Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor structure forming a plurality of transistors

Semiconductor structure forming a plurality of transistors

Номер патента: US20240222372A1
Опубликовано: 04-07-2024
Автор(ы): Adam JÖNSSON, Lars Tilly, Lars-Erik Wernersson, Simon OLSON, Stefan ANDRIC, Tobias Tired
Принадлежит: C2amps AB
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure forming a plurality of transistors

Номер патента: WO2022233734A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Tobias Tired,Lars Tilly,Simon OLSON,Stefan ANDRIC,Adam JÖNSSON. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure forming a plurality of transistors

Номер патента: EP4086946A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Tobias Tired,Lars Tilly,Simon OLSON,Stefan ANDRIC,Adam JÖNSSON. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2022-11-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20110037122A1. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US7960784B2. Автор: Kao-Way Tu,Cheng-Hui Tung. Владелец: Nicko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451320A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: EP4439646A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Backside contact etch before cavity spacer formation for backside contact of transistor source/drain

Номер патента: US20240332379A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Ehren Mannebach,Kai Loon CHEONG,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413536A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220052040A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and its fabricating method

Номер патента: US12087829B2. Автор: Bing ZOU,Cheng Yeh HSU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures and method for forming the same

Номер патента: US20210159311A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240355911A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240079447A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure with conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378260A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210098589A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure forming a plurality of transistors

Номер патента: EP4334972A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Tobias Tired,Lars Tilly,Simon OLSON,Stefan ANDRIC,Adam JÖNSSON. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908906B2. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structures in a wide gate pitch region of semiconductor devices

Номер патента: US20210111261A1. Автор: Haiting Wang,Judson Robert Holt,Jiehui SHU,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240030340A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12021140B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US11810973B2. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240194567A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure, method for forming same, and memory

Номер патента: EP3933921A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Resistor disposed directly upon a sac cap of a gate structure of a semiconductor structure

Номер патента: US09876010B1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991256B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Po-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US09978751B2. Автор: Yu-Jen Wang,Kuo-En HUANG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure having field plates over resurf regions in semiconductor substrate

Номер патента: US20160148994A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Ying-Chieh Tsai,Jeng Gong,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11545396B2. Автор: MAO Li,Deyan CHEN,Dae-Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240063298A1. Автор: BO Su,Jing Zhang,Hailong Yu,Hansu Oh. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134976A1. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240162336A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240021711A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230064521A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11810966B2. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220416049A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240079500A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230420516A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure, method of forming stacked unit layers and method of forming stacked two-dimensional material layers

Номер патента: US11784225B2. Автор: Lain-Jong Li,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Shin-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor structure, method of forming stacked unit layers and method of forming stacked two-dimensional material layers

Номер патента: US20230369404A1. Автор: Lain-Jong Li,Tse-An CHEN,Tung-Ying Lee,Shin-Wei Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US12068409B2. Автор: Kai Cheng,Yu Zhu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220352305A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20210384341A1. Автор: Kai Cheng,Yu Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof, and memory

Номер патента: US20230068461A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Methods of forming a ct pillar between gate structures in a semiconductor

Номер патента: US20180308759A1. Автор: Hui Zang,Josef Watts. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor structure with different fins of finfets

Номер патента: US20140332824A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING A MICROELECTRONIC DEVICE HAVING ONE OR MORE QUANTUM THREADS FOR FORMING A CHANNEL OR MORE CHANNELS OF TRANSISTORS

Номер патента: FR2884648B1. Автор: Thomas Ernst,Stephan Borel. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220406915A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230261071A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4167273A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230016445A1. Автор: Hsing-Chi Chen,Soon-Kang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230386895A1. Автор: Hsing-Chi Chen,Soon-Kang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12020980B2. Автор: Hsing-Chi Chen,Soon-Kang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230413537A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming semiconductor structure including suspended semiconductor layer and resulting structure

Номер патента: US09805988B1. Автор: Guillaume Bouche,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180151438A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Threshold Voltage Adjustment for a Gate-All-Around Semiconductor Structure

Номер патента: US20200035562A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Threshold voltage adjustment for a gate-all-around semiconductor structure

Номер патента: US20180337094A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Chung-Cheng Wu,Hung-Li Chiang,Huan-Sheng WEI,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: GB2625965A. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: US12046643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure, method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230345706A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structures with power rail disposed under active gate

Номер патента: WO2023041994A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure, formation method, and operation method

Номер патента: US20240250087A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250027A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10439066B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Miccroelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355849A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067480A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230369493A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure and forming method thereof, and photomask layout

Номер патента: US20240006515A1. Автор: JISONG Jin,Jun Wang,Kuchanari SUBHASH,Nalawar PRASANNA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US20160087100A1. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240363703A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160204197A1. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240006479A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor structure including a transistor having stress creating regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09812573B1. Автор: Maciej Wiatr,Chung Foong Tan,Arkadiusz Malinowski,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220320319A1. Автор: Jun He,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Ming-Te Chen,Hui-Ting Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4358672A1. Автор: Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220352155A1. Автор: Zhong Yuan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing South China Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structures

Номер патента: US20200211904A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US20170025442A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20210066498A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240114673A1. Автор: Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US20210391330A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor structure having contact holes between sidewall spacers

Номер патента: US10134639B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

A semiconductor structure and a method for cutting a semiconductor fin

Номер патента: EP3675159A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20200335405A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: US20190067453A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods of forming semiconductor structures comprising thin film transistors including oxide semiconductors

Номер патента: WO2019046374A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20200235214A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Manufacturing method for semiconductor structure

Номер патента: US20240194794A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131297A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131298A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor structure cutting process and structures formed thereby

Номер патента: US12132050B2. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20240371869A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure, static random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20180151572A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240222457A1. Автор: Yu-Jen Liu,Wei-Cheng Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure of trench transistors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210376087A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Fang-Hsin Lu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure and method for forming ihe same

