Air spacer for a gate structure of a transistor
Номер патента: US20240347616A1
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Feng-Cheng Yang, Tsung-Lin Lee, Wei-Yang Lee, Yen-Ming Chen, Yen-Ting Chen, Yi-Hsiu Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-10-2024
Автор(ы): Feng-Cheng Yang, Tsung-Lin Lee, Wei-Yang Lee, Yen-Ming Chen, Yen-Ting Chen, Yi-Hsiu Liu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Isolation Structures Of Semiconductor Devices
Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.