Semiconductor device structure with gate spacer having protruding bottom portion and method for forming the same
Номер патента: US09502412B2
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Yung-Tsun LIU
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-11-2016
Автор(ы): Yung-Tsun LIU
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask
Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.