Semiconductor structure and method for fabricating same.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230020650A1
Опубликовано: 19-01-2023
Автор(ы): Heng-Chia Chang, Luguang WANG
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947610B2. Автор: HUNG-WEN Chen,Jer-Shien Yang,Chien-Chih Wu,Shiang-Chin LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING FINS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170338225A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,DIAZ Carlos H.,JU Shi-Ning,Leung Ying-Keung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING ISOLATIONS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190139816A1. Автор: CHANG YU-CHI,TSUI FELIX YING-KIT,Lo Wen-Shun. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure, electronic device, and manufacture method for semiconductor structure

Номер патента: US20230163043A1. Автор: Ran He,Huifang JIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942467B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor structure, electronic device, and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240194663A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Ming Hsu,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure having fins and method for manufacturing the same

Номер патента: US09941279B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor structure having fins and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170338225A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US20220068928A1. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773784B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chieh-Chih Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210296208A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220199490A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11776873B2. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170084688A1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09614034B1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure having buried conductive elements

Номер патента: US20150236024A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni,Emre Alptekin,Johnathan E. Faltermeier,Reinaldo A. Vega,Pooja R. Batra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: EP4075492A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Semiconductor structure without barrier and method of forming intermetallic connection in such structure

Номер патента: KR100424835B1. Автор: 홍 쿼이즈홍,흐수 웨이융,젱 신푸. Владелец: 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-06-26.

Semiconductor structure and method of fabricating same

Номер патента: US20230048193A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng,Zhengqing SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Planarised semiconductor structure including a conductive fuse and process for fabrication thereof

Номер патента: EP1266405A1. Автор: Michael Wise,Jeremy K. Stephens,Louis L. Hsu,Chandrasekhar Narayan,Larry Clevenger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Semiconductor structure including a conductive fuse and process for fabrication thereof

Номер патента: TW415077B. Автор: Chandrasekhar Narayan,Jack A Mandelman,Jeffrey P Gambino,Kenneth C Arndt,Rainer F Schnabel. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-12-11.

Semiconductor structure, electronic device, and preparation method for semiconductor structure

Номер патента: WO2022021164A1. Автор: 赫然,焦慧芳. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2022-02-03.

Thick wire structure and dual damascene method for forming it (dual damascene process for forming thick wire structure)

Номер патента: JP2009524257A. Автор: クールボー、ダグラス、ディー,ダウンズ、キース、イー,リンドグレン、ピーター、ジェイ,スタンパー、アンソニー、ケイ. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09704803B2. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having through via and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363492A1. Автор: Chih-Hsin Yang,Mao-Nan Wang,Yang-Hsin Shih,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230027276A1. Автор: Xiaoling Wang,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051620B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: EP4254509A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor structure, semiconductor assembly and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170533A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4084053A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09852991B2. Автор: JIQUAN Liu,Ming Zhou,Charles Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US09735049B2. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for preparing seminconductor structure

Номер патента: US12082392B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Structure and method for forming interconnect structure

Номер патента: US09543198B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09524923B2. Автор: Jun Qian,Xiao-Fei Han,Ju-Bao ZHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09431355B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378053A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure and Method for Topography Free SOI Integration

Номер патента: US20120139085A1. Автор: Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Structure and method for topography free soi integration

Номер патента: US20130193562A1. Автор: Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240363528A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure having dielectric-on-dielectric structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US12094815B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363538A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09917167B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US09704961B2. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200013873A1. Автор: Nan Wang,Ruoyuan LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor structure, capacitor, mask and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20030039903A1. Автор: Gurtei Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Semiconductor structure having a strained region and a method of fabricating same

Номер патента: US7045836B2. Автор: Wen-Chin Lee,Chenming Hu,Chung-Hu Ge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-05-16.

Semiconductor device and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010033025A1. Автор: Takeshi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153915A1. Автор: Hee Sun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure

Номер патента: US09601411B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09748175B1. Автор: Joung-Wei Liou,Yi-Jung Liu,Huan-Wei Wu,Chester Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20230049202A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Gang-Yi Lin,Yifei Yan,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12068247B2. Автор: Yuejiao Shu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20210036105A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2021-02-04.

Vertical compound semiconductor structure and method for producing the same

Номер патента: US20230207621A1. Автор: Peter Ramm,Armin Klumpp. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US12107087B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210043510A1. Автор: LI Jiang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20220415784A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09929182B2. Автор: Ji Quan LIU,Chun Lei GONG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US09640479B2. Автор: ZHONGSHAN Hong,Xianyong Pu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200111912A1. Автор: Chih-Hung Lin,Chia-hao Lee. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for fabricating finfets with different threshold voltages

Номер патента: US20220310593A1. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

FDSOI semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548317B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09608077B1. Автор: Jae-Sung Kim,Kun-Young Lee,Jeong-Seob KYE,Tae-Kyum KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09698159B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09425079B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for manufacturing semiconductor structure with resistive elements

Номер патента: US12040178B2. Автор: Chii-Ping Chen,Yu-Hsiang Chen,Wen-Sheh Huang,Hsiu-Wen Hsueh,Wan-Te CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398813A1. Автор: Chun-Sheng Lu,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Low resistance approaches for fabricating contacts and the resulting structures

Номер патента: US12119387B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Siddharth Chouksey,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Matthew V. Metz,Nazila Haratipour,Arnab SEN GUPTA,Mengcheng Lu,Ryan KEECH,Koustav Ganguly,Jitendra Kumar JHA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Electrical Signal Isolation in Semiconductor Structures

Номер патента: US20140363949A1. Автор: Paul D. Hurwitz,Robert L. Zwingman. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-12-11.

SOI Structure and Method for Utilizing Trenches for Signal Isolation and Linearity

Номер патента: US20130181321A1. Автор: Paul D. Hurwitz,Robert L. Zwingman. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2013-07-18.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09431301B1. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240120282A1. Автор: Wei-Chih Chen,Shang-Pin Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741694B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09718682B2. Автор: Peng Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and method for defect passivation to reduce junction leakage for finfet device

Номер патента: US09806176B2. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: EP4325551A1. Автор: Lingyi CHUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor package

Номер патента: US20110195568A1. Автор: Meng-Jen Wang,Chien-Yu Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor structure with nanostructure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200343140A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure, semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20210074665A1. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor structure, semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11342296B2. Автор: Sih-Hao Liao,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Chih Chen,Po-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09887264B2. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method

Номер патента: WO2022269139A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method

Номер патента: FI130559B. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Rad Zahra Jahanshah,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method

Номер патента: EP4360121A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method

Номер патента: CA3221889A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2022-12-29.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Layout of semiconductor structure, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190172831A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Etching mask, method for fabricating the same, and method for fabricating a semiconductor structure using the same

Номер патента: US20220223414A1. Автор: Yu-Chen Huang,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09401425B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating semiconductor layers including transistor channels having different strain states, and related semiconductor layers

Номер патента: US09576798B2. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device, semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230320063A1. Автор: Lin TANG,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell and method for the formation thereof

Номер патента: US09634017B1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230010594A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046478B2. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210134980A1. Автор: Yung-Han Chiu,Chia-Hung Liu,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure

Номер патента: US20030073297A1. Автор: Juergen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222525A1. Автор: Chung-Hsien Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Structures and methods for improved capacitor cells

Номер патента: WO2001059850A3. Автор: Vishnu K Agarwal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-03-07.

Structures and methods for improved capacitor cells

Номер патента: WO2001059850A2. Автор: Vishnu K. Agarwal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2001-08-16.

Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers

Номер патента: US20020142538A1. Автор: Eugene Marsh,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for transferring semiconductor structure

Номер патента: US09997399B2. Автор: Li-Yi Chen,Shih-Chyn Lin. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for preparing same, and storage apparatus

Номер патента: US20220076994A1. Автор: FANG Rong,Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure, packaging device and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240006281A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit package, and methods and tools for fabricating the same

Номер патента: US09947560B1. Автор: David Tan,Mohsen H. Mardi,Gamal Refai-Ahmed. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20130099361A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor structure including backgate regions and method for the formation thereof

Номер патента: US09583616B2. Автор: John Morgan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution

Номер патента: US20200135479A1. Автор: Chung-Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210398911A1. Автор: Po-Sheng Huang,Lee-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210167197A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor structure with barrier and method for manufacturing the same

Номер патента: US12027632B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

[structure of thin-film transistor and method and equipment for fabricating the structure]

Номер патента: US20040224446A1. Автор: Wen-Chang Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor structure with testline and method of fabricating same

Номер патента: US20240038605A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Yu-Ching Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method for the Same

Номер патента: US20130295728A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING BURIED GATE STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND MEMORY CELL HAVING THE SAME

Номер патента: US20170125532A1. Автор: JANG Tae-Su. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor structure having buried gate structure, method for manufacturing the same, and memory cell having the same

Номер патента: US20170271464A1. Автор: Tae-Su JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor devices including semiconductor structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09576791B2. Автор: Craig J. Atkinson,Alireza Amirrezvani,Nicole C. Skaggs. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Alignment monitoring structure and alignment monitoring method for semiconductor devices

Номер патента: US09589854B2. Автор: Dominik Olligs. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure with bumps and method for making the same

Номер патента: US3874072A. Автор: Ralph E Rose. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1975-04-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20150214306A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,Nakayama Koji,Ji Shiyang,MIYAZAWA Tetsuya,KOJIMA Kazutoshi,Hemmi Tetsuro,Asano Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor element and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US6132585A. Автор: Hirofumi Ichinose,Tsutomu Murakami,Takahiro Mori,Takafumi Midorikawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Auxiliary electrode transfer structure and manufacturing method for display panel

Номер патента: US20210336186A1. Автор: Chunhsiung FANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Porous silicon structures and laser machining methods for semiconductor wafer processing

Номер патента: WO2017136672A1. Автор: David Masayuki Ishikawa,Jonathan S. Frankel,Fatih Mert OZKESKIN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210005466A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Material selective regrowth structure and method

Номер патента: EP3134913A1. Автор: Edwin L. Piner. Владелец: Texas State University San Marcos. Дата публикации: 2017-03-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240030279A1. Автор: WAN Song,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Sitong CHEN,Zhengrong CHEN,Zhaozhao XU,Leping Wei. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240234501A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09984882B2. Автор: YONG Li,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371873A1. Автор: Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US12114478B2. Автор: Yong Lu,Gongyi WU,Longyang Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347594A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Jhon-Jhy Liaw,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure, semiconductor wafer and method for fabricating the same

Номер патента: TW200744120A. Автор: Shin-puu Jeng,Szu-Wei Lu,Clinton Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-01.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060124971A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20040164298A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masakiyo Matsumura,Masayuki Jyumonji. Владелец: Advanced LCD Technologies Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-26.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210074665A1. Автор: Chen Wei-Chih,Kuo Hung-Jui,LIAO SIH-HAO,Wang Po-Han,Hu Yu-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: TW200416794A. Автор: Hiroyuki Ogawa,Yoshitaka Yamamoto,Yoshinobu Kimura,Masato Hiramatsu,Masayuki Jyumonji,Matsumura Masakiyo. Владелец: Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-01.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH NANOSTRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200343140A1. Автор: Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-29.

