,Herve Batard. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2004-01-14.

The assessment method of comprehensive country rock grade is obtained by upper layer and lower layer country rock grade

Номер патента: CN107462934B. Автор: 杜靓,谢峰,刘永勤,高文新,庞炜,程海陆,郑春柳,黄伏莲. Владелец: Beijing Urban Construction Exploration and Surveying Design Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

STRUCTURES INCLUDING A SiOCN PHOTORESIST ADHESION LAYER AND METAL-OXIDE RESIST AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20240361695A1. Автор: Yiting Sun,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Jérôme Samuel Nicolas,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure including silicon germanium oxide photoresist underlayer and method of forming same

Номер патента: US20240377751A1. Автор: Fanyong Ran,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-11-14.

Combined method of arrangement of pile foundations in permafrost soils

Номер патента: RU2712976C1. Автор: Владимир Владимирович Местников,Ия Владимировна Местникова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Стройоценка". Дата публикации: 2020-02-03.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of forming and structuring an electronic database

Номер патента: RU2696295C1. Автор: Алексей Викторович Морозов. Владелец: Алексей Викторович Морозов. Дата публикации: 2019-08-01.

Catalyst for photo-chemical reactions on base of titanium dioxide and method of production of such catalyst

Номер патента: RU2287365C2. Автор: Наталия Ивановна Ермохина,Владимир Георгиевич Ильин,Петр Андреевич Манорик,Натали Ивановна Ермохина,Валентина Ивановна Литвин,Степан Ярославович Кучмий,Александр Леонидович Строюк,Май Альбертовна Федоренко,Майя Альбертовна Федоренко,Анна Васильевна Коржак,ров Виктор Кимович Бухти,Виктор Кимович Бухтияров,Василий Михайлович Гранчак,Александр Васильевич Шульженко. Владелец: Александр Васильевич Шульженко. Дата публикации: 2006-11-20.

Method of correction of subsidence trough at erection of underground structure by closed method in weak soils

Номер патента: RU2715784C1. Автор: Алексей Юрьевич Старков,Михаил Олегович Лебедев,Константин Петрович Безродный,Владимир Александрович Маслак. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский, проектно-изыскательский институт "Ленметрогипротранс". Дата публикации: 2020-03-03.

Method and structure of ion implanted elements for the optimization of resistance

Номер патента: US20070111355A1. Автор: Russell Johnson,Curtis Rahn. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-05-17.

Method of determining shear modulus for blood vessel wall based on intravascular optical coherence tomography

Номер патента: RU2742917C1. Автор: Сергей Владимирович Фролов,Антон Юрьевич Потлов,Татьяна Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тамбовский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО "ТГТУ"). Дата публикации: 2021-02-11.

Method of forming a structural composite and structural composite obtained thereby

Номер патента: WO2018156592A1. Автор: Hamid Saadatmanesh,Davoud ZAMANI,Oksana PILATOVA. Владелец: Dowaksa Usa LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Device and method of continuous long element forming made from foam plastic, plant with said element and structural element made from said foam plastic

Номер патента: RU2502597C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Джилэнбери Трейдинг Лтд.. Дата публикации: 2013-12-27.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of gathering and disposal of oil products from ground water surface

Номер патента: RU2162916C1. Автор: В.И. Сметанин,В.И. Авинель,В.В. Сметанин. Владелец: Московский государственный университет природообустройства. Дата публикации: 2001-02-10.

Coating composition and system for renewal of asphalt shingle roofs and method of application thereof

Номер патента: US20160289971A1. Автор: John C. BECKER, IV. Владелец: Creative Material Technologies Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of forming dump

Номер патента: RU2667395C2. Автор: Сергей Павлович Вострецов,Эльвира Вагизовна Пономарева. Владелец: Акционерное общество "ВНИИ Галургии" (АО "ВНИИ Галургии"). Дата публикации: 2018-09-19.