Номер патента: US11380582B2. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210159119A1. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160079346A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12040370B2. Автор: Yu-Jen Liu,Wei-Cheng Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210496A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4350737A1. Автор: Tonghui Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240072112A1. Автор: Tonghui Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US12094821B2. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: EP4254481A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

High density capacitors formed from thin vertical semiconductor structures such as FinFETs

Номер патента: US09929147B2. Автор: Marc L. Tarabbia,Zhonghai Shi. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming a microwave array transistor for low-noise and high-power applications

Номер патента: US6423603B2. Автор: Robert A. Groves,Dale K. Jadus,Dominique L. Nguyen-Ngoc,Keith M. Walter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-23.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method of Forming a Semiconductor Structure Having Integrated Snubber Resistance

Номер патента: US20170186861A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of forming a semiconductor structure having integrated snubber resistance

Номер патента: US9966464B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structure having a center dummy region

Номер патента: US20160240540A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240341085A1. Автор: Zhi Zhang,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240170535A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Preparation method for semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230028597A1. Автор: Xiaoling Wang,Hai-Han Hung,Min-Hui Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure, method for forming same and layout structure

Номер патента: US20230018639A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Three dimensional stacked semiconductor structure

Номер патента: US09741731B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure

Номер патента: US20170222003A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chun-Che Huang,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor devices having a plurality of unit cell transistors that have smoothed turn-on behavior and improved linearity

Номер патента: US20180374943A1. Автор: Saptharishi Sriram,Scott Sheppard,Yueying Liu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230089265A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12114478B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230018059A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230395700A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of Forming A Gated Diode Structure for Eliminating RIE Damage From Cap Removal

Номер патента: US20140206160A1. Автор: Edward P. Maciejewski,Arvind Kumar,Dustin K. Slisher,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20200075713A1. Автор: Wayne I. Kinney,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190027607A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Method for manufacturing semiconductor structure with thin film transistor

Номер патента: US20240038893A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A3. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US09859170B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Yung-Feng Cheng,Chia-Lin Lu,Shu-Ru Wang,Chia-Wei Huang,Jia-Rong Wu,Ming-Jui Chen,Yi-Hui Lee,Wei-Cyuan Lo,Ying-Cheng Liu,Tan-Ya Yin,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US12048133B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with beryllium oxide

Номер патента: US20140145314A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor structure with buried power rail and integrated circuit

Номер патента: EP4379812A2. Автор: Po-Chao Tsao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10741670B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067449A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773910B2. Автор: Chung-Yi Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structures and fabrication method

Номер патента: US20140061807A1. Автор: Bin Zhang,Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structure having enlarged regrowth regions and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160365448A1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Chin-I Liao,Shih-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389268A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180286983A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structures

Номер патента: US20170213829A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structures

Номер патента: US09911742B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190067155A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230070135A1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837323B2. Автор: Lei Fang,HONG SUN,Jiao Wang,Gangning Wang,Guangli Yang,Yunpeng PENG,Chih Chun Tai,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2012163046A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200013873A1. Автор: Nan Wang,Ruoyuan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor structure and formation method thereof, and memory

Номер патента: US20230413535A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11508731B1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210050225A1. Автор: ZHANG Cheng Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20220165738A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: EP3166137A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-10.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4318549A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230411412A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200035782A1. Автор: Yu-Hsiang Hung,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Le-Tien Jung,Li-Wei Feng,Wei-Lun Hsu,Ming-Te Wei. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375617A1. Автор: Hongbo Zhu,Yongbo FENG,Houyou WANG,Mingyang TSAI. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307855A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230354584A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for Forming a Semiconductor Structure Having a Porous Semiconductor Layer in RF Devices

Номер патента: US20210375618A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240088279A1. Автор: Po-Wen Su,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for Forming a Test Pad and Method for Performing Array Test Using the Test Pad

Номер патента: US20160341789A1. Автор: Peng Du,Yutong HU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof and memory

Номер патента: US20230328959A1. Автор: Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Embedded stressor for semiconductor structures

Номер патента: US20120261728A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Philip J. Oldiges,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Inline monitoring of transistor-to-transistor critical dimension

Номер патента: US20170271220A1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Inline monitoring of transistor-to-transistor critical dimension

Номер патента: US09768084B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Preparation method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4340563A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-20.

Method of forming a semiconductor device with a seed layer migration process

Номер патента: US12051754B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230397407A1. Автор: Kanyu Cao,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure and related method

Номер патента: US20200035545A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor Structure and Related Method

Номер патента: US20180061698A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Embedded stressor for semiconductor structures

Номер патента: US20110121370A1. Автор: Dechao Guo,Shu-Jen Han,Philip J. Oldiges,Pranita Kulkarni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230238446A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure suitable for forming a solar cell

Номер патента: WO2004047184A3. Автор: Barbara Foley Barenburg. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20240113167A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with a contact to source/drain layers and fabrication method thereof

Номер патента: US12131990B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20170373169A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structures

Номер патента: US20200335604A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200393386A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200271595A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US20170256390A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor structures, static random access momories, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20190304844A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240290838A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: US20220093398A1. Автор: Zhenyu Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: US11961737B2. Автор: Zhenyu Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure with patterned fin structure

Номер патента: US12131901B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structures and static random access momories

Номер патента: US20210020520A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4284137A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4328969A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Method of forming a distributed power device with low voltage collector protection

Номер патента: US20030228730A1. Автор: David Grant,Taylor Efland,Chin-Yu Tsai,Ramanathan Ramani,Dale Skelton. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A2. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus Vtt. Дата публикации: 1999-12-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: EP1093669A2. Автор: Arto Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus RANTALA. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2001-04-25.

Semiconductor structure and procedure for minimizing non-idealities

Номер патента: US6501126B1. Автор: Arto Rantala. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2002-12-31.

