Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Method for forming semiconductor structure with nanowire structures

Номер патента: US09875937B2
Опубликовано: 23-01-2018
Автор(ы): Chih-Wei Yang, En-Chiuan Liou, Yu-Cheng Tung
Принадлежит: United Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240047558A1. Автор: Chao Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device with spacer layer

Номер патента: US11784219B2. Автор: Chung-Te Lin,Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210296441A1. Автор: Chung-Te Lin,Mark Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274717A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20170278756A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09831130B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for forming FinFETs with non-merged epitaxial fin extensions

Номер патента: US09484440B2. Автор: Hong He,Shogo Mochizuki,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US09583394B2. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Hon-Huei Liu,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and static random access memory cell

Номер патента: US09607995B2. Автор: Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220140139A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor Structures and Methods for Multi-Level Work Function

Номер патента: US20170117377A1. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with isolation strips

Номер патента: US12051693B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Contact structure with insulating cap and method for forming the same

Номер патента: US20240371998A1. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US09893189B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180019339A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-18.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20180166575A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for reducing contact resistance in semiconductor structures

Номер патента: US20200052120A1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of forming body contact layouts for semiconductor structures

Номер патента: US09960236B2. Автор: Dev Alok Girdhar,Jeffrey Michael Johnston. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US11721744B2. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of making a vertically-aligned three dimensional semiconductor structure

Номер патента: US20220199805A1. Автор: Chung-Yi Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming multi-gate semiconductor structure

Номер патента: US20230420567A1. Автор: Yu-Wen Wang,chun-ming Yang,Yu-Jiun PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4344385A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20200043806A1. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US20170263744A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09698218B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Planarization process for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09859165B1. Автор: Li-Chieh Wu,Hui-Chi Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor structure by using sacrificial layer configured to be replaced subsequently to form bit line, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US11895852B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US20210391330A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09917200B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Nanowire transistor structures with merged source/drain regions using auxiliary pillars

Номер патента: US09608063B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US8933504B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09524965B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Word line structure and method for forming same and semiconductor structure

Номер патента: US20230134208A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180019339A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20200052120A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structure with multi spacer

Номер патента: US09911824B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US11171143B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US20210375939A1. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory and forming method therefor

Номер патента: US12082419B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US12048136B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12100611B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230307283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20230420283A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11862503B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11854857B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US11804396B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240178040A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for forming semiconductor stacked structures on a substrate and related semiconductor structures

Номер патента: US20240204057A1. Автор: Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230369466A1. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure with devices having different effective channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274469A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device with Backside Power Rail and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240379551A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same, memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301070A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, and memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4270489A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12034061B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230070135A1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20180061656A1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09905430B1. Автор: Li-Chieh Hsu,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Yi-Liang Liu,Chien-Nan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method for forming semiconductor structure with sub-fin structures

Номер патента: US09455176B2. Автор: Chien-Ting Lin,Po-Chao Tsao,Shih-Fang Tzou,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Manufacturing method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160314969A1. Автор: Yu-Ying Lin,Yu-Ren Wang,Ted Ming-Lang Guo,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Manufacturing method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09502244B2. Автор: Yu-Ying Lin,Yu-Ren Wang,Ted Ming-Lang Guo,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US20170154978A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20160064486A1. Автор: Kuan-Yu Lin,Kai-Hsiang Chang,Ming-Shan Tsai,Shin-Yeh HUANG,Chih-Chen JIANG,Yi-Wei PENG,Ching-Lun Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09786754B1. Автор: Chih-Ping Lin,Chung-Yeh Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US11823960B2. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20190164848A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US10847636B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for modifying epitaxial growth shape

Номер патента: US09966271B2. Автор: WEI Liu,Hua Chung,Xuebin Li,Yuxiang LU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09607902B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837323B2. Автор: Lei Fang,HONG SUN,Jiao Wang,Gangning Wang,Guangli Yang,Yunpeng PENG,Chih Chun Tai,Dae Sub Jung. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11749741B2. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structures

Номер патента: US20170213829A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structures

Номер патента: US09911742B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor structure with feature spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716096B1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor structure with enlarged volumes of source-drain regions

Номер патента: US20220293773A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Che-Yu Lin,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods for forming FinFETS having a capping layer for reducing punch through leakage

Номер патента: US09595583B2. Автор: Hoon Kim,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method and structure for forming dually strained silicon

Номер патента: US09472671B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods for producing a 3D semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US12033884B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for producing a 3d semiconductor device and structure with memory cells and multiple metal layers

Номер патента: US20240145289A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming semiconductor device structure with metal-semiconductor compound layer

Номер патента: US20210384301A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for forming semiconductor nanowire transistors

Номер патента: US09520484B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12114485B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4243074A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods for introducing carbon to a semiconductor structure and structures formed thereby

Номер патента: US09525024B2. Автор: Chun-Feng Nieh,Pei-Chao Su,Yu-Chen Su,Huang-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240047580A1. Автор: Yi Tang,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4203036A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4350774A1. Автор: Yi Tang,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Methods for Introducing Carbon to a Semiconductor Structure and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20140015104A1. Автор: Chun-Feng Nieh,Pei-Chao Su,Yu-Chen Su,Huang-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GATE STRUCTURE WITH DOPED HARD MASK

Номер патента: US20170263744A1. Автор: Hung Ching-Wen,Chang Feng-Yi,Chen Chun-Lung,Huang Chih-Sen,Liao Kun-Yuan,Lu Chia-Lin,HUANG WEI-HAO. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230064521A1. Автор: Qinghua Han,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US20160351564A1. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US09536984B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structures including conducting structure and methods for making the same

Номер патента: US20240145593A1. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for producing 3d semiconductor memory devices and structures with a single-crystal layer

Номер патента: US20220223459A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for producing a 3d semiconductor device and structure with single crystal transistors

Номер патента: US20220336252A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09589960B1. Автор: Kyung-Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Hybrid semiconductor structure

Номер патента: US20090146133A1. Автор: Oliver Hayden,Heinz Schmid,Walter Heinrich Riess,Heike E. Riel,Mikael T. Bjoerk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming flash memory structure

Номер патента: US09859295B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190027607A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US12040400B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming semiconductor device structure with nanostructure

Номер патента: US20220352366A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09685541B2. Автор: Yen-Liang Wu,Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09583356B1. Автор: Chung-Bin Tseng,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Yi-Hung Chen,Yi-Jie Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09502567B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming semiconductor substrate with convex shaped active region

Номер патента: US20030157759A1. Автор: Yin-Pin Wang,Hsin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for forming semiconductor components having self-aligned trench contacts

Номер патента: US09660047B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US20170222007A1. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US9502260B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347591A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09978641B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US09502260B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for forming lateral super-junction structure

Номер патента: US09450045B1. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming semiconductor device structure having oxide layer

Номер патента: US20200020544A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chih-Cheng Lin,Ziwei Fang,I-Ming Chang,Wei-Ming You,Chi-Ying Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960084B1. Автор: Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Wen-Jiun Shen,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing a semiconductor structure, semiconductor structure, and electronic device

Номер патента: US09768251B2. Автор: Heinz Schmid,Heike E. Riel,Mattias B. Borg,Kirsten E. Moselund. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09735251B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing finfet structure with doped region

Номер патента: US20190165143A1. Автор: Chun-Hsiung Tsai,Shih-Chieh Chang,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure with conductive layer between gate and gate contact

Номер патента: US20200058794A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190259877A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Yu-Lin Yang,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods for forming a transistor

Номер патента: EP1759409A2. Автор: Victor Moroz,Lori D. Washington,Faran Nouri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US20190341318A1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor structure

Номер патента: US20170373169A1. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US20180082909A1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Sacrificial cap for forming semiconductor contact

Номер патента: US09805989B1. Автор: Jie Yang,Shogo Mochizuki,Chun W. Yeung,Zuoguang Liu,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device structure with glue layer and method for forming the same

Номер патента: US20230290638A1. Автор: Chia-Wei Chen,Kuo-Feng Yu,Jian-Hao Chen,Chih-Yu Hsu,Cheng-Hong Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for forming a semiconductor structure containing high mobility semiconductor channel materials

Номер патента: US09633908B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12119345B2. Автор: Chih-tang Peng,Yung-Chung Chen,Chia-Ho CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160240775A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor structure with data storage structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190035850A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Huang-Kui CHEN,Woan-Yun HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240266391A1. Автор: Fu-Hsin Chen,Chung-Yeh Lee,Wen-Shan LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09997417B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same

Номер патента: US09502412B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230380134A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming iii-v semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: WO2010151857A2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for forming iii-v semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: WO2010151857A9. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2011-05-19.

Methods for forming metal-insulator-semiconductor structure and integrated circuit fabrication

Номер патента: TW201700764A. Автор: 謝琦,湯福,麥克尤金 吉文斯,雅各赫夫曼 伍德魯夫,強威廉 梅斯. Владелец: Ａｓｍ Ｉｐ控股公司. Дата публикации: 2017-01-01.

Method for preparing a p-type semiconductor layer, enhanced device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143264A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389271A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243005A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for patterning active areas in semiconductor structure

Номер патента: US20240243003A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: US20190131127A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12033897B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230027276A1. Автор: Xiaoling Wang,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US7851310B2. Автор: Wei-Chieh Lin,Li-Cheng Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12046596B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for manufacturing finfet structure with doped region

Номер патента: US20190363176A1. Автор: Chun-Hsiung Tsai,Shih-Chieh Chang,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function and multi-valued channel doping of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09620591B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051755B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347645A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230369123A1. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for forming fin-shaped semiconductor structure

Номер патента: US20130045600A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Chih-Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method for forming fin-shaped semiconductor structure

Номер патента: CN102938372A. Автор: 陈逸男,刘献文,林智清. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-20.

