Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US7727844B2
Опубликовано: 01-06-2010
Автор(ы): Dae Kyeun Kim
Принадлежит: Dongbu HitekCo Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040169223A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Manufacturing process of a vertical-channel semiconductor device and vertical-channel semiconductor device

Номер патента: US20230326995A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano,Sebastiano Amara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-12.

Manufacturing process of a vertical-channel semiconductor device and vertical-channel semiconductor device

Номер патента: EP4258362A1. Автор: Fernando Giovanni Menta,Salvatore Pisano,Sebastiano Amara. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of enlarging contact area of a gate electrode, semiconductor device having a surface-enlarged gate electrode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108650A1. Автор: Chan-Hyung Cho,Sung-Gyu Park. Владелец: Sung-Gyu Park. Дата публикации: 2006-05-25.

Gate profile modulation for semiconductor device

Номер патента: US20230387251A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Sih-Jie Liu,wei-fu Wang,Tien-Shun Chang,Yi-Chao Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Manufacturing method of gate structure

Номер патента: US20240063052A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chao-Sheng Cheng,Tzu-Feng Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7482256B2. Автор: Yeong Sil Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Method of forming gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09978853B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Harry Hak-Lay Chuang,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20230039627A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11581225B2. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210375689A1. Автор: Ting Ye,Chanyuan Hu,Jianxun CHEN,Changhung Kung,Xiumei Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal gate structure to reduce transistor gate resistance

Номер патента: US20200058764A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Reduction of dishing during chemical mechanical polish of gate structure

Номер патента: US20180301348A1. Автор: Ta-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200127106A1. Автор: Ji-Young Kim,Dong-Jin Lee,Bong-Soo Kim,Ho-rim YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device having a separation structure

Номер патента: US20240339516A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09741829B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Sheng Chang,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Hung-Ming Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243179A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device with low resistances and methods of forming such

Номер патента: US12094938B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Wang-Chun Huang,Yu-Xuan Huang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of forming a gate contact above an active region of a semiconductor device

Номер патента: US09780178B2. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12125896B2. Автор: Yang Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220093402A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US11901242B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230377993A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20200373206A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210366785A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234525A9. Автор: Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Heung Seok RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

High voltage semiconductor device including buried oxide layer

Номер патента: US20240322036A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having buried gate structure and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09947667B2. Автор: Dong-Kyun Kang,Ho-Jin Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220140139A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

High voltage semiconductor device including buried oxide layer

Номер патента: US20230207692A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

High voltage semiconductor device including buried oxide layer

Номер патента: US12040396B2. Автор: Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Yu-Ruei Chen,Zen-Jay Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240332091A1. Автор: Huang-Lin Chao,Kenichi Sano,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE,Huiching Chang,Shao An Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming a gate contact structure for a semiconductor device

Номер патента: US09853110B2. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie,Sean X. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09748248B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4394858A1. Автор: Dong Won Kim,Hong Seon Yang,Myung Gil Kang,Soo Jin JEONG,Beom Jin Park,Young Gwon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954067B2. Автор: Hsin-Hung Chen,Wei-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with silicided source/drain region

Номер патента: US20180197955A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Chao-Hsiung Wang,Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Chien-Chao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US09871135B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Ronghua Zhu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20190221430A1. Автор: Fu Hai Liu. Владелец: Semconductor Manufacturing International (shanghai) Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device with doped region between gate and drain

Номер патента: US20240250170A1. Автор: FENG HAN,Shuai ZHANG,Lian-Jie LI,Yan-Bin LU. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon Carbide Semiconductor Device with Trench Gate Structure and Horizontally Arranged Channel and Current Spread Regions

Номер патента: US20190296110A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213083A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240105817A1. Автор: LUNG Chen,Long-Jie HONG,Yi-He Tsai,Yi-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20230369129A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Min Liu,Hsueh-Chang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11804408B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Min Liu,Hsueh-Chang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20210134681A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wei-Min Liu,Hsueh-Chang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Gate structure, method of manufacturing the gate structure and method of manufacturing a semiconductor device having the gate structure

Номер патента: KR101426467B1. Автор: 김종표,선민철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160197019A1. Автор: Jui-Chun Chang,Chih-Jen Huang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device having a strained region

Номер патента: US09997616B2. Автор: FENG Yuan,Tsung-Lin Lee,Chih Chieh Yeh,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20210043517A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748390B2. Автор: Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09871138B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11508848B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210083093A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10861976B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10522685B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US20230064376A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Methods of forming gate structures for cmos based integrated circuit products and the resulting devices

Номер патента: US20140367790A1. Автор: Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240055258A1. Автор: Akimasa Kinoshita,Yoshihito ICHIKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device structure with gate and method for forming the same

Номер патента: US20240371643A1. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09875902B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of fabricating thereof

Номер патента: US09997628B1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ching-Hung Kao,Jheng-Hong Jiang,Fu-Cheng Chang,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20200144401A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113116B2. Автор: Bo-Yu Yang,Juei-Nai Kwo,Ming-Hwei Hong,Yi-Ting Cheng,Hsien-Wen WAN,Yu-Jie HONG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method of forming epitaxial silicon layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US20190131439A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Po-Jung Chiang,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device, method of fabricating the same, and patterning method

Номер патента: US09984931B2. Автор: Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Dongwoo Han,Kwang-Yong Yang,Haegeon JUNG,KyungYub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343820A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US12068321B2. Автор: Sungmin Kim,Soonmoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device with silicide structures surrounding epitaxial structures and method of making the same

Номер патента: US20230268422A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20090032883A1. Автор: Koji Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10157998B2. Автор: Yu-Sheng Wang,Hsin-Yi Lee,Chi-Cheng Hung,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837507B1. Автор: Yu-Sheng Wang,Hsin-Yi Lee,Chi-Cheng Hung,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8614469B2. Автор: Yoshihiko Kusakabe,Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793382B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with dielectric spacer liner on source/drain contact

Номер патента: US20200343349A1. Автор: Kei-Wei Chen,Yu-Sheng Wang,Chi-Cheng Hung,Chia-Yang Wu,Ming-Ching CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device manufacturing method with reduced gate electrode height loss and related devices

Номер патента: US10535750B2. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09929271B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of Implantation for Semiconductor Device

Номер патента: US20220123111A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chun-Feng Nieh,Huicheng Chang,Che-Fu Chiu,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4443519A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

FinFET semiconductor devices with replacement gate structures

Номер патента: US09773867B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: US20180151696A1. Автор: Yang Liu,Yongmeng Lee,Shaofeng Yu,Jianhua Ju,Zhaoxu Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355926A1. Автор: Kuan-Ting Chen,Min-Hung Lee,Shu-Tong Chang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12062719B2. Автор: Kuan-Ting Chen,Min-Hung Lee,Shu-Tong Chang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240063221A1. Автор: Yeonho Park,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Hojun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Gate Structure of a Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20230317525A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12040372B2. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US20220045188A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Contact Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332393A1. Автор: Sung-Li Wang,Pinyen Lin,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Tzer-Min Shen,Hsu-Kai Chang,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09793170B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chia Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Dual side contact structures in semiconductor devices

Номер патента: US12046634B2. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual Side Contact Structures in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240339497A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Cheng-Wei Chang,Chien-Shun Liao,Hsu-Kai Chang,Yi-Ying Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US11756888B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220320311A1. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Yung-Tzu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125898B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chung-Chieh Lee,Yung-Chang Hsu,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen,Yung-Tzu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device having contact plug connected to gate structure on PMOS region

Номер патента: US12057401B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Tsung-hsun Wu,Shih-Cheng Chen,Shih-Hao Liang,Tsuo-Wen Lu,Po-Jen Chuang,Li-Hsuan Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130886A1. Автор: Dong Suk Shin,Hyun Jung Lee,Tae Jin Park,Sun Jung Kim,Gyeom KIM,Jeong Ho Yoo,Cho Eun LEE,Seok Hoon Kim,Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Gate structure having designed profile and method for forming the same

Номер патента: US20160099337A1. Автор: Che-Cheng Chang,Kai-Li CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures

Номер патента: US8884363B2. Автор: Su Xing,Roger Lee,De Yuan Xiao,Guo Qing Chen,Chin Fu Yen,Xiao Lu Huang,Yong Sheng Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11869773B2. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220037159A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200279744A1. Автор: Tomohito KUDO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230352559A1. Автор: Yan-Ting Shen,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor device with cell section and outer periphery section

Номер патента: US11769801B2. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130330896A1. Автор: Tsuyoshi Ishikawa,Masahiro Sugimoto,Toshimasa Yamamoto,Yukihiko Watanabe,Hidefumi Takaya,Narumasa Soejima,Shinichiro Miyahara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210013039A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2019159680A1. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11501971B2. Автор: Toru Onishi,Kensaku Yamamoto,Katsuhiro KUTSUKI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220005928A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Silicon carbide semiconductor device, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20190288074A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Borderless Contacts For Semiconductor Devices

Номер патента: US20120322251A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Method of forming epitaxial buffer layer for finFET source and drain junction leakage reduction and semiconductor device having reduced junction leakage

Номер патента: US09793272B2. Автор: Dechao Guo,Shogo Mochizuki,Andreas Scholze,Chun-Chen Yeh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having super-junction structures and fabrication thereof

Номер патента: US20150295024A1. Автор: Jui-Chun Chang,Tsung-Hsiung LEE,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Boundary gate structure for diffusion break in 3d-stacked semiconductor device

Номер патента: US20230343825A1. Автор: Byounghak Hong,Saehan Park,Gunho JO,Panjae PARK,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12119394B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240371982A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Chien Lin,Shu Kuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of forming a gate structure and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20120012699A. Автор: 정형석,김원홍,임하진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-02-10.