Pinboard and preparation method thereof, encapsulating structure and the bonding method for pinboard

Номер патента: CN104409364B. Автор: 王璐,王谦,刘子玉,蔡坚,魏体伟. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-01.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240347591A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Ultrahigh-voltage semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076565A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170222063A1. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240304686A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865748B2. Автор: Chih-Chang CHENG,Ruey-Hsin Liu,Hsin-Chih Chiang,Tung-Yang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09590039B2. Автор: Wei-Shan Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function and multi-valued channel doping of nanowire transistors to improve drive current

Номер патента: US09620591B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Composite substrate, semiconductor structure, and manfufacturing method for composite substrate

Номер патента: US20240304675A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20150179648A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11876129B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor structure and preparation method for semiconductor structure

Номер патента: US20220293422A1. Автор: Jun Wei,Huan Xia,Zijie Wang,Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

LAYOUT OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20190172831A1. Автор: TUNG Yu-Cheng,Chang Feng-Yi,Lee Fu-Che. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method

Номер патента: AU2022297769A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-12-21.

Wafer-level package with metal shielding structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09831197B1. Автор: Wei-Ping Wang,Tsan-Lien Yeh,Kuan-Tien Shen,Szu-Chuan Pang. Владелец: SIGURD MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-11-28.

Transistor gate structure, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20190378907A1. Автор: Shiming Wang,Zhanyuan Hu,Zhiseng HUANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated circuit device with a gate electrode structure and a corresponding method for the production

Номер патента: DE102007042950A1. Автор: Tim Boescke. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-01-15.

Magnetic screen encapsulating structure and its manufacturing method for MRAM device

Номер патента: CN109559998A. Автор: 高山,郑富阳. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for fabrication of semiconductor structures using laser lift-off process, and related semiconductor structures

Номер патента: US09728458B2. Автор: Chrystelle Lagahe Blanchard,Mariam Sadaka,Bernard Aspar. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure including at least one electrically conductive pillar, semiconductor structure including a contact contacting an outer layer of an electrically conductive structure and method for the formation thereof

Номер патента: US09466685B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Thorsten Kammler. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20210098272A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: Globawafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: EP4035202A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20230031395A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Materials and Methods for Fabricating Superconducting Quantum Integrated Circuits

Номер патента: US20230337553A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US11991935B2. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH ANTENNA AND METHOD MAKING THE SAME

Номер патента: US20190181536A1. Автор: Lin Chengchung,Chen Yenheng,LIN Jangshen,WU Chentar. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US20160372450A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in-package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: US09633985B2. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD AND SYSTEM FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130193571A1. Автор: HUANG Yu-Lung. Владелец: XINTEC INC.. Дата публикации: 2013-08-01.

First-etched and later-packaged three-dimensional system-in- package normal chip stack package structure and processing method thereof

Номер патента: WO2015018174A1. Автор: Yaqin Wang,Yu-Bin Lin,Chih-Chung Liang,Chunyan Zhang,Youhai Zhang. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Stacked package structure and stacked packaging method for chip

Номер патента: US20170110441A1. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution

Номер патента: US20230369058A1. Автор: Chung-Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230015120A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure, memory and method for operating memory

Номер патента: US20230035348A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE ETCHING SOLUTION AND METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING THE SAME ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20200135479A1. Автор: LEE Chung-Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure etching solution and method for fabricating a semiconductor structure using the same etching solution

Номер патента: US11764067B2. Автор: Chung-Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Manufacturing method for semiconductor structure, and pixel structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120153392A1. Автор: Isaac Wing-Tak Chan,Chih-Hung Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-06-21.

Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures

Номер патента: US20070240631A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour,Ronald Stevens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor structure, memory and operation method thereof

Номер патента: EP4326025A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same

Номер патента: US20020117664A1. Автор: Ravindranath Droopad. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20140264621A1. Автор: Erh-Kun Lai,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure, electrical fuse and method of making same

Номер патента: TWI326911B. Автор: Hsien Wei Chen,Hsueh Chung Chen,Shangyun Hou,Shin Puu Jeng,Hao Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-01.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Broad spectrum light emitting devices and method for fabricating the same

Номер патента: EP1446838A2. Автор: Gerald H. Negley,Norbert Hiller,Scott Schwab. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-08-18.

Semiconductor structures with dual isolation structures, methods for forming same and systems including same

Номер патента: US20090200633A1. Автор: Salman Akram,James M. Chapman. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

SELF-ASSEMBLED NANOSTRUCTURES INCLUDING METAL OXIDES, SEMICONDUCTOR STRUCTURES COMPRISING THEREOF, AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20160042941A1. Автор: Jain Kaveri,Chen Xue,Brown William R.,Eom Ho Seop,Olson Adam L.,Hendricks Nicholas,Schuldenfrei Scott. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

SELF-ASSEMBLED NANOSTRUCTURES INCLUDING METAL OXIDES, SEMICONDUCTOR STRUCTURES COMPRISED THEREOF, AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180337035A1. Автор: Jain Kaveri,Chen Xue,Brown William R.,Eom Ho Seop,Olson Adam L.,Hendricks Nicholas,Schuldenfrei Scott. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor structure, electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: CN1992255A. Автор: 陈宪伟,郑心圃,陈学忠,侯上勇,蔡豪益. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US09673353B2. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US09601661B2. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and method and system for fabricating the same

Номер патента: US20040155279A1. Автор: Shinichiro Hayashi,Yoshihisa Nagano,Yuji Judai,Toshie Kutsunai. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Microelectromechanical systems, and methods for encapsulating and fabricating same

Номер патента: US20060108652A1. Автор: Markus Lutz,Aaron Partridge,Silvia Kronmueller. Владелец: Silvia Kronmueller. Дата публикации: 2006-05-25.

Structure and Method of Manufacturing for a Hermetic Housing Enclosure for a Thermal Shock Proof, Zero Thermal Gradient Imaging or Sensing Core

Номер патента: US20230140390A1. Автор: Bryan Keith Patmon,Wei Kiong Tan. Владелец: T Smart Systems LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Structure and manufacturing method for high resolution camera module

Номер патента: US20140098287A1. Автор: Chung-Yu Yang,Chun-Lung HUANG,Hsiu-Wen Tu,Cheng-Chang Wu,Rong-Chang WANG,Jo-Wei YANG. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

Номер патента: US20170148951A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU,Jhao-Cheng YE. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory, memory substrate structure, and preparation method for memory substrate structure

Номер патента: EP3971974A1. Автор: Zhen Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-23.

Surface treating system for a substrate having a compact structure and surface treating method for the substrate

Номер патента: KR101298220B1. Автор: 장승일,안길수. Владелец: 주식회사 엠엠테크. Дата публикации: 2013-08-22.

Epitaxial structure and epitaxial growth method for forming epitaxial layer with cavities

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20170154769A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Three dimensional integrated circuit structures and hybrid bonding methods for semiconductor wafers

Номер патента: KR101403110B1. Автор: 핑인 리우,씽후아 황,랜린 차오,치아시응 짜이. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2014-06-03.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: EP4107780A1. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: WO2021167752A1. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: EP4107780A4. Автор: Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert S. Chu,Errol Antonio C. Sanchez,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Structure and material engineering methods for optoelectronic devices signal to noise ratio enhancement

Номер патента: US12015042B2. Автор: Errol Antonio C Sanchez,Lori Washington,Zhiyuan Ye,Schubert Chu,Yi-Chiau Huang,Xianzhi Tao,Chen-ying WU,John Timothy Boland,Papo CHEN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them

Номер патента: US09916958B1. Автор: Henry J. Frisch,Vivek V. Nagarkar,Harish B. BHANDARI,Klaus Attenkofer,Olena E. Ovechkina,John M. Smedley. Владелец: Radiation Monitoring Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Battery, electrical device, and method and device for fabricating battery

Номер патента: EP4354618A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them

Номер патента: US11881391B1. Автор: Henry J. Frisch,Vivek V. Nagarkar,Harish B. BHANDARI,Klaus Attenkofer,Olena E. Ovechkina,John M. Smedley. Владелец: Brookhaven Science Associates LLP. Дата публикации: 2024-01-23.

Laminar structure and a production method for same

Номер патента: US09508995B2. Автор: Han Shin Choi,Hye Sook Joo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2016-11-29.

Battery cell, battery, electric device, and method and system for fabricating battery cell

Номер патента: AU2020470228A1. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Yuqun Zeng,Chengyou Xing,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Battery cell, battery, electric device, and method and system for fabricating battery cell

Номер патента: AU2020470228B2. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Yuqun Zeng,Chengyou Xing,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Temperature adjusting structure and temperature adjusting method for electric power storage device

Номер патента: US20160204487A1. Автор: Hirotaka WATANABE,Satoshi Morioka,Junta Katayama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09876116B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09711646B2. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20170271504A1. Автор: Chien-Hao Chen,Hsuan-Hsu Chen,Yu-Ping Wang,Yu-Hsiang Lin,Jyh-Shyang Jenq,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor Structure and Preparing Method for Semiconductor Structure

Номер патента: US20220085195A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same, memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301070A1. Автор: Yong Yu,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof

Номер патента: TW200744156A. Автор: Chih-Hsin Ko,Wen-Chin Lee,Hung-Wei Chen,Chung-Hu Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-01.

Semiconductor structure, semiconductor device and the method for fabricating thereof

Номер патента: TWI320961B. Автор: Wen Chin Lee,Chih Hsin Ko,Chung Hu Ke,Hungwei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-21.

Integrated semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US20240313088A1. Автор: Boting Liu,Shenghou LIU,Wenbi Cai,Xiguo SUN. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure, integrated circuit and method for forming semiconductor structure

Номер патента: CN112530974A. Автор: 刘铭棋,陈胜捷. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230128761A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method of generating integrated circuit layout diagram

Номер патента: TWI753307B. Автор: 曾健庭,林威呈,彭士瑋. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2022-01-21.

Memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US11895841B2. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structures and methods for ring oscillator fabrication

Номер патента: US9165925B2. Автор: Ruey-Bin Sheen,Shyh-An Chi,Chih-Hsien Chang,Chao-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor structure, integrated circuit and method for rerouting integrated circuit

Номер патента: TWI327362B. Автор: Yung Chin Hou,Lee Chung Lu,Li Chun Tien,Chu Ping Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-07-11.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structures with cavities, and methods of fabrication

Номер патента: US20030148552A1. Автор: Patrick Halahan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor structures with cavities, and methods of fabrication

Номер патента: WO2003023856A3. Автор: Patrick B Halahan. Владелец: Tru Si Technologies Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US11906577B2. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor packaging structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US09892988B2. Автор: Diann-Fang Lin,Yu-Shan Hu. Владелец: DAWNING LEADING TECHNOLOGY INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09847320B2. Автор: Jiun Yi Wu,William Wu Shen,Chien Hsun Lee,Chien Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09911833B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Metal-insulator-metal structure and method for forming the same

Номер патента: US09728597B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Wen-Chuan Chiang,Huey-Chi Chu,Wei-Min Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure and etch technique for monolithic integration of III-N transistors

Номер патента: US09502535B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20200083327A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Shih-Syuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Nanostructures and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094950B2. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Device including vias and method and material for fabricating vias

Номер патента: WO2020081318A1. Автор: Sean Matthew Garner,Rajesh Vaddi,Michael Lesley Sorensen,Barada Kanta Nayak,Patrick Scott LESLIE. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09929245B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structures and methods for multi-level work function

Номер патента: US09564431B2. Автор: Chih-Hao Wang,Wei-Hao Wu,Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Chia-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11658227B2. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220140102A1. Автор: Chao-Sheng Cheng,Pei-Lun JHENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Pad structure and testkey structure and testing method for semiconductor device

Номер патента: US20220404416A1. Автор: Le Li,Jiwei He,Linzhi LU. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Chip structure, packaging structure and manufacturing method for chip structure

Номер патента: US11769745B2. Автор: Liye Duan,Zongmin LIU,Mengjun Hou,Jijing HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US8933504B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

ALIGNMENT MONITORING STRUCTURE AND ALIGNMENT MONITORING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160336240A1. Автор: OLLIGS Dominik. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

STACKED PACKAGE STRUCTURE AND STACKED PACKAGING METHOD FOR CHIP

Номер патента: US20200328191A1. Автор: Tan Xiaochun. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Systems and methods for a thin film capacitor having a composite high-K thin film stack

Номер патента: US09424993B2. Автор: Marina Zelner,Mircea Capanu,Susan C. Nagy. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

A semiconductor structure and a forming method for a semiconductor device

Номер патента: CN102208384B. Автор: 陈宪伟,郑心圃,林立伟,苏安治,王姿予,谢棋君. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

MEMORY CELLS, SEMICONDUCTOR STRUCTURES, SEMICONDUCTOR DEVICES, AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20150295164A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Pandey Sumeet C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: US9281466B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-08.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: KR101960148B1. Автор: 거티 에스. 샌더,수미트 씨. 팬데이. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2019-07-04.