METHOD FOR REDUCING CONTACT RESISTANCE IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180166575A1. Автор: Colinge Jean-Pierre,DIAZ Carlos H.. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09666687B1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating nanowires for horizontal gate all around devices for semiconductor applications

Номер патента: US09484406B1. Автор: Bingxi Wood,Naomi Yoshida,Shiyu Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210320131A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US20230197504A1. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming a shallow trench isolation structure with reduced encroachment of active regions and a semiconductor structure therefrom

Номер патента: US11688624B2. Автор: Da-Zen Chuang,Chih-Chung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP)

Номер патента: US5302233A. Автор: Scott Meikle,Sung C. Kim. Владелец: Micron Semiconductor Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US09929053B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING MICROSTRIP TRANSMISSION LINES ON THIN SILICON CARBIDE ON INSULATOR (SiCOI) WAFERS

Номер патента: EP3437125A1. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-02-06.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of semiconductor manufacturing using hard mask, method for forming pattern, and semiconductor structure

Номер патента: US20230086464A1. Автор: Meng-Cheng Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for manufacturing III-V group semiconductor structure

Номер патента: KR100355691B1. Автор: 조재신,켈리더블유.킬러,웨인에이.크로닌,마크듀람,조나단케이.아브로콰이. Владелец: 모토로라 인코포레이티드. Дата публикации: 2002-12-11.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming a self-aligned copper structure with improved planarity

Номер патента: US6080656A. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US12051608B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for fabricating a substrate and semiconductor structure

Номер патента: US09396987B2. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-07-19.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming contact structure, semiconductor structure and memory

Номер патента: US20230187269A1. Автор: Junsheng ZANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20240154018A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Heat dissipation structure, forming method for heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4258344A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US12094821B2. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for adjusting wafer deformation and semiconductor structure

Номер патента: US20230025264A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for reducing crystallographic defects in semiconductor structures

Номер патента: US3737282A. Автор: E Hearn,G Schwuttke,E Tekaat. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1973-06-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12068163B2. Автор: Yi Lu,Hua Wang,Qin Zhang,Xiang Hu,Ying Jiang,Changyong Xiao,Yihui Lin,Xiaona ZHU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

FinFETs with vertical Fins and methods for forming the same

Номер патента: US09711623B2. Автор: Ming-Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Monolithic integrated circuit (MMIC) structure having composite etch stop layer and method for forming such structure

Номер патента: US09478652B1. Автор: Adrian D. Williams. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming a semiconductor structure using dehydrating chemical, and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210265221A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US20160141386A1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for forming semiconductor device with low sealing loss

Номер патента: US09362382B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Yen-Liang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US20230116971A1. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051620B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US09576847B2. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US11908914B2. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: EP4371150A1. Автор: LAN Yu,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Jacqueline S. Wrench,Yixiong Yang,Siddarth Krishnan,Ria Someshwar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: EP4191672A1. Автор: Yachao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US20230420365A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240014035A1. Автор: Chih-I Wu,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI,Yun-Hsuan HSU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure having deep metal line and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094816B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Wei-Chen CHU,Hsin-Ping Chen,Chia-Chen Lee,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Gallium oxide semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11955373B2. Автор: Xi Wang,Wenhui Xu,Kai Huang,Xin Ou,Pengcheng ZHENG,Tiangui You. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200219999A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Thick nitride semiconductor structure having an intermediate layer structure and method for manufacturing a thick nitride semiconductor structure

Номер патента: JP4954298B2. Автор: ウィリアム サクスラー アダム,アウグストゥス バーク ジュニア アルバート. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-06-13.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for fabricating (LED) dice using semiconductor structures on a substrate and laser lift-off to a receiving plate

Номер патента: US11862754B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Semiconductor Structures On A Substrate And Laser Lift-Off To A Receiving Plate

Номер патента: US20220271198A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI,KOHEl OTAKE. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2022-08-25.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20240365569A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor Structure with Resistor Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20180026031A1. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09590039B2. Автор: Wei-Shan Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20220181565A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12027601B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US20170330805A1. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-11-16.

Methods for Introducing Carbon to a Semiconductor Structure and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20150325644A1. Автор: NIEH Chun-Feng,Chen Huang-Ming,Su Yu-Chen,Su Pei-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Epitaxial process for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130130461A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09704961B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure with stacked capacitors

Номер патента: US12068361B2. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230017189A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230020650A1. Автор: Heng-Chia Chang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210343523A1. Автор: Jian-Jun Zhang,Zhen-Zhen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor component comprising such a semiconductor structure

Номер патента: US09559256B2. Автор: Bruno-Jules Daudin,Benoit Amstatt. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-31.

Top-Down Fabrication Method for Forming a Nanowire Transistor Device

Номер патента: US20150053925A1. Автор: Fei-Lung Lai,Yi-Shao LIU,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for Forming Features of Semiconductor Structure Having Reduced End-To-End Spacing

Номер патента: US20200118825A1. Автор: Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming features of semiconductor structure having reduced end-to-end spacing

Номер патента: US20190103281A1. Автор: Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for forming features of semiconductor structure having reduced end-to-end spacing

Номер патента: US11139174B2. Автор: Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor structures and methods for multi-level band gap energy of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09634132B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for forming features of semiconductor structure having reduced end-to-end spacing

Номер патента: US20190103281A1. Автор: Xi-Zong Chen,Cha-Hsin Chao,Li-Te Hsu,Yun-Yu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for Forming a Strained Semiconductor Structure

Номер патента: US20140377936A1. Автор: Witters Liesbeth,Lee Seung Hun,Loo Roger. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method for forming a strained semiconductor structure

Номер патента: KR20150000386A. Автор: 이승훈,리에스베스 제이 위터스,로저 루. Владелец: 엥떼르위니베르시테르 미크로엘렉트로니카 쌍트륌 베제드두블르베. Дата публикации: 2015-01-02.

METHOD FOR INDUSTRIAL MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH REDUCED BOWING

Номер патента: US20190131127A1. Автор: MIGLIO Leonida. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: WO2017186810A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: Pilegrowth Tech S.R.L.. Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD FOR POROSIFYING A MATERIAL AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20200227255A1. Автор: OLIVER Rachel A.,ZHU Tongtong,LIU Yingjun. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-16.

Method for the production of a semiconductor structure

Номер патента: CN101933170A. Автор: M·黑贝伦,B·墨菲. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for removing organic residues from semiconductor structures

Номер патента: JP2004505464A. Автор: シエ　チャン　リン,チェン　フイ,ユアン　ジエ,イエ　ヤン. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A SEPARATION STEP FROM THE GROWTH SUBSTRATE

Номер патента: FR3083916B1. Автор: Carole Pernel,Remy OBRECHT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-17.

Method for manufacturing an iii-nitride semiconductor structure

Номер патента: EP3813096A1. Автор: Hu Liang,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-28.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4318558A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures

Номер патента: US12040184B2. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt,Andrew Kretzschmar. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20130137234A1. Автор: Peter Baars,Matthias Goldbach. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Methods and structures for forming microstrip transmission lines on thin silicon carbide on insulator (SICOI) wafers

Номер патента: US09761445B2. Автор: Jeffrey R. LaRoche,Kelly P. Ip,Thomas E. Kazior. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods for forming semiconductor device having uniform fin pitch

Номер патента: US20220020593A1. Автор: Min Gyu Sung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11735429B2. Автор: ZHANG HAIYANG,LIU PANPAN,YANG Chenxi. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220102194A1. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12014950B2. Автор: SHANG Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US09947584B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US09601356B2. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Structures and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: EP3365271A1. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE OBTAINED BY SUCH A METHOD

Номер патента: FR2933232B1. Автор: Carlos Mazure,Bich Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2010-10-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20180166337A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: US20180204772A1. Автор: Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: X Celeprint Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures

Номер патента: KR102174266B1. Автор: 매튜 메이틀,크리스토퍼 보워. Владелец: 엑스-셀레프린트 리미티드. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor structure, method for forming same and layout structure

Номер патента: US20230018639A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for forming semiconductor structures with buried isolation collars and semiconductor structures formed by these methods

Номер патента: US20080217671A1. Автор: Kangguo Cheng,Jack Allan Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220148913A1. Автор: Quan Zuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200411372A1. Автор: Yao-Wen Chang,Hai-Dang Trinh,Gung-Pei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for fabricating a micro-well of a biosensor

Номер патента: US09796584B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Jen Chan,Yuan-Chih Hsieh,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng,Che-Ming CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating a micro-well of a biosensor

Номер патента: US09606081B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Jen Chan,Yuan-Chih Hsieh,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng,Che-Ming CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Deep trench isolation (DTI) structure with a tri-layer passivation layer

Номер патента: US09899441B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11393951B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Method for fabricating a micro-well of a biosensor

Номер патента: US20160266063A1. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Jen Chan,Yuan-Chih Hsieh,Shih-Wei Lin,Lee-Chuan Tseng,Che-Ming CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Pass through the composition of electromagenetic wave radiation formation conductive pattern, the method for formation conductive pattern and the resin structure with conductive pattern

Номер патента: CN107075239A. Автор: 金宰贤,金在镇,辛富建,田信姬,郑汉娜,朴哲凞,朴致成. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-18.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20040009435A1. Автор: Eun-Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Methods for forming vertical semiconductor pillars

Номер патента: US09548359B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods for removing photoresist from semiconductor structures having high-k dielectric material layers

Номер патента: US20080176388A1. Автор: Richard J. Carter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Heat dissipation structure, forming method for heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4258344A4. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Fabrication of reverse shallow trench isolation structures with super-steep retrograde wells

Номер патента: US20140124794A1. Автор: KIM Seung,Kim Sun,LEE YongMeng,KRISHNAN Bharat,LUN Zhao,TONG Weihua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device (alternatives) and method for organizing air gaps inside structure (alternatives)

Номер патента: RU2204181C2. Автор: Сью Энн Бидструп АЛЛЕН,Пол Э. КОЛ,Кианг ЧЖАО. Владелец: Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн. Дата публикации: 2003-05-10.