Semiconductor device with different sized epitaxial structures

Номер патента: US20240313054A1. Автор: Hong Yu,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200312986A1. Автор: Masakazu Itoh,Hiroki Sakane. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125750B2. Автор: Sang Hyun Lee,Jeong Yun Lee,Young Mook Oh,Seung Soo Hong,Geum Jung Seong,Seung Ju PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220130982A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200328290A1. Автор: Yang Xu,Seung Hun Lee,Hyun Kwan YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device with dummy pattern in high-voltage region and method of forming the same

Номер патента: US10068900B1. Автор: Chin Yang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12087768B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355892A1. Автор: Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371866A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080850A1. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices

Номер патента: US12094941B2. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222430A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Huang-Chao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20210327876A1. Автор: Ju Youn Kim,Sang Jung Kang,Ji Su KANG,Yun Sang SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device including fin field effect transistor and planar fin field effect transistor

Номер патента: US20230299083A1. Автор: Sungwoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate spacers in semiconductor devices

Номер патента: US20240297239A1. Автор: Chun-Fu Lu,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210098592A1. Автор: SunKi Min,Sungsoo Kim,Donghyun Roh,Iksoo Kim,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor devices having buried gates

Номер патента: US12127394B2. Автор: Sangwon Kim,Hyeonjin Shin,Huijung Kim,Minwoo Kwon,Sangyeon HAN,Junsoo Kim,Eunkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Trench-gate semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09773902B2. Автор: Jui-Chun Chang,Hsiung-Shih CHANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09911592B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for making nanosheet CMOS device integrating atomic layer deposition process and replacement gate structure

Номер патента: US09812321B2. Автор: Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including a vertical PN junction between a body region and a drift region

Номер патента: US09793387B2. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,Matthias Kuenle,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210043752A1. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US11411097B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Yi-Chuan Lin,Shang-Yen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices comprising gate structure sidewalls having different angles

Номер патента: US09768175B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12015067B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266257A1. Автор: Jongmin Baek,Jinnam Kim,Hyoseok CHOI,Seungmin LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240321888A1. Автор: Donggon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355822A1. Автор: Wei-Yen Woon,Wu-Wei Tsai,Che Chi Shih,Szuya Liao,Tsung-En Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083332A1. Автор: Shin-Yi Huang,Tao-Chih Chang,Heng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor devices

Номер патента: US12132119B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Dummy gate structure and methods thereof

Номер патента: US09947764B2. Автор: Chiang Mu-Chi,Chao-Cheng Chen,Chia-Chu Liu,Kuei-Shun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09985034B2. Автор: Chang-Hyun Cho,Chan-Sic Yoon,Ho-In Ryu,Ki-Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812576B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258204A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Junghwan CHUN,Minchul AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332386A1. Автор: Yung-Chun Wu,Yi-Ju Yao. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing semiconductor fin structure with extending gate structure

Номер патента: US09837510B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9269895B2. Автор: Hee Gyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

High electron mobility transistor with doped semiconductor region in gate structure

Номер патента: US20240222488A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gerhard Prechtl,Thomas Detzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Gate structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240313064A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for forming a gate of a high integration semiconductor device

Номер патента: US20020093066A1. Автор: Young-Hun Bae,Won-sung Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device with reduced contact resistance

Номер патента: US20230299149A1. Автор: Jeongmin Lee,Hanki Lee,Sahwan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Method of manufacturing semiconductor device using single slurry chemical mechanical polishing (cmp) process

Номер патента: US20230215926A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Ilyoung Yoon,JaEung Koo,Boun Yoon,Joongsuk Oh,Kangchun LEE,Junhwan Yim,Huiteak Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor device including work function adjusting metal gate structure

Номер патента: US20220165861A1. Автор: Jong Ho Park,Byoung Hoon Lee,Wan Don KIM,Sang Jin HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290836A1. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240072056A1. Автор: Junggun YOU,Gigwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12027583B2. Автор: Chan-Lon Yang,Perng-Fei Yuh,Keh-Jeng Chang,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

MANUFACTURING METHOD OF A TRENCH POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190006489A1. Автор: HSU HSIU-WEN,YEH Chun-Ying,LEE Yuan-Ming,NI CHUN-WEI. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device, layout of semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991158B2. Автор: Chung-Te Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Tung-Heng Hsieh,Ting-Wei Chiang,Tsung-Chieh Tsai,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170062612A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor device with contamination improvement

Номер патента: US20170345928A1. Автор: Chung-Ren Sun,Shiu-Ko Jangjian,Kun-Ei Chen,Chun-Che Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240204101A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Junkun CHEN,Guoguo Kong,Mingru Ge. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US11984476B2. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210134945A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20200135849A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20230282704A1. Автор: Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor devices with dual-metal gate structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20080099851A1. Автор: Peng-Fu Hsu,Hun-Jan Tao,Ying Jin,Huan-Just Lin,Fong-Yu Yen,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor devices including a narrow active pattern

Номер патента: US20200111781A1. Автор: Ki Tae Lee,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Byung Gook Park,Si Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Gate structure and method of forming the same, semiconductor device including the gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349487A1. Автор: Byounghoon Lee,Sungnam LYU,Hyojung NOH,Eulji JEONG,Minwoo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Finfet device with an etch stop layer positioned between a gate structure and a local isolation material

Номер патента: US20140327090A1. Автор: Xiuyu Cai,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: EP3050094A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-03.

Semiconductor device having high mobility channel

Номер патента: WO2015047709A1. Автор: Ming Cai,John Jianhong ZHU,Da YANG,Bin Yang,Samit Sengupta,Giridhar Nallapati,PR Chidambaram,Jihong Choi,Chock Hing Gan,Ravi Mahendra TODI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190214264A1. Автор: Katsumi Suzuki,Shigeyuki Takagi,Yuichi Takeuchi,Masaki Shimomura,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

GATE STRUCTURE, METHOD OF FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20210036147A1. Автор: Wang Chun-Chieh,Yang Chi-Jen,PAI Yueh-Ching,YEH Sheng-Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Gate structure, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11411112B2. Автор: Chun-Chieh Wang,Yueh-Ching Pai,Chi-Jen Yang,Sheng-Wei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20090134404A1. Автор: Kenichi Kuroda,Hiroshi Sugimoto,Noboru Mikami,Yoshinori Matsuno,Kenichi Ohtsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US9224877B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180076290A1. Автор: Hiroki Wakimoto,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9978843B2. Автор: Hiroki Wakimoto,Ryohei Takayanagi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12107134B2. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim,Cheng-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: EP2823506A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-14.

Self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: WO2013133919A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Robust gate spacer for semiconductor devices

Номер патента: US09929255B2. Автор: Effendi Leobandung,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for production of semiconductor devices

Номер патента: US4381201A. Автор: Junji Sakurai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-04-26.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Epitaxial replacement of a raised source/drain

Номер патента: US20140312428A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device having cell section with gate structures partly covered with protective film

Номер патента: US12100763B2. Автор: Jun Saito,Yusuke Yamashita,Yasushi Urakami. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device comprising planar gate and trench field electrode structure

Номер патента: US09917159B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Merged gate and source/drain contacts in a semiconductor device

Номер патента: US09960256B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220069123A1. Автор: Chen-Yi Lee,Yi-Cheng CHIU,Sheng-Fu Hsu,Chiu-Hua Chung,Tien-Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12057506B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Da-Wen Lin,Chia-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321989A1. Автор: Gunho JO,Seunghyun Lim,Bomi KIM,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240243180A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang,Chun Liang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20220115509A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240363721A1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773912B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US12094951B1. Автор: Po-Chin Chang,Ming-Huan Tsai,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices including an air-gap and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859288B2. Автор: Keun-Ho Lee,Young-Kwan Park,Seon-Young Lee,Dae-Sin Kim,Sang-Woo OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with air spacer and stress liner

Номер патента: US20200105909A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and methods of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240145563A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Patterning multiple, dense features in a semiconductor device using a memorization layer