An interconnection network between semiconductor structures, integrated circuit and methods for transmitting signals

Номер патента: EP1939657B1. Автор: Alexander Burenkov. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2010-02-17.

STACKED CAPACITOR STRUCTURE AND A FABRICATING METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140312460A1. Автор: LEE TZUNG-HAN. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

Inductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US12131863B2. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same

Номер патента: US20080121911A1. Автор: Peter S. Andrews,Ronan P. Le Toquin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Pixel structure based on inkjet printing technology and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190273206A1. Автор: Chun Hsiang Fang,Yuan Chun Wu,Po Yen Lu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Misalignment test structure and method thereof

Номер патента: US7217581B2. Автор: Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie-Jiang Wu,Bo-Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09966382B2. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20230284463A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Inductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20220336145A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Junction structure and junction method for conductive projection

Номер патента: US20050056445A1. Автор: Yuji Nishitani,Hiroshi Asami,Ken Orui,Hiroko Jinno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20140008766A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20150228853A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

EPITAXIAL STRUCTURE AND EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR FORMING EPITAXIAL LAYER WITH CAVITIES

Номер патента: US20150228854A1. Автор: Chen Jun-Rong,Chou Hsiu-Mei,Ye Jhao-Cheng. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

A kind of closed structure and its manufacture method for wafer-level packaging

Номер патента: CN105600738B. Автор: 贾斌,祝明国,胡念楚. Владелец: RDA MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CORP Ltd. Дата публикации: 2018-02-02.

Nanostructured thermoelectric elements, other ultra-high aspect ratio structures and hierarchical template methods for growth thereof

Номер патента: US8932766B1. Автор: Justin J. Hill. Владелец: Mainstream Engineering Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A3. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: Haining S Yang. Дата публикации: 2007-11-01.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-10.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: WO2006078740A2. Автор: Haining S. Yang,Xiangdong Chen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-07-27.

Structure and method to optimize strain in cmosfets

Номер патента: EP1842239A4. Автор: Xiangdong Chen,Haining S Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-01.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US11552171B2. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20220085149A1. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US09716161B2. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11735647B2. Автор: Chih-Hao Wang,Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12119350B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure having a dual-gate non-volatile memory device and methods for making same

Номер патента: US09466608B1. Автор: Weize Chen,Patrice M Parris,Richard J De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230078585A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor structure, array structure, multi-layer stack structure, and method for fabricating array structure

Номер патента: US20230292488A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230189508A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Chip packaging structure and method for preparing the same, and method for packaging semiconductor structure

Номер патента: US20230197666A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230189509A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355794A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09589924B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including a resistor and method for the formation thereof

Номер патента: US20140264342A1. Автор: Alexandru Romanescu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12119345B2. Автор: Chih-tang Peng,Yung-Chung Chen,Chia-Ho CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170294484A1. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Electronic device including metal-insulator-semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09842881B2. Автор: Ki-Seon Park,Chi-Ho Kim,Jong-Han Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Systems and methods for annealing semiconductor structures

Номер патента: US09698026B2. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09640446B2. Автор: Weiming He,Huayong Hu,Lihua Ding. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240049457A1. Автор: Deyuan Xiao,Kanyu Cao,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Resistor Structure And Method For Making

Номер патента: US20190172901A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: US20180190753A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: WO2018126093A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instrumentsk Japan Limited. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20240274531A1. Автор: Yifei Yan,Daochu Wu,Xinyan Hong,Chao-Lun Fu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120869B2. Автор: Mengna ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240355893A1. Автор: Kai-Kuen Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Mask structure, semiconductor structure and methods for manufacturing same

Номер патента: US12027369B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure and process for fabricating semiconductor structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same and including surface treatment of an oxide layer

Номер патента: US20030015714A1. Автор: Albert Talin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431417B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4276894A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210098514A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang,Zong-Jie Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240355630A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Wen-Chih Chiang,Chi-Chung JEN,Kai-Hung HSIAO,Yu-Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor growth device

Номер патента: US20240327980A1. Автор: Xiao Xiao,Yang Cheng,Jun Wang,Yintao GUO. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same

Номер патента: US09923057B2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Richard Hammond,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422480A1. Автор: Dong Yan,Wei Li,Jun Wei,Zijie Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12101924B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4148792A1. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8932927B2. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-01-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130134516A1. Автор: Qiuxia Xu,Huajie Zhou. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177855A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013177856A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12114485B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051755B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347645A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240047370A1. Автор: Hongwei Zhu,Honglei Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276737A1. Автор: Chih-Hao Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetoresistive random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09570510B2. Автор: Je-min Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Se-Myeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240322013A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu,Wang-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347503A1. Автор: Kuo-Ming Chen,Yu-Jie Lin,Shing-Ren Sheu,Kai-Kuang Ho,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US9087825B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-21.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20140035140A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor Structure and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120181684A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130161708A1. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Ming-Tsan Peng,Tsung-Lin Chen,Shyr-Long Jeng,Shih-Tung Cheng,Po-Chien Chou,Jian-Feng Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240244819A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for wafer scale chip package

Номер патента: US12125811B2. Автор: Manoj Kumar Jain,Indumini W. Ranmuthu,Tracy Scott PAULSEN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Structure and method for testing stacked CMOS structure

Номер патента: US09568543B2. Автор: Hao Chen,Mill-Jer Wang,Ching-Nen Peng,Hung-Chih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device including a resistor and method for the formation thereof

Номер патента: US09478671B2. Автор: Alexandru Romanescu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180148317A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Albert Wan,Yu-Sheng Hsieh,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: WO2021028214A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2021-02-18.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: EP4014247A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-06-22.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A3. Автор: George Valliath. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Structure and method for fabricating an optical bus

Номер патента: WO2003009398A2. Автор: George Valliath. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US11881408B2. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, and memory

Номер патента: US20230189506A1. Автор: Ning Xi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US20220293427A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thermal Dissipation Structures and Methods for Forming Same

Номер патента: US20240266334A1. Автор: Dian-Hau Chen,Tsung-Chieh Hsiao,Liang-Wei WANG,Ke-Gang Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194665A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716222B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device including bonding pads and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243081A1. Автор: Byung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor detector and method of fabricating same

Номер патента: US20240234620A9. Автор: Stoyan Nihtianov,Kenichi Kanai,Xinqing Liang,Gianpaolo LORITO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Light emitting device using micrometer-sized semiconductor light emitting diode, and method for manufacturing same

Номер патента: US20220310879A1. Автор: Eunah Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455403B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09484356B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240074143A1. Автор: Wenjie Liu,Yu-Cheng Liao,Joonsuk Moon. Владелец: Cxmt Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Inductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243163A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Yang-Che CHEN,Chi-Hui Lai,Wei-Yu Chou,Yi-Lun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers

Номер патента: US20140299892A1. Автор: Jani Oksanen,Jaakko Tulkki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601506B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and systems for semiconductor structure thickness measurement

Номер патента: US20210295496A1. Автор: Olmez Fatih. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349500A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Two-dimensional semiconductor structure with controllable magnetic state and ferromagnetic resonance

Номер патента: US20230247911A1. Автор: JIA Li,Andrew Mounce,Jiangxiazi LIN,Erin MORISSETTE. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

Electromagnetic relay structure and spot welding machine used for fabricating same

Номер патента: US6028284A. Автор: Shigeru Kobayashi,Nobuo Ishibashi,Kazuo Ohtsuka. Владелец: Niles Parts Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-22.

Battery cell, battery, electrical apparatus, and method and device for fabricating battery cell

Номер патента: EP4195388A4. Автор: Zhijun Guo,Kun FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for fabricating battery cell

Номер патента: EP4148898A4. Автор: Xing Li,Quankun Li,Wenlin Zhou,Liangfan XU,Shengwang CHEN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Engagement structure and engagement method for the same

Номер патента: US20240322486A1. Автор: Ting-Jui Wang. Владелец: Fivegrand International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for fabricating separator for non-aqueous electrolyte electricity storage device, and method and device for fabricating non-aqueous electrolyte electricity storage device

Номер патента: CN102832366A. Автор: 能见俊祐,中村吉宏,原田宪章,矢野雅也,佐波映. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-12-19.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: EP2571031A4. Автор: Dong Ryul Kim,Jang Yeon HWANG,Sang Uk Ryu,Hyeon Woo Jang,Bon Suk Koo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-11-30.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for fabricating battery cell

Номер патента: EP4333172A1. Автор: PENG Wang,Zhijun Guo,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Etch Resist and Method and Apparatus for Fabricating Flat Panel Display Using The Same

Номер патента: KR101076423B1. Автор: 채기성,김진욱,김용범. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-10-25.

Extreme ultraviolet photomask and Method and Apparatus for Fabricating the Same

Номер патента: KR101576205B1. Автор: 우상균,허성민,장일용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-12-10.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for fabricating battery cell

Номер патента: WO2023000184A1. Автор: 李星,徐良帆,李全坤,周文林,陈圣旺. Владелец: 宁德时代新能源科技股份有限公司. Дата публикации: 2023-01-26.

Battery cell, battery, electric device, and method and system for fabricating battery cell

Номер патента: EP4071923A4. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Yuqun Zeng,Chengyou Xing,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Battery pack, battery package, electrical apparatus, and method and device for fabricating battery pack

Номер патента: EP4047701A1. Автор: Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Xiaofu XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-24.

Graphene sheet combining graphite flake structure and its manufacturing method, and slurry for manufacturing the same

Номер патента: US10066141B2. Автор: Lain-Jong Li,Feng-Yu Wu,Hsiu-Pin Chang,Jonathan Ross,Chih-Chieh CHAN,Tung Chou,Wen-Hsien LIAO. Владелец: Nitronix International Holdings Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Textile-type electronic component package and method, method for mounting the same on textile

Номер патента: KR101199483B1. Автор: 김지은,손용기,김배선. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-11-09.

Vehicle installation structure and vehicle installation method for fuel cell stack

Номер патента: US20210078414A1. Автор: Satoshi Ajisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Vehicle installation structure and vehicle installation method for fuel cell stack

Номер патента: US11752886B2. Автор: Satoshi Ajisaka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

WIRE CONNECTION STRUCTURE FOR THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER, THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER PROVIDED WITH THE STRUCTURE, AND WIRE CONNECTION METHOD FOR THREE-PHASE SHEATH TYPE HEATER

Номер патента: US20140110399A1. Автор: NORITAKE Kensuke,NISHIBE Norio. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-24.

LAMINAR STRUCTURE AND A PRODUCTION METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140120457A1. Автор: Choi Han Shin,Joo Hye Sook. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2014-05-01.