Method for fusing and filling semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220254718A1. Автор: Guangcai GONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for Forming Features of Semiconductor Structure Having Reduced End-To-End Spacing

Номер патента: US20200118825A1. Автор: Chao Cha-Hsin,Hsu Li-Te,Chen Xi-Zong,Hsieh Yun-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming pattern of semiconductor structure

Номер патента: CN109256335B. Автор: 不公告发明人. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8415806B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20220415784A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240055333A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

A method for forming a shallow trench isolation structure with reduced stress

Номер патента: TWI238489B. Автор: Wen-Pin Chiu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-21.

Methods of forming semiconductor devices and structures with improved planarization uniformity, and resulting structures and semiconductor devices

Номер патента: TWI541886B. Автор: 吉歐力歐 亞比尼. Владелец: 美光科技公司. Дата публикации: 2016-07-11.

Method for forming a shallow trench isolation structure with improved corner rounding

Номер патента: WO2003058709A3. Автор: Yu Sun,Unsoon Kim,Hiroyuki Kinoshita,Mark S Chang,Kuo-Tung Chang,Harpreet K Sachar. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-02-19.

Method for the production of a semiconductor structure comprising a plurality of gate stacks on a semiconductor substrate, and corresponding semiconductor structure

Номер патента: TWI273677B. Автор: Thomas Schuster,Thomas Ruder,Juergen Faul,Juergen Amon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-11.

Method for fabricating a mask for semiconductor structures

Номер патента: US6835666B2. Автор: Martin Popp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

FORMATION METHOD FOR AIR SPACER LAYER AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Bai Jie,YOU Kang. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20160086855A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20170154819A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHOD FOR FABRICATING A SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140374886A1. Автор: Kononchuk Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20150371874A1. Автор: Bower Christopher,MEITL Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method for the planarisation of a semiconductor structure

Номер патента: WO2002093633A1. Автор: Alexander Trueby,Mark Hollatz,Dirk Toebben,Klaus-Dieter Morhard. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for Building up a Fan-Out RDL Structure with Fine Pitch Line-Width and Line-Spacing

Номер патента: US20180233467A1. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for Building Up a Fan-Out RDL Structure with Fine Pitch Line-Width and Line-Spacing

Номер патента: US20150364394A1. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for building up a fan-out RDL structure with fine pitch line-width and line-spacing

Номер патента: US9978700B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing a thin membrane and resulting structure with membrane

Номер патента: US6465327B1. Автор: Bernard Aspar,Chrystelle Lagahe,Michel Bruel,Claude Jaussaud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2002-10-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190155156A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20180166285A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for forming semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200144063A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Keng-Chu Lin,Chih-Tsung Lee,Victor Y. Lu,Shing-Chyang Pan,Ya-Ling Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220320133A1. Автор: HAO Zhang,Haifeng Guo,Xiuzhong Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US09735049B2. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP2360743A3. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20110195539A1. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Method for forming semiconductor-on-insulator (soi) substrate

Номер патента: US20240282775A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09425087B1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: WO2024144886A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming semiconductor devices using modified photomask layer

Номер патента: US20240222118A1. Автор: PENG Wang,Emilia Hirsch. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming different patterns in a semiconductor structure using a single mask

Номер патента: US09679803B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chih-Tsung Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods of forming semiconductor films including i2-ii-iv-vi4 and i2-(ii,iv)-iv-vi4 semiconductor films and electronic devices including the semiconductor films

Номер патента: EP2676300A2. Автор: Hugh Hillhouse,Wooseok KI. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2013-12-25.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure

Номер патента: US20140084474A1. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4303910A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210020752A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11476337B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US12087826B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming an electrical contact

Номер патента: US09633853B2. Автор: Marc Schaekers,Antony Premkumar Peter. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for processing semiconductor structures and methods for forming semiconductor structures

Номер патента: US11978636B2. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US12087579B2. Автор: Chung-Yang Huang,Cheng-Ming Lin,Hao-Ming Chang,Wei-Hsin Lin,Po-Cheng LAI,Yu-Hsin Hsu,Yi-Hsuan Lin,Kuan-Shien LEE,Wang Cheng Shih,Ming Che Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: EP4439631A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20240321579A1. Автор: Jereld Lee Winkler,Michael Schmotzer,Mihaela Balseanu,Devika Choudhury,Kamesh Mullapudi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming semiconductor structures including tight pitch contacts and lines

Номер патента: US09437480B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220216049A1. Автор: LU Gan,Wenguang Zhang,Weiwei Wu,Chunsheng Zheng,Lanfang SHI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for plasma etching of Ir-Ta-O electrode and for post-etch cleaning

Номер патента: US20020187645A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Jer-shen Maa. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640427B2. Автор: Hao Deng. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11810790B2. Автор: Shu Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor structure and method making the same

Номер патента: US09659857B2. Автор: Tien-I Bao,Hsin-Yen Huang,Chi-Lin Teng,Kai-Fang CHENG,Hai-Ching Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming field oxide

Номер патента: US20060094254A1. Автор: Shih-Chi Lai,Jen Chieh Chang,Yi Fu Chung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with ultra thick metal and manufacturing method thereof

Номер патента: US11114378B2. Автор: Chen-Fa Lu,Chung-Long Chang,Cheng-Yuan Tsai,Ching-Chung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method for forming semiconductor structure by patterning resist layer having inorganic material

Номер патента: US20200365398A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190122881A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190096675A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210286269A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190279909A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang,Kai-Teng CHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods and systems for forming semiconductor structures

Номер патента: US7787977B2. Автор: Chun-Hung Lin,Chien-Hsun Lin,Yao-Wen Guo,An-Kuo Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-08-31.

Methods and systems for forming semiconductor structures

Номер патента: US20080125902A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chien-Hsun Lin,Yao-Wen Guo,An-Kuo Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor structure with high breakdown voltage and resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080278279A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-11-13.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09842986B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Hsia-Wei CHEN,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for forming bonded semiconductor structure utilizing concave/convex profile design for bonding pads

Номер патента: US11935854B2. Автор: Chung-Sung Chiang,Chia-Wei Liu,Yu-Hsiang Lin,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Stacked Semiconductor Structure and Method

Номер патента: US20150294955A1. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Composite substrate, method for preparing the same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240372036A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory and operation method therefor

Номер патента: EP4318476A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US11984406B2. Автор: Yunsheng Xia,Jen-Chou Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure, memory and method for operating memory

Номер патента: US20230035348A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230223367A1. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure, memory and operation method thereof

Номер патента: EP4326025A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4270472A1. Автор: Zhonghua Li,Zhihao SONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES AND STRUCTURES WITH IMPROVED PLANARIZATION UNIFORMITY, AND RESULTING STRUCTURES AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150083986A1. Автор: Albini Giulio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD FOR MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL STACKED SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND STRUCTURE MANUFACTURED BY THE SAME

Номер патента: US20150333083A1. Автор: Lai Erh-Kun. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor structure and the method for reducing signal interference in semiconductor structure

Номер патента: CN103779317B. Автор: 李宗霖,吴浚昌,曾誌裕. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Packaging structure with embedded electronic components and method for manufacturing the same

Номер патента: US11864329B2. Автор: Chih-Chieh Fu,Yuan-Yu Lin,Ze-Jie Li. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Packaging structure with embedded electronic components and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345643A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yuan-Yu Lin,Ze-Jie Li. Владелец: Avary Holding Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Semiconductor Structures On A Substrate And Laser Lift-Off To A Receiving Plate

Номер патента: US20220271198A1. Автор: Kondo Kazunori,Doan Trung Tri,Chu Chen-Fu,Doan David Trung,OZAI Toshiyuki,SHIH YI-FENG,MATSUMOTO Nobuaki,KITAGAWA Taichi,Ogawa Yoshinori,UEDA Shuhei,CHAN Shih-Kai,OHORI Keiji,OTAKE KOHEl. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Method for porosifying a material and semiconductor structure

Номер патента: KR20220156973A. Автор: 통통 주,레이첼 에이. 올리버,잉준 리우. Владелец: 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드. Дата публикации: 2022-11-28.

METHOD FOR FABRICATING QUAD FLAT NON-LEADED PACKAGE STRUCTURE WITH ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING FUNCTION

Номер патента: US20140227830A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Yao Chin-Tsai. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for fabricating conductive bump and circuit board structure with the same

Номер патента: TWI476844B. Автор: Tzyy Jang Tseng,David C H Cheng,Shu Sheng Chiang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2015-03-11.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20230290642A1. Автор: Yu-Jen Huang,Hsiu-Han Liao,Chu-Chun HSIEH. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

III-V semiconductor structure and its producing method

Номер патента: US6200885B1. Автор: Liann-Be Chang,Hung-Tsung Wang,Ming-Jyh Hwu,Yao-Hwa Wu. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-13.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240008258A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230015533A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Methods for processing semiconductor devices

Номер патента: US09761474B2. Автор: Sony Varghese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Measurement models of nanowire semiconductor structures based on re-usable sub-structures

Номер патента: WO2019178424A1. Автор: Alexander Kuznetsov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Measurement Models Of Nanowire Semiconductor Structures Based On Re-Useable Sub-Structures

Номер патента: US20190286787A1. Автор: Alexander Kuznetsov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for forming dielectric films of anodized aluminum-silicon alloy having effect of switching conductivity

Номер патента: RU2657096C2. Автор: Александр Степанович Рудый,Аркадий Евгеньевич Бердников,Валерий Николаевич Гусев,Александр Афанасьевич Попов,Владимир Дмитриевич Черномордик,Михаил Олегович Изюмов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (ЯрГУ). Дата публикации: 2018-06-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210358764A1. Автор: Hsin-Hung Chou,Cheng-Ta Yang,Ting-Wei Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230326756A1. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: WO2021028214A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor packages and methods for forming semiconductor package

Номер патента: US09613877B2. Автор: Nathapong Suthiwongsunthorn,John Ducyao BELERAN,Serafin Padilla Pedron, Jr.. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220052151A1. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: EP4014247A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-06-22.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with multiple insulator coatings

Номер патента: US09567514B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220052150A1. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220301871A1. Автор: Kai Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230033022A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Leilei DUAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system