Semiconductor structure and procedure for minimising non-idealities

Номер патента: WO1999067827A3. Автор: Arto Rantala. Владелец: Arto Rantala. Дата публикации: 2000-02-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4024456A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US9502260B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Forming gate line-end of semiconductor structures with improved metal gate height

Номер патента: US12068196B2. Автор: Kei-Wei Chen,Che-Hao Tu,Che-Liang Chung,Chih-Wen Liu,You-Shiang Lin,Yi-Ching Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190259877A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210074829A1. Автор: Peng Yang,Bo Li,Ruizhi TANG,Lin Liu,Jialei Liu,Jinyu FU,Haojun HUANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230154848A1. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method for forming thereof

Номер патента: US20070170500A1. Автор: Jiunn-Ren Hwang,Wei-Tsun Shiau,Yi-Cheng (Alex) Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190272996A1. Автор: LIANG Chen,Xiao Bo Li,Chao Feng Zhou,Xiao Yan ZHONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20180061656A1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09905430B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure with self-aligned conductive features

Номер патента: US20240038855A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Wang-Jung HSUEH,Chung-Hao CAI,Chia-Hsien Yao,Yen-Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for making FINFETs and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US8729638B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180012810A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor structure, forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4350736A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor strucutre, and memory

Номер патента: US20240074164A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230413507A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4319529A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12119222B2. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170294484A1. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09842881B2. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006405A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Hung Chen,Ruei-Yau Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Embedded DRAM cells having capacitors within trench silicide trenches of a semiconductor structure

Номер патента: US09831248B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240188286A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230420293A1. Автор: Ying Song,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of forming a semiconductor structure including a vertical nanowire

Номер патента: US20140206157A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky,Tim Baldauf,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230317723A1. Автор: Wei-Ling Chang,Jung-Chan YANG,Hsiang-Jen TSENG,Ni-Wan Fan,Tommy Hu,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure, forming method thereof and memory

Номер патента: US20230138466A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230189508A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051620B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210005466A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220392901A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for making enhanced semiconductor structures in single wafer processing chamber with desired uniformity control

Номер патента: EP3295484A1. Автор: Nyles Cody,Robert John Stephenson,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-03-21.

Semiconductor structure comprising an active semiconductor layer of the III-V type on a buffer layer stack and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US9991346B2. Автор: Stefan Degroote,Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4310889A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor structure having doped active pillars in trenches

Номер патента: US10629615B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor structure having a plurality of strip doped regions

Номер патента: US20230024109A1. Автор: Chia-hao Lee,Shih-Chieh Chien,Chia-Shen LIU,Din-Ru YANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure with dispersedly arranged active region trenches

Номер патента: US20130270669A1. Автор: Chih-Chiang Chuang,Chao-Hsin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11942522B2. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997397B2. Автор: Yu-Lien Huang,Meng-Ku Chen,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US09985045B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190157289A1. Автор: Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230354575A1. Автор: Jiawei Zhang,Changli Zhu,Jinguo FANG. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240071809A1. Автор: Yuanxi Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US20160254147A1. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230020883A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140124945A1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US8735969B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih,Shih-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063254A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230328955A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Structure and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20130119403A1. Автор: Martin Henning Albrecht Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING A PLURALITY THEREOF

Номер патента: US20200365593A1. Автор: Ma Lin,Chen Wenliang. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor structure having buried track conductors, and method for generating an electrical contact with buried track conductors

Номер патента: US20030006506A1. Автор: Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Klaus-Dieter Morhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-09.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US20160064322A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure with through-silicon via

Номер патента: US09859192B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Yu-Hua Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and layout structure for memory devices

Номер патента: US20150206894A1. Автор: Wei Cheng,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

High speed, low latency bus modulation method and apparatus including a semiconductor structure for implementing same

Номер патента: US20030036259A1. Автор: David Gurney,Larry Tate. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Apparatus, method and process to determine a threshold voltage so that leakage power of a plurality of transistors is inversely proportional to a plurality of processor cores

Номер патента: US8799684B2. Автор: Keisuke Muraya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US10475755B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US10115685B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US20190067222A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20180226368A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Vincent Chen,Hung-Yi Kuo,Chuei-Tang Wang,Ming Hung TSENG,Wei-Ting Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and memory

Номер патента: EP4358137A1. Автор: Qilong WU,Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure comprising various via structures

Номер патента: US20240363364A1. Автор: Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Hui-Chun Chiang,Jen-Fu Liu,Cheng-Chieh Wu,Li-Ko Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure for sram cell

Номер патента: US20210057421A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Assist cuts disposed in dummy lines to improve metal signal cuts in active lines of a semiconductor structure

Номер патента: US09905552B1. Автор: Lei Yuan,Harry J. Levinson,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220077009A1. Автор: CHEN Huang,Meng-Feng Tsai,Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure, method for manufacturing same, and semiconductor memory

Номер патента: US20240081046A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for processing semiconductor structure

Номер патента: EP3951837A1. Автор: Shin-Hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4167276A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063255A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor and memory

Номер патента: US20230061246A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230369174A1. Автор: Miaomiao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US20210366761A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure having air gap dielectric

Номер патента: US11798839B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230223429A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4199043A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and fabrication method therefor

Номер патента: US20240090196A1. Автор: Liutao ZHOU,Shuo Pan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220254737A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor structure

Номер патента: US11855007B2. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure having a test structure formed in a group III nitride layer

Номер патента: US09947600B2. Автор: Clemens Ostermaier,Bernhard Brunner,Franz Heider. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038586A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210013159A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US11348879B2. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230326756A1. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Light-emitting semiconductor structure and light-emitting semiconductor substrate

Номер патента: US20210399174A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CONDUCTIVE BUMPS WITH A PLURALITY OF METAL LAYERS

Номер патента: US20150155258A1. Автор: Lin Chun-Tang,Lai Yi-Che,Chan Mu-Hsuan,CHAN Chien-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor structure suitable for forming a solar cell

Номер патента: AU2002368370A8. Автор: Barbara Foley Barenburg. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Methods of forming at least one conductive element, methods of forming a semiconductor structure, methods of forming a memory cell and related semiconductor structures

Номер патента: EP2686875A2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-22.