TEMPERATURE ADJUSTING STRUCTURE AND TEMPERATURE ADJUSTING METHOD FOR ELECTRIC POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160204487A1. Автор: Watanabe Hirotaka,KATAYAMA Junta,MORIOKA Satoshi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-14.

A communication system, and a radio station, a method of controlling a controllable structure and a computing method for use in such a communication system

Номер патента: KR100707294B1. Автор: 라울 브루조네,압델바헤브 마르주키,유하 라펠리. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2007-04-16.

Electrolyte injection hole structure and electrolyte injection method for lithium ion battery

Номер патента: CN103682238A. Автор: 张玉花,叶张军,吴志川. Владелец: JIANGSU HAIFU NEW ENERGY TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Lithium titanate crystal structure, complex of lithium titanate crystal structure and carbon, manufacturing method for same, electrode and electrochemical element using same

Номер патента: CN102884003A. Автор: 石本修一,直井胜彦,直井和子,玉光贤次. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

A terminal crimp connection structure and terminal crimping method for crimping a terminal on a copper alloy wire and wire harness with the terminal crimp connection structure

Номер патента: DE102008005695A1. Автор: Tetsuro Makinohara Ide,Hideto Makinohara Kumakura,Satoshi Makinohara Yagi,Shigeharu Makinohara Suzuki,Kenji Makinohara Suzuki. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Electromagnetic armouring structure and its installation method for aero-engine ignition installation's power source socket seal interface

Номер патента: CN109273906A. Автор: 王晖,梁杰,李新虎. Владелец: Shaanxi Aero Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-25.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: WO2011142622A3. Автор: 김동렬,황장연,류상욱,장현우,구본석. Владелец: (주)Lg화학. Дата публикации: 2012-04-19.

Transparent and electrically conductive film having a multi-layer structure and a production method for the same

Номер патента: EP2571031B1. Автор: Dong Ryul Kim,Jang Yeon HWANG,Sang Uk Ryu,Hyeon Woo Jang,Bon Suk Koo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-07-04.

Packaging structure and relative manufacturing method for passive component

Номер патента: TW200635002A. Автор: Han-Cheng Hsu,Xin-Hua Li. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2006-10-01.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US12133373B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240032277A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US11818880B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures and uses of same

Номер патента: MY144480A. Автор: Yin S Tang. Владелец: Yin S Tang. Дата публикации: 2011-09-30.

Integration of rare-earth doped amplifiers into semiconductor structures

Номер патента: WO2005079395A3. Автор: YIN Tang. Владелец: YIN Tang. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: WO2015157080A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-10-15.

Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication

Номер патента: EP3130014B1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-02.

Mover for displacement systems and methods and systems for fabrication and use of same

Номер патента: WO2024148442A1. Автор: Xiaodong Lu,Scott Parks,Graham Williamson. Владелец: Planar Motor Incorporated. Дата публикации: 2024-07-18.

Photosensitive resin composition, photosensitive film, rib pattern formation method, hollow structure and formation method for same, and electronic component

Номер патента: US09625814B2. Автор: Sadaaki Katou,Junichi Kamei. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Conductive structure, manufacturing method for conductive structure, article including conductive structure, and manufacturing method for article including conductive structure

Номер патента: US20230337331A1. Автор: Kenta Nishijima,Takashi Morioka,Tatsuki Hasegawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Network structure and service providing method for supporting multicast and broadcast service in mobile communication network

Номер патента: EP4007439A4. Автор: Youngkyo Baek,Jungje SON,Sangsoo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Superconducting magnesium diboride thin film and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20040186023A1. Автор: Eun-Mi Choi,Hyeong-Jin Kim,Won Kang,Sung-Ik Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Single-walled Carbon Nanotube Films and Method and Apparatus for Fabricating Thereof

Номер патента: US20230227313A1. Автор: Huaping Li. Владелец: Atom H2O LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Multi-stage analog-to-digital converter with pipeline structure and method for coding the same

Номер патента: US20040070530A1. Автор: Seung-bin You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-15.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575T2. Автор: Katsunobu Nerima-ku FURUTA. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575D1. Автор: Katsunobu Furuta. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Encapsulation structure and encapsulation method for flexible organic light-emitting diode device

Номер патента: US11943954B2. Автор: Wenzhi Zhang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Superconducting quantum chip structure and fabrication method for superconducting quantum chip

Номер патента: US20240037438A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Grounding structure and grounding method of vacuum tube audio amplifier

Номер патента: CA3013505A1. Автор: Hsi-Hsien Chen. Владелец: Echowell Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Grounding structure and grounding method of vacuum tube audio amplifier

Номер патента: CA3013505C. Автор: Hsi-Hsien Chen. Владелец: Echowell Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-06.

Superconducting quantum chip structure and superconducting quantum chip preparation method

Номер патента: EP4227862A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Protocol structure and service providing method for cdma packet data service using wireless lan and portable internet, and mobile communication terminal therefor

Номер патента: KR100612698B1. Автор: 박성수,이상신,우대식. Владелец: 에스케이 텔레콤주식회사. Дата публикации: 2006-08-16.

NETWORK STRUCTURE AND SERVICE PROVIDING METHOD FOR SUPPORTING MULTICAST AND BROADCAST SERVICE IN MOBILE COMMUNICATION NETWORK

Номер патента: US20220279319A1. Автор: JEONG Sangsoo,SON Jungje,BAEK Youngkyo. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Rotor structure and rotor manufacturing method for permanent magnet type rotating electrical machine

Номер патента: WO2014030547A1. Автор: 徹仲田,浩平室田. Владелец: 日産自動車株式会社. Дата публикации: 2014-02-27.

Coil inserting structure and coil inserting method for alternating current motor winding

Номер патента: CN113410934A. Автор: 彭飞飞,陈敬东,朱锡辉,万滨滨. Владелец: Kangfu Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-09-17.

Super frame structure and beacon scheduling method for mesh networking

Номер патента: US20100085930A1. Автор: Chang Sub SHIN,Wun Cheol Jeong,Anseok Lee,So Young Hwang,Seong Soon Joo,Jong Suk Chae. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-04-08.

A kind of circuit structure and its design method for filtering power splitter

Номер патента: CN107332534A. Автор: 李伟,朱芳,彭猛. Владелец: Leihua Electronic Technology Research Institute Aviation Industry Corp of China. Дата публикации: 2017-11-07.

The optical network structure and data transport method for IPTV data transport

Номер патента: KR101029365B1. Автор: 최병화,윤경모,이선무. Владелец: 주식회사 케이티. Дата публикации: 2011-04-13.

A preamble structure and a syncronous method for frequency offset correction in ofdm-fdma/cdma/tdma system

Номер патента: KR100807719B1. Автор: 장경희,노정호,선태형. Владелец: 인하대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-02-28.

Superframe structure and beacon scheduling method for mesh networking

Номер патента: KR101255535B1. Автор: 주성순,채종석,정운철,신창섭,이안석,황소영. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2013-04-16.

The electric automobile dynamic radio electric power system in parallel based on multistage composite resonance structure and use the method for supplying power to that this system realizes

Номер патента: CN104682580B. Автор: 宋凯,逯仁贵,朱春波,张剑韬,魏国,郭尧. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-11-02.

Layout routing structure and layout routing method for improving SI performance of signal

Номер патента: US11126777B2. Автор: Ning Wu. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-21.

Heat dissipation structure and heat dissipation method for electronic controller

Номер патента: CN114867330B. Автор: 郑学强. Владелец: Qingdao Hishing Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-06-23.

Electric motor having wire connection structure and wire connection method for the same

Номер патента: US8358041B2. Автор: Masafumi Sakuma,Ryoji Mizutani,Shigetaka Isogai. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-22.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US9903759B2. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-27.

Etalons and methods and systems for fabricating same

Номер патента: US20160273964A1. Автор: Dar-Tson SHEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-22.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20220306879A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Scrub-resistant ink and methods and apparatus for fabrication and use thereof

Номер патента: US20200392356A1. Автор: Eric Stroud,Gary J. Pieringer. Владелец: VISCOT MEDICAL LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Photoactivated blood products and methods and apparatus for fabrication and use of same

Номер патента: EP3976109A1. Автор: JR. Nicholas William MEDENDORP,Katelyn REIGHARD CRIZER. Владелец: Know Bio LLC. Дата публикации: 2022-04-06.

Bellows core and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: US4924756A. Автор: Amitava Datta,Donald N. Berube. Владелец: EG&G Sealol Inc. Дата публикации: 1990-05-15.

Lamp and method and apparatus for fabricating lamp

Номер патента: US7575495B2. Автор: Kazuhiro Yamazaki,Fujihiko Sugiyama,Chiharu Matsunaga,Masahiro Enoki. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-18.

Form-rolling die structure and form-rolling method for compound screw

Номер патента: US20140338412A1. Автор: Michiwaki Hiroshi. Владелец: Next Innovation GK. Дата публикации: 2014-11-20.

Color slide fastener and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010007376A1. Автор: Young-Chul Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

A unit-type wrapped non-destructive reinforcement structure and a construction method for stone slabs

Номер патента: LU505975B1. Автор: Yixian Wu,Jianjun Yang,Kewei HUANG,Jizhuo Huang,Wangsheng Xu,Liwang Zheng,Wuxuan Wu. Владелец: Fuzhou Architectural Science Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Alignment coating structure and alignment coating method for substrate

Номер патента: US20220050335A1. Автор: Guizhi MA,Yongkal LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12075707B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12114486B2. Автор: Wei Wan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20240306366A1. Автор: Ya Wang,Xing Zhang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Kuan HU. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Three-dimensional memory device containing etch stop metal plates for backside via structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240040786A1. Автор: Yusuke Yoshida,Shigeyuki Yoshida,Teruo OKINA,Takanori Hanada. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12108592B2. Автор: Jie Zhang,Jie Bai,Juanjuan Huang,Dahan QIAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Three-dimensional memory devices having channel cap structures and methods for forming the same

Номер патента: US20240349501A1. Автор: Bing Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Layout structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230421157A1. Автор: Xue Shan,Wei Jiang,Jing Xu,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Layout structure and method for fabricating same

Номер патента: US12113531B2. Автор: Xue Shan,Wei Jiang,Jing Xu,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structures for enhanced transient response in low dropout (LDO) voltage regulators

Номер патента: US09383618B2. Автор: Gwilym Luff. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US10112825B2. Автор: Weng-Yi Chen,Kuan-Yu Wang,Te-Huang Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Fabrication line, systems, and methods for fuselage sections

Номер патента: US12077319B2. Автор: Daniel R. Smith,Darrell D. Jones,Raviendra Sidath Suriyaarachchi,Jeremy Evan Justice,Robert William Whiting,Paul Chace Wilcoxson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Automotive window laminate structure, thermoplastic laminated sheet structure for use therein, and method for producing said automotive window laminate structure via heat pressure laminating process

Номер патента: EP4433304A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D&k BV. Дата публикации: 2024-09-25.

Structure and Method for Producing a Precious Metal Thin-Film Laminate

Номер патента: US20140377517A1. Автор: Paul Diffendaffer,Laurie Johansen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

Fluidic systems, devices and methods for inducing anisotropy in polymeric materials

Номер патента: US12103216B2. Автор: Elliot L. Chaikof,Axel Guenther,Lian Leng,Richard Cheng,Stephanie GRAINGER,David Miranda Nieves,Shashi MALLADI. Владелец: BETH ISRAEL DEACONESS MEDICAL CENTER INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Systems and methods for mask reduction techniques

Номер патента: US09919920B1. Автор: Daesung Lee. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Ornament having dot pattern ornamental indicia thereon, and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: AU3228293A. Автор: Robert A. Van Wyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-06-28.