Номер патента: EP2994936A1. Автор: David H. Altman,William J. Davis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-03-16.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220320110A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230072310A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230081676A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230345712A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Xingsong SU,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for depositing layers directly adjacent uncovered vias or contact holes

Номер патента: US20230377888A1. Автор: John Hautala,Charith NANAYAKKARA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240170296A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Tzu-Ming Ou Yang,Hung-Jung Yan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09598279B2. Автор: Xianming Zhang,Jingxiu Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20240008247A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor structure, method for forming the same and method for suppressing hot cluster

Номер патента: US20140246713A1. Автор: Yang Wu,Chung-Wei Chang,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor structure, method for forming the same and method for suppressing hot cluster

Номер патента: US09437649B2. Автор: Yang Wu,Chung-Wei Chang,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386843A1. Автор: Pin-Han CHIU,Feng-Jung Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for forming photonic integrated circuits based on quantum cascade structures

Номер патента: US09735549B2. Автор: Christine A. Wang,Anish K. Goyal,Laurent Diehl,Christian Pfluegl,Mark Francis Witinski. Владелец: Pendar Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US20210096460A1. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US20230367206A1. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Cleaning method, method for forming semiconductor structure and system thereof

Номер патента: US11809076B2. Автор: Chung-Hung Lin,Wu-Hung KO,Chih-Wei Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11715638B2. Автор: Chien-Wen Lai,Yu-chen Chang,Chih-Min HSIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method for forming light pipe structure with high quantum efficiency

Номер патента: US11769778B2. Автор: Jiech-Fun Lu,Shih-Pei Chou,Tzu-Ming WANG,Tsun-Kai Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming a composite having semiconductor structures including a nanocrystalline core and shell embedded in a matrix

Номер патента: US12107197B2. Автор: Georgeta Masson,Juanita Kurtin,Brian Theobald,Matthew J. Carillo,Oun-Ho Park,Steven M. Hughes. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09887132B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230009114A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Optical Annealing Apparatus And Method For Forming Semiconductor Structure

Номер патента: US20240105473A1. Автор: Lei Wang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming contact window

Номер патента: US20010046782A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230011266A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20150318206A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20160358816A1. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US09425091B2. Автор: Hsiang-Wei Lin,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming interconnect structure with low dielectric constant

Номер патента: US20030119306A1. Автор: Ming-Sheng Yang,Chih-Chien Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12087584B2. Автор: Daejoong Won. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor die having edge with multiple gradients

Номер патента: US12087618B2. Автор: Fu-Chen Chang,Yu-Sheng Tang,Cheng-Lin Huang,Wen-Ming Chen,Chun-Yen Lo,Kuo-Chio Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09991125B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09972526B2. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming semiconductor die package with thermal management features

Номер патента: US20240363474A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20180096907A1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240290721A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Lun-Chieh Chiu,Ya-Chin Chiu,Chia-Tung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09704803B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4195274A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Matrix form semiconductor package substrate having an electrode of serpentine shape and method for forming

Номер патента: US20020145178A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Chung-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Heat dissipation structure, method for forming heat dissipation structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12119283B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US12107051B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure having vertical conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20240203789A1. Автор: Ming-Han Lee,Ching-Fu YEH,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Structure and method for forming interconnect structure

Номер патента: US09543198B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11869930B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220068811A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Structure and method for forming a faceted opening and a layer filling therein

Номер патента: US20030085444A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-08.

Structure and method for forming a faceted opening and layer filling therein

Номер патента: US20040046229A1. Автор: William Polinsky,Dirk Sundt,Mark Bossler,Gabriel Videla,Chris Inman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09431355B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12027422B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,cheng-hong Wei,Tseng-Yao PAN,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20220384251A1. Автор: Yu-Jui Chang,Kwang-Ming Lin,Ya-Huei Kuo,Chih-Cherng Liao,Ya-Ting Chang,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Yu Chang,Kai-Chuan KAN,zheng-xian Wu,I-Ping Lee,Yow-Shiuan LIU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of forming semiconductor packages having through package vias

Номер патента: US09899248B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US09461063B1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang,Chun-Min Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230360946A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230268298A1. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor structure and method making the same

Номер патента: US09613852B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12009324B2. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200032413A1. Автор: Feng-Yi Chang,Ming-Feng Kuo,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Connection structure and method for forming the same

Номер патента: US20200135497A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Chia-Yun Wu,Yu-Ling Chiu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09524933B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230402372A1. Автор: Tianlei Mu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274525A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094815B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240363528A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US12057419B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741694B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Semiconductor structure having multiple dielectric waveguide channels and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11682638B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Huan-Neng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220359378A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Bonded semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09691733B1. Автор: Xu Yang Shen,Sin-Shien Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Metallization method for semiconductor structures

Номер патента: US09437488B2. Автор: Silvia Armini,Boon Teik CHAN,Frederic LAZZARINO. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102205A1. Автор: Yang Ming,HE ZUOPENG,BEI Duohui. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Methods for forming trench structures in substrates

Номер патента: US12125714B2. Автор: Taichou Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming a structure with a hole

Номер патента: US12040229B2. Автор: Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Steven Van Aerde. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230005868A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure having verticle conductive graphene and method for forming the same

Номер патента: US20230378067A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI,Tsu-Chun KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for forming a structure with a hole

Номер патента: US20230084173A1. Автор: Bert Jongbloed,Dieter Pierreux,Steven Van Aerde. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US11955446B2. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming semiconductor device structure with conductive polymer liner

Номер патента: US20230078105A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Methods for low resistivity and stress tungsten gap fill

Номер патента: US12094773B2. Автор: Kai Wu,Nobuyuki Sasaki,Peiqi Wang,Wei Min Chan,Xi CEN,Tom Ho Wing Yu,Feihu Wang,Chunming Zhou,Min Heon,Ju Ik KANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12136568B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Interconnect structure with twin boundaries and method for forming the same

Номер патента: US09761523B2. Автор: Chun-Lung HUANG,Jian-Hong Lin,Yu-Lun Chueh,Chien-Neng Liao,Chwei-Ching Chiu,Yung-Huei Lee,Tsung-Cheng CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US11916037B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for bonding semiconductor devices, method for forming semiconductor structure and system for performing the method

Номер патента: US20230238354A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US09780051B2. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method for forming semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US12125776B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming semiconductor memory structure

Номер патента: US20210390992A1. Автор: Tsann Lin,Jui-Fen CHIEN,Hanwen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210217906A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220029035A1. Автор: Chih-Hsien Chen,Wen-Chih Lu,Han-Liang Tseng,Yin Chen,Kwang-Ming Lin,Hsin-Hui Lee,Hsueh-Jung LIN,Jiunn-Liang Yu,Si-Twan CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11961881B2. Автор: Lingxiang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor strucutre, and memory

Номер патента: US20240074164A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US20230145031A1. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386940A1. Автор: Yen-Ming Chen,Dian-Hau Chen,Chih-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Bonding contacts having capping layer and method for forming the same

Номер патента: US20210091033A1. Автор: YUAN Li,Liang Ma,Jie Pan,Xianjin Wan,Si Ping HU,Shu Liang Lv. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Chip package structure with substrates and method for forming the same

Номер патента: US20240355771A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen,Chia-Chia Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming an electrode with a layer of hemispherical grains thereon

Номер патента: US20020110993A1. Автор: Wengyi Chen,Chiuling Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240334686A1. Автор: Cheng-Chiang LI,Wei-Kuan Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349500A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Composition of, and method for forming, a semiconductor structure with polymer and insulator coatings

Номер патента: US20180215997A1. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for determining contour of semiconductor structure

Номер патента: US12094788B2. Автор: Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for forming an inductor structure with magnetic material

Номер патента: US09570536B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240074143A1. Автор: Wenjie Liu,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods for forming semiconductor devices with stepped bond pads

Номер патента: US20150171035A1. Автор: Kurt H. Junker,Tu-Anh N. Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-18.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Thermal Dissipation Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20240266334A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and methods for extended infrared spectroscopic ellipsometry

Номер патента: US09921152B2. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

METHOD FOR MANUFACTURING AT LEAST ONE SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A STACK OF ONE OR MORE LAYERS OF GALLIUM-ALUMINUM ARSENIURE

Номер патента: FR3047840A1. Автор: Giuseppe Leo,Oleksandr STEPANENKO,Aristide Lemaitre. Владелец: Paris Diderot - Paris 7, University of. Дата публикации: 2017-08-18.

Method for producing treatment for processing insulating coating, method for producing steel sheet with insulating coating and device for producing mortar for processing for formation of insulation

Номер патента: RU2753539C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ,Макото ВАТАНАБЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-17.

Method for forming metal supported solid oxide fuel cells

Номер патента: RU2670423C2. Автор: Роберт ЛИ,Майк ЛЭНКИН,Робин ПИРС,Адам Боун. Владелец: Серес Интеллектчуал Проперти Компани Лимитед. Дата публикации: 2018-10-23.

Apparatus and method for forming a wire bundle and coupling the wire bundle to a structure

Номер патента: US20190341755A1. Автор: Robert T. Johnson,Jin-Seog Seo,Jesse A. Laplante,Jacky-Vy C. Chau. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2019-11-07.

Tubular sofc with cathode current collector and method for forming cathode fuel collector

Номер патента: RU2754352C1. Автор: Александр Владимирович Сивак,Илья Алексеевич Гвоздков,Егор Александрович Левченко,Руслан Сергеевич Тимербулатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "ТОПАЗ" (ООО "НИЦ "ТОПАЗ"). Дата публикации: 2021-09-01.

Solid electrolytic capacitor element, method for manufacturing same, and jig for manufacturing same

Номер патента: US20120014036A1. Автор: Masahiro Suzuki,Kazumi Naito. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-01-19.

Measuring method and semiconductor structure forming method

Номер патента: US11747131B2. Автор: Che-Hui Lee,Pradip Girdhar Chaudhari. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for processing the beam of neutral particles based on the technology for processing the beam of gas cluster ions and obtained by such as a product

Номер патента: RU2648961C2. Автор: Майкл Дж. УОЛШ,Шон Р. КИРКПАТРИК,Аллен Р. КИРКПАТРИК. Владелец: Эксодженезис Корпорейшн. Дата публикации: 2018-03-28.