Номер патента: US20150303273A1. Автор: Guillaume Bouche,Xiang Hu,Andy Chih-Hung Wei,Sandeep Gaan,Jerome F. Wandell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304705A1. Автор: Chun-Jen Chen,Chia-Jong Liu,Yu-Shu Lin,Chi-Hsuan Tang,Chung-Ting Huang,Wei-Chih Chuang,Yu-Lin Cheng,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Hsiang Wang,Chao-Nan Chen,Jhong-Yi Huang,Bing-Yang Jiang,Guan-Ying Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210083109A1. Автор: Ta-Hsun Yeh,Kai-Yi Huang,Chih-Hua Liu,I-Jhen Hsu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Spacer structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240304687A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG,Chien Ning Yao,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of forming a semiconductor device with multiple etch stop layers and inter-layer dielectrics

Номер патента: US09859431B2. Автор: Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150179528A1. Автор: Shukun Yu,Qingsong WEI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device, finfet device and methods of forming the same

Номер патента: US20240258390A1. Автор: Tze-Liang Lee,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Jr-Hung Li,Wan-Chen Hsieh,Po-Hsien Cheng,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor unit including shared gate structure, and sub-word line driver and semiconductor device based on the same transistor unit

Номер патента: US20220157960A1. Автор: Hyeonok JUNG,Inseok Baek,Beomyong Hwang,Byunghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Transistor unit including shared gate structure, and sub-word line driver and semiconductor device based on the same transistor unit

Номер патента: US20240178291A1. Автор: Hyeonok JUNG,Inseok Baek,Beomyong Hwang,Byunghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Transistor unit including shared gate structure, and sub-word line driver and semiconductor device based on the same transistor unit

Номер патента: US11929414B2. Автор: Hyeonok JUNG,Inseok Baek,Beomyong Hwang,Byunghoon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20190123187A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi,Youngshin Eum. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09761663B2. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US11799008B2. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09741843B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of using

Номер патента: US20220238670A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09917199B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11335808B1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Reduced parasitic capacitance and contact resistance in extremely thin silicon-on-insulator (ETSOI) devices due to wrap-around structure of source/drain regions

Номер патента: US09735173B1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20220384627A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20200203512A1. Автор: Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Work Function Control In Gate Structures

Номер патента: US20240347636A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistor disposed directly upon a sac cap of a gate structure of a semiconductor structure

Номер патента: US09876010B1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Work function control in gate structures

Номер патента: US12132112B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Gate structure with oxygen barrier and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355899A1. Автор: Shen-Yang LEE,Chun-Da Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240363732A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09779997B2. Автор: Chih-Yang Yeh,Yuan-Sheng Huang,Po-Hsueh Li,Chun-Chan HSIAO,Kuan-Lin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274685A1. Автор: Seokhoon Kim,Heung-Soon Lee,Yonghee PARK,Seungkyu KIM,Dong-Gwan SHIN,Hongseon Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321880A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate straining in a semiconductor device

Номер патента: US20080293195A1. Автор: Zoran Krivokapic. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240297234A1. Автор: Jung Taek Kim,Moon Seung Yang,Min-Hee Choi,Seok Hoon Kim,Ryong Ha,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong,Do Hyun GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258396A1. Автор: Jin Young Park,Sung Hwan Kim,Wan Don KIM,Jun Ki PARK,Seon-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230127045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor device with a core-shell feature and method for forming the same

Номер патента: US12113113B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Chung-Ting Ko,Chih-Chung Chang,Chi On Chui,Sung-En Lin,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo,Yi-Hsiu Liu,Po-Wei Liang,You-Ting Lin,Jen-Hong Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Fin-based semiconductor device structure including self-aligned contacts and method for forming the same

Номер патента: US12119391B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and preparation method therefor, integrated circuit, and electronic device

Номер патента: EP4407693A1. Автор: Wentao Yang,Gaochao XU,Runtao Ning,Linrong He,Kangrong HUANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09905659B2. Автор: Satoru Yamada,Dongjin Lee,Jiyoung Kim,Moonyoung JEONG,Dongsoo Woo,Junsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09748377B2. Автор: Shen-Ping Wang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chih-Heng Shen,Tzu-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate trench power semiconductor devices having improved deep shield connection patterns

Номер патента: US11769828B2. Автор: Thomas E. Harrington, III,Sei-Hyung Ryu. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757045B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282851A1. Автор: Yoshinori Fukuda,Yuji Osumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Manufacturing process of a vertical-conduction misfet device with gate dielectric structure having differentiated thickness and vertical-conduction misfet device thus manufacture

Номер патента: US20100167481A1. Автор: Giuseppe Arena,Angelo Magri',Domenico Repici,Orazio Battiato,Fabrizio Marco Di Paola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device

Номер патента: US12040401B2. Автор: Junggun YOU,Joohee JUNG,Jaehyeoung Ma,Namhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266411A1. Автор: Sheng-Jier Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240322012A1. Автор: Jongsu Kim,Dongwon Kim,Myunggil Kang,Beomjin PARK,Changwoo Noh,Byeonghee Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240322024A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Pin Chun Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming a semiconductor device including forming a shield conductor overlying a gate conductor

Номер патента: US09780196B2. Автор: Gordon M. Grivna,Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device having an nmos transistor and a pmos transistor

Номер патента: US20240153825A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11575045B2. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216337A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12040359B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Spacer structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230029651A1. Автор: Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Wrap-around gate structures and methods of forming wrap-around gate structures

Номер патента: EP3583629A1. Автор: Ravi Pramod Kumar Vedula,Stephen Alan Fanelli,Farid AZZAZY. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20210036153A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355900A1. Автор: Man-Nung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for processing a semiconductor device with two closely spaced gates

Номер патента: US11638391B2. Автор: Stefan Kubicek,Ruoyu Li,Boon Teik CHAN,Julien Jussot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-04-25.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US20240347389A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240332359A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240222456A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Hsin-Fu Lin,Tsung-Hao YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057478B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332421A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of using semiconductor device and method of making

Номер патента: US20240055500A1. Автор: Jia Liang ZHONG,Cun Cun CHEN,Xin Yong WANG,Ming Jian WANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230343696A1. Автор: Gerben Doornbos,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US12080775B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen,Wen-Kai Lin,Po-Shao LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290891A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with gate cut feature and method for forming the same

Номер патента: US12046516B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing a semiconductor device with field electrode structures, gate structures and auxiliary diode structures

Номер патента: US9799729B2. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Martin Henning Vielemeyer,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Multi gate semiconductor device

Номер патента: US20230207559A1. Автор: Nam Kyu Cho,Sang Gil Lee,Seok Hoon Kim,Pan Kwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334691A1. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391038A1. Автор: Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu,Pieter Schuddinck. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12080792B2. Автор: Youhei Oda,Kouichi Sawada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Dual gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12132108B2. Автор: Ruey-Hsin Liu,Pei-Lun Wang,Jyun-Guan JHOU,Po-Chih Su,Jia-Rui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240266350A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4411801A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313047A1. Автор: Chun-Yi Chang,Fu-Hsiang Su,Shih-Hsun Chang,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods of cutting gate structures on transistor devices

Номер патента: US09812365B1. Автор: Stan Tsai,John H. Zhang,Ruilong Xie,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with gate-undercutting recessed region

Номер патента: US20110318901A1. Автор: Trace Q. Hurd,Antonio Luis Pacheco Rotondaro,Elisabeth Marley Koontz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device with gate-undercutting recessed region

Номер патента: US20110316089A1. Автор: Trace Q. Hurd,Antonio Luis Pacheco Rotondaro,Elisabeth Marley Koontz. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20220344466A1. Автор: Kentaro NASU,Takaaki Yoshioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363685A1. Автор: Hyun Jun Lim,Tae Ho Cha,Su Bin Lee,Jeong Hyeon LEE,Hak Jong LEE,Seung Hyeon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices

Номер патента: US12132101B2. Автор: Daewon Kim,Dongwon Kim,Beomjin PARK,Bongseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230411453A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Nanowire fet with trapezoid gate structure

Номер патента: US20120305886A1. Автор: Ying Zhang,Jeffrey W. Sleight,Sebastian U. Engelmann,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240266226A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240268098A1. Автор: Junsoo Kim,Sungho Jang,Jihye Kwon,Dongsik Kong,Junbum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4148807A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor devices with bent portions

Номер патента: US20190081168A1. Автор: Sung-min Kim,Dong-Suk Shin,Dong-won Kim,Seung-Hun Lee,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230100189A1. Автор: Jinbum Kim,Sujin JUNG,Dahye Kim,Ingyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12051737B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device With Backside Gate Isolation Structure And Method For Forming The Same

Номер патента: US20220271139A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with backside gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US11901428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4287261A1. Автор: Kyungho Kim,Kihwan Kim,Choeun LEE,Kanghun Moon,Yonguk JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-06.

Structure with two adjacent metal layers in gate structure

Номер патента: US20220005952A1. Автор: Wang Zheng,Jagar Singh,Sudarshan Narayanan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Fabrication method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150311285A1. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Fabrication method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9437678B2. Автор: Hitoshi Abe,Seiji Momota,Kenji Kouno,Hiromitsu Tanabe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170250180A1. Автор: Hae-Wang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-31.