Lobular drive system with interference fit and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: EP2160517A4. Автор: Dennis Luna. Владелец: Acument Intellectual Properties LLC. Дата публикации: 2011-09-14.

Multi-blocks structure and method for forming a composite part from said structure

Номер патента: CA3240649A1. Автор: Serge Luquain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for manufacturing unidirectional textile fabric

Номер патента: RU2756286C2. Автор: Ронни ВОККАТЦ,Сюхей ЙОСИДА,Дирк ОРТМАННС,Йосуке НАКАМУРА,Хидекадзу ЙОСИКАВА. Владелец: Тейджин Карбон Юроп Гмбх. Дата публикации: 2021-09-29.

Method for producing micro-mesoporous zeolite y and zeolite obtained by this method

Номер патента: RU2650897C1. Автор: Ирина Игоревна Иванова,Елена Евгеньевна Князева,Ирина Вячеславовна Добрякова,Ангелина Александровна Маерле. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-04-18.

Structural building panels and panel components, panel assemblies, methods of making, and methods of using

Номер патента: US11795688B2. Автор: Gerhard P. Schiffmann,Glenn P. Schiffmann,Michael Justin Millis. Владелец: Composite Panel Systems LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Structural building panels and panel components, panel assemblies, methods of making, and methods of using

Номер патента: CA3123663A1. Автор: Gerhard P. Schiffmann,Glenn P. Schiffmann,Michael Justin Millis. Владелец: Composite Panel Systems LLC. Дата публикации: 2022-01-01.

Cleaning apparatus for 3D printing structure and cleaning method for 3D printing structure using the same

Номер патента: US12036739B2. Автор: Hui Suk Yun,Honghyun Park. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for preparing composition

Номер патента: RU2244542C2. Автор: Патрик БУССОН,Марко ШРЁДЕР. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2005-01-20.

Free air dilution smoke filter and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: CA1182712A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-02-19.

Fabrication line, systems, and methods for fuselage sections

Номер патента: US20220153452A1. Автор: Daniel R. Smith,Darrell D. Jones,Raviendra Sidath Suriyaarachchi,Jeremy Evan Justice,Robert William Whiting,Paul Chace Wilcoxson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for fabricating a hybrid braided composite part, apparatus therefore and hybrid composite part

Номер патента: EP3779010A1. Автор: Amol Ogale,Karl R Bernetich. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-02-17.

ETALONS AND METHODS AND SYSTEMS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20160273964A1. Автор: SHEN Dar-Tson. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Micro-spherical porous biocompatible scaffolds and methods and apparatus for fabricating same

Номер патента: US20110212179A1. Автор: David Liu. Владелец: David Liu. Дата публикации: 2011-09-01.

Nanoarrays and methods and materials for fabricating same

Номер патента: US20100190654A1. Автор: Ginger D. Rothrock,Robert L. Henn. Владелец: Liquidia Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Micro-spherical porous biocompatible scaffolds and methods and apparatus for fabricating same

Номер патента: WO2010062678A3. Автор: David Liu. Владелец: David Liu. Дата публикации: 2011-04-07.

A plastic liquid strainer and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: AU4113296A. Автор: Savars Gurarslan. Владелец: CANIMPORT LTEE. Дата публикации: 1997-07-03.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: US09400336B2. Автор: Eric Berruyer. Владелец: AREVA NP SAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Extracorporeal circulation circuit, fluid processing device, connection structure, and processing method for fluid processing device in extracorporeal circulation circuit

Номер патента: EP4233933A1. Автор: Keisuke Inoue,Mutsumi Yamamoto,Ryohei IZUMI. Владелец: JMS Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Concrete foundation structure and construction method for same

Номер патента: AU2019439273A1. Автор: Yumiko FUNAKOSHI,Yu NAGAYAMA. Владелец: Prex Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Concrete foundation structure and construction method for same

Номер патента: AU2019439273B2. Автор: Yumiko FUNAKOSHI,Yu NAGAYAMA. Владелец: Prex Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Kerb and drainage installation and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: US20020057943A1. Автор: James Charlesworth. Владелец: EXTRUDAKERB (MALTBY ENGINEERING) Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Composite nano-substance of cocoa-charcoal cladded conjugate structure and manufacturing method for yarn thereof

Номер патента: US20230093187A1. Автор: Si-Rong Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

Kerb and drainage installation and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: AU7935901A. Автор: James Kerber Charlesworth. Владелец: EXTRUDAKERB MALTBY ENGINEERING. Дата публикации: 2002-04-18.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: US20240255208A1. Автор: Akio Sugimoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Pressure equalizing structure and pressure equalizing method for gasification furnace apparatus

Номер патента: US09422489B2. Автор: Osamu Shinada,Yasunari Shibata,Kenta Haari. Владелец: Mitsubishi Hitachi Power Systems Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for fabricating electro-optical device and method and apparatus for fabricating liquid crystal panel

Номер патента: KR100454514B1. Автор: 나카하라히로키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-11-05.

Method and apparatus for fabricating electro-optical device and method and apparatus for fabricating liquid crystal panel

Номер патента: TWI240012B. Автор: Hiroki Nakahara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-21.

Systems and methods for producing carbon nanostructures and ultrathin aligned carbon wires with multilayer turbostratic graphene structure

Номер патента: US11846042B2. Автор: Marc Madou,Alexander HWU,Jufeng Deng,Xingxu YAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-19.

Washer and fastening structure, and fastening release method

Номер патента: EP4411153A1. Автор: Hiroshi Saeki. Владелец: Nippon Plarad Co. Дата публикации: 2024-08-07.

Fluidic systems, devices and methods for inducing anisotropy in polymeric materials

Номер патента: CA2993676C. Автор: Elliot L. Chaikof,Axel Guenther,Lian Leng,Richard Cheng,Stephanie GRAINGER,David Miranda Nieves,Shashi MALLADI. Владелец: BETH ISRAEL DEACONESS MEDICAL CENTER INC. Дата публикации: 2023-08-22.

Etched micro lens and method and apparatus for fabricating

Номер патента: WO2002025323A3. Автор: Ian R Redmond. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Etched micro lens and method and apparatus for fabricating

Номер патента: WO2002025323A9. Автор: Ian R Redmond. Владелец: DataPlay Inc. Дата публикации: 2002-06-06.

Dry ice preparation device, and air exhaust structure and air exhaust method for dry ice preparation device

Номер патента: US20240270581A1. Автор: QI Lin,Tongying SHI. Владелец: Xiamen Jin Rui Yi Industrial & Trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Laminated structure, a touch display having a laminated structure, and a laminating method thereof

Номер патента: US09684397B2. Автор: Wei Wang,Jia WU,Yau-Chen Jiang,Pingping Huang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Glass block panel construction and method and apparatus for fabrication thereof

Номер патента: CA2239061C. Автор: Robert E. Fox. Владелец: Trend Products Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

STENT AND METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING THE STENT

Номер патента: US20190008666A1. Автор: Harder Claus. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

METALLIC PROBE, AND METHOD AND APPARATUS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140183169A1. Автор: Fujita Junichi. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2014-07-03.

SCRUB-RESISTANT INK AND METHODS AND APPARATUS FOR FABRICATION AND USE THEREOF

Номер патента: US20220306879A1. Автор: PIERINGER GARY J.,STROUD Eric. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

MESH SHEET, SYSTEMS AND DEVICES THAT INCORPORATE A MESH SHEET, AND METHODS AND EQUIPMENT FOR FABRICATING A MESH SHEET

Номер патента: US20180318908A1. Автор: STERGIOULAS Nick. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-08.

SCRUB-RESISTANT INK AND METHODS AND APPARATUS FOR FABRICATION AND USE THEREOF

Номер патента: US20200392356A1. Автор: PIERINGER GARY J.,STROUD Eric. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Masking apparatus and method and apparatus for fabricating organic electro luminescence device using the same

Номер патента: KR100705315B1. Автор: 이재혁. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2007-04-10.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: AU694708B2. Автор: Tsuneo Yumikura,Takayuki Yoshida,Kaoru Ikejima,Takashi Gotoh,Atsushi Motizuki,Yuji Sueto,Michimasa Takeshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-07-23.

Masking apparatus and method and apparatus for fabricating organic electro luminescence device using the same

Номер патента: KR20050094150A. Автор: 이재혁. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2005-09-27.

Flexible self-expandable stent using a shape memory alloy and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20050209708A1. Автор: Jae-Hyung Park,Soon-Hyung Hong,Woong-Hee Son,Jong-Taek Lee,Jin-Wook Jing,Kyoung-Min Shin. Владелец: Taewoong Medical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Color slide fastener and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: US20010007165A1. Автор: Young-Chul Kang. Владелец: Young-Chul Kang. Дата публикации: 2001-07-12.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: CN1160163A. Автор: 望月厚志,吉田孝行,后藤高志,弓仓恒雄,竹下伦正,末藤祐二,池岛薰. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-09-24.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: EP0729002A2. Автор: Takashi c/o Mitsubishi Denki K.K. Gotoh,Kaoru c/o Mitsubishi Denki K.K. Ikejima,Takayuki C/O Mitsubishi Denki K.K. Yoshida,Michimasa c/o Mitsubishi Denki K.K. Takeshita,Tsuneo c/o Mitsubishi Denki K.K. Yumikara,Atsushi c/o Mitsubishi Elec. Eng.Co.Ltd Motizuki,Yuji c/o Mitsubishi Denki K.K. Sueto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-08-28.

Switchable reflective devices including first and second optically transparent materials with different refractive indexes and methods and systems for fabrication thereof

Номер патента: US11067848B1. Автор: Andrew John Ouderkirk,Katherine Marie SMYTH,Ken Diest. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-20.

Adhesively secured frame assembly, and method and apparatus for fabricating the same

Номер патента: CA2382695A1. Автор: John Szabo,Douglas Wylie,Zhiping Cao,Ernest Shupak,Saj Ravindran. Владелец: Bay Mills Ltd.. Дата публикации: 2001-03-01.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: AU695123B2. Автор: Tsuneo Yumikura,Takayuki Yoshida,Kaoru Ikejima,Takashi Gotoh,Atsushi Motizuki,Yuji Sueto,Michimasa Takeshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-08-06.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: AU688240B2. Автор: Tsuneo Yumikura,Takayuki Yoshida,Kaoru Ikejima,Takashi Gotoh,Atsushi Motizuki,Yuji Sueto,Michimasa Takeshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-05.

Switchable reflective devices and methods and systems for fabrication thereof

Номер патента: WO2019244142A2. Автор: Andrew John Ouderkirk,Katherine Marie SMYTH,Kenneth Alexander Diest. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2019-12-26.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: AU2140697A. Автор: Tsuneo Yumikura,Takayuki Yoshida,Kaoru Ikejima,Takashi Gotoh,Atsushi Motizuki,Yuji Sueto,Michimasa Takeshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-08-14.

Skylight and curb assembly and methods for installing and fabricating same

Номер патента: US20180087278A1. Автор: Steve Roy Kastner,Charles Joseph Rimsky,Max Laforrest Sargent,Brian Jefferson Burkes. Владелец: VKR Holding AS. Дата публикации: 2018-03-29.

SKYLIGHT AND CURB ASSEMBLY AND METHODS FOR INSTALLING AND FABRICATING SAME

Номер патента: US20190234073A1. Автор: Burkes Brian Jefferson,KASTNER STEVE ROY,RIMSKY CHARLES JOSEPH,Sargent Max LaForrest. Владелец: VKR Holding A/S. Дата публикации: 2019-08-01.