Method for generating a radiation pattern and an antenna array for its implementation

Номер патента: RU2754653C1. Автор: Алексей Викторович Тихонов,Александр Юрьевич Сивов,Вячеслав Анатольевич Кочетков,Николай Леонидович Алымов,Александр Евгеньевич Черкасов,Игорь Михайлович Ханарин. Владелец: Игорь Михайлович Ханарин. Дата публикации: 2021-09-06.

Method for generating terahertz radiation pulses and apparatus for implementation thereof

Номер патента: RU2754395C1. Автор: Дмитрий Владимирович Яковлев,Павел Владимирович Кострюков,Владимир Григорьевич Тункин,Михаил Алексеевич Семенов,Вячеслав Борисович Морозов,Андрей Николаевич Оленин,Михаил Валерьевич Горбунков,Алексей Леонидович Коромыслов,Евгений Анатольевич Чешев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2021-09-01.

METHOD FOR FORMING A LiCoO2 FILM AND APPARATUS FOR IMPLEMENTATION THEREOF

Номер патента: RU2765222C1. Автор: Айрат Хамитович Хисамов,Сергей Михайлович Насточкин,Александр Викторович Россохатый,Ярослав Анатольевич Короленко. Владелец: Тхе Баттериес Сп. з о.о.. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240107752A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor structure having word lines intersect with active regions

Номер патента: US11980024B2. Автор: Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for producing an organic light emitting device (OLED) and OLED produced thereby

Номер патента: US6433358B1. Автор: Tilman A. Beierlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

System and method for decoding including network abstraction layer unit structure with picture header

Номер патента: US20230075516A1. Автор: Stephan Wenger,Shan Liu,Byeongdoo CHOI. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for fabricating an integrated device comprising a structure with a solid electrolyte

Номер патента: US20070029538A1. Автор: Cay-Uwe Pinnow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for joining a belt having a reinforced structure with interpenetrated spirals

Номер патента: US11639744B2. Автор: Matteo CHIORINO. Владелец: CHIORINO SpA. Дата публикации: 2023-05-02.

Method for joining a belt having a reinforced structure with interpenetrated spirals

Номер патента: US20220154803A1. Автор: Matteo CHIORINO. Владелец: CHIORINO SpA. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for forming structure of pellicle-mask structure with vent structure

Номер патента: US20240280894A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming structure of pellicle-mask structure with vent structure

Номер патента: US12007685B2. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for forming structure of pellicle-mask structure with vent structure

Номер патента: US20210389665A1. Автор: Yun-Yue Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12114486B2. Автор: Wei Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389265A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US12133373B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12075707B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US11871555B2. Автор: Wenhao Hsieh,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor structure, and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240040777A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240196588A1. Автор: Boyong He,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268100A1. Автор: Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Cross-diffusion resistant dual-polycide semiconductor structure and method

Номер патента: US20030057453A1. Автор: Chih-Chen Cho,Jigish Trivedi,Zhongze Wang,Todd Abbott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349501A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230389261A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method for forming plurality of parametric sound flows and device and method for forming plurality of acoustic system signals

Номер патента: RU2633134C2. Автор: Фабиан КЮХ,Ахим КУНТЦ,Вилле ПУЛККИ,ГАЛЬДО Джованни ДЕЛЬ,Арсхонтис ПОЛИТИС. Владелец: Технише Универзитет Ильменау. Дата публикации: 2017-10-11.

Method for forming light flow on external screen for full color video information display system and device for realization of said method

Номер патента: RU2265964C2. Автор: Е.П. Шешин,Г.Ф. Бурчак,С.П. Червонобродов. Владелец: Червонобродов Семен Павлович. Дата публикации: 2005-12-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

METHOD FOR OBTAINING SILICOALUMINATE FORM OF AEI ZEOLITE STRUCTURE WITH HIGH PRODUCT OUTPUTS AND ITS APPLICATION IN CATALYSIS

Номер патента: RU2017139760A. Автор: Канос Авелино Корма,МАРИН Мануэль МОЛИНЕР,ГАРСИА Нуриа МАРТИН. Владелец: Университат Политекника Де Валенсия. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for manufacturing low contact resistance semiconductor structure

Номер патента: US20190345025A1. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Lighting device for integration in a cabin structure, method for producing the lighting device and cabin structure with the lighting device

Номер патента: EP2565080A1. Автор: Bernhard Kammerer,Gerhard Mortenhuber,Frank Schmid,Marc RENZ,Norbert KNOPP,Ernst Bauer,Stefan Dobler,Sven Maushammer. Владелец: FACC AG. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for obtaining nanolithography drawings with an ordered structure with an over-developed surface

Номер патента: RU2757323C1. Автор: Игорь Александрович Аверин,Андрей Андреевич Карманов,Игорь Александрович Пронин,Надежда Дмитриевна Якушова,Елена Александровна Алимова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования( ФГБОУ ВО «Пензенский государственный университет»). Дата публикации: 2021-10-13.

METHODS FOR MANUFACTURING PRE-FABRICATED INSULATED FOAM WALL STRUCTURES WITH HIGH RACKING STRENGTH AND RELATED PRE-FABRICATED WALL STRUCTURES

Номер патента: US20190352903A1. Автор: Giles Eric C.,Lambach James L.,Baily David M.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

METHODS FOR MANUFACTURING PRE-FABRICATED INSULATED FOAM WALL STRUCTURES WITH HIGH RACKING STRENGTH AND RELATED PRE-FABRICATED WALL STRUCTURES

Номер патента: US20180363298A1. Автор: Giles Eric C.,Lambach James L.,Baily David M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for unloading liquid cargo from a floating structure with a intermediate loading tank

Номер патента: KR20100039479A. Автор: 한성곤,유병용,강대훈,이영만,이은배,남상태. Владелец: 대우조선해양 주식회사. Дата публикации: 2010-04-16.

A method for manufacturing of a porous silicon carbide structure with a catalytic metal

Номер патента: KR101954067B1. Автор: 박상환,염미래,윤성일. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2019-03-06.

DEVICE AND METHOD FOR PRECISION POSITIONING OF BODIES ON FIXED STRUCTURES WITH LARGE DEPTHS

Номер патента: FR2628141A1. Автор: Paolo Vielmo,Attilio Brighenti. Владелец: Tecnomare SpA. Дата публикации: 1989-09-08.

System and method for query auto-completion using a data structure with trie and ternary query nodes

Номер патента: US09659109B2. Автор: Rohit Hiwale,Vishwas Goel. Владелец: Wal Mart Stores Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Systems and methods for controlling access to a shared data structure with reader-writer locks using multiple sub-locks

Номер патента: US09690737B2. Автор: Joseph A. Tucek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for producing pseudobemite

Номер патента: RU2749511C1. Автор: Александр Сергеевич Сенюта,Дмитрий Витаутасович Кибартас,Владимир Андреевич Баянов,Максим Александрович Серебряков,Андрей Владимирович Князев,Юлия Олеговна Максимова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2021-06-11.

Method for preparation of benzimidazole derivatives

Номер патента: US9493425B2. Автор: Young Joon Park,Eun Sun Kim,Kwang Do Choi,Jae Hong Kweon,Seog Beom Song,Sung Ah Lee,Ji Yun Lee. Владелец: Cj Healthcare Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for the production of a light conducting structure with interlying electrodes

Номер патента: US4080244A. Автор: Franz Auracher,Ralf Kersten. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-03-21.

Method for assembling ground-covering panels with composite structure, with a view in particular to producing sports tracks or surfaces, and ground covering panels for implementation

Номер патента: FR2667333A1. Автор: Bisson Joseph. Владелец: THOMASSON DARROUY GES. Дата публикации: 1992-04-03.

Multi-layer sheet-like structure with at least one insulating layer and a method for producing a multi-layer sheet-like structure with at least one insulating layer

Номер патента: CH443611A. Автор: . Владелец: Brevetex S A. Дата публикации: 1967-09-15.

Veneering element for covering a tooth surface, method for producing the veneering element and layer structure with the veneering element

Номер патента: DE102015012793A1. Автор: Birgit Stührenberg. Владелец: Birgit Stuehrenberg Dentale Kompetenz & Co KG GmbH. Дата публикации: 2017-04-06.

Method of making a piezoelectric device and method for monitoring the structural integrity of a structure with guided elastic waves

Номер патента: EP3283876B1. Автор: Luca De Marchi,Nicola Testoni,Alessandro Marzani. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2022-06-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING ACCESS TO A SHARED DATA STRUCTURE WITH READER-WRITER LOCKS USING MULTIPLE SUB-LOCKS

Номер патента: US20150248367A1. Автор: Tucek Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

Method for mounting turbine stationary blades and turbine structure with radial pressure pins

Номер патента: JP4624766B2. Автор: クリストファー・ウォルター・サリバン,デビッド・オルス・フィッツ,ロバート・ジェームズ・ブラッケン,グレゴリー・リー・ランドリー. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2011-02-02.

METHOD FOR SEALING USING REINFORCEMENT PILLARS OF A STRUCTURE WITH VERTICAL WALLS AND PILLAR THEREFOR

Номер патента: FR2789706B1. Автор: Andre Cholley. Владелец: Waterair Industries SA. Дата публикации: 2001-04-13.

Systems and methods for controlling access to a shared data structure with reader-writer locks using multiple sub-locks

Номер патента: WO2014021879A1. Автор: Joseph A. Tucek. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for preparing glycosaminoglycans having heparin or heparan structure with α-L-iduronic-2-0-sulfate acid modified in 2-position

Номер патента: KR100194122B1. Автор: 피아니 실바노,운가렐리 파브리찌오. Владелец: 알파 와셔만 에스. 피. 에이.. Дата публикации: 1999-06-15.