Method for manufacturing an integrated power device on a semiconductor substrate and corresponding device

Номер патента: US20120220090A1. Автор: Leonardo Fragapane,Angelo Magri,Stefania Fortuna,Antonino Sebastiano Alessandria. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250186A1. Автор: Sung-dae Suk,Geumjong BAE,Mongsong LIANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210305363A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11605707B2. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187486A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243641A1. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11069771B2. Автор: Kenji Yamamoto,Yuki Nakano,Masaya Ueno,Seigo Mori,Masatoshi Aketa,Minoru Nakagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4383346A1. Автор: Hui Sun,Zhibin Chen,Yong Hou,Biao Gao. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device including plurality of channel layers

Номер патента: US20230120496A1. Автор: Dongwon Kim,Gibum Kim,Keunhwi Cho,Myunggil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: EP4300562A2. Автор: Yoonjoong Kim,TaeYong KWON,Seungmin Kim,Dogeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP4300562A3. Автор: Yoonjoong Kim,TaeYong KWON,Seungmin Kim,Dogeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006411A1. Автор: Yoonjoong Kim,TaeYong KWON,Seungmin Kim,Dogeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347589A1. Автор: Suhyeon Kim,Youngsoo Song,Jihoon Park,Rooli CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US11862681B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395456A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US20210118995A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240088227A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Chun-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11545502B2. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210118897A1. Автор: Takahiro Maruyama,Takuya Maruyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234558A9. Автор: Su-Hyeon Kim,Wook Hyun Kwon,Kyu Bong Choi,Jun Mo Park,Jongmin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240136396A1. Автор: Jiho Yoo,Junsoo Kim,Hyunsup Kim,Jihoon CHA,Kihyung Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230075559A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9614084B1. Автор: Tae-Hang Ahn,Oh-Hyun KIM,Seung-Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240030138A1. Автор: Mu-Chi Chiang,Kuo-Chiang Tsai,Jeng-Ya Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Contact manufacturing method of a multi-layered metal line structure

Номер патента: US5354713A. Автор: Jae Kap Kim,Gon Son. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-10-11.

Method of forming a semiconductor device and according semiconductor device

Номер патента: US20160079086A1. Автор: Kai Frohberg,Peter Moll,Hans-Juergen Thees,Dominic Thurmer,Heike Scholz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US12100745B2. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363708A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12068162B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Asymmetric source and drain structures in semiconductor devices

Номер патента: US12057503B2. Автор: PENG Wang,Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US09899265B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20190267373A1. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Epitaxial structures of semiconductor devices that are independent of local pattern density

Номер патента: US20200328306A1. Автор: Jin Wallner,Judson Robert Holt,Heng Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220068720A1. Автор: Shih-Yao Lin,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210134798A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180342509A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor Device Including Trench Contact Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20210020740A1. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09735047B1. Автор: Ching-Yu Chang,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming semiconductor device

Номер патента: US20240274527A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Su-Hao LIU,Kuo-Ju Chen,Pei-Yu Chou,Jr-Hung Li,Meng-Han Chou,Tzu-Yang Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240347424A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4447100A1. Автор: Jeongyeon Seo,Hongsik SHIN,Hyonwook RA,Dongsoo Seo,Kyongbeom KOH,Eunkyung KO,Kwangyong YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323886A1. Автор: Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4276913A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US11757015B2. Автор: Ilyoung Yoon,Seunghoon Choi,Boun Yoon,Kiho BAE,Ilsu Park,Yooyong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20020045296A1. Автор: Kyoichi Suguro,Yasushi Akasaka,Kouji Matsuo,Yoshitaka Tsunashima,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871038B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: EP4435846A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363724A1. Автор: Ding-Kang SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240321891A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Tzu-Chung Wang,Shu-Yuan Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240312990A1. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297254A1. Автор: Wei-Fan Lee,Wen-Hsien TU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4462473A1. Автор: Gunho JO,Bomi KIM,Heesub KIM,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US12033937B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Peng Hsieh,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Chia-Hsin Hu,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20130320416A1. Автор: Youfeng He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Contact structure for semiconductor device

Номер патента: US20240274687A1. Автор: Sung-Li Wang,Chien Chang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Hung-Yi Huang,Hsu-Kai Chang,Kan-Ju LIN,Tzu-Pei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20240321731A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Peng Hsieh,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Chia-Hsin Hu,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09773731B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Chung-Peng Hsieh,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Chia-Hsin Hu,Yu-Chiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of performing concurrent fin and gate cut etch processes for FinFET semiconductor devices and the resulting devices

Номер патента: US09761495B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234212A1. Автор: Zi-Wei FANG,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240274668A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing gate spacers with stepped sidewalls by removing vertical portions of a helmet layer

Номер патента: US12087841B2. Автор: Chun-Hsiung Lin,Yi-Lun Chen,Bau-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09947658B2. Автор: yu-sheng Wu,Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210242309A1. Автор: Yi-Jen Chen,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Jui Fu Hsieh,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor devices including gate structures with gate spacers

Номер патента: US12034056B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Chih-Chung Chiu,Chen-Ping CHEN,Kuei-Yu Kao,Ming-Ching Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220069103A1. Автор: Wei Huang,Xiaodong Luo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170358646A1. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor device and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20240213319A1. Автор: Yun-Hung Shen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20210296439A1. Автор: Yu-Lin Yang,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991384B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor device having gate spacers extending below a fin top surface

Номер патента: US12125891B2. Автор: Chih-Han Lin,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with conformal source/drain layer

Номер патента: US12057495B2. Автор: Zi-Wei FANG,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09917050B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with gate structure having dielectric layer on one side and contact plug on the other side

Номер патента: US09847398B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET gate structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09824929B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Ren-Hau Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device

Номер патента: US20200395385A1. Автор: Bo Yu,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device with isolation between conductive structures

Номер патента: US11742398B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for preparing semiconductor device with annular semiconductor fin

Номер патента: US11296211B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087776B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954076B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chih-Hao Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12040412B2. Автор: Jian-Ting CHEN,Yu-Lung Wang,Yao-Ting Tsai,Yuan-Huang Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180342420A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yu-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor devices with fin-shaped active regions and methods of fabricating same

Номер патента: US11482523B2. Автор: Jae Hun Jeong,Yoon Seok Lee,Jong Ki JUNG,Chan Geun Ahn,Soo Hun Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Air spacer for a gate structure of a transistor

Номер патента: US20240347616A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Tsung-Lin Lee,Wei-Yang Lee,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12131945B2. Автор: Yu-Lien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200119159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220059697A1. Автор: Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240014035A1. Автор: Chih-I Wu,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI,Yun-Hsuan HSU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-01-11.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09853111B2. Автор: Bon Young Koo,Kyung In CHOI,Hyun Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265485A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Mask rom device, semiconductor device including the mask rom device, and methods of fabricating mask rom device and semiconductor device

Номер патента: US20100285641A1. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Mask ROM device, semiconductor device including the mask ROM device, and methods of fabricating mask ROM device and semiconductor device

Номер патента: US8053342B2. Автор: Young-Ho Kim,Yong-kyu Lee,Jeong-Uk Han,Jung-Ho Moon,Hee-Seog Jeon,Myung-Jo Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Asymmetric gate structures and contacts for stacked transistors

Номер патента: EP4191655A2. Автор: Jack T. Kavalieros,Patrick Morrow,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Sean T. MA,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Arunshankar Venkataraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210005506A1. Автор: Yoosang Hwang,Sangho Lee,Junsoo Kim,Kyujin KIM,Hui-jung Kim,Jae-Hwan CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device including interlayer insulation structure including metal-organic framework

Номер патента: US12082420B2. Автор: Won Tae KOO,Se Ho LEE,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having self-aligned air spacers

Номер патента: US20240363727A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125900B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Asymmetric semiconductor device including LDD region and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125909B2. Автор: Yongkyu Lee,Changmin Jeon,Jongsung WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865504B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Ting-Yeh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180097082A1. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: US20240282670A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device including self-aligned backside contact structure formed based on contact isolation layer

Номер патента: EP4421859A1. Автор: Kang-ill Seo,Jongjin Lee,Myung YANG,MyungHoon JUNG,Wonhyuk HONG,Jaejik Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of forming a semiconductor device with a seed layer migration process

Номер патента: US12051754B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG,Junbeom PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20220216107A1. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor device including source/drain epitaxial layer having facets and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200105888A1. Автор: Chao-Wei Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170148907A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US11764218B2. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with stacked transistors and via structure

Номер патента: EP4435844A1. Автор: Donggon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075588A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of Manufacturing Transistor Gate Structures by Local Thinning of Dummy Gate Stacks Using an Etch Barrier

Номер патента: US20200075586A1. Автор: MING-CHING Chang,Syun-Ming Jang,Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068326B2. Автор: Young-hun Kim,Jae-Seok Yang,Hae-Wang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including a stacked wire structure