Article of footwear having a sole structure including a fluid-filled chamber and an outsole, the sole structure, and methods for manufacturing

Номер патента: US9750307B2. Автор: Benjamin J. Monfils,Lee D. Peyton,II Fidencio CAMPOS. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Automotive window laminate structure, thermoplastic laminated sheet structure for use therein, and method for producing said automotive window laminate structure via heat pressure laminating process

Номер патента: CA3237413A1. Автор: Bartholomeus Leonardus Marinus Borcherd Driehuis. Владелец: Autoglas D & K BV. Дата публикации: 2023-05-19.

Cooling structure and method for control rod drive device and atomic reactor

Номер патента: EP2246860A1. Автор: Nobuki Uda,Chikara Kurimura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

Sphagnum moss composition for the production of sheeted absorbent and method for evaluating the potential of sphagnum moss material for absorbing liquid

Номер патента: CA2107154C. Автор: Yvon Levesque,Sylvaine Cote,Denis Gallagher. Владелец: Johnson and Johnson Inc. Дата публикации: 2000-05-09.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: US20060272723A1. Автор: Thomas Ohnstad,Russell Monk,James Jackson Henry. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-07.

Road structure, formwork jig, and method for constructing road structure

Номер патента: PH12021550584A1. Автор: Satoshi Matsunaga,Hitoshi Ozoe,Keisuke SHIOTA. Владелец: Jfe Civil Eng And Construction Corporation. Дата публикации: 2021-10-25.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: WO2006052287A1. Автор: Thomas S. Ohnstad,Russell A. Monk,James J. M. Henry. Владелец: Henry James J M. Дата публикации: 2006-05-18.

Liquid tank puncture repair kit and method

Номер патента: EP1800050A1. Автор: Thomas S. Ohnstad,James J.M. Henry,Russell A. Monk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for producing dermal matrix

Номер патента: RU2694543C1. Автор: Наталья Николаевна Сарбаева,Марина Николаевна Милякова,Юлия Вячеславовна Пономарева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Артбио". Дата публикации: 2019-07-16.

Method for integrated assessment of indicators determining the technical condition of pipeline systems, and a monitoring system for its implementation

Номер патента: RU2767263C1. Автор: Дмитрий Михайлович Ляпичев,Максим Михайлович Адмакин,Михаил Георгиевич Полетаев,Андрей Александрович Корниенко,Станислав Викторович Романов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газэнергоэкспертиза". Дата публикации: 2022-03-17.

Mounting structure and mounting method for hood of cab

Номер патента: MY201348A. Автор: Xing Zhang,Yangchun Min,Xihong Jin,Fengqin Liu,Xiaorong Yang. Владелец: CRRC Zhuzhou Locomotive Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-19.

SYSTEMS AND METHODS METHOD FOR PROVIDING AN INTERACTIVE HELP FILE FOR HOST SOFTWARE USER INTERFACES

Номер патента: US20170235582A1. Автор: Ramirez Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

DATA PROCESSING APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR COMPILING AN APPLICATION FOR RUNNING BY A DATA PROCESSOR, AND, COMPUTER-READABLE STORAGE MEANS

Номер патента: BR112013019824B1. Автор: Alastair David Reid. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-06-15.

High-level synthesis apparatus and method, method for producing logic circuit using the high-level synthesis method, and recording medium

Номер патента: EP1267287A2. Автор: Mitsuhisa Ohnishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range

Номер патента: WO2021070175A1. Автор: Raphael Dahan,Ido KAMINER,Yaniv KURMAN,Orr BEER. Владелец: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.. Дата публикации: 2021-04-15.

Scintillator structure and a method for emitting an output signal at a specific wavelength range

Номер патента: US11828890B2. Автор: Raphael Dahan,Ido KAMINER,Yaniv KURMAN,Orr BEER. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Fastening structure and fastening method

Номер патента: US11841040B2. Автор: Kouki Tomimura,Akiyoshi Hikosaka. Владелец: Nippon Steel Nisshin Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Compact, high-speed, rotary actuator and transducer assembly with reduced moment of inertia and mass-balanced structural overlap with drive motor, and organizing method for the same

Номер патента: CA2090543A1. Автор: Stanley F. Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-08-28.

Stabbing system for installing offshore jacket structure and installation method of offshore jacket structure using the same

Номер патента: US20230313481A1. Автор: Jae-yong RYOO,Seung-hoon CHANG. Владелец: K Bets. Дата публикации: 2023-10-05.

Supplementary Feeding Structure and Supplementary Feeding Method for Calves

Номер патента: LU503045B1. Автор: Li Li,Xuedong Yang. Владелец: Guizhou Extension Station Of Grassland Tech. Дата публикации: 2023-05-15.

PHOTONIC SPECTROMETRY DEVICE AND METHOD, METHOD FOR CALIBRATING THE DEVICE, AND USE OF THE DEVICE

Номер патента: US20140003579A1. Автор: Berruyer Eric. Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2014-01-02.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: KR101894959B1. Автор: 에릭 베뤼예. Владелец: 아레바 엔피. Дата публикации: 2018-09-04.

HAIR COMPOSITION, HAIR TREATMENT SYSTEM AND METHOD, METHODS FOR CHANGING HAIR COLOR AND HAIR SHAPE, AND, MULTICOMPARTMENT KITS

Номер патента: BR112018010344B1. Автор: Anthony Potin,Michael DeGeorge,Gerard Provot,Kimberly Christine DREHER,Dariusz DANIELSKI,Fabien Pascal BOULINEAU,Caroline Rahmouna Françoise GOGET,Allison Chin,Mara APPLEBAUM,Mary Abraam SOLIMAN,Ashley Ann FIGATNER,Megan PAUKER,Emmanuel Appiah- Amponsah. Владелец: L'oreal. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for evaluating the potential of sphagnum moss material for absorbing liquid

Номер патента: US5661997A. Автор: Yvon Levesque,Sylvaine Cote,Denis Gallagher. Владелец: Johnson and Johnson Inc. Дата публикации: 1997-09-02.

Head unit assembling device and method, method for making other devices therewith

Номер патента: CN1274496C. Автор: 中村真一,山田善昭. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: EP4321825A1. Автор: Akio Sugimoto. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for quantifying the morphological regularity degree of the pellucid zone in embryos and oocytes

Номер патента: EP2856427A1. Автор: Stefano Bizzi,Luca Galli. Владелец: Advanced Computer Systems Acs SpA. Дата публикации: 2015-04-08.

Method for quantifying the morphological regularity degree of the pellucid zone in embryos and oocytes

Номер патента: WO2013182929A1. Автор: Stefano Bizzi,Luca Galli. Владелец: Advanced Computer Systems A.C.S. S.P.A.. Дата публикации: 2013-12-12.

Package structure and packaging method

Номер патента: US20130266774A1. Автор: Pinyen Lin,Yu-Fu Kang. Владелец: Touch Micro System Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

THERMOACOUSTIC INSULATION MODULE FOR AN AIRCRAFT, COMPRISING A MAT AND A LOAD-BEARING STRUCTURE, AND THERMOACOUSTIC INSULATION METHOD FOR INSULATING AN AIRCRAFT BY MEANS OF SUCH A MODULE

Номер патента: US20180178897A1. Автор: De Kergommeaux Matthieu,GUERING Bernard. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

STRESS DETECTION DEVICE FOR LIGHT-TRANSMISSIVE STRUCTURE AND STRESS DETECTION METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20150377722A1. Автор: LIU Fang,FENG Hongbo,DONG Ruijun,ZENG Zhihui,SU YUEFENG. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

POROUS MATERIAL BASED ON SILICA AND PORTLANDITIS FOR FILLING AN INSULATING BRICK WITH A CONTROLLED STRUCTURE AND AN APPROPRIATE METHOD FOR PRODUCING

Номер патента: RU2014103102A. Автор: Паскаль ДЕЛЬ-ГАЛЛО,Жером КАНТОННЕ. Владелец: Л'Эр Ликид, Сосьете Аноним Пур Л'Этюд Э Л'Эксплуатасьон Де Проседе Жорж Клод. Дата публикации: 2015-08-10.

The auxiliary floating system of installation and/or transport for offshore structure and including the method for the system

Номер патента: CN109790823A. Автор: J·S·塞尔纳·加西亚-孔德,M·A·费尔南德斯·戈麦斯. Владелец: Esther C AG. Дата публикации: 2019-05-21.

An elastic joint equipment of one unit for jointing part of channel or structure and a successive method for constructing channel or structure utilizing it

Номер патента: KR100403389B1. Автор: 문영규. Владелец: 주식회사 화신. Дата публикации: 2003-10-30.

A polyisocyanurate foam or a with polyurethane modified polyisocyanurate foam, and also a method for preparing this foam

Номер патента: CA2010373C. Автор: Joost Monstrey,Bart Wallaeys. Владелец: Recticel NV SA. Дата публикации: 2000-12-19.

Apparatus for reinforcing blocks for recovering deteriorate in concrete structures and its construction method for recovering using it thereof

Номер патента: KR100871143B1. Автор: 정시영. Владелец: 정시영. Дата публикации: 2008-12-05.

Support frame system for transportation and surface rotation of structures, and pivoting support method for lifting structures

Номер патента: WO2020044287A1. Автор: Eusebio SALAMANCA CASTIBLANCO. Владелец: Saviv Publicidad Y Cia S.A.S. Дата публикации: 2020-03-05.

the setting apparatus for precast concrete structure and the setting method for precast concrete structure using the same

Номер патента: KR101779400B1. Автор: 김선국,홍원기,임지영,김지순. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2017-09-19.

Holder for holding vibration sensor comprising neodymium magnet and STS structure and the measurement method for the amount of vibration on smelting furnace using thereof

Номер патента: KR102456095B1. Автор: 최홍준. Владелец: 주식회사 위앤아이티. Дата публикации: 2022-10-18.

State determination device for structure and state determination method for structure

Номер патента: WO2013190973A1. Автор: 茂葛西,宗一朗高田,三上　伸弘. Владелец: 日本電気株式会社. Дата публикации: 2013-12-27.

Object i.e. stent, structure and geometry determining method for use in coordinate measuring device, involves arranging tactile, image processing and X-ray sensors in X, Y and Z directions of coordinate measuring device relative to object

Номер патента: DE102009043823A1. Автор: . Владелец: WERTH MESSTECHNIK GMBH. Дата публикации: 2010-07-29.

Cover attachment structure and cover attachment method for cover attachment structure

Номер патента: US20180325224A1. Автор: Yuko Fukuda,Wanli Zhang,Hikaru Okuyama. Владелец: YKK Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Sock structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200237022A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

PIVOTAL ATTACHING STRUCTURE AND PIVOTAL ATTACHING METHOD FOR RELATIVELY ROTATING MEMBERS

Номер патента: US20150016869A1. Автор: SUZUKI Hiroyuki. Владелец: SHIROKI CORPORATION. Дата публикации: 2015-01-15.

ALIGNMENT COATING STRUCTURE AND ALIGNMENT COATING METHOD FOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220050335A1. Автор: MA Guizhi,LI Yongkal. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Illumination structure and light distributing method for the illumination structure

Номер патента: US20180066821A1. Автор: Yi Chen,Tzu-Tse Huang,Chuan-Kao Wei,Chih-Wei Tseng,Yi-Ren Lin. Владелец: Adi Optics. Дата публикации: 2018-03-08.