Method of making articles, based on binder, with heat insulating layer of mineral-wool heat insulation for construction of buildings and structures

Номер патента: RU2602563C1. Автор: Игорь Викторович Прохоров. Владелец: Игорь Викторович Прохоров. Дата публикации: 2016-11-20.

Method of making instrument conical aircraft compartment from polymer composites and instrument conical compartment of aircraft from polymer composites

Номер патента: RU2584731C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Владимир Иванович Плотников,Александр Михайлович Тимаков,Роман Владимирович Плотников,Илья Николаевич Розов,Вячеслав Петрович Янков,Игорь Викторович Потехин. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2016-05-20.

Exhaust gas-purification catalyst having multi-layer structure including precious metal thin layer as top layer, and method for producing same

Номер патента: US12097483B2. Автор: Sang-Yun Han,Seung Chul Na,Do-Kyun Lee. Владелец: Heesung Catalysts Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

MEMS device having a getter structure and method of forming the same

Номер патента: US09637375B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure formation apparatus, method and structure

Номер патента: EP4240586A1. Автор: Patricia MACGILLIVRAY. Владелец: Corridoor Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of forming magnetic patterned structure in non-magnetic matrix

Номер патента: RU2526236C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-08-20.

Method of making a panel, which includes reinforcing sheet, and floor panel

Номер патента: RU2690920C2. Автор: ВЛАССЕНРОДЕ Кристоф ВАН,Филип Гилберт Люсьен БОССЮЙТ. Владелец: АйВиСи Н.В.. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of manufacturing a thermally actuated liquid control device

Номер патента: EP1380426A3. Автор: John A. c/o Eastman Kodak Company Lebens. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2004-06-30.

Method of producing magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20120044596A1. Автор: Masato Fukushima,Akira Yamane,Shinichi Ishibashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-23.

Article and method of forming an article

Номер патента: US09849510B2. Автор: Benjamin Paul Lacy,Srikanth Chandrudu Kottilingam,David Edward Schick,Sandip Dutta. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of forming a nozzle and an ink chamber of an ink jet device by etching a single-crystal substrate

Номер патента: US20110132872A1. Автор: Gerardus Johannes Burger,Henricus Johannes Adrianus Van De Sande,Willem Maurits HIJMANS,Dionysius Antionius Petrus OUDEJANS. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2011-06-09.

Method of manufacturing substrate for liquid ejection head, substrate for liquid ejection head, liquid ejection head, and printing apparatus

Номер патента: US9308721B2. Автор: Keiji Matsumoto,Kenji Fujii,Kazuhiro Asai,Kunihito Uohashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Method of manufacturing substrate for liquid ejection head, substrate for liquid ejection head, liquid ejection head, and printing apparatus

Номер патента: US20150130874A1. Автор: Keiji Matsumoto,Kenji Fujii,Kazuhiro Asai,Kunihito Uohashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Textile base with low permeability, meant for articles with double-sided coatings and method of manufacturing it

Номер патента: RU2349697C2. Автор: Кейт ФИЦПАТРИК. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-03-20.

Method of forming mucoperiosteal palatine flap

Номер патента: RU2743838C1. Автор: Александр Анатольевич Слетов,Александр Вадимович Жидовинов,Валерия Александровна Слетова,Дмитрий Валерьевич Михальченко,Владислав Дмитриевич Винтаев,Бениамин Яковлевич Анаджанян,Зелимхан Саид-Селимович Хубаев,Марина Владимировна Лактионова,Денис Сергеевич Бобров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации ФГБОУ ВО ВолгГМУ МЗ РФ. Дата публикации: 2021-02-26.