Номер патента: US20170301787A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Cheng-Hsien Wu,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Methods of forming stressed channel regions for a finfet semiconductor device and the resulting device

Номер патента: US20160035863A1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie,Ajey P. Jacob,Witold P. Maszara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20210313328A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180337181A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960084B1. Автор: Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Wen-Jiun Shen,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847224B2. Автор: Dong-Suk Shin,Dong-Hyuk Kim,Geo-Myung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120181593A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09984886B2. Автор: Hwa-Sung Rhee,Yoon-hae Kim,Keun-Hwi Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with gate structures having low-K spacers on sidewalls and electrical contacts therebetween

Номер патента: US09966374B2. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09893062B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Jeng-Ya David Yeh,Chih Wei Lu,Janet CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure including a first transistor at a semiconductor-on-insulator region and a second transistor at a bulk region and method for the formation thereof

Номер патента: US09847347B1. Автор: Elliot John Smith,Nigel Chan,Nilesh Kenkare. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with multi-layer dielectric

Номер патента: US12040273B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160268138A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device with multi-layer dielectric and methods of forming the same

Номер патента: US12057398B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220189963A1. Автор: Chunhyung Chung,NamHoon LEE,Donghyun IM,Sungmi YOON,Jooyub Kim,Juhyung We. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20200411670A1. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US11211475B2. Автор: HAIYANG Zhang,BO Su,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-28.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282637A1. Автор: Chen-Ming Huang,Ching-Ling Lin,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device with semiconductor capping layer

Номер патента: US12094757B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Hui-Cheng Chang,Tsai-Yu Huang,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09859163B2. Автор: Kyounghoon Han,Junho Yoon,Kisoo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Dual metal capped via contact structures for semiconductor devices

Номер патента: US20230261070A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20220013364A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: EP3937221A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-12.

Semiconductor device having a source/drain contact plug with an upwardly protruding portion

Номер патента: US12014957B2. Автор: Yongsik Jeong,Heonjong Shin,Doohyun Lee,Minchan Gwak,Sunghun Jung,Sangwon JEE,Sungmoon Lee,Yeongchang Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of protecting semiconductor materials in the active region of a transistor device and the resulting transistor device

Номер патента: US20210399126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Judson R. Holt,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12107151B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859364B1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Source/Drain Structure for Semiconductor Device

Номер патента: US20220367649A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Gate structures with various widths and method for forming the same

Номер патента: US10522412B2. Автор: Chia-Ming Chang,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US12027425B2. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor devices with backside power rail and method thereof

Номер патента: US20240204045A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030317A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ming-Hua Yu,Han-Yu Tang,Heng-Wen Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device including an element separation structure

Номер патента: US12046631B2. Автор: Sang Jin Kim,Sung Jin Jang,Sung Sik PARK,Hyun Jeong Lee,Tae Hwan Oh,Gyu Min Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Source/drain structure for semiconductor device

Номер патента: US20220028991A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12057351B2. Автор: Chieh Cheng,Yu-Chuan Chen,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan,Yi Chen Ho,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of forming a gate structure

Номер патента: US20240332089A1. Автор: Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Kian-Long Lim,Bwo-Ning Chen,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with an inclined source/drain and associated methods

Номер патента: US20140054715A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779998B2. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Chia-Chen Tsai,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09989856B2. Автор: Sang-Jin Kim,Jung-Woo Seo,Jong-Seo Hong,Jong-Hoon NAH,Choon-Ho SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240250187A1. Автор: Jhen-Yu Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices including a gate structure between active regions, and methods of forming semiconductor devices including a gate structure between active regions

Номер патента: US20140070291A1. Автор: Jin-Woo Lee,Ja-Young Lee,Seung-Ho Kim,Tae-Yong Song,Hyun-Mi Ji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US20230387199A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with corner isolation protection and methods of forming the same

Номер патента: US11916105B2. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen,Pin-Ju Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Formation method and structure of semiconductor device with source/drain structures

Номер патента: US20180294357A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Field-Effect Semiconductor Device and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20140061647A1. Автор: Wolfgang Werner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11916113B2. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20210359128A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240154002A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254916A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: EP4199101A3. Автор: Seung Chul Oh,Jung Gun YOU,Sug Hyun SUNG,Chan Kyo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Monolithic integrated circuit of a field-effect semiconductor device and a diode

Номер патента: US20070228422A1. Автор: Akio Iwabuchi,Mio Suzuki. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

INCREASING THE BREAKDOWN VOLTAGE OF A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140167173A1. Автор: ITO Akira. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: US20070238278A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-11.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A3. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Veeraraghavan Dhandapani. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of separating a structure in a semiconductor device

Номер патента: WO2007117774A2. Автор: Ramachandran Muralidhar,Leo Mathew,Veeraraghavan Dhandapani. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for cleaning the inside of a pipe in semiconductor device fabricating machine

Номер патента: US6214130B1. Автор: Yasushi Sasaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234522A1. Автор: Hyunkwang SHIN. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343839A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094931B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP4255148A1. Автор: Sangho Lee,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hyungjun NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457B1. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-10.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: WO2005062752A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-14.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US20140183628A1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240222494A1. Автор: Chien-Hsien Song,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Structure of semiconductor device with sinker contact region

Номер патента: US7164186B2. Автор: Michael Schober,Angelo Pinto,Jeffrey A. Babcock,Scott G. Balster,Christoph Dirnecker. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor apparatus of a plurality of semiconductor devices enclosed in a case and wiring method therefore

Номер патента: EP1315206A3. Автор: Kazuhiro Maeno. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2006-03-29.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Pattern form of an active region of a MOS type semiconductor device

Номер патента: US5760454A. Автор: Kenji Nishi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor apparatus of a plurality of semiconductor devices enclosed in case and wiring method therefore

Номер патента: US20030100148A1. Автор: Kazuhiro Maeno. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Interconnect structure of semiconductor integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110260333A1. Автор: Yoichi Matsumura,Kazuhiko Fujimoto,Takako Ohashi,Chie Kabuo,Tadafumi Kadota,Hirofumi Miyashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Interconnect structure of semiconductor integrated circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US8487423B2. Автор: Yoichi Matsumura,Kazuhiko Fujimoto,Takako Ohashi,Chie Kabuo,Tadafumi Kadota,Hirofumi Miyashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-16.

Burn-in apparatus and method which individually controls the temperature of a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US5414370A. Автор: Tatsuya Hashinaga,Masanori Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-05-09.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347387A1. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046515B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chih-Han Lin,Hsiao Wen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304513A1. Автор: Young Woo Kim,Kyoung Woo Lee,Min Chan Gwak,Anthony Dongick LEE,Sang Cheol Na,Guk Hee KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with stripe-shaped trench gate structures and gate connector structure

Номер патента: US09960243B2. Автор: Wolfgang Bergner,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220223713A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210134975A1. Автор: Satoru Yamada,Honglae PARK,Chunhyung Chung,Junsoo Kim,Naoto Umezawa. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US12046650B2. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Jihwan An,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device for manufacturing

Номер патента: US09960241B2. Автор: Jae-Jik Baek,Boun Yoon,Sangjine Park,Kee Sang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09768070B1. Автор: Dong-Kwon Kim,Hyung-Suk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068405B2. Автор: Sheng-Kai Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US12113112B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070072371A1. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09978864B2. Автор: Chung-Hsuan Wang,Tse-Hsiao LIU,Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Yung-Lung Chou,Sing-Lin WU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230223455A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130806A1. Автор: Sung Hee Han,Dae Sun Kim,In Cheol NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258316A1. Автор: Kangyoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773869B2. Автор: Dong-il Bae,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of forming epi semiconductor material in a trench formed above a semiconductor device and the resulting devices

Номер патента: US20160181426A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor devices having multi-threshold voltage

Номер патента: US10529817B2. Автор: Dong-Soo Lee,Jae-Yeol Song,Wan-Don Kim,Sang-Jin Hyun,Hyung-Suk Jung,Su-Young Bae,Jong-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266395A1. Автор: Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin,Ming-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing Method For A Semiconductor Device

Номер патента: US20220052180A1. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

A kind of junction termination structures of horizontal high voltage power semiconductor device

Номер патента: CN103928527B. Автор: 张波,张昕,吴文杰,乔明,文帅,薛腾飞,齐钊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2016-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227559A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: EP4138142A1. Автор: Il Young Yoon,Seung Hoon Choi,Ja Eung KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-22.