Methods of forming at least one conductive element, methods of forming a semiconductor structure, methods of forming a memory cell and related semiconductor structures

Номер патента: CN103503116A. Автор: 斯科特·E·西里斯,尼尚特·辛哈,山·D·唐,惠特尼·L·韦斯特,罗布·B·古德温. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing a plurality thereof

Номер патента: TWI780666B. Автор: 文良 陳,林 馬. Владелец: 愛普科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-10-11.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, METHOD FOR FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND FLUID EJECTOR DEVICE

Номер патента: BRPI0515713B1. Автор: Dodd Simon,S. Wang Jonathan,W. Tom Dennis,R. Bryant Frank,E. Mcmahon Terry,Todd Miller Richard,T. Hindman Gregory. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2018-02-14.

Semiconductor structure suitable for forming a solar cell

Номер патента: AU2002368370A1. Автор: Barbara Foley Barenburg. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220085194A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-03-17.

Self-organized quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US12107155B2. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2024-10-01.

Display substrate comprising scattering structure formed in anode and including plurality of mutually staggered grooves, method for preparing the same, and display device

Номер патента: US11716888B2. Автор: Yangpeng WANG,Yao Hu,Guoqiang Tang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor structure with chirp layer

Номер патента: US20210036183A1. Автор: Norbert Krause,Guilherme Tosi. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

ZnO-containing semiconductor structure and manufacturing thereof

Номер патента: US09947826B2. Автор: Yuka Sato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Self-organized quantum dot manufacturing method and quantum dot semiconductor structure

Номер патента: US20220020588A1. Автор: Ching-Lun Chen,Pei-Wen Li,Tsung-Lin Huang,Kang-Ping Peng. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-01-20.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Formation of semiconductor structures with variable gate lengths

Номер патента: US8999791B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4231342A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US09859462B2. Автор: Chi-Feng Huang,Sheng-Han Tu. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing Method of Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20240298434A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210035803A1. Автор: Zhao Hai,Zhao Junhong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of a semiconductor structure

Номер патента: US20160104647A1. Автор: Chih-Sen Huang,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: EP3758065A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230328952A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230420492A1. Автор: Chang Liang,Zhigang Duan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming a semiconductor structure using dehydrating chemical, and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210265221A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure and preparation method therefor, and memory and preparation method therefor

Номер патента: EP4322219A1. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu,Kanyu Cao,Huaiwei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210184108A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method for manufacturing a semiconductor structure and a semiconductor structure

Номер патента: US20220223419A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240023317A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230012447A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US09978795B1. Автор: Wen-Chieh Wang,Jy-Hwang Lin,Tien-SHang Kuo,Hua-Wei Peng,Fu-Hsuan Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20240008247A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20210408006A1. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Stacked semiconductor structure

Номер патента: US20240363668A1. Автор: Kazuaki Hashimoto,Wei-Chieh Chiang,Keng-Yu Chou,Chun-Hao Chuang,Wen-Hau Wu,Chien-Hsien Tseng,Cheng Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389278A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Light sensitive semiconductor structures

Номер патента: GB2628444A. Автор: GABLER Daniel,Siles Pablo,Ai Qiang,Abdulrahman Tamer,Hong Tan Tong. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150228720A1. Автор: Chiu-Jung Chen,Hsin-Chi Chen,Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Chen-Chun Chen,Fu-Tsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor structure, preparation method of semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230225107A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220271039A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220319915A1. Автор: Jingwen Lu,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230033022A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Leilei DUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389281A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Wiring structure of transistor for driving a display panel and a display driver ic including the same

Номер патента: US20240194693A1. Автор: Cheongsik YU. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049451A1. Автор: Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory

Номер патента: US20230328954A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389298A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301066A1. Автор: Xinran Liu,Gongyi WU,Longyang Chen,Yachao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and capacitor structure

Номер патента: US20230034079A1. Автор: Ting-Chung Chiu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220310614A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230171952A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20200168615A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230043941A1. Автор: Peng Yang,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US20220068928A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070224810A1. Автор: Werner Graf. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor structure and method of fabricating same

Номер патента: US20230048193A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory, semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20230320060A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220052150A1. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230047893A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and micro semiconductor display device

Номер патента: US20210020816A1. Автор: Yi-Min Su,Chih-Ling Wu,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068654A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220037333A1. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure and integrated circuit

Номер патента: US20210327879A1. Автор: Shih-Ping Lee,Bo-An Tsai,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220320110A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230055073A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230081676A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230005920A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375879A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230041544A1. Автор: Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230116155A1. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397399A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220108929A1. Автор: Tsang-Po Yang,Jui-Hsiu JAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220051955A1. Автор: Tsang-Po Yang,Jui-Hsiu JAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210320107A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12133375B2. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240274466A1. Автор: JISONG Jin,YICHAO Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for correcting semiconductor mask pattern and semiconductor structure formed by applying the same

Номер патента: US12055849B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen-Ting Pan,Sheng-Lun TSENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Light Sensitive Semiconductor Structures

Номер патента: US20240322062A1. Автор: Daniel Gäbler,Pablo Siles,Qiang Ai,Tamer Abdulrahman,Tong Hong Tan. Владелец: X Fab Global Services GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor structures

Номер патента: EP4165681A1. Автор: Peter Carrington,Evangelia DELLI. Владелец: Lancaster University. Дата публикации: 2023-04-19.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure implementing sacrificial material and methods for making and implementing the same

Номер патента: WO2002103791A2. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2002-12-27.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12082401B2. Автор: Xinman CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230065123A1. Автор: Jin Peng,ZHENG Xiang,Ziqun HUA,Zuhui Zheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12068158B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming semiconductor structure with aligning mark in dicing region

Номер патента: US09960123B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structures

Номер патента: US20180012842A1. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Patterning method and semiconductor structure

Номер патента: US11990345B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US9793209B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for removing epitaxial layer and respective semiconductor structure

