Semiconductor structure and method for forming the same
Номер патента: US11545396B2
Опубликовано: 03-01-2023
Автор(ы): Dae-Sub Jung, Deyan CHEN, MAO Li
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-01-2023
Автор(ы): Dae-Sub Jung, Deyan CHEN, MAO Li
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp, Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor structure, semiconductor assembly and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240170533A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.