VEHICLE INSTALLATION STRUCTURE AND VEHICLE INSTALLATION METHOD FOR FUEL CELL STACK

Номер патента: US20210078414A1. Автор: Ajisaka Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

LAYOUT ROUTING STRUCTURE AND LAYOUT ROUTING METHOD FOR IMPROVING SI PERFORMANCE OF SIGNAL

Номер патента: US20210224461A1. Автор: Wu Ning. Владелец: ZHENGZHOU YUNHAI INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-22.

FORM-ROLLING DIE STRUCTURE AND FORM-ROLLING METHOD FOR COMPOUND SCREW

Номер патента: US20140308092A1. Автор: Hiroshi Michiwaki. Владелец: NEXT INNOVATION INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

FORM-ROLLING DIE STRUCTURE AND FORM-ROLLING METHOD FOR COMPOUND SCREW

Номер патента: US20140338412A1. Автор: Hiroshi Michiwaki. Владелец: NEXT INNOVATION INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

PRESSURE EQUALIZING STRUCTURE AND PRESSURE EQUALIZING METHOD FOR GASIFICATION FURNACE APPARATUS

Номер патента: US20140345198A1. Автор: Shibata Yasunari,Shinada Osamu,HAARI Kenta. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

COVER ATTACHMENT STRUCTURE AND COVER ATTACHMENT METHOD FOR COVER ATTACHMENT STRUCTURE

Номер патента: US20180325224A1. Автор: Zhang Wanli,FUKUDA Yuko,Okuyama Hikaru. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

HEIGHT-ADJUSTABLE FAN FIXING STRUCTURE AND HEIGHT ADJUSTMENT METHOD FOR FAN MODULE

Номер патента: US20190331133A1. Автор: Yang Jie,CAO Zhencai,LI Xiaozheng. Владелец: ZHENGZHOU YUNHAI INFORMATION TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-10-31.

Silane-based resins that can be photochemically and/or thermally structured and single-step method for their production

Номер патента: EP1453886B1. Автор: Lothar Froehlich,Stéphane Jacob,Michael Popall,Ruth Houbertz-Krauss. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2008-07-02.

The rail fixed structure and it's method for which a spring clip and this were used

Номер патента: KR101072860B1. Автор: 권호진,황광하,박광련,유응대. Владелец: 삼표이앤씨 주식회사. Дата публикации: 2011-10-17.

Floor sound-absorbing structure and the construction method for preventing interlayer noise

Номер патента: KR101624963B1. Автор: 강성구. Владелец: 강성구. Дата публикации: 2016-05-27.

Structure and temperature cotrol method for cold storage room of refrigerator

Номер патента: KR100301466B1. Автор: 김석노. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 2001-09-22.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848963B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Leakage prevention structure and leakage prevention method for repairing leaks of concrete structures

Номер патента: KR102273788B1. Автор: 최상국,최동석,윤현호,구성만. Владелец: 최동석. Дата публикации: 2021-07-06.

Soil-nail Structure and Soil-nailing method for slope-reinforcement-construction

Номер патента: KR100448037B1. Автор: 곽윤형,곽근우. Владелец: 함형운. Дата публикации: 2004-09-16.

Reinforcing structure and a reinforcing method for joints among structural members

Номер патента: KR100381443B1. Автор: 나니와 렌다로. Владелец: 후구비카가구코오교우가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-04-23.

Hologram Structure and Hologram Recording Method for Vehicle's Holographic Center-Mount Stop Light System

Номер патента: KR940013999A. Автор: 티. 스미스 로날드,이. 위리드 죠,빌 거다오 마이크,우퍼 리챠드. Владелец: 원다 케이. 덴슨-로우. Дата публикации: 1994-07-16.

Detection structure and stress detection method for internal prestressed tendons

Номер патента: CN109341923B. Автор: 林琳,张�浩,王利,王云,赵晓磊,郑琳,张鹏辉,屈娜,朱莉亚,申炎炎,贺钰钦,赵淑鹏,王中榜,王学永,徐煊紫,王星辰. Владелец: Zhengzhou Communications Planning Survey & Design Institute. Дата публикации: 2020-05-01.

A flow valve structure and flow changing method for a bidet

Номер патента: KR100585194B1. Автор: 윤순형. Владелец: 주식회사 삼홍테크. Дата публикации: 2006-05-30.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848965B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Vehicle body front structure and shock absorption method for vehicle body front structure

Номер патента: JP6457959B2. Автор: 明小林,健安井,小林　明,広和小林,安井　健,幸康原,哲寛有馬,靖人佐藤,智哉竹田,小林　広和,明洋池谷,英生樋口. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-23.

Underpinning structure and underpinning construction method for twice system conversion pile foundation

Номер патента: CN111560976A. Автор: 张宁,刘永峰,张永光,胡亮,龚妇容,王克飞,田卓伦,茹广府,曾剑,王孝胜,冯亚斌,高彦福,万巧叶. Владелец: PowerChina 11th Bureau Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-21.

Soil-nail Structure and Soilr-nailing method for slope-reinforcement-construction

Номер патента: KR100448039B1. Автор: 곽윤형. Владелец: 곽윤형. Дата публикации: 2004-09-18.

Crack repair primer of building structure and crack repair method for concrete structure using therefor

Номер патента: KR102226268B1. Автор: 윤영랑,윤영집. Владелец: 주식회사 세기엔지니어링. Дата публикации: 2021-03-11.

METALLIC WIRE COMPRISING A STEEL SUBSTRATE HAVING A WRINKLE - TYPE RECTANGULAR STRUCTURE AND A COATING; METHOD FOR OBTAINING THIS WIRE.

Номер патента: FR2672827A1. Автор: Arnaud Jean-Claude,Prudence Bernard,Serre Raoul. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 1992-08-21.

A kind of flexible connecting structure and its construction method for filling wall and main body frame

Номер патента: CN108222283A. Автор: 李娜,何颖,梁清华,杜金鹏,陈培奇,周晓洁. Владелец: Tianjin Chengjian University. Дата публикации: 2018-06-29.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848966B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Unidirectional heat dissipation asphalt pavement structure and its construction method for Plateau Permafrost Areas

Номер патента: CN109338841A. Автор: 江磊,王声乐. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-02-15.

A structure and the manufacturing method for friction parts on concrete pump

Номер патента: CN1742159A. Автор: 韩乐洙. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-01.

Wafer structure and epitaxial growth method for growing the same

Номер патента: US20060151797A1. Автор: Sung-soo Park. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Position matching structure and position matching method for two-sided stepper

Номер патента: WO2014048211A1. Автор: 徐春云. Владелец: 无锡华润上华半导体有限公司. Дата публикации: 2014-04-03.

A kind of Wing structure and its assemble method for vehicle

Номер патента: CN106364573B. Автор: 杜伟,李红艳,汪万松. Владелец: Zhejiang Geely New Energy Commercial Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-19.

Floating track structure and its construction method for vibration prevention

Номер патента: KR19980081939A. Автор: 이상진. Владелец: 신종서. Дата публикации: 1998-11-25.

Backlash preventing guide assembly supporting armrest movable between extention position and withdrawal position or other structure, and backlash preventing method for slide mechanism

Номер патента: JPH1182663A. Автор: Fang John,Masanori Hara,Ichiro Sasaki,一郎佐々木,正徳原,ファングジョン. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-26.

Wafer-level package structure and its packaging method for radio-frequency micro electromechanical system

Номер патента: CN106927419B. Автор: 刘泽文,龚著浩. Владелец: SIMEMS MICRO/NANO SYSTEM Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Welding process structure and welding process method for locomotive guide cylinder

Номер патента: CN113649737B. Автор: 张洋,宋爽,孙彤,胡雪婷,徐琳琳,辛淼,尹光哲,周双起,刘长灵,关立明. Владелец: CRRC Dalian Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-18.

Reinforcing structure and reinforcing construction method for cement-soil compaction pile of ultra-shallow buried collapsible loess tunnel foundation

Номер патента: CN105951707A. Автор: 张湘,彭小兵,邵正辉,吴韩飞,周再升. Владелец: China Tiesiju Civil Engineering Group Co Ltd CTCE Group. Дата публикации: 2016-09-21.

Heat insulation structure and heat insulation method for liquid nitrogen heat exchange equipment

Номер патента: CN115371455A. Автор: 王成林,杨少康. Владелец: Ruiqi Shanghai Environmental Engineering Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

A kind of suction barrel shape foundation structure and its installation method for silt sea bed

Номер патента: CN107724420B. Автор: 王立忠,周文杰,国振. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-04-12.

The tie fixation structure and it's method for which the side pressure arrester and this were used

Номер патента: KR101067836B1. Автор: 권호진,박춘복,황광하,오의진. Владелец: 삼표이앤씨 주식회사. Дата публикации: 2011-09-27.

Processor having cache structure and Cache management method for elevating operation speed

Номер патента: KR100486259B1. Автор: 박성배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-03.

Aluminum alloy material, aluminum alloy structure, and a manufacturing method for the same

Номер патента: BR112014013132A2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2018-08-21.

Structure and motion planning method for downpipe three-dimensional crossing pipeline climbing robot

Номер патента: CN111673720A. Автор: 张兴国,骆杨,胡晓彤,陆金霞. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2020-09-18.

A kind of location structure and its localization method for small space steel pipe column

Номер патента: CN107227738A. Автор: 吴宝华,陈树禹. Владелец: Metro Engineering Co Ltd of China Railway 16th Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Anti-vibration pad having a reaction filler around its perimeter, structure and the construction method for anti-vibration therewith

Номер патента: KR101472050B1. Автор: 유영찬,최기선. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2014-12-15.

Paper structure and the production method for being formed on its surface groove pattern

Номер патента: CN108312642A. Автор: 黄扬清. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-07-24.

Intersection Structure and Signal Control Method for Effective Allocation of Car Signal time

Номер патента: KR100808286B1. Автор: 이창민,김진태,김재웅,김성대,이정택,이돈주,하동익. Владелец: 주식회사 에스컨자인. Дата публикации: 2008-03-03.

Impermeable structure and impermeable construction method for sea surface disposal site

Номер патента: JP4876102B2. Автор: 望小竹,千里野々村,聖司根岸,正樹松下,良樹北浦. Владелец: Toyo Construction Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Sealing structure and its encapsulating method for gaseous fuel

Номер патента: CN107250641B. Автор: 阿兰·M·J·图切特,尼沙·S·西里尔. Владелец: Westport Power Inc. Дата публикации: 2019-06-07.

Pleated filter structure and air filtering method for air cleaner

Номер патента: CN107148309A. Автор: 苏婧,J·玛拉. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2017-09-08.

Re-greening structure and re-greening method for mine side slope of northwest windbreak forest zone

Номер патента: CN114197499A. Автор: 王旭东,韩莉,李建勇,卢姣姣,石宇光. Владелец: Fujian Luhai Ecological Technology Center Co ltd. Дата публикации: 2022-03-18.

A kind of hydraulic oil cylinder driving punching trimming mode structure and its punching method for cutting edge

Номер патента: CN106424674B. Автор: 上官文斌,黎帆. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-15.

Rotor spindle structure and its assemble method for gas-turbine unit

Номер патента: CN108005786A. Автор: B.W.米勒,B.H.埃尔塔斯. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-05-08.

A floating offshore structure and a management method for the same

Номер патента: KR101848964B1. Автор: 이동진. Владелец: 현대중공업 주식회사. Дата публикации: 2018-04-16.

Illumination structure and light distributing method for the illumination structure

Номер патента: US10883691B2. Автор: Yi Chen,Tzu-Tse Huang,Chuan-Kao Wei,Chih-Wei Tseng,Yi-Ren Lin. Владелец: Adi Optics. Дата публикации: 2021-01-05.