A method for producing a paint containing a porous structure with heat insulation, heat resistance and fire resistance

Номер патента: KR102342766B1. Автор: 김명환,김도환. Владелец: 김도환. Дата публикации: 2021-12-22.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240286889A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for producing layered nanowires from ferromagnetic metals with a programmable structure and a device for its implementation

Номер патента: RU2770919C1. Автор: Владимир Михайлович Каневский,Дмитрий Львович Загорский,Дмитрий Александрович Черкасов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2022-04-25.

Method for manufacturing constant velocity drive shaft

Номер патента: EP4434652A1. Автор: Tsuyoshi Muramatsu,Munemasa Kamizaiku,Motoharu NUKA,Smit Jaradswong. Владелец: Sigma & Hearts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Method for manufacturing constant velocity drive shaft

Номер патента: US20240316618A1. Автор: Tsuyoshi Muramatsu,Munemasa Kamizaiku,Motoharu NUKA,Smit Jaradswong. Владелец: Sigma & Hearts Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus and method for linking a position in a structure data set with a position in an apparatus construction section

Номер патента: RU2709884C1. Автор: Дитер ШВАРЦЕ,Тони Адам КРОЛЬ,Кристофер ШТЕНГЕЛЬ,Даниэль АЛЬБЕРТС. Владелец: СЛМ Солюшенз Груп АГ. Дата публикации: 2019-12-23.

Production method for nanowire catalyst

Номер патента: RU2609788C1. Автор: Николай Васильевич Алексеев,Роман Леонидович Волков,Николай Иванович Боргардт. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2017-02-03.

Method for detecting a liquid composition applied onto a cellulose blank structure with a detection system and a detection system

Номер патента: US20240255422A1. Автор: Olle HÖGBLOM. Владелец: PulPac AB. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing a structure with cellular cores for a turbojet nacelle

Номер патента: US09518509B2. Автор: Bertrand Desjoyeaux,John Moutier,Thierry Deschamps. Владелец: Aircelle SA. Дата публикации: 2016-12-13.

Gas-phase synthesis method for forming semiconductor nanowires

Номер патента: US09447520B2. Автор: Lars Samuelson,Martin Magnusson,Knut Deppert,Magnus Heurlin. Владелец: QUNANO AB. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacture of mineral fiber panel containing one or more cavities of predetermined shape

Номер патента: RU2265091C2. Автор: Оле Легтольт ПЕДЕРСЕН. Владелец: РОКВУЛ ИНТЕРНЭШНЛ А/С. Дата публикации: 2005-11-27.

Method for manufacturing a component of a device for precipitation of drops (variants)

Номер патента: RU2310566C2. Автор: Пол Рэймонд ДРУРИ. Владелец: Ксаар Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for integrated processing of mixed wastes into useful products

Номер патента: RU2742647C2. Автор: Мария Александровна Соничева,Юрий Александрович Кортунов,Захар Владимирович Тимошенко,Михаил Юрьевич Марцинковский. Владелец: Михаил Юрьевич Марцинковский. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for forming a spiral support structure with continuous wire coil

Номер патента: US09662704B2. Автор: Marius S. Winograd. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-30.

Extrusion head, extruder and method for forming extruded or co-extruded pieces of food product, extruded or co-extruded pieces of food product formed by means of specified method

Номер патента: RU2753243C2. Автор: Эмильен ЭСТЭВ,Реми ТОНЕ БРЮШЕ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-08-12.

Pharmaceutical substance for forming drug preparations based on gramicidin c and a method for production thereof (versions), pharmaceutical substance for forming drug preparations of prolonged action based on gramicidin c and a method for production thereof (versions)

Номер патента: RU2733715C2. Автор: Владлен Борисович Калустов,Александр Алексеевич Дранников. Владелец: Акционерное Общество "Производственная Фармацевтическая Компания Обновление". Дата публикации: 2020-10-06.

Method for forming an open stamped element, in particular for forming a wrapping box of tray with a lid type, and cardboard machine

Номер патента: RU2756945C2. Автор: Маурицио ЧЕЧИ. Владелец: Тайбер Пэк С.П.А.. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for formation of cavitational zones in flow of non-burning liquid and control of their destruction, and also device for implementation of method

Номер патента: RU2657389C1. Автор: Герман Евсеевич Иткин,Никита Анатольевич Федоров. Владелец: Герман Евсеевич Иткин. Дата публикации: 2018-06-13.

Method for forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along section of path that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2771477C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Омникомм Онлайн". Дата публикации: 2022-05-04.

Method for producing a metal tape with a bronze layer with a corrugated surface for impregnation with a fluoroplastic paste

Номер патента: RU2764531C1. Автор: Ахнаф Раисович Гарифуллин,Василий Николаевич Корнопольцев. Владелец: Василий Николаевич Корнопольцев. Дата публикации: 2022-01-18.

System and method for forming appliance for oral care

Номер патента: RU2707516C2. Автор: Алан СОРРЕНТИНО,Стивен Нельсон. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-11-27.

Method for forming a vehicle assembly

Номер патента: US12103103B2. Автор: Mikael Boström,Christian Holmér,Rashad Kadhim,Manoj Prabahar,Stefan Carlholmer. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for creating mandrels with voids for expansion control during curing

Номер патента: US09486943B1. Автор: Brian Gregory Robins. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for treating surface with use of electric discharge

Номер патента: RU2319789C2. Автор: Акихиро ГОТО,Масао АКИЁСИ,Кацухиро МАЦУО,Хироюки ОТИАИ,Мицутоси ВАТАНАБЕ,Такаси ФУРУКАВА. Владелец: Исикавадзима-Харима Хеви Индастриз Ко., Лтд. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for manufacturing a one-piece lining of an upper supporting garment section

Номер патента: RU2658817C1. Автор: Елена Георгиевна Андреева,Галина Петровна Зарецкая,Марина Анатольевна Гусева,Татьяна Васильевна Мезенцева,Олег Вячеславович Кащеев,Асмик Араевна Симонян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет им. А.Н. Косыгина (Технологии. Дизайн. Искусство)". Дата публикации: 2018-06-22.

System for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2764741C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-20.

Apparatus for forming a power-efficient track of an operated vehicle during movement of the operated vehicle along a motorway

Номер патента: RU2765268C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for forming of endless belt for belt-type separator

Номер патента: RU2309847C2. Автор: Бюлент СЕРТ,Дэвид Р. УИТЛОК. Владелец: Сепарейшн Текнолоджиз Ллс. Дата публикации: 2007-11-10.

Method for forming carbon-carbon bond

Номер патента: EP3971156A1. Автор: Hironao Sajiki,Shinji Nakamura,Hitoshi Takada,Tsuyoshi Yamada,Yoshinari Sawama. Владелец: Organo Corp. Дата публикации: 2022-03-23.

Method for producing a three-dimensional auxetic with a cellular structure (variants)

Номер патента: RU2771391C1. Автор: Сергей Дмитриевич Калошкин,Фёдор Святославович Сенатов,Владислав Александрович Львов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2022-05-04.

METHOD FOR FORMING A LAYER OF A SINGLE-PHASE OXIDE (Fe,Cr)2O3 WITH A RHOMBOHEDRAL STRUCTURE ON A SUBSTRATE MADE OF STEEL OR A HEAT-RESISTANT ALLOY

Номер патента: RU2769915C1. Автор: Оливье РАККЮР,Жан-Мари ГЕНТЗБИТТЕЛЬ,Оливье СИКАРДИ,Франсис БУРГИНЬОН,Пьер-Жан МАРШЕ. Владелец: Маннесманн Пресизьон Тюб Франс. Дата публикации: 2022-04-08.

Method for forming chiral structure

Номер патента: RU2656288C1. Автор: Владимир Александрович Бурдин,Дмитрий Сергеевич Клюев,Олег Владимирович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (ФГБОУ ВО ПГУТИ). Дата публикации: 2018-06-04.

Dichroic dye for polarization film, composition comprising the same for polarization film, method for forming polarization plate and polarization plate prepared thereby

Номер патента: WO2008030024A9. Автор: Eun-Kyung Kim,Sin-Young Kim,Yong-Il Cho,Jeong-Su Yu. Владелец: Jeong-Su Yu. Дата публикации: 2008-09-18.

Antiembolic protection device, method for its folding and forming device

Номер патента: RU2742690C2. Автор: Оливер ШУМАХЕР,Михаель ПФЕННИГ,Виктор Альфонсе ХИМЕНЕС ДИАС,Конрад РАСМУС,Карл ФОН МАНГОЛЬД. Владелец: Протембис Гмбх. Дата публикации: 2021-02-09.

System and method for optical fiber preform preparation via high-surface-area coating

Номер патента: WO2021252098A1. Автор: Tayyab I. SURATWALA,Jay W. Dawson,Nick Schenkel,Michael MESSERLY,Koroush Sasan,Andrew LANGE,Rebecca Dylla-Spears,Cody Wren MART. Владелец: Lawrence Livermore National Security, LLC. Дата публикации: 2021-12-16.

System and method for optical fiber preform preparation via high-surface-area coating

Номер патента: EP4164991A1. Автор: Tayyab I. SURATWALA,Jay W. Dawson,Nick Schenkel,Michael MESSERLY,Koroush Sasan,Andrew LANGE,Rebecca Dylla-Spears,Cody Wren MART. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-04-19.

Method for manufacturing a smoking product

Номер патента: RU2771509C1. Автор: Норио ЯМАМОТО,Риодзи Фудзита,Кадзухико КАТАЯМА,Такеси Синкава. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2022-05-05.

Preparation of treatment composition and bath maintenance system and method for treatment formed therefrom

Номер патента: RU2721259C1. Автор: Эрик Л. МОРРИС,Гордон Л. ПОСТ,Майкл А. МЭЙО,Эдвард Ф. РАКИЕВИЧ,Майкл Дж. ПАУЛИК. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method for forming a two-thread two-line chain stitch and a device for its implementation

Номер патента: RU2756206C1. Автор: Олег Петрович Бутенко,Виктория Анатольевна Зинькова,Ольга Викторовна Костина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова». Дата публикации: 2021-09-28.

Method for intensive growing potatoes with soil enrichment with water using a supersorbent with drop irrigation

Номер патента: RU2729812C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2020-08-12.