Номер патента: US20240363416A1. Автор: Soeren Steudel,Johan Vertommen. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4355048A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220108946A1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment

Номер патента: US20240347449A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200211637A1. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10916296B2. Автор: Xiaojun Zhou. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-09.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200098615A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4210095A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11417609B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-08-16.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347379A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347378A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230420434A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230009114A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam

Номер патента: US20240250201A1. Автор: Taeseok Kim,Pei Hsuan LU,Benjamin I. Hsia. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Process for collectively fabricating a plurality of semiconductor structures

Номер патента: US11876073B2. Автор: David Sotta. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210313394A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Package structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: SG189617A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LIN Shu-Chen,Hsieh Yung-Wei,Yeh Jun-Yu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Semiconductor packaging method and the structure formed therefrom

Номер патента: US20240258260A1. Автор: Hwee Seng Chew. Владелец: PEP INNOVATION PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12133376B2. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380191A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and its formation method

Номер патента: US20220084818A1. Автор: JIANG Chu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure including a die seal leakage detection material, method for the formation thereof and method including a test of a semiconductor structure

Номер патента: US20160111381A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Oliver Aubel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure comprising various via structures

Номер патента: US12087597B2. Автор: Ming Hung TSENG,Yen-Liang Lin,Hui-Chun Chiang,Jen-Fu Liu,Cheng-Chieh Wu,Li-Ko Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20180047585A1. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Chun-Hung Lee,Tzu-Yen Hsieh,Dai-Lin WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Optoelectronic component, semiconductor structure and method

Номер патента: US20220376134A1. Автор: Christian Berger,Stefan Illek,Petrus Sundgren,Andreas Biebersdorf,Christoph Klemp,Ines Pietzonka,Felix FEIX,Ana Kanevce. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-11-24.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US12087718B2. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132077B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method to reduce resistance for a copper (CU) interconnect landing on multilayered metal contacts, and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US09991202B2. Автор: Atsushi Ogino,Justin C. Long,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985006B2. Автор: Shin-puu Jeng,Jui-Pin Hung,Feng-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Fully molded semiconductor structure with face mounted passives and method of making the same

Номер патента: US20220352106A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Benedict San Jose. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200251439A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for forming a semiconductor structure and the semiconductor structure formed thereby

Номер патента: US20180261622A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200176268A1. Автор: DUOHUI Bei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor structure implementing sacrificial material

Номер патента: IL157828A. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: David Wei. Дата публикации: 2010-06-16.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240096853A1. Автор: Yuan Fang,Yanwu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Stacked Semiconductor Structure and Method

Номер патента: US20170323869A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI20225935A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-15.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: FI130838B1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: EP4439631A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20240321579A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230013786A1. Автор: Junbo PAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230223369A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11735487B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09935073B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-feng Chen,Sheng-Yu Wu,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240222297A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Xin You,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG,Yung-Tai HUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor Structure and Method of Forming

Номер патента: US20170301562A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Patterning Process of a Semiconductor Structure with a Middle Layer

Номер патента: US20200066524A1. Автор: Chien-Chih Chen,ChienWei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240312791A1. Автор: Kai Jen,Hsiang-Po LIU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09960146B1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865566B1. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230389301A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor and memory

Номер патента: EP4276882A1. Автор: Deyuan Xiao,Weiping BAI,Xingsong SU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing semiconductor structure with material in monocrystalline phase

Номер патента: US20240038528A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structures including metal wires with edge curvature

Номер патента: US20240282630A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Shanti Pancharatnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Epitaxial semiconductor structure and epitaxial substrate

Номер патента: US11824016B2. Автор: Chi-Heng Chen,Yuan-Ting Fei. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing mask structure, semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12119226B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US09941186B2. Автор: Yu-Min LIANG,Chi-Yang Yu,Chin-Liang Chen,Kuan-Lin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices having adjoined via structures formed by bonding and methods for forming the same

Номер патента: US11887954B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230157008A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Composite substrate, method for preparing the same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240372036A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Iii-v semiconductor structure and manufacturing method

Номер патента: WO2024079394A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11929282B2. Автор: Jingwen Lu,Zhaopei CUI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for correcting semiconductor mask pattern and semiconductor structure formed by applying the same

Номер патента: US20220365418A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Yen-Ting Pan,Sheng-Lun TSENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure formed with inductance elements

Номер патента: US11869854B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20240274531A1. Автор: Yifei Yan,Daochu Wu,Xinyan Hong,Chao-Lun Fu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20230049202A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Gang-Yi Lin,Yifei Yan,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240313042A1. Автор: JISONG Jin,YICHAO Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339325A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131908B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20220208677A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200381360A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11791265B2. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20200266147A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Jifeng Zhu,Si Ping HU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366828A1. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11670584B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Improved gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses with multi-step deposition/anneal process

Номер патента: EP1025583A1. Автор: Matthias Ilg,Markus Kirchhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-08-09.

Improved gapfill of semiconductor structure using doped silicate glasses with multi-step deposition/anneal process

Номер патента: WO1999017358A1. Автор: Matthias Ilg,Markus Kirchhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-04-08.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US12133378B2. Автор: Wei Zhong Li,Hsih Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for forming a dielectric layer in a semiconductor device by using etch stop layers

Номер патента: US20020055202A1. Автор: Chih-Sheng Yang,Kuei-Chang Tsai,Yun-Liang Ouyang,Chih-hung Shu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230282617A1. Автор: Cheng-Jer Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Pulsed plasma system for etching semiconductor structures

Номер патента: WO2008103454A3. Автор: Alexander Paterson,Valentin N Todorow,Tae Won Kim,Kyeong-Tae Lee,Shashank C Deshmukh. Владелец: Shashank C Deshmukh. Дата публикации: 2008-10-23.