Catheter Shaft and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20180243531A1. Автор: Richard E. Stehr,Xiaoping Guo. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming suspended structure

Номер патента: US7465601B2. Автор: Chen-Hsiung Yang,Yu-Fu Kang. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Fish analog product, method of forming same and associated system and mold

Номер патента: WO2024121847A1. Автор: Igor Donskoy,Ron Sicsic. Владелец: Plantish Ltd.. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure forming method, structure forming apparatus, structure forming program and structure forming processing medium

Номер патента: US20200262217A1. Автор: Fusao Nishiura. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Method of manufacturing display device and display device

Номер патента: US10795216B2. Автор: Hideki Nishimura,Futoshi Nakanishi,Tetsuroh Asakura. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method of manufacturing nozzle plate, liquid droplet ejection head and image forming apparatus

Номер патента: US20060156546A1. Автор: Tsutomu Yokouchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of forming suspended structure

Номер патента: US20080138923A1. Автор: Chen-Hsiung Yang,Yu-Fu Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Method of forming hydrophobic coating layer on surface of nozzle plate of inkjet head

Номер патента: US20070182767A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Woon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Overlay measurement device and method and method of forming overlay pattern

Номер патента: US20160025484A1. Автор: Kwang-sub Yoon,Tae-Sun Kim,Jae-Kyung Seo,Bum-Joon Youn,Ki-Man Lee,Bi-Zheng WANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Two-dimensional magnetic recording read head with TaOx layer for flat middle shield topography and method of forming thereof

Номер патента: US12131759B2. Автор: Guanxiong Li,Ming Mao,Hongquan Jiang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Catheter shaft and method of its manufacture

Номер патента: US09987463B2. Автор: Richard E. Stehr,Xiaoping Guo. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of blanking parts from multilayer sheets with central metal layer and elastic outer layers

Номер патента: RU2483823C1. Автор: Геннадий Васильевич Панфилов,Кирилл Владимирович Власов,Павел Владимирович Судаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2013-06-10.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining multi-layered covering

Номер патента: RU2534258C1. Автор: Людмила Павловна Борило,Лариса Николаевна Спивакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of producing hot-formed copper base products from molten-metal

Номер патента: AU1277966A. Автор: Baxter Cofer Daniel. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1968-04-26.

Method of producing hot-formed copper base products

Номер патента: AU1277866A. Автор: Baxter Cofer Daniel. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1968-04-26.

Method of producing hot-formed copper base products from molten-metal

Номер патента: AU414329B2. Автор: Baxter Cofer Daniel. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1968-04-26.

Method of producing hot-formed copper base products

Номер патента: AU411983B2. Автор: Baxter Cofer Daniel. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1968-04-26.

METHOD OF FIGHTING FIRES ON THE TOP FLOORS OF HIGH-RISE BUILDINGS AND STRUCTURES

Номер патента: RU2020110632A. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2021-09-13.

METHOD OF FIGHTING FIRES ON THE TOP FLOORS OF HIGH-RISE BUILDINGS AND STRUCTURES

Номер патента: RU2020102436A. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2021-07-22.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A PATTERNED GATE DIELECTRIC AND STRUCTURE THEREFOR

Номер патента: US20140027813A1. Автор: KURUC Marian,Vavro Iuraj. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

Ecologically safe method of mineral salt deposit mining

Номер патента: RU2206744C1. Автор: В.А. Старцев. Владелец: Старцев Владимир Андреевич. Дата публикации: 2003-06-20.

METHODS OF FORMING A PATTERNED, SILICON-ENRICHED DEVELOPABLE ANTIREFLECTIVE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120177891A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of producing hot-formed copper-base products

Номер патента: CA835345A. Автор: B. Cofer Daniel. Владелец: Southwire Co LLC. Дата публикации: 1970-02-24.

Methods of Forming a Semiconductor Package Using a Seed Layer and Semiconductor Packages Formed Using the Same

Номер патента: US20120083097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

METHODS OF FORMING TRANSISTOR DEVICES WITH HIGH-K INSULATION LAYERS AND THE RESULTING DEVICES

Номер патента: US20140027859A1. Автор: Flachowsky Stefan,Kessler Matthias,GERHARDT Martin. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Method of forming cathode ray tube explosion-proof coating layer and diffuse reflection coating layer thereof

Номер патента: KR960002439A. Автор: 김기한. Владелец: 이헌조. Дата публикации: 1996-01-26.