Method of forming a semiconductor device structure using differing spacer widths and the resulting semiconductor device structure

Номер патента: US09876111B2. Автор: Juergen Faul,Thorsten Kammler,Steffen Sichler,Peter Javorka,Sylvain Henri Baudot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210376089A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor devices

Номер патента: US11769830B2. Автор: Seungchan Yun,Donghwan Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Resistor and capacitor disposed directly upon a SAC cap of a gate structure of a semiconductor structure

Номер патента: US09773781B1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device structure with cap layer

Номер патента: US12107165B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220149173A1. Автор: Tomoaki Noguchi,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Nanosheet semiconductor device comprising a multilayer source/drain region

Номер патента: EP4383341A3. Автор: Dong Suk Shin,Jung Taek Kim,Nam Kyu Cho,Seok Hoon Kim,Hyun-Kwan Yu,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12107135B2. Автор: Dong Il Bae,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Bong Seok Suh,Soo Jin JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087843B2. Автор: Yung-Cheng Lu,Wan-Yi Kao,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US09780087B2. Автор: Mengfeng Tsai,Buxin ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Devices Having Recessed Channels

Номер патента: US20120305997A1. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-06.

Methods of forming semiconductor devices having recessed channels

Номер патента: US8268690B2. Автор: Joo-young Lee,Dong-gun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor device having double-gate structure and method of manufacturing the same, and electronic apparatus

Номер патента: US20240372009A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

3d isolation of a segmentated 3d nanosheet channel region

Номер патента: US20240145595A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Power semiconductor device having a gate dielectric stack that includes a ferroelectric insulator

Номер патента: US12068390B2. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062696B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12107139B2. Автор: Seung Seok HA,Dae Won Ha,Keun Hwi Cho,Guk Il An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363688A1. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Yi-Tse Hung,Ang-Sheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical semiconductor device with steep subthreshold slope

Номер патента: US20210028172A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih-Chieh Yeh,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09847393B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Ming Hsu,Chung-Min Tsai,Chun-Liang Kuo,Sheng-Hsu Liu,Tsang-Hsuan Wang,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20130207201A1. Автор: Akif Sultan,Indradeep SEN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20080029802A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20200365707A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of producing a semiconductor device having a ferroelectric gate stack

Номер патента: US12107128B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Aichinger,Saurabh Roy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240282840A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12100764B2. Автор: Yasuhiro Kondo,Kentaro NASU,Takaaki Yoshioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for Protecting a Surface of a Substrate and Semiconductor Device

Номер патента: US20170032964A1. Автор: Denifl Guenter,KUECK Daniel,Moennich Roland,Eigler Werner. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

Manufacturing method of a silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US8071482B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Gate structure and patterning method

Номер патента: US20240234214A1. Автор: Wei-Hao Wu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Kuo-Cheng Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for enhancing the reliability of a P-channel semiconductor device and a P-channel semiconductor device made thereof

Номер патента: EP2309543A1. Автор: Ben Kaczer,Jacopo Franco. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-04-13.

Gate and source/drain contact structures for a semiconductor device

Номер патента: US20160268415A1. Автор: Ruilong Xie,Andre Labonte. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09761716B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12046676B2. Автор: Yu-Lien Huang,Ming-Huan Tsai,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Yi-Shan Chen,Kuan-Da Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices with memory cells

Номер патента: US20210217859A1. Автор: WEI CHANG,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Profile control of a gap fill structure

Номер патента: US12057349B2. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Wan-Yao Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Profile control of a gap fill structure

Номер патента: US20240363423A1. Автор: Chang-Yun Chang,Ming-Chang Wen,Wan-Yao Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240178279A1. Автор: Ji Seong Kim,Wan Sup SHIN,Yoon Ho KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US8067274B2. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US09941122B2. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: EP2469590A3. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-08.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20160035638A1. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semiconductor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9312197B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor substrate, process for production thereof, and semiconductor device

Номер патента: US5858855A. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Method of forming wiring on a plurality of semiconductor devices from a single metal plate, and a semiconductor construction assembly formed by the method

Номер патента: US20100019383A1. Автор: Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-28.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US20230291379A1. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20140225240A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US11979136B2. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230268276A1. Автор: Seung-Heon Lee,Jun Hyuk LIM,Sang Hoon AHN,Kyung Seok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4231341A1. Автор: Seung-Heon Lee,Jun Hyuk LIM,Sang Hoon AHN,Kyung Seok Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

Lead frame manufacturing method of a lead frame semiconductor device assembling method of a semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: SG64493A1. Автор: Hideyuki Takahashi,Haruhiko Makino,Hidetoshi Kusano,Kenji Ohsawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20190139755A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20160372322A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-22.

Methods of forming staircase-shaped connection structures of three-dimensional semiconductor devices

Номер патента: US20180197732A1. Автор: Ha-Na Kim,Jung-Ik Oh,Daehyun Jang,Kyoungsub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Manufacturing a filling of a gap in semiconductor devices

Номер патента: US20120282739A1. Автор: Heiko Wolf,Javier V. Goicochea,Thomas Brunschwiler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for forming a dielectric film of a capacitor in semiconductor device

Номер патента: EP0540240A1. Автор: Kenji Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-05-05.

Structure of external circuit connection for semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: TW200826249A. Автор: Manabu Bonkohara. Владелец: Manabu Bonkohara. Дата публикации: 2008-06-16.

The manufacture method of a kind of semiconductor device and electronic installation

Номер патента: CN106298554A. Автор: 黄河,克里夫·德劳利,朱继光,李海艇. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-04.

Multilayer composite film passivation structure of table-board high-power semiconductor device

Номер патента: CN113380666A. Автор: 林超峰. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-10.

Methods of manufacture of a resin-sealed semiconductor device

Номер патента: EP0357802A1. Автор: Kazumi Nakayoshi,Katsutoshi Mine,Kimio Yamakawa,Akemi Kogo. Владелец: Toray Silicone Co Ltd. Дата публикации: 1990-03-14.

Method for forming pattern of a layer in semiconductor device

Номер патента: KR100641553B1. Автор: 김영실. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230215946A1. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor Device with Needle-Shaped Field Plate Structures

Номер патента: US20200127102A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor devices

Номер патента: US12142690B2. Автор: Jung Taek Kim,Moon Seung Yang,Min-Hee Choi,Seok Hoon Kim,Ryong Ha,Pan Kwi Park,Seo Jin Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor device having buried gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09893069B2. Автор: Min-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321688A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device having needle-shaped first field plate structures and needle-shaped second field plate structures

Номер патента: US20220376062A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device including a contact structure directly adjoining a mesa section and a field electrode

Номер патента: US09847395B2. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Split-gate lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140061790A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304568A1. Автор: Juyoun Kim,Inyeal Lee,Younghoi Kim,Jaekang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020117711A1. Автор: Tatsuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269294A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240237325A9. Автор: Jung Gun YOU,Sug Hyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: EP4398311A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339498A1. Автор: Jong Ryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332381A1. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Chung Hwan Shin,Seong Heum CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240332186A1. Автор: Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device including gate structure

Номер патента: US20240276707A1. Автор: Jieun Lee,Sinyeon KIM,Hana Cho,Jooseong Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US20230352520A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device having device isolation layers

Номер патента: US20240290833A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Device with a Super Junction Structure Based On a Compensation Structure with Compensation Layers and Having a Compensation Rate Gradient

Номер патента: US20140327069A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-06.

REPLACEMENT GATE STRUCTURE WITH LOW-K SIDEWALL SPACER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150263120A1. Автор: Choi Kisik,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Junction terminal structure of transverse high-voltage power semiconductor device

Номер патента: CN103928528A. Автор: 张波,张昕,吴文杰,乔明,文帅,薛腾飞,齐钊. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2014-07-16.

Apparatus and method for controlling the output of a light emitting semiconductor device

Номер патента: US3483397A. Автор: Robert C Miller,Frederick M Ryan. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1969-12-09.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20190164835A1. Автор: Tuoh-Bin Ng,Chii-Horng Li,Li-Li Su,Yi-Fang Pai,Wei-Hao LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Gate Contact And Via Structures In Semiconductor Devices

Номер патента: US20240282859A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Tsung Wang,Haung-Lin Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US12068414B2. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200020806A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Interface profile control in epitaxial structures for semiconductor devices

Номер патента: US20240363751A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Winnie Victoria Wei-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Metal gate structure of a cmos semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210082772A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with backside self-aligned power rail and methods of forming the same

Номер патента: US20240250141A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Chih-Chao CHOU,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20220223736A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230402454A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device including active region and gate structure

Номер патента: US20210043763A1. Автор: Jinbum Kim,Dongil Bae,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor devices including a dummy gate structure on a fin

Номер патента: US09947672B2. Автор: Bo-Un Yoon,Yong-Ho Jeon,Sang-Jine Park,Do-hyoung Kim,Kwang-Yong Yang,Kyoung-hwan Yeo,Kee-Sang KWON,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices having reflective symmetry

Номер патента: US11996406B2. Автор: Sungil Park,Junggun YOU,Sunggi HUR,Joohee JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12075607B2. Автор: Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12087666B2. Автор: Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339331A1. Автор: Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices including gate structure and method of forming the same

Номер патента: US20220375847A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor devices having different numbers of stacked channels in different regions

Номер патента: US12051694B2. Автор: Dong-il Bae,Chang-Woo Noh,Jae-Hyeoung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US11222897B2. Автор: Jinwoo Bae,Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Boun Yoon,Hyesung Park,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-11.