Forming a reticle for extreme ultraviolet radiation and structures formed thereby

Номер патента: US20060102986A1. Автор: Bryan Rice,Kramadhati Ravi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US20100237475A1. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Neutralization of trapped charge in a charge accumulation layer of a semiconductor structure

Номер патента: US8035200B2. Автор: John M. Aitken,Ethan Harrison Cannon,Alvin Wayne Strong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Device, method and system to prevent pattern collapse in a semiconductor structure

Номер патента: US12113012B2. Автор: Errol Todd Ryan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230231005A1. Автор: BO Yang,Xiaoyu Yang,Kai Cao,Juncai Li,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230345699A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240170296A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Hung-Jung Yan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230292530A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Hybrid bonding of semiconductor structures to advanced substrate panels

Номер патента: WO2024019974A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Vincent DiCaprio,Anup Pancholi,Marvin Louis Bernt,Avinash Shantaram. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Methods of testing a semiconductor structure

Номер патента: EP2901168A1. Автор: Cheang-Whang CHANG,Myongseob Kim,Henley Liu,Boon Y. Ang,Yuqing Gong,Suresh P. PARAMESWARAN. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2015-08-05.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Display panel including active layers of transistors and photosensors disposed at a same layer, and method of manufacturing display panel

Номер патента: US12131573B2. Автор: Jiyue SONG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US10854558B2. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230317507A1. Автор: Taegyun Kim,Runping WU,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273048A1. Автор: Jun Yang,Deng Feng JI,Hong Tao LIU,You He SHA,Chen Xiao WANG,Ying Nan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220068811A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor Structures

Номер патента: US20230137608A1. Автор: Peter Carrington,Evangelia DELLI. Владелец: Lancaster University. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure

Номер патента: US20140084474A1. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2014-03-27.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4329454A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Xingsong SU,Yunsong QIU,Mengkang YU,Juan Juan HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Three-dimensional semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240023324A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure with testing pads and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240170349A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuo Wen Chen,Chih-Hsuan Tai,Yu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09887132B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: CA1212181A. Автор: Michael G. Adlerstein. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1986-09-30.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11682638B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor structure and manufacture method therefor

Номер патента: US20230282765A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for electrochemically etching a semiconductor structure

Номер патента: US20210057601A1. Автор: Peter Griffin,Tongtong ZHU,Yingjun Liu,Rachel A. OLIVER. Владелец: CAMBRIDGE ENTERPRISE LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220344283A1. Автор: Ming-Che Lin,Yu-An Chen,Chi-Ching Liu,Tso-Hua HUNG,Hsiu-Pin Chen,Sung-Ying Wen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220301871A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Patterned epitaxial substrate and semiconductor structure

Номер патента: US11495709B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,sheng-yuan Sun,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230069214A1. Автор: Wen-Chih Chiou,Hung-Pin Chang,Tsang-Jiuh Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Patterned epitaxial substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20210265527A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,sheng-yuan Sun,Chien-Chih Yen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure with inhomogeneous regions

Номер патента: US09923118B2. Автор: Rakesh Jain,Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with inhomogeneous regions

Номер патента: US09923117B2. Автор: Rakesh Jain,Michael Shur,Alexander Dobrinsky,Maxim S. Shatalov,Remigijus Gaska,Jinwei Yang,Alexander Lunev. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structures and packaging methods

Номер патента: US6028347A. Автор: John B. Sauber,John A. Kowaleski, Jr.,Jeffrey G. Maggard. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 2000-02-22.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190140018A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420262A1. Автор: Yang Yuan,Tongqing CHEN,Zuohua ZHU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure for electrodeposition bonding

Номер патента: WO2023143907A1. Автор: Takashi Hisada,Toyohiro Aoki,Koki Nakamura. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory chip and electronic device

Номер патента: EP4328968A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Forming method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139763A1. Автор: Zhan Ying,Yuhan ZHU,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266184A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

High aspect ratio via fill process employing selective metal deposition and structures formed by the same

Номер патента: US12087628B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Fumitaka Amano. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US12082392B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Laser dicing system and method for dicing semiconductor structure including cutting street

Номер патента: US12106985B2. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structures and manufacturing methods

Номер патента: US5144413A. Автор: Michael G. Adlerstein. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210183700A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11532513B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-12-20.

System on integrated chips (SoIC) and semiconductor structures with integrated SoIC

Номер патента: US11894309B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230378130A1. Автор: Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Pu Wang,An-Jhih Su,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure including MIM capacitor and method of forming the same

Номер патента: US11862665B2. Автор: I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230411166A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and formation method therefor

Номер патента: EP4131354A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4287241A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Youming Liu,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4294145A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4303910A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Intelligent power module containing exposed surfaces of transistor die supporting elements

Номер патента: US20230282554A1. Автор: Bum-Seok Suh,JunHo Lee,Zhiqiang Niu,Jong-mu LEE,Xiaorong Ge. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure and fabrication method

Номер патента: US20190273043A1. Автор: Xing Hua SONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Multi-layer integrated semiconductor structure

Номер патента: WO2004061962A2. Автор: Rafael Reif,Andy Fan,Shamik Das. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2004-07-22.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20180342393A1. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US11882682B2. Автор: Jiancheng Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US11916012B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230061322A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US9514982B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11791163B1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230335407A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11961881B2. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure and light-emitting device with semiconductor structures

Номер патента: WO2019091912A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3933904A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: WO2024091178A1. Автор: Sagnik Ghosh,Jaibir Sharma,Srinivas Merugu,Jiaqiang Eldwin NG. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-05-02.