The welding method of a kind of filter element and printed circuit board (PCB) and structure thereof

Номер патента: CN103228111B. Автор: 张智凯. Владелец: Zhongjiang Yongde Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Method of forming barrier layer between low k material layer and interconnect

Номер патента: TW548794B. Автор: Shyh-Dar Lee,Chen-Chiu Hsue. Владелец: Silicon Integrated Sys Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

METHOD OF MAKING AN INSULATED GATE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SOURCE-SUBSTRATE CONNECTION AND STRUCTURE

Номер патента: US20130043526A1. Автор: Grivna Gordon M.,Iyer Dorai,Pearse Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

METHOD OF MANUFACTURING HETEROGENEOUS ELECTROCHEMICAL CAPACITORS HAVING A DOUBLE ELECTRIC LAYER AND OF MANUFACTURING AND BALANCING THE COULOMBIC CAPACITIES OF ELECTRODES FOR USE THEREIN

Номер патента: US20130298363A1. Автор: Kazaryan Samvel,Kharisov Gamir,Litvinenko Sergey,Razumov Sergey. Владелец: UNIVERSAL SUPERCAPACITORS LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device including a coupled dielectric layer and metal layer, method of fabrication thereof, and material for coupling a dielectric layer and a metal layer in a semiconductor device

Номер патента: EP1924632B1. Автор: Janos Farkas,Cindy Goldberg,Srdjan Kordic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-04-16.

METHODS OF FABRICATING LIGHT EMITTING DEVICES INCLUDING MULTIPLE SEQUENCED LUMINOPHORIC LAYERS, AND DEVICES SO FABRICATED

Номер патента: US20120256211A1. Автор: DILLON Alan Wellford,Cabalu Jasper. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

Method of Increasing the Germanium Concentration in a Silicon-Germanium Layer and Semiconductor Device Comprising Same

Номер патента: US20120280289A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Scheiper Thilo,Javorka Peter. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of blanking parts from multilayer sheets with central metal layer and elastic outer layers

Номер патента: RU2483824C1. Автор: Геннадий Васильевич Панфилов,Кирилл Владимирович Власов,Павел Владимирович Судаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2013-06-10.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR NASAL DILATOR

Номер патента: US20120004683A1. Автор: Gray David,Litman Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Improving Print Performance in Flexographic Printing Plates

Номер патента: US20120003588A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUPPORT PLATFORM AND METHOD OF CONSTRUCTION THEREOF

Номер патента: US20120000020A1. Автор: Newton John Reginald. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTMENT DEVICE AND METHOD OF USING

Номер патента: US20120001053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STILTS WITH NON-CIRCULAR SUPPORT POLE AND METHOD OF IMPROVING SAFETY

Номер патента: US20120004078A1. Автор: . Владелец: CINTA TOOLS, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming magnetoresistive memory element based on tunnel junction and structure thereof

Номер патента: RU2522714C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Сергей Александрович Гусев,Александр Юрьевич Климов,Андрей Александрович Фраерман,Владимир Всеволодович Рогов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2014-07-20.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-7 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-7

Номер патента: US20120004484A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-45 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-45

Номер патента: US20120004486A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming large-size load-bearing structures from glass-reinforced plastic and forming device to this end

Номер патента: RU2405710C1. Автор: Александр Анатольевич Андриенко,Ольга Евгеньевна Федорова,Валерий Михайлович Левшаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технологии судостроения и судоремонта" (ОАО "ЦТСС"). Дата публикации: 2010-12-10.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of reusing hopcalite used in cartridges for respirator box and in collective protection devices

Номер патента: RU2304009C2. Автор: Николай Иванович Алимов,Александр Викторович Шантроха,Игорь Викторович Медвецкий,Петр Алексеевич Болгов,Константин Александрович Тараскин. Владелец: Войсковая часть 61469. Дата публикации: 2007-08-10.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

QUANTUM DOT SENSITIZED WIDE BANDGAP SEMICONDUCTOR PHOTOVOLTAIC DEVICES & METHODS OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120003773A1. Автор: Harkness,IV Samuel D.,Richter Hans J.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.