Semiconductor device with elongated pattern

Номер патента: US20240274471A1. Автор: Po-Chin Chang,Pinyen Lin,Li-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09780033B2. Автор: Changseop YOON,Jongmil Youn,Hyung Jong Lee,Kwangsub Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243008A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatuses including a semiconductor transistor and methods for forming same

Номер патента: US20240014289A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312903A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4439642A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240372002A1. Автор: Sung Hun Jung,Hae Jun Yu,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12080796B2. Автор: Sung Hun Jung,Hae Jun Yu,Kyung In CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11923240B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with a contact plug adjacent a gate structure

Номер патента: US12062660B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Hyun Lee,In-Keun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180301446A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US20240371875A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device including vertical field effect transistors having different gate lengths

Номер патента: US20200020685A1. Автор: Mingyu Kim,Kang-ill Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230275091A1. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate structures in transistor devices and methods of forming same

Номер патента: US12087775B2. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chi On Chui,Bo-Cyuan Lu,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices

Номер патента: US12062662B2. Автор: Yang Xu,Sanggil Lee,Namkyu CHO,Sihyung Lee,Dongmyoung KIM,Kanghun Moon,Hyunkwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US10741689B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240371878A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Hardmask formation with hybrid materials in semiconductor device

Номер патента: US20240203795A1. Автор: Chung-Ting Ko,Sung-En Lin,Chi-On CHUI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20210408001A1. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12132051B2. Автор: Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device including via plug connected to source/drain pattern

Номер патента: US12040275B2. Автор: Sun Ki MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and electronic system including the same

Номер патента: EP4383342A3. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Kangoh YUN,Sohyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240268103A1. Автор: Junsoo Kim,Sungho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with trench gate structures in a semiconductor body with hexagonal crystal lattice

Номер патента: US09741712B2. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406902A1. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230275095A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device having reduced noise and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240371954A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,I-Sheng Chen,Wan-Lin Tsai,Yi-Jing Li,Kai-Qiang Wen,Shih-Chun Fu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Back end floating gate structure in a semiconductor device

Номер патента: US20240086692A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO,Chia Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate structure and semiconductor device including the gate structure

Номер патента: EP4447122A2. Автор: Byounghoon Lee,Sungnam LYU,Hyojung NOH,Eulji JEONG,Minwoo YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertically mountable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20020008310A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Vertically mountable and alignable semiconductor device, assembly, and methods

Номер патента: US20010026023A1. Автор: Walter Moden,Warren Farnworth,Larry Kinsman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device including fuse having form of capacitor

Номер патента: US8633565B2. Автор: Seong-Ho Kim,Ho-ju Song,Gil-sub Kim,Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-21.

Semiconductor Device Including Fuse Having Form of Capacitor

Номер патента: US20110049670A1. Автор: Seong-Ho Kim,Ho-ju Song,Gil-sub Kim,Won-mo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Analysis method, storage medium, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230118297A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A3. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: Anne Hao. Дата публикации: 2006-07-27.

Plastic-packaged semiconductor device including a plurality of chips

Номер патента: US20020000672A1. Автор: Ryuichiro Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Structure and circuit technique for uniform triggering of multifinger semiconductor devices with tunable trigger voltage

Номер патента: EP2130276A1. Автор: Hongmei Li,Robert Gauthier,Junjun Li,Souvick Mitra,Michel J. Abou-Khalil,Christopher S. Putnam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-09.

Patterned substrate of light emitting semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130207143A1. Автор: Jun-Rong Chen,Hsiu-Mei CHOU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Multi-layer highly reflective ohmic contacts for light-emitting semiconductor devices

Номер патента: EP1163702A1. Автор: Michael R. Krames,Jonathan J. Wierer, Jr.,Serge L. Rudaz. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2001-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871A1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2007-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: EP1801871B1. Автор: Y. The Kansai Electric Power Co. Inc. Sugawara,Yoshikazu ASAHI DENKA Co. Ltd. SHOJI. Владелец: Kansai Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Junction structure of terminal pad and solder, semiconductor device having that structure, and method of manufacturing that semiconductor device

Номер патента: KR20070037325A. Автор: 야스오 다나카. Владелец: 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-04-04.

Ring positionable about a periphery of a contact pad, semiconductor device components including same, and methods for positioning the ring around a contact pad

Номер патента: US6548897B2. Автор: Ford B. Grigg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

a fabrication method of a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR100853092B1. Автор: 안정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-19.

Curable resin composition for unpressurized sealing of a case module, semiconductor device, and method of producing semiconductor device

Номер патента: TW201936874A. Автор: 荒田道俊,戸川光生,村杉成俊,小野雄大. Владелец: 日商日立化成股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-16.

Structure of bonding pad electrode of semiconductor device

Номер патента: JP2863287B2. Автор: 和夫 松村. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-03.

Reinforcing structure of conductor soldering point of semiconductor device

Номер патента: CN104064540A. Автор: 缪小勇,王洪辉,石海忠,郇林香,成明建. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Structure of crystal of high-voltage semiconductor device, high-voltage integrated microcircuit (variants)

Номер патента: RU2650814C1. Автор: Виталий Александрович Володин,Алексей Витальевич Володин,Анатолий Григорьевич Христьяновский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2018-04-17.

STRUCTURE OF BACKSIDE COPPER METALLIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND A FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160020178A1. Автор: HUA Chang-Hwang,CHEN Jason,Chu Wen. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

SIGNAL PATH OF A MULTIPLE-PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140184320A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

SIGNAL PATH OF A MULTIPLE-PATTERNED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140184321A1. Автор: Paulsen David P.,Sheets,II John E.,Allen David H.,Dewanz Douglas M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-03.

Substrate wafer and manufacturing method of a iii-nitride semiconductor device

Номер патента: US20170309783A1. Автор: Hsin Hsiung Huang,Kai Shen CHEN,Wan Jung LEE,Pei Chia CHEN,Yung Hsin TAI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Adhesive composition, circuit connecting material, structure of connecting circuit terminal and semiconductor device

Номер патента: KR100698916B1. Автор: 시게키 카토기,마사미 유사,히로유키 이자와,호코 스토. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-03-23.

Signal path of a multiple-patterned semiconductor device

Номер патента: US9082624B2. Автор: Douglas M. Dewanz,David P. Paulsen,II John E. Sheets,David H. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

OHMIC LOCALIZER CONTACT IN THE CONTACT LAYER OF A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2530080B1. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-11-08.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Design structure for semiconductor device having radiation hardened insulators and structure thereof

Номер патента: US20100032795A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US12057449B2. Автор: Yi-Jing Lee,Chia-Der Chang,Chao-Shuo Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US12033935B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including recessed interconnect structure

Номер патента: US20240222269A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Yi-Hsun CHIU,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12062656B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure

Номер патента: US20240258310A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage

Номер патента: US10224324B2. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-03-05.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170345819A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309621A1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device having gate structure with reduced threshold voltage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09793267B1. Автор: Wei-Hsin Liu,Pi-Hsuan Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12119272B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Yu-Ren Wang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device, integrated circuit component and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11749729B2. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240194607A1. Автор: Wei Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Qiangwei Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including peripheral contact

Номер патента: US20230109983A1. Автор: Jinseong Lee,Dongsoo Woo,Kyounghee Kim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US20110298036A1. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-08.

Isolation layer structure, method of forming the same and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8237240B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-07.

Method of forming isolation layer structure and method of manufacturing a semiconductor device including the same

Номер патента: US8017495B2. Автор: Min Kim,Seung-Bae Park,Ju-Wan Kim,Kyu-Tae Na,Dae-Young Kwak,Il-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240313066A1. Автор: Chan Hwang,Soo Kyung Kim,Jonghyun JUNG,Moosong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240258230A1. Автор: Sungkeun Lim,Jinyeong Joe,Unki Kim,Yuyeong Jo,Hyohoon Byeon,Dohyun GO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of manufacturing semiconductor devices including structures

Номер патента: US20110165750A1. Автор: Chan-jin Park,Ki-Hyun Hwang,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Jun-kyu YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120100658A1. Автор: Jong-Won Choi,Jun-Seok Yang,Sung-Hyun Yoon,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831242B2. Автор: Hou-Yu Chen,Chen Hua TSAI,Chia-Wei Soong,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11935895B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240203998A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices

Номер патента: US11758713B2. Автор: Junghoon Han,Dongoh KIM,Gyuhyun Kil,Doosan Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US12096615B2. Автор: Yoosang Hwang,Wooyoung Choi,Juseong OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09893070B2. Автор: Chin-Shan WANG,Shun-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Article containing a silicon base and a coating layer in the form of a nanofilm of carbon with a diamond-type crystal lattice, and a method of making said article