System on Integrated Chips (SoIC) and Semiconductor Structures with Integrated SoIC

Номер патента: US20240153881A1. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220262676A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US11581219B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US11980019B2. Автор: Han Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230389286A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing a semiconductor structure for detecting vertical electrical leakage

Номер патента: US20240006253A1. Автор: Chun-Shun Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160111366A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure

Номер патента: US20200051875A1. Автор: Matthias PITTNER. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structure and layout thereof, and semiconductor device

Номер патента: EP4156187A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor Structure and Light-Emitting Device with Semiconductor Structures

Номер патента: US20190144746A1. Автор: Joseph Treadway,Bob FITZMORRIS. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4152393A1. Автор: Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US12033920B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming a local interconnect

Номер патента: EP1070348A1. Автор: Robert Dawson,H. Jim Fulford, Jr.,Mark W. Michael,Frederick N. Hause,Mark I. Gardner,Bradley T. Moore,Derick J. Wristers. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10593550B2. Автор: Erhu ZHENG,Jinhe Qi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: GB2626454A. Автор: Johanna Helena Jochem Maria. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2024-07-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230121343A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor Die, Semiconductor Device and Method for Forming a Semiconductor Die

Номер патента: US20230103023A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266183A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming a semiconductor die

Номер патента: EP4406019A1. Автор: Klaus Herold,Thomas Wagner,Martin Ostermayr,Joachim Singer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240355728A1. Автор: Chung-Long Chang,Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Hua-Chou Tseng,Ching-Chung Hsu,Kai-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Heat dissipation structure, method for forming heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12119283B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09984987B2. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09972526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for local high-doping and contacting of a semiconductor structure which comprises a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US8900908B2. Автор: Ulrich JÄGER,Dominik Suwito,Jan Benick. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240008246A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210313260A1. Автор: Zhi Lin LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor structure including a semiconductor wafer and a surface mount component overhanging a periphery of the semiconductor wafer

Номер патента: US11848300B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Yu-Chia Lai,Chih-Hsuan Tai,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220077102A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Yu-Chia Lai,Chih-Hsuan Tai,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Overlay-shift measurement system and method for manufacturing semiconductor structure and measuring alignment mark of semiconductor structure

Номер патента: US20190148123A1. Автор: Yu-Ching Lee,Yu-Piao Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor structure including scribe line structures and method for fabricating the same

Номер патента: US11767219B2. Автор: Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210035935A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210134595A1. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,BO Su,Yan Wang,Erhu ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and mask plate structure

Номер патента: US11984399B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230395535A1. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20220344156A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200111743A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240234035A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220262752A1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Device design for short circuit protection of transistors

Номер патента: EP4380056A3. Автор: Philipp Steinmann,James Richmond,Edward Robert Van Brunt. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046478B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structures comprising polymeric materials

Номер патента: US20170330784A1. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Optical Annealing Apparatus And Method For Forming Semiconductor Structure

Номер патента: US20240105473A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for preparing semiconductor structure using a first mask comprises a groove

Номер патента: US12108593B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing a semiconductor structure comprising a useful layer made of silicon carbide, with improved electrical properties

Номер патента: US20240312831A1. Автор: Walter Schwarzenbach,Gweltaz Gaudin,Emmanuel Rolland,Julie Widiez,Alexis Drouin,Séverin Rouchier. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor packaging method and semiconductor structure

Номер патента: US12131951B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Lixia Zhang,Chuxian LIAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of self-correcting power grid for semiconductor structures

Номер патента: US9214427B2. Автор: Kirk D. Peterson,Cathryn J. Christiansen,Andrew H. NORFLEET,Andrew A. Turner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: US11935917B2. Автор: Chen En Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230050785A1. Автор: Kuan-Yu Huang,Chia-Hao Hsu,Ting-Yu Yeh,Weiming Chris Chen,Kuo-Chiang Ting,Shu-Chia Hsu,Ching-He Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230365403A1. Автор: Chun-Ren Cheng,Yi-Hsien Chang,Wei-Cheng Shen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating (LED) dice using semiconductor structures on a substrate and laser lift-off to a receiving plate

Номер патента: US11862754B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing semiconductor structure having heat dissipation structure

Номер патента: US20240014048A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure as well as manufacturing method therefor, storage chip, and electronic device

Номер патента: EP4319528A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Bump structure having a side recess and semiconductor structure including the same

Номер патента: US20230253355A1. Автор: Chen-Shien Chen,Tin-Hao Kuo,Yen-Liang Lin,Chih-Horng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure

Номер патента: US11901306B2. Автор: Yao-Jen Chang,Chung-Yu Lu,Sao-Ling Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230268298A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US10672612B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Structure, Method of Producing a Semiconductor Structure and Light Emitting Device

Номер патента: US20200287105A1. Автор: Joseph Treadway,Kari N. Haley,James Wyckoff. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Semiconductor Structures On A Substrate And Laser Lift-Off To A Receiving Plate

Номер патента: US20220271198A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI,KOHEl OTAKE. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of manufacturing semiconductor structure having dummy pattern around array area

Номер патента: US11557549B2. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-01-17.

Method of fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20240071981A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Chun-Cheng Lin,Tin-Hao Kuo,Kuo-Lung Pan,Yu-Chia Lai,Chih-Hsuan Tai,Mao-Yen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059445A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor Structure, Layout of Semiconductor Structure and Semiconductor Device

Номер патента: US20230050145A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US12002710B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Yu Chen,Jiing-Feng Yang,Wei-Hao Lin,Chia-Wei Wu,Kuan-Wei Huang,Chang-Wen Chen,Yu-Hsin Chan,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057350A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20190311901A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee,Ying-Chih Lin,Gang-Yi Lin. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor structure having dummy pattern around array area and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210391282A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing semiconductor structure having dummy pattern around array area

Номер патента: US20220122928A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structure processing method and manufacturing method

Номер патента: US12040175B2. Автор: Ning Xi,Meng Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389428A1. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Structure and process for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same and including surface treatment of an oxide layer

Номер патента: US20030015714A1. Автор: Albert Talin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11764062B2. Автор: Fu-Cheng Chang,Ping-Hao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09818938B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and semiconductor structures

Номер патента: US20200243494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Mask pattern, semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210210343A1. Автор: Yingchun Zhang,Qiang SHU,Liusha QIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20190371741A1. Автор: Chin-Yu Ku,Te-Hsun Pang,Rung-De Wang,Chen-Hsun Liu,Po-Chang Lin,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor structure containing pre-polymerized protective layer and method of making thereof