System, machine-readable media and method for core analysis by images

Номер патента: RU2760105C1. Автор: Ксения Ахатовна Габдрахманова,Тимур Венерович Мамяшев,Дмитрий Александрович Степанов,Тимур Альфредович Салимов,Данил Петрович Кульминский,Владислав Владимирович Ефимов,Владислав Игоревич Горбунов. Владелец: Публичное акционерное общество «Газпром нефть». Дата публикации: 2021-11-22.

Polylayers glass container from transparent glass and amber pigmented glass and method for manufacturing the same

Номер патента: RU2266261C2. Автор: Рональд Т. МАЙЕРС,Рональд А. ЧИРИНЧОНЕ,У. Алан ПУЛОС. Владелец: Оуэнс-Броквэй Гласс Контейнер Инк.. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming an osteochondral defect in animal experiments

Номер патента: RU2759474C1. Автор: Евгений Александрович Коновалов. Владелец: Евгений Александрович Коновалов. Дата публикации: 2021-11-15.

Hole or electron injection polymers and prepolymers, hole or electron transport polymers and prepolymers, method for forming the same, and their application

Номер патента: US20060115682A1. Автор: Kuo-Huang Hsieh,Jiun-Haw Lee,Man-Kit Leung,Chao-Hui Kuo,Li-Chung Kuo,Kuei-Hui Yang,Kang-Jyun Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-01.

Molecular delivery with nanowires

Номер патента: WO2012050881A3. Автор: Hongkun Park,Jacob Robinson,Alexander Kann Shalek,Marsela Jorgolli,Amy Sutton. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2012-09-27.

Hole or electron injection polymers and prepolymers, hole or electron transport polymers and prepolymers, method for forming the same, and their application

Номер патента: US7615603B2. Автор: Kuo-Huang Hsieh,Jiun-Haw Lee,Man-Kit Leung,Chao-Hui Kuo,Li-Chung Kuo,Kuei-Hui Yang,Kang-Jyun Peng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2009-11-10.

Method for producing a bioresorbable tube based on methacrylized gelatine and methacrylized fibroin and a method for reconstructing a small intestine wall experimentally using such a tube

Номер патента: RU2714200C1. Автор: Иван Викторович Бессонов,Мария Николаевна Копицына,Александр Владимирович Куликов,Михаил Михайлович Мойсенович,Дмитрий Александрович Куликов,Юрий Николаевич Филюшкин,Алла Аликовна Рамонова,Анастасия Юрьевна Архипова,Александр Владимирович Федулов,Константин Вольдемарович Шайтан,Полина Александровна Глазкова,Дарья Валерьевна Мосальская,Дмитрий Юрьевич Семенов,Анастасия Михайловна Мойсенович,Ирина Анатольевна Кондратьева,Андрей Сергеевич Колосов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for treatment of acute pulmonary insufficiency and device for its implementation savelieva b.s.

Номер патента: RU2745759C1. Автор: Борис Михайлович Рачков,Борис Сергеевич Савельев. Владелец: Борис Сергеевич Савельев. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for forming collection and long-term deposition of grapes in vitro

Номер патента: RU2764104C1. Автор: Наталья Петровна Дорошенко,Валентина Георгиевна Пузырнова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный Ростовский аграрный научный центр" (ФГБНУ ФРАНЦ). Дата публикации: 2022-01-13.

Method for two-level management and system for its implementation (options)

Номер патента: RU2665096C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2018-08-28.

Method for producing of mineral wool and apparatus for effectuating the same

Номер патента: RU2266264C2. Автор: Эрик ОСТРАНД,Бьярне ВАЛЛИ,Бь рне ВАЛЛИ,Микаэль ПЕРАНДЕР. Владелец: Парок Груп Ой Аб. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming of ceramic coat, target for performing the same, and method for manufacturing the target

Номер патента: RU2320772C2. Автор: Бертран СЕН-РАМОН,Андре МАЛИ,Кристоф ШАПЮ,Кирилл ДЕЛАЖ,Изабель ПОРТЕ. Владелец: Снекма Моторс. Дата публикации: 2008-03-27.

Composition for forming hard coat, method for producing article having hard coat, hard coat, hard-coated article, and silane-modified alicyclic compound

Номер патента: US20210189080A1. Автор: Masato Miyazaki,Dai Shiota,Jiro Hikida. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for forming multi-depth optical devices

Номер патента: WO2023122426A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Guannan Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for forming multi-depth optical devices

Номер патента: US20230194784A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Guannan Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for production of l-glutamic acid

Номер патента: RU2282662C2. Автор: Такаюки КОДА,Хироси УЕДА,Масаказу САТО. Владелец: Адзиномото Ко., Инк.. Дата публикации: 2006-08-27.

Machine and method for confectionary product production

Номер патента: RU2452191C2. Автор: Луис БОРДЕРА,Хоан Ф. ФОРНАГУЕРА,Деннис ЭБЭД,Энди ДЖИЛ,Мелхор БЛАЗКЕЗ,Эмили РОМЕРО. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2012-06-10.

Film-forming liquid for forming an insulating coating on sheet of anisotropic electrical steel, method for manufacturing sheet of anisotropic electrical steel, and sheet of anisotropic electrical steel

Номер патента: RU2753929C1. Автор: Кадзутоси ТАКЕДА,Суити ЯМАДЗАКИ,Хироясу ФУДЗИИ,Тору НАГАИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2021-08-24.

Method for forming a rolled combined grass cover

Номер патента: RU2764735C1. Автор: Алексей Александрович Зайцев. Владелец: Алексей Александрович Зайцев. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming optical communication channel for transmitting acoustic signals

Номер патента: RU2758327C1. Автор: Дмитрий Александрович Тимонов. Владелец: Дмитрий Александрович Тимонов. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for forming spatial configurations of laser sources in schemes for direct irradiation of spherical targets at installations for laser thermonuclear synthesis

Номер патента: RU2749835C1. Автор: Сергей Викторович Бондаренко,Людмила Владимировна Солнышкова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2021-06-17.

Method and apparatus for forming cryptocode structures for imitation-resistant data transmission over communication channels

Номер патента: RU2764960C1. Автор: Олег Анатольевич Финько,Дмитрий Владимирович Самойленко,Сергей Александрович Диченко,Игорь Олегович Шарапов,Евгений Сергеевич Начинов. Владелец: федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Краснодарское высшее военное орденов Жукова и Октябрьской Революции Краснознаменное училище имени генерала армии С.М. Штеменко" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for forming a block of ice for subsequent movement thereof

Номер патента: RU2770219C1. Автор: Юрий Васильевич Иванщиков,Юрий Николаевич Доброхотов,Андрей Евгеньевич Макушев,Николай Николаевич Пушкаренко,Людмила Михайловна Корнилова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чувашский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2022-04-14.

Set and method for local delivery of beneficial effects

Номер патента: RU2750210C2. Автор: Курт БИННЕР,Александру ПАУНЕСКУ. Владелец: Джонсон энд Джонсон Консьюмер Инк.. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for applying functional elements to flat components

Номер патента: RU2593796C2. Автор: Кристиан МЮЛЛЕР-НИХУУС. Владелец: Федераль-Могуль Силинг Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-08-10.

Production method for form-stable feed for pets (versions) and feed produced by this method (versions)

Номер патента: RU2361419C2. Автор: Ким Джин ФРИЗЕН,Харри Мид КЛАРК III,Крейг Ричард КОУЛИ,Уилльям Дэвид ШЕНХЕРР. Владелец: Хилл`С Пет Ньютришн, Инк.. Дата публикации: 2009-07-20.

Method for forming artificial wave

Номер патента: RU2755753C2. Автор: Александр Геннадьевич Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРЛДЭКС ГРУПП". Дата публикации: 2021-09-21.

Apparatus and method for forming an insertion pad for subretinal delivery of a therapeutic agent

Номер патента: RU2742971C2. Автор: Дэниэл В. ПРАЙС,Брендан Дж. ОБЕРКИРГЕР,Бенджамин Л. КО,Томас Э. МЕЙЕР,Дэниэл Дж. ПРЕНГЕР,Джеффри КИНГ. Владелец: Джироскоуп Терапьютикс Лимитед. Дата публикации: 2021-02-12.

Particle containing at least one volatile substance, method for production thereof, food or feed additive containing said particle, and application thereof

Номер патента: RU2757228C1. Автор: Пиа ГОТТШАЛЬК,Ева-Мария Биндер,Штефен КОЛЕ. Владелец: Эрбер Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2021-10-12.

Processing agent for the formation of a chrome-free insulating coating, a textured sheet of electrical steel with an insulating coating applied and a method for its manufacture

Номер патента: RU2765649C1. Автор: Тосито ТАКАМИЯ,Такаси ТЭРАСИМА,Карин КОКУФУ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-02-01.

Device and method for filing and processing requests

Номер патента: RU2263957C2. Автор: Шерман Чинг МА. Владелец: Минерва Холдингс Нв. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Method for moulding a glass item, in particular a three-dimensionally moulded planar glass item, and device for carrying out the method, and use of a metal melt for carrying out the method

Номер патента: US20240343630A1. Автор: Bernhard Altendorfer,Alexandra Füller. Владелец: Fueller Glastechnologie Vertriebs GmbH. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for forming tissue thickness compensator arrangements for surgical staplers

Номер патента: RU2649525C2. Автор: Фредерик Э. ШЕЛТОН IV,Ричард В. ТИММ,Стивен Г. ХОЛЛ,Тамара ВАЙДЕНХАУЗ,Мэттью М. ЛЭНГ,Марк Д. ТИММЕР. Владелец: Этикон Эндо-Серджери, Инк.. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing of structure for providing prolonged release of aromatizer in chewing gum, composition (versions) and method for producing of chewing gum containing such a structure

Номер патента: RU2266012C2. Автор: Джо Х. СОНГ,Дональд Дж. ТАУНСЕНД,Джеймс Р. МАКСВЕЛЛ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2005-12-20.