Номер патента: RU2715472C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов,Николай Александрович Феоктистов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "Новые технологии". Дата публикации: 2020-02-28.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: US20230223933A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Paralleled transistor cells of power semiconductor devices

Номер патента: WO2023137315A1. Автор: Perry Schugart. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US11990474B2. Автор: Chi-Feng Huang,Shu Fang Fu,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20200335400A1. Автор: Yu-Lin Yang,Chih-Liang Chen,I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Ta-Pen Guo,Hung-Li Chiang,Szu-Wei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09847358B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Gate structure over corner segment of semiconductor region

Номер патента: EP4376094A2. Автор: Shady Ahmed Abdelwahed Ahmed Elshafie,Kiril Biserov Borisov,Mohammed Ahmed Fouad Ibrahim Darwish,Francois C. Weisbuch,David Charles PRITCHARD,Benoit Francois Claude Ramadout. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Gate structure over corner segment of semiconductor region

Номер патента: EP4376094A3. Автор: Shady Ahmed Abdelwahed Ahmed Elshafie,Kiril Biserov Borisov,Mohammed Ahmed Fouad Ibrahim Darwish,Francois C. Weisbuch,David Charles PRITCHARD,Benoit Francois Claude Ramadout. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device including trimmed-gates and method of forming same

Номер патента: US20230284428A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12057459B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347583A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Hung-Yi Wu,Yi Chuen Eng,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device having channel layers spaced apart in vertical direction

Номер патента: US12100736B2. Автор: Sangyong Kim,Byounghoon Lee,Chanhyeong Lee,Jaejung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of designing semiconductor device allowing control of current driving capability depending on shape of element forming region

Номер патента: US20040181386A1. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20240224673A1. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US09941346B2. Автор: Mizuki Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Double height cell regions, semiconductor device having the same, and method of generating a layout diagram corresponding to the same

Номер патента: US11756999B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Li-Chun Tien,Ting-Wei Chiang,Lee-Chung Lu,Jung-Chan YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device structure having fuse elements

Номер патента: US20240260259A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device structure

Номер патента: US12046310B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240292615A1. Автор: SUNG Wook Jung,Sang Bum Lee,Jong Hun Kim,Byung Soo Park,Song Hee HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices having gate structures

Номер патента: US20240284657A1. Автор: Kiseok LEE,Minho Choi,Chansic Yoon,Chulkwon Park,Jaybok CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240306385A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240054276A1. Автор: Joongwon Jeon,Subin KIM,Jaehyun KANG,Junsu Jeon,Byungmoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220122981A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105257A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with cell region, method of generating layout diagram and system for same

Номер патента: US20210209287A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Ho Che Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240268123A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4412424A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230371253A1. Автор: Jin Ho Bin,Kyung Jin Lee,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203977A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Embedded DRAM cells having capacitors within trench silicide trenches of a semiconductor structure

Номер патента: US09831248B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4391057A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240324193A1. Автор: Dongjin Lee,Junhee LIM,Minkyung KIM,Hakseon KIM,Sunggil Kim,Kang-Oh Yun,Sohyun LEE,Jumi Bak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US20190389368A1. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and message image output method

Номер патента: US10766405B2. Автор: Koji Yasuda,Hirofumi Kawaguchi,Akihide Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251549A1. Автор: Suhyun KIM,Chul Lee,Sang-Il Han,Sanggyu KO,Jungjin PARK,Sungho Jang,Hyuckchai Jung,Hyeongwon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4012758A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240147712A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240306379A1. Автор: Jongmin Kim,Chan-Sic Yoon,Kiseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240276718A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240196608A1. Автор: Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Kyung Jin Lee,Sul Gi JUNG,Kyung Sung YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240244835A1. Автор: Jinseong Lee,TaiUk Rim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP4404711A1. Автор: Jinseong Lee,TaiUk Rim,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240284671A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240196587A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including a peripheral circuit device

Номер патента: US20240268105A1. Автор: Seunghwan Kim,Haein JUNG,Sungho Jang,Jiseok Kwon,Seungho HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices having contact plugs

Номер патента: US20240260250A1. Автор: Jinseong Lee,Jihun Kim,Jihye Kwon,Kyosuk CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices having landing pad structures

Номер патента: US20240276699A1. Автор: Sohee Choi,Sohyang LEE,Jeongmin JIN,JinSeo Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices having landing pad structures

Номер патента: US20240306376A1. Автор: Soobin KIM,Jinsub KIM,Taeyong Song,Dongkyun LIM,Sunwoo HEO,Seungyoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having channel isolation structure

Номер патента: US20240260264A1. Автор: Moon Soo Sung,Sung Lae OH,Dong Hun Kwak,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240357832A1. Автор: Jinwoo Han,Kiseok LEE,Hanjin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240268114A1. Автор: In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4429433A1. Автор: Jongmin Kim,Taejin Park,Kiseok LEE,Huijung Kim,Chansic Yoon,Myeongdong Lee,Keunnam Kim,Sangjae Park,Seungbo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240306374A1. Автор: Jongmin Kim,Taejin Park,Kiseok LEE,Huijung Kim,Chansic Yoon,Myeongdong Lee,Keunnam Kim,Sangjae Park,Seungbo Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure

Номер патента: EP4415003A2. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

2-transistor memory cell and gate structure having multiple portions

Номер патента: US20240268091A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory cell gate structure having multiple portions

Номер патента: WO2024167843A1. Автор: Scott E. Sills,Kamal M. Karda,Pankaj Sharma,Nicholas R. Tapias,Manuj Nahar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240244823A1. Автор: Wooyoung Choi,Chansic Yoon,Gaeun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices

Номер патента: EP4415498A2. Автор: Wooyoung Choi,Chansic Yoon,Gaeun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Apparatus of measuring characteristics of semiconductor devices

Номер патента: US20070216435A1. Автор: Yasuhiko Iguchi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device module

Номер патента: AU2012227357A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of quantitative analysis of hexavalent chromium in chromate coating and method for controlling hazardous element in encapsulating resin of resin encapsulation semiconductor device

Номер патента: US20120264225A1. Автор: Miyuki Takenaka,Mitsuhiro Oki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Agnostic Model of Semiconductor Devices and Related Methods

Номер патента: US20190057175A1. Автор: James Joseph Victory,Mehrdad Baghaie Yazdi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

APPARATUS AND METHOD FOR PROFILING A BEAM OF A LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160313180A1. Автор: Brennan Vincent,Percival Christopher. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

The microenvironment exhaust control device of a kind of semiconductor devices

Номер патента: CN103711937B. Автор: 王丽荣,刘红丽,宋新丰. Владелец: Beijing Sevenstar Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Method and system for constructing and manipulating a physical integrated circuit layout of a multiple-gate semiconductor device

Номер патента: US6457163B1. Автор: Lu-Tsann Yang. Владелец: Spring Soft Inc. Дата публикации: 2002-09-24.

Structure of compound storage circuit and semiconductor device having the structure of compound storage circuit

Номер патента: JP2003233990A. Автор: Hironobu Mori,Hisanobu Tsukasaki,勝利 森山,寛伸 森,Katsutoshi Moriyama,久暢 塚崎. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-08-22.

Probe needle structure of probe card for testing semiconductor device and method for fabricating probe needle

Номер патента: KR100607766B1. Автор: 주창영. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Adjustable safety gate which can be opened to the upward direction of a stairway

Номер патента: WO2005069728A3. Автор: Moshe Levy. Владелец: Moshe Levy. Дата публикации: 2005-11-03.

Adjustable safety gate which can be opened to the upward direction of a stairway

Номер патента: WO2005069728A2. Автор: Moshe Levy. Владелец: Moshe Levy. Дата публикации: 2005-08-04.

Structure and method for tying off dummy gate in semiconductor device

Номер патента: US20230259685A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Meng-Hung Shen,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A GATE STRUCTURE AND METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120034752A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

A manufacturing method of a high voltage semiconductor device

Номер патента: TW200849403A. Автор: Ming Tang,Ching-sung Ho. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-16.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Method of Setting a Work Function of a Fully Silicided Semiconductor Device, and Related Device

Номер патента: US20120231590A1. Автор: COLOMBO Luigi,Visokay Mark R.,Chambers James J.. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-09-13.

MANUFACTURING A FILLING OF A GAP IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120282739A1. Автор: Goicochea Javier V.,Wolf Heiko,Brunschwiler Thomas. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING CONDUCTIVE STATE OF A SOLID STATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120211980A1. Автор: Desabhatla Sreedhar. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-08-23.

STRUCTURE OF BACKSIDE COPPER METALLIZATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICES AND A FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130277845A1. Автор: HUA Chang-Hwang,CHEN Jason,Chu Wen. Владелец: WIN SEMICONDUCTORS CORP.. Дата публикации: 2013-10-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION STRUCTURE OF ELEMENTS AND CONNECTION METHOD

Номер патента: US20120000501A1. Автор: AKIYAMA Hirokuni,MORISAKU Naoto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.