Номер патента: US11776922B2. Автор: Hajime Arai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure, forming method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US11854885B2. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Removal of 3D semiconductor structures by dry etching

Номер патента: US9368672B2. Автор: Daniel Bryce THOMPSON,Cynthia LEMAY. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230413508A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200144282A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384392A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory

Номер патента: EP4322223A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220320011A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11984398B2. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916044B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor structure, forming method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20230055577A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US11678493B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Measuring method and semiconductor structure forming method

Номер патента: US11747131B2. Автор: Che-Hui Lee,Pradip Girdhar Chaudhari. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structure including a suspended membrane containing a central segment of structured thickness

Номер патента: US10666019B2. Автор: Vincent Reboud,Alexei Tchelnokov,Alban GASSENQ,Samuel Tardif,Vincent Calvo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Computing device system and method with racks connected together to form a sled

Номер патента: US11856736B1. Автор: Kamil Lazarowich. Владелец: Core Scientific Operating Co. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for manufacturing semiconductor structure having conductive block connected to transistor on the substrate

Номер патента: US12114481B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Manufacturing method for an integrated semiconductor structure

Номер патента: US20070281417A1. Автор: Daniel Koehler,Peter Baars,Stefan Tegen,Klaus Muemmler,Joern Regul. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4333023A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12127389B2. Автор: Jinfeng GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure, manufacturing method thereof, and memory having bit line conducting layers covering the bit line contact layer and the insulating layer

Номер патента: US12069850B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230413528A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4307368A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure avoiding poly stringer formation

Номер патента: US20050082633A1. Автор: Yuanwei Zheng,Julian Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

Display substrate including a plurality of shift register units

Номер патента: US12039911B2. Автор: Haigang Qing,Yunsheng Xiao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240049452A1. Автор: Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4329456A1. Автор: Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12114486B2. Автор: Wei Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4213210A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-07-19.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230403841A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230238043A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4239667A1. Автор: Guangji Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230422489A1. Автор: Xiaojie Li,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240196588A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12029044B2. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4287256A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Array structure, semiconductor structure, and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240057312A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389265A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280257A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP3955296A1. Автор: Wenhao Hsieh,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230389264A1. Автор: Yang Chen,Shiran ZHANG,Xinru HAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170129771A1. Автор: Chia-Hua Chu,Fei-Lung Lai,Shiang-Chi LIN,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Three-dimensional structure forming powder, three-dimensional structure forming composition, manufacturing method of three-dimensional structure, and three-dimensional structure

Номер патента: WO2015072148A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Eiji Okamoto. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: RU2528277C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Defect detection for semiconductor structures on a wafer

Номер патента: US20230260105A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Philipp Huethwohl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Method and apparatus for testing a semiconductor structure having top-side and bottom-side connections

Номер патента: US20070096760A1. Автор: David Patten,Addi Mistry,Edmond Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Photoconductive Based Electrical Testing of Transistor Arrays

Номер патента: US20080224724A1. Автор: Abraham Gross,Raanan Adin,Arie Glazer,Raphael Ben-Tolila,IIya Leizerson. Владелец: Orbotech Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Photoconductive based electrical testing of transistor arrays

Номер патента: WO2007043051A2. Автор: Abraham Gross,Ilya Leizerson,Raanan Adin,Arie Glazer,Raphael Ben-Tolila. Владелец: ORBOTECH LTD.. Дата публикации: 2007-04-19.

Planar structure from a plurality of folding portions

Номер патента: US20170036589A1. Автор: Ralf GROCHOWSKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Manufacture of integrated structures formed of composite materials

Номер патента: US20150343720A1. Автор: Zev MILLER,Herman Leibovich,Harry Rosenfeld,Daniel Itzchak RUBINSTEIN,Yaniv YUROVITCH,Jacob BEN YAACOV,Gila GHILAI. Владелец: Israel Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Manufacture of integrated structures formed of composite materials

Номер патента: EP2914488A2. Автор: Zev MILLER,Herman Leibovich,Harry Rosenfeld,Daniel Itzchak RUBINSTEIN,Yaniv YUROVITCH,Jacob BEN YAACOV,Gila GHILAI. Владелец: Israel Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Manufacture of integrated structures formed of composite materials

Номер патента: US09889613B2. Автор: Zev MILLER,Herman Leibovich,Harry Rosenfeld,Daniel Itzchak RUBINSTEIN,Yaniv YUROVITCH,Jacob BEN YAACOV,Gila GHILAI. Владелец: Israel Aerospace Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240286889A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US12131111B2. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

METHODS OF FORMING AT LEAST ONE CONDUCTIVE ELEMENT, METHODS OF FORMING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE, METHODS OF FORMING A MEMORY CELL AND RELATED SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20120235106A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protecting contacts of integration circuits with metal-dielectric-semiconductor structure from electrostatic discharges

Номер патента: RU2308146C2. Автор: Наталья Михайловна Горшкова,Наталь Михайловна Горшкова,Ярослав Сергеевич Губин,Артур Гини тович Сибагатуллин,Артур Гиниятович Сибагатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз". Дата публикации: 2007-10-10.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Trigger for complementary microcircuit of metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2541894C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

Continuous structure forming method and the resulting product

Номер патента: CA2091975C. Автор: Leroy Payne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-17.

Semiconductor structures annealing method

Номер патента: RU2567117C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Zero thickness planarization of overgrown semiconductor structures

Номер патента: WO2024194814A1. Автор: Bernard Paquette. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHYSICAL QUANTITY DISTRIBUTION DETECTOR HAVING A PLURALITY OF UNIT COMPONENTS WITH SENSITIVITY TO A PHYSICAL QUANTITY CHANGE OF LIGHT

Номер патента: US20120002088A1. Автор: FUKUSHIMA Noriyuki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR DETERMINING A BREEDING VALUE BASED ON A PLURALITY OF GENETIC MARKERS

Номер патента: US20120004112A1. Автор: Lund Mogens Sandø,Su Guosheng,Guldbrandtsen Bernt. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.