Opening fill process and structure formed thereby
Номер патента: US09627313B2
Опубликовано: 18-04-2017
Автор(ы): Chi-Yuan Chen, Chia-Han Lai, Chun-I Tsai, Wei-Jung Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-04-2017
Автор(ы): Chi-Yuan Chen, Chia-Han Lai, Chun-I Tsai, Wei-Jung Lin
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Selective Capping Processes and Structures Formed Thereby
Номер патента: US20220328309A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.