Method for forming multilayer woven casing

Номер патента: RU2752183C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2021-07-23.

Method for forming a signature for detecting unauthorised access to a computer obtained using remote administration means, and system implementing the method

Номер патента: RU2769651C2. Автор: Сергей Николаевич Иванов. Владелец: Акционерное общество "Лаборатория Касперского". Дата публикации: 2022-04-04.

Method and mask for making watermarked paper, method for making resulting watermarked paper mask, and method for authenticating watermarked paper

Номер патента: RU2748464C2. Автор: Иван ТЬЕРРИ,Стефан МАЛЛОЛЬ. Владелец: Обертюр Фидюсьер Сас. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for automated text processing computer device realising said method

Номер патента: RU2460154C1. Автор: Александр Юрьевич Бредихин,Николай Евгеньевич Сергейчев. Владелец: Александр Юрьевич Бредихин. Дата публикации: 2012-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method for forming protruding-type metal fuse structure with water-proof protection

Номер патента: TW396358B. Автор: Wen-Shiang Liau. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2000-07-01.

Apparatus and method for making a dielectrically isolated semiconductor structure

Номер патента: CA948791A. Автор: Albert P. Youmans,Lionel A. Kirton. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Method for fabricating transformer intergrated with semiconductor structure

Номер патента: TWI299215B. Автор: Victor-Chiang Liang,Yu Chia Chen,Cheng Chou Hung,Tsun Lai Hsu,Hua Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-07-21.

Apparatus and method for making a dielectrically isolated semiconductor structure

Номер патента: CA948792A. Автор: Albert P. Youmans,Lionel A. Kirton. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Method for fabricating transformer intergrated with semiconductor structure

Номер патента: TW200739925A. Автор: Hua-Chou Tseng,Tsun-Lai Hsu,Victor-Chiang Liang,Cheng-Chou Hung,Yu-Chia Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

METHOD FOR FORMING III-V SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING ALUMINUM-SILICON NITRIDE PASSIVATION

Номер патента: US20120156836A1. Автор: Brown Richard,Shealy James R.. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD FOR FORMING HIGH-PERFORMED SILICON EPITAXIAL STRUCTURES WITH HIDDEN N + -LAYERS

Номер патента: RU2003138227A. Автор: Николай Михайлович Медведев,Сергей Георгиевич Прижимов,Николай Михайлович Медведев (RU),Сергей Георгиевич Прижимов (RU). Владелец: Зао "Взпп-Микрон" (Ru). Дата публикации: 2005-05-10.

METHOD FOR FABRICATING STACKED NITRIDE-COMPOUND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING NITRIDE-COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMMITING DEVICE

Номер патента: US20130065341A1. Автор: Sugawara Hideto,KAI Kenichiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-14.

METHOD FOR FABRICATING QUANTUM DOT AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTAINING QUANTUM DOT

Номер патента: US20120267603A1. Автор: . Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD FOR TREATING THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: SU780742A1. Автор: Н.С. Рудая,В.Е. Золотухин,Ю.Е. Марончук,И.Е. Марончук,Е.А. Криворотов,С.М. Пинтус. Владелец: Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср. Дата публикации: 1999-11-10.

Nondestructive method for quality control of multilayer semiconductor structures on half-insulated substrates

Номер патента: RU2094908C1. Автор: В.Я. Принц. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1997-10-27.

Method for determination of dynamic characteristics of elastic structure with tanks partially filled with fuel simulator

Номер патента: RU1796951C. Автор: Владимир Александрович Комаров,Александр Васильевич Сафронов,Анатолий Викторович Егоршев,Николай Иванович Старосила. Владелец: В.А.Комаров, А.В.Сафронов, Н.И.Старосилаи А.В.Егоршев. Дата публикации: 1993-02-23.

A method for producing a steel plate for building structures with a low yield ratio and excellent in heat-affected zone toughness of super large heat input welding.

Номер патента: JP3736484B2. Автор: 和彦 塩谷,健次 大井,達巳 木村. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2006-01-18.

APPARATUS AND METHOD FOR VISUALIZING THE POSITION OF A ROTATING STRUCTURE WITH RESPECT TO A STATIONARY STRUCTURE

Номер патента: US20130207974A1. Автор: Slemp Mark W.. Владелец: CSI TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-08-15.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYERED STRUCTURES WITH INTEGRAL BRAZING MATERIALS

Номер патента: US20120000967A1. Автор: . Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for coating of parts made from nickel-based alloys

Номер патента: RU2320774C1. Автор: Владимир Петрович Панков,Денис Владимирович Панков. Владелец: Денис Владимирович Панков. Дата публикации: 2008-03-27.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND ASSOCIATED METHOD FOR PREVENTING OVERFILLING IN A DISHWASHER

Номер патента: US20120000535A1. Автор: Poyner Dennis A.,Mitchell Glen,Duckworth Jason,DeFilippi John,Francisco Virgil J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR EARLY IMAGING OF ATHEROSCLEROSIS

Номер патента: US20120003151A1. Автор: . Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for actualization of digital area map and device for realization of said method

Номер патента: RU2246695C2. Автор: В.Л. Кашин,Л.И. Яблонский. Владелец: 29 Нии Мо Рф. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for preventing aircraft from colliding with ground and device based on said method

Номер патента: RU2262746C1. Автор: В.И. Бабуров,Т.Б. Гальперин,А.В. Маслов,Н.В. Мороз,Ю.Г. Волчок,С.В. Губкин,О.И. Саута,Г.Г. Пухов,М.А. Водов. Владелец: ЗАО "ВНИИРА-Навигатор". Дата публикации: 2005-10-20.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRYING METHOD FOR CERAMIC GREENWARE

Номер патента: US20120001358A1. Автор: "OBrien James J.",Clark Terence J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FILLET WELD JOINT AND METHOD FOR GAS SHIELDED ARC WELDING

Номер патента: US20120003035A1. Автор: Suzuki Reiichi,Kinefuchi Masao,KASAI RYU. Владелец: Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.). Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHOD FOR VOLITIONAL CONTROL OF JOINTED MECHANICAL DEVICES BASED ON SURFACE ELECTROMYOGRAPHY

Номер патента: US20120004736A1. Автор: . Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for coiling rolled rod and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2270730C1. Автор: Андрей Владимирович Лукьянов,нов Андрей Владимирович Лукь,Владимир Станиславович Некипелов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МТ груп". Дата публикации: 2006-02-27.

DEVICE AND METHOD FOR IMPROVING LIQUID REMOVAL FROM GAS, CONDENSATE & OIL WELLS WHEN USING A MULTI-CHANNEL SYSTEM

Номер патента: US20120000670A1. Автор: Kenworthy Michael W.,Ganelin Boris. Владелец: TECHNOLOGY COMMERCIALIZATION CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE USING SEDIMENTATION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003765A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR OBTAINING SOLID MICRO- OR NANOPARTICLES

Номер патента: US20120004308A1. Автор: Ventosa Rul Nora,Veciana Miró Jaume,Cano Sarabia Mary,Sala Vergés Santiago. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for one-positional measurement of laser emission source coordinates and device for realization of said method

Номер патента: RU2269795C1. Автор: Александр Юрьевич Козирацкий,Юрий Леонтьевич Козирацкий,Руслан В чеславович Перевозов,Руслан Вячеславович Перевозов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военный институт радиоэлектроники. Дата публикации: 2006-02-10.

Method for forming nano-(micro-)systems from carbon nanotubes

Номер патента: RU2306257C1. Автор: Эдуард Анатольевич Ильичев,Геннадий Сергеевич Рычков,Константин Анатольевич Царик,Эдуард Алексеевич Полторацкий,Виталий Николаевич Инкин,Василий Газизович Гарипов. Владелец: ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина". Дата публикации: 2007-09-20.

Method and device for forming high-speed no-containing gas flow for action on biological object

Номер патента: RU2597131C2. Автор: Евгений Владимирович Печёнкин. Владелец: Евгений Владимирович Печёнкин. Дата публикации: 2016-09-10.

Method for forming of creases on knitted articles

Номер патента: RU2309208C1. Автор: Елена Николаевна Колесникова,Тать на Евгеньевна Ермохина,Татьяна Евгеньевна Ермохина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2007-10-27.

CONNECTION OF A PROSTHESIS STRUCTURE WITH AN IMPLANT STRUCTURE

Номер патента: US20120003606A1. Автор: FISCHLER Titus,Schaffner Roland,Fischler Elisabeth,Baechler Martin,Baechler Juerg. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming of configured chocolate articles (versions), method for manufacture of mold, and mold

Номер патента: RU2246223C2. Автор: И.Б. Эльдарханова,А.И. Коваленский. Владелец: ООО "Кондитерская фабрика "Конфаэль". Дата публикации: 2005-02-20.

Method for processing disperse thermo-plastic materials by induction-linked plasma and method for forming a flow of material for realization thereof

Номер патента: RU2257689C2. Автор: Л.А. Иванов,Н.Н. Киселев,В.А. Слугин,В.А. Побережный,М.В. Побережный. Владелец: Закрытое акционерное общество "СПЕЦХИММОНТАЖ" (ЗАО "СХМ"). Дата публикации: 2005-07-27.

Method for development of forest stock plots adjoining conservation zones of air electric power lines

Номер патента: RU2287259C2. Автор: Сергей Михайлович Львов,Марина Васильевна Шашова. Владелец: Марина Васильевна Шашова. Дата публикации: 2006-11-20.

Method for controlling status of discrete signal sources and system for its implementation

Номер патента: RU2289164C1. Автор: Сергей Гаврилович Синичкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет (ГОУ ВПО НГТУ). Дата публикации: 2006-12-10.

Method for production of relief in functional layer of print form

Номер патента: RU2288844C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2006-12-10.

Method for generating voltage at electric arc welding and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2247013C2. Автор: Н.М. Чуйко,Д.Н. Чуйко. Владелец: Чуйко Дмитрий Николаевич. Дата публикации: 2005-02-27.

Method for forming "grape bowl ru" of fruit shoots (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2535171C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-12-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.