Online structure and parameter identification method for dynamic power load model

Номер патента: CN106599541A. Автор: 朱涛,王晨曦,朱建全,黄俊铭,刘明波,易江文,庄远灿. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-04-26.

Dried hanging hang structure and its application method for stone curtain wall

Номер патента: CN105604223B. Автор: 李燕丽,申利宾,李宴玲. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-25.

Surface treatment structure and surface treatment method for die-casting aluminum alloy part

Номер патента: CN104691053A. Автор: 杨光明,陆任锋. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2015-06-10.

Packing box structure and glass substrate method for packing

Номер патента: CN105366152B. Автор: 葛丹萍. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

A kind of new suction barrel shape foundation structure and its installation method for silt sea bed

Номер патента: CN107724420A. Автор: 王立忠,周文杰,国振. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2018-02-23.

Wafer structure and epitaxial growth method for growing the same

Номер патента: US20090181525A1. Автор: Sung-soo Park. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Textile thread structure and speed determining method for e.g. spinning machine, involves dividing laser beam into two beams such that beams run on top of each other at angle during emission from wedge prism to intersect beams at thread

Номер патента: DE102006015170A1. Автор: Martin Linden,Ferdinand J. Prof. Dr. Hermanns,Peter Prof. Dr. Kohns. Владелец: Vienco GmbH. Дата публикации: 2007-10-04.

Temperature control structure and temperature control method for transport container

Номер патента: WO2022254987A1. Автор: 明男杉本. Владелец: 株式会社神戸製鋼所. Дата публикации: 2022-12-08.

Temperature sensing structure and temperature detection method for conduction cooling high-temperature superconducting cable

Номер патента: CN112484874B. Автор: 杨勇,李晓航,师阳,吴云翼,韩晶旺. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2022-02-11.

A Joint Located Between Precast Reinforcement Concrete Structures And Reinforcement Arranging Method For Reinforcement Concrete Structure

Номер патента: SG11201913639UA. Автор: Wai Man Leung. Владелец: P&T Architects And Eng Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure with lamella defined by singulation trench

Номер патента: US09527725B2. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structure with etch stop layer and method for making the same

Номер патента: WO2024102501A1. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-05-16.

Sealed microwave absorptive gas cell and method and means for fabricating same

Номер патента: AU651051A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1952-01-24.

Sealed microwave absorptive gas cell and method and means for fabricating same

Номер патента: AU155066B2. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1952-01-24.

Sealed microwave absorptive gas cell and method and means for fabricating same

Номер патента: CA535293A. Автор: D. Hershberger William,W. Leck George. Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1957-01-01.

CARBON NANOTUBE COMPOSITES AND METHODS AND APPARATUS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20120282453A1. Автор: . Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2012-11-08.

Free air dilution smoke filter and method and apparatus for fabricating same

Номер патента: CA1212295A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Anchor elements and methods and apparatus for fabricating anchor elements

Номер патента: MY134007A. Автор: ANDERSON Dale,Yttrup Peter. Владелец: SCREW IN TECH Pty Ltd. Дата публикации: 2007-11-30.

Stent and Method and Device for Fabricating the Stent

Номер патента: US20120214384A1. Автор: Harder Claus. Владелец: BIOTRONIK VI PATENT AG. Дата публикации: 2012-08-23.

Heat exchanger, refrigeration system, air conditioner, and method and apparatus for fabricating heat exchanger

Номер патента: AU693280C. Автор: Tsuneo Yumikura,Takayuki Yoshida,Kaoru Ikejima,Takashi Gotoh,Atsushi Motizuki,Yuji Sueto,Michimasa Takeshita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-09-23.

A motorcycle chassis structure and the manufacturing method for the motorcycle equipped with the same chassis structure

Номер патента: TW200724434A. Автор: Yu-Wei Chen. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-01.

Photocatalyst air cleaner structure and the manufacture method for the purification reaction net thereof

Номер патента: TW200742821A. Автор: Shih-Yi Wen,Chih-Ming Wang,yu-cai Chen. Владелец: Headlite Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-16.

A sealing structure and the sealing method for a printhead

Номер патента: TW200714478A. Автор: Ying-Lun Chang,Hsien-Chung Tai. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-16.

A Touch Sensing Structure and Its Making Method for Reducing Reflectivity

Номер патента: TWI537785B. Автор: wen-kai Luo,xi-yao Wu. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-11.

A sealing structure and the sealing method for a printhead

Номер патента: TWI259808B. Автор: Ying-Lun Chang,Hsien-Chung Tai. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-11.

Device and method for preparing variable-parameter coded signal before its recording on data medium; sequential-signal device and method; method for reproducing patterns from data medium

Номер патента: RU2161377C2. Автор: ФУДЗИНАМИ Ясуси,Велтман Марк. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2000-12-27.

Advertisement display system and method, method for selling advertisement display wall surface, and method for reselling advertisement display wall surface

Номер патента: JP2003263124A. Автор: 大和田　　巌,Kenji Kawahata,賢治河畑,Iwao Owada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

A kind of pile tube combining structure and for the method for construction of Wharf Engineering

Номер патента: CN103321237B. Автор: 刘松,刘声树. Владелец: CCCC Second Harbor Consultants Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-25.

Anti-floating pile for underground structures and anti-floating method for underground structures

Номер патента: JP5882143B2. Автор: 英一郎佐伯. Владелец: Hinode Ltd. Дата публикации: 2016-03-09.

Joint material for concrete structure and joint finishing method for concrete structure using the same

Номер патента: JP2651294B2. Автор: 恵三田辺,勇次郎菅谷. Владелец: MATETSUKUSU KK. Дата публикации: 1997-09-10.

Connection structure and a connection method for connecting a differential signal transmission cable to a circuit board

Номер патента: US20120061140A1. Автор: Sugiyama Takahiro,Nonen Hideki,Kumakura Takashi. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-03-15.

HYBRID CIRCUIT STRUCTURE AND PARTIAL BACKFILL METHOD FOR IMPROVING THERMAL CYCLING RELIABILITY OF SAME

Номер патента: US20130069192A1. Автор: Cooper Donald E.,TENNANT William E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Three Dimensional Integrated Circuit Structures and Hybrid Bonding Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20130320556A1. Автор: Chao Lan-Lin,Tsai Chia-Shiung,Liu Ping-Yin,Huang Xin-Hua. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-05.

Wind-resistant structure and wind-resistant method for integrally lifting arch rib of steel box arch bridge

Номер патента: CN109898421B. Автор: 周宇,何海,梁立农,魏朝柱. Владелец: Guangdong Province Communications Planning & Design Institute Co ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Flaking preventive concrete structure and flaking preventing method for concrete structure

Номер патента: JP2003247211A. Автор: Michio Shimizu,道雄清水,Norihisa Hara,憲久原,Hirotsugu Maki,洋次牧. Владелец: DAINITTO ENGINEER KK. Дата публикации: 2003-09-05.

Reversible deformation structure and its hanging method for hyperbolic hoisting grid structure

Номер патента: CN109704196A. Автор: 高翔,郭浩,李国明,姜友荣,龚果,贺思章. Владелец: China MCC5 Group Corp Ltd. Дата публикации: 2019-05-03.

Suspended ceiling structure and seismic retrofitting method for suspended ceiling structure

Номер патента: JP6164447B2. Автор: 英雄内本,記彦櫻庭,美香石井. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Intersection structure and signal control method for increasing green signal time

Номер патента: KR19990074477A. Автор: 김용덕,곽동달. Владелец: 이종수. Дата публикации: 1999-10-05.

Connecting structure and its assembling method for wall panel

Номер патента: JP2004150253A. Автор: Yoshio Takeda,Masataka Chino,正隆千野,喜男武田,Katsuji Miyajima,勝二宮島. Владелец: Kotohira Kogyo KK. Дата публикации: 2004-05-27.

Colour managing structure and colour managing method for panel display device, source pole driver and panel display device

Номер патента: CN100429562C. Автор: 林哲立. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-10-29.

Anticorrosion structure and anticorrosion processing method for dust deposition platform with slope and internal corner in brick lining chimney

Номер патента: CN102168501A. Автор: 张昊,杨祖洪,唐健,高荣,谢彦飞. Владелец: CHONGQING DAZHONG EROSION-PROOF Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-31.

Body fixing structure and body fixing method for decorative panel

Номер патента: JP4703412B2. Автор: 東宣小神野,康久白谷. Владелец: Sanwa Shutter Corp. Дата публикации: 2011-06-15.

A kind of test structure and its manufacturing method for array substrate

Номер патента: CN103926761B. Автор: 梁艳峰. Владелец: Shanghai AVIC Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Energy absorption structure and energy absorption method for automobile

Номер патента: JP4321250B2. Автор: 伸敏清水. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Wear prevention structure and wear prevention method for sidewall of pallet truck

Номер патента: JP5884188B2. Автор: 英司半田. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2016-03-15.

Reinforcement arrangement structure and reinforcement arrangement method for column

Номер патента: JP2005273321A. Автор: Kouji Maehama,光爾前浜. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 2005-10-06.

Mounting structure and its mounting method for on-vehicle equipment

Номер патента: JPH11165564A. Автор: 武之甘利,Takeshi Oshima,Takeshi Amari,毅大島,嗣人白川,Tsuguto Shirakawa. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Encapsulation structure and its encapsulation method for computer electric microphone

Номер патента: CN101150886B. Автор: 陈荣泰,朱俊勋. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-07-13.

Crack inducing joint structure and water stopping method for concrete wall

Номер патента: JPH1037320A. Автор: Shinichi Oeda,伸一大枝,Yasushi Sawai,康澤井. Владелец: Shimizu Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Seismic reinforcement structure and seismic reinforcement method for concrete frame

Номер патента: JP5594889B2. Автор: 幸弘竹本,知幸田村. Владелец: 株式会社ケー・エフ・シー. Дата публикации: 2014-09-24.

Fillet welding structure and fillet welding method for axle housing

Номер патента: JP4886532B2. Автор: 靖之栗田. Владелец: Press Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Underwater reinforced concrete structure and reinforced anticorrosion method for underwater reinforced concrete structure

Номер патента: JP4099906B2. Автор: 裕一渡邉,健一赤嶺,敏光荒木,陽一平井. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Edge sealing structure and edge sealing method for multilayer board

Номер патента: CN102259375A. Автор: 何志雄,余成强. Владелец: ZHONGSHAN FOURSEAS FURNITURE Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-30.

Electrical connection structure and electrical connection method for reinforcing bar in filling type sleeve coupling

Номер патента: JP2015137518A. Автор: 直人藤生,義包小島,Naoto Fujio,和男昼間,Kazuo Hiruma,Yoshikane Kojima. Владелец: Obayashi Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Fall prevention structure and fall prevention method for existing finished walls

Номер патента: JP4289627B2. Автор: 毅大塚,威夫末綱. Владелец: 日本樹脂施工協同組合. Дата публикации: 2009-07-01.

Water shutoff structure and water stop method for temporary closing

Номер патента: JP4604771B2. Автор: 康博飯田,正三加藤,浩二上野. Владелец: Obayashi Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Oil supply structure and oil supply method for linear guide apparatus

Номер патента: JP2010190306A. Автор: Kazuaki Oga,和昭大賀. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

A kind of LED encapsulation structure and realize the method for fluorescent material shape-preserving coating based on it

Номер патента: CN103117352B. Автор: 张可,罗小兵,郑怀,王立慧. Владелец: DONGGUAN CITY SHIJIE HUAZHONG ELECTRONIC TECHNOLOGY INNOVATION SERVICE Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты