Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor substrate, process for production thereof, and semiconductor device

Semiconductor substrate, process for production thereof, and semiconductor device

Номер патента: US5858855A
Опубликовано: 12-01-1999
Автор(ы): Kenya Kobayashi
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor Device with Electrical Resistor

Номер патента: US20190371882A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor device with electrical resistor

Номер патента: US11217658B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-01-04.

GaN thin film bonded substrate and manufacturing method thereof, and GaN-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5003033B2. Автор: 昭広 八郷,勝史 秋田,仁 笠井,祥紀 三浦. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-15.

Soft ashing process for forming protective layer on conductive cap layer of semiconductor device

Номер патента: US12033860B2. Автор: Sheng-Liang Pan,Huan-Just Lin,Chia-Yang Hung,Po-Chuan Wang,Guan-Xuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for making semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391446A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Trench filling process for preventing formation of voids in trench

Номер патента: US20040166635A1. Автор: Shih-Chi Lai,Yi-Fu Chung,Mao-Song Tseng,Pei-Feng Sun. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274470A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Bo Liao,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions and related methods

Номер патента: WO2024229217A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371943A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices with a thermally conductive layer

Номер патента: US09614046B2. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Bruce M. Green,Darrell G. Hill,L. M. Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having bed structure underlying electrode pad

Номер патента: US6465894B2. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-15.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device having patterned SOI structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20030119228A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09875989B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653358B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device formed in semiconductor layer arranged on substrate with one of insulating film and cavity interposed between the substrate and the semiconductor layer

Номер патента: US20030122191A1. Автор: Takashi Yamada,Shinichi Nitta,Ichiro Mizushima,Hajime Nagano,Yuso Udo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7622362B2. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor Device Structure and Method for Manufacturing the same

Номер патента: US20120043593A1. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080113490A1. Автор: Hiroaki Katou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Partial, self-biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09825169B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing SOI substrate in which crystal defects of a single crystal semiconductor layer are reduced and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09633892B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Substrate structure, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09607877B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including STI structure

Номер патента: US09601568B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with peripheral breakdown protection

Номер патента: US09543379B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: RU2276429C2. Автор: Флорин УДРИА,Джихан Анил Джозеф АМАРАТУНГА. Владелец: Кембридж Семикондактор Лимитед. Дата публикации: 2006-05-10.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252549A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of fabricating semiconductor device having element isolation trench

Номер патента: US6559031B2. Автор: Kazunori Fujita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230030778A1. Автор: Fumihiko Hayashi,Hirokazu Sayama,Junjiro Sakai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220262672A1. Автор: Yutaka Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20010026980A1. Автор: Yuri Mizuo. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for preparing semiconductor device structure with multiple liners

Номер патента: US11764105B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Methods for processing a semiconductor substrate

Номер патента: US20210159115A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Marko David Swoboda,Werner Schustereder,Wolfgang Lehnert,Alexander Breymesser,Mihai Draghici,Tobias Franz Wolfgang Hoechbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-05-27.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: WO2014051728A2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Seiyon Kim. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

Methods for making semiconductor devices including localized semiconductor-on-insulator (soi) regions

Номер патента: US20240371883A1. Автор: Hideki Takeuchi,Keith Doran Weeks,DongHun Kang,Yi-Ann Chen. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device having a dummy portion, method for manufacturing the semiconductor device, method for manufacturing a semiconductor package having the semiconductor device

Номер патента: US09892968B2. Автор: Osamu Koike,Yutaka Kadogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130200485A1. Автор: Hiroaki Naruse. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device with undercutted-gate and method of fabricating the same

Номер патента: US20190252550A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Ching-Chia Huang,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: US20010012649A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Toshiaki Iwamatsu,Yasuhiro Kimura,Yuuichi Hirano,Hideki Naruoka,Yoshiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Semiconductor substrate processing method

Номер патента: US20030148595A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Toshiaki Iwamatsu,Yasuhiro Kimura,Yuuichi Hirano,Hideki Naruoka,Yoshiko Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20150318219A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-05.

Strained gate-all-around semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US20170047416A1. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20050142789A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device

Номер патента: US20090166799A1. Автор: Youri Ponomarev,Vincent Charles Venezia,Josine Johanna Gerarda Petra Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US6939773B2. Автор: Yong Keon Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Methods of manufacturing a semiconductor device by forming a separation trench

Номер патента: US09935055B2. Автор: Andreas Meiser,Markus Zundel,Martin Poelzl,Georg Ehrentraut,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887211B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09553167B2. Автор: Kyoung Chul JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with composite drift region

Номер патента: US09478456B2. Автор: Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110244649A1. Автор: Takashi Shimizu,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290782A1. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062654B2. Автор: Kenji Suzuki,Takuya Yoshida,Yuki Haraguchi,Hidenori Koketsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device having a through contact

Номер патента: US20140299972A1. Автор: Thomas Gross,Hermann Gruber,Markus Zundel,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-10-09.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US10043702B2. Автор: Tomohiko Aika. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US12051644B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device structure with fluorine-catching layer

Номер патента: US20230378070A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234313A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with liner layer having tapered sidewall and method for preparing the same

Номер патента: US20240234314A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240258231A1. Автор: Yi-Hsien CHOU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure with stacked conductive plugs and method for preparing the same

Номер патента: US20240332168A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Field termination structure for monolithically integrated power semiconductor devices

Номер патента: US20230387195A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch,Kwok-Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-30.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US11908928B2. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-20.

Field plate anchoring structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: EP4187618A1. Автор: Ling Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180197768A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device with composite dielectric structure and method for forming the same

Номер патента: US20210296276A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device structure with barrier portion

Номер патента: US20230395505A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device structure with conductive polymer liner and method for forming the same

Номер патента: US20220068855A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and process

Номер патента: US09837307B2. Автор: Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Yu-Chieh Liao,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and process

Номер патента: US09564396B2. Автор: Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang,Yu-Chieh Liao,Hsiang-Lun Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

A process for making an interconnect of a group iii-v semiconductor device

Номер патента: TWI717829B. Автор: 張翼,林岳欽,蔡明諺,張博盛. Владелец: 國立交通大學. Дата публикации: 2021-02-01.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7435670B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Bit line barrier metal layer for semiconductor device and process for preparing the same

Номер патента: US7276725B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09679818B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240162286A1. Автор: Rolf Weis,Franz Hirler,Ahmed Mahmoud,Cornelius Fuchs. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and manufacturing process for the same

Номер патента: US20240128339A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Guangjie XUE. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09941321B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09490216B2. Автор: Tae-Seong Kim,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472472B2. Автор: Kiyotaka Tabuchi,Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device chip and method of manufacturing semiconductor device chip

Номер патента: US20180197823A1. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

MOS semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6143592A. Автор: Takehiro Ueda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09721896B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Integrated circuit product with bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09608003B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing Such A Device

Номер патента: US20080169527A1. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US7659600B2. Автор: Wibo Daniel Van Noort. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US20200027952A1. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device

Номер патента: US10892329B2. Автор: Hidenori Fujii,Shigenori Kido. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299129A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204041A1. Автор: Yoshiaki Ishii,Daisuke Shinohara,Mariko Yamashita,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device including through via structure

Номер патента: US12046538B2. Автор: Taeseong Kim,Hoonjoo NA,Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210090987A1. Автор: Hiroyuki Kawashima,Hitoshi Okano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210343641A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210125925A1. Автор: Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Donghoon WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Power Metallization Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20200035610A1. Автор: Sven Schmidbauer,Michael Nelhiebel,Ravi Keshav Joshi,Rainer Pelzer,Axel Buerke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09666530B1. Автор: Chen-Shien Chen,Han-Ping Pu,Mirng-Ji Lii,Yu-feng Chen,Kuo-Lung Pan,Yu-Jen Cheng,Yu-Chih Huang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09576881B2. Автор: Norihisa Arai,Keisuke Murayama,Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234490A1. Автор: Shaofeng Ding,Yun Ki CHOI,Jeong Hoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US8263490B2. Автор: Yutaka Fukuda,Yuji Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou,Mika Ootsuki. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-09-11.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, circuit substrate and electronic device

Номер патента: US20050001327A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device, semiconductor module, and packaged semiconductor device

Номер патента: US11069783B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Mitsuaki Sakamoto,Toshikazu Imai,Yasuyuki Masumoto,Shigetoshi Sota,Tomonari OOTA,Masaaki HIRAKO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-07-20.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US20180083096A1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: WO2018057253A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP3501039A1. Автор: Jing Jing,Jane W. Sowards,Shuxian Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2019-06-26.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: US20240274591A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with communication ring

Номер патента: WO2024172822A1. Автор: Jinho Kim,Jean Francois Thiery,Nhan Do,Cynthia Fung,Catherine Decobert,Xian Liu,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332258A1. Автор: Da Il RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021631A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Kazumichi Tsumura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor devices, through-substrate via structures and methods for forming the same

Номер патента: US09972534B1. Автор: Li-Che Chen,Hsing-Chao Liu,Tzu-Hsuan Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Substrate noise isolation structures for semiconductor devices

Номер патента: US09923051B1. Автор: Jing Jing,Shuxian Wu,Jane Sowards. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09779992B2. Автор: Yasuaki Tsuchiya,Ryohei Kitao. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Partially biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09728600B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09412738B2. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device having LDD-type source/drain regions and fabrication method thereof

Номер патента: US20020163037A1. Автор: Do-Hyung Kim,Jin-Ho Kim,Byung-Jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260875A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260876A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Formation method of metallic electrode of semiconductor device and metallic electrode formation apparatus

Номер патента: US20110207241A1. Автор: Yutaka Fukuda,Akira Tai,Kazuo Akamatsu,Manabu Tomisaka,Yoshiko Fukuda,Hidetoshi Katou. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20210175231A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287964A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Akio Yamano,Aiko TAKASAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220415712A1. Автор: Naruhisa Nagata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US20140001549A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US11605606B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US6548845B1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device with spacer over bonding pad

Номер патента: US20220130779A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US11195749B2. Автор: Yoshiharu Kato,Tohru SHIRAKAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200365696A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Monolithic conductive column in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US12074094B2. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282828A1. Автор: Youngwoo KIM,Minchan Gwak,Kyoungwoo Lee,Gukhee Kim,Sangcheol NA,Anthony Dongick LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device including graphene interconnect and method of making the semiconductor device

Номер патента: US20230335497A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and apparatus for a direct buried strap for same level interconnections for semiconductor devices

Номер патента: EP1292979A2. Автор: Michael Stetter,Frank Grellner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-19.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a voltage resistant structure

Номер патента: US09786749B2. Автор: Katsuya Okumura,Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741554B2. Автор: Satoru Kameyama,Shuhei Oki,Masaki AJIOKA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and driver circuit with an active device and isolation structure interconnected through a resistor circuit, and method of manufacture thereof

Номер патента: US09704853B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Hubert M. Bode,Richard J. De Souza. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Partial, self-biased isolation in semiconductor devices

Номер патента: US09614074B1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09614055B2. Автор: Hiroshi Inagawa,Nobuo Machida,Kentaro Ooishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09559180B2. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234253A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Monolithic conductive cylinder in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260877A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420299A1. Автор: Tomoyuki Kamakura,Koichi Mizugaki,Yasuke Matsuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: EP4401121A1. Автор: Woojin Lee,Wookyung You,Yeonggil Kim,Hoonseok Seo,Koungmin Ryu,Minjae KANG,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294985A1. Автор: Eisuke Kodama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6890866B2. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-05-10.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185659A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210313425A1. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11588020B2. Автор: Chun-Chih Cheng,Ying-Ting Hsia,I-Hsiu Wang,Yean-Zhaw Chen,Jhao-Ping Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for forming semiconductor device structure with metal silicide layer

Номер патента: US20200044035A1. Автор: Chih-Ming Lee,Gulbagh SINGH,Cheng-Yeh Huang,Chi-Yen Lin,Chin-Nan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110186970A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device, semiconductor module, and wireless communication apparatus

Номер патента: US20240322028A1. Автор: Katsuji Matsumoto,Naoki Kakoiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4456130A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363493A1. Автор: Gibum Kim,Sangdeok KWON,Duckseoung KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices with protruding conductive vias and methods of making such devices

Номер патента: US09941210B1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Colby Rampley,Mali Mahalingam. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with selectively etched surface passivation

Номер патента: US09799760B2. Автор: Bruce M. Green,Darrell G. Hill,Jenn Hwa Huang,Karen E. Moore. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09761487B2. Автор: Toshiyuki Takahashi,Katsuhiko Hotta,Kenichi Shoji,Kotaro Horikoshi,Kiyoshi Maeshima,Hironori Ochi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-adjusted isolation bias in semiconductor devices

Номер патента: US09680011B2. Автор: Xu Cheng,XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520339B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09431501B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: WO2003077311A1. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organisation. Дата публикации: 2003-09-18.

Method and resulting structure for manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: EP1483786A1. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Commonwealth Scientific and Industrial Research Organization CSIRO. Дата публикации: 2004-12-08.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having groove and method of fabricating the same

Номер патента: US20030068875A1. Автор: Nak-Jin Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180061710A1. Автор: Hidemasa Oshige. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Cell Field Portion and a Contact Area

Номер патента: US20160093529A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device with transistor local interconnects

Номер патента: US20210013150A1. Автор: Suresh Venkatesan,Scott Johnson,Subramani Kengeri,Chinh Nguyen,Mahbub Rashed,Marc Tarabbia,Steven Soss,Jeff Kim,Irene Y. Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190172754A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120015508A1. Автор: Shinya Iwasaki,Akira Kamei. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040185660A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230317812A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12050398B2. Автор: Keizo Kawakita,Hidenori Yamaguchi,Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20140217560A1. Автор: Osamu Fujita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Contact formation in semiconductor devices

Номер патента: US20180277483A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Zuoguang Liu,Hiroaki Niimi,Jiseok Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a cell field portion and a contact area

Номер патента: US9852945B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200098706A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12062624B2. Автор: Sangki Kim,Junghoon Han,Chulsoon Chang,Ilgeun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20140367864A1. Автор: Hiroyuki Fujimoto. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Methods for Forming a Semiconductor Device Having a Second Semiconductor Layer on a First Semiconductor Layer

Номер патента: US20230395394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Francisco Javier Santos Rodriguez,Stephan Voss,Alexander Breymesser,Helmut Oefner,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068267B2. Автор: Yoshihiro Uozumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09917010B2. Автор: Kazumi Onda,Mitsuo Umemoto,Hideaki Yoshimi,Kazumi Horinaka. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device arrangement and a method for forming a semiconductor device arrangement

Номер патента: US09793182B2. Автор: Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240298444A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240030056A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP4290566A1. Автор: Akira Mori,Masatake Nagaya,Masakazu Takeda,Mitsuru Kitaichi,Yuji NAGUMO,Masashi UECHA,naoya Kiyama,Masaru OKUDA. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method for manufacturing semiconductor device that includes dividing semiconductor substrate by dry etching

Номер патента: US09633902B2. Автор: Mie Matsuo,Satoshi Matsui,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4425538A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Saori Kashiwada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Structures and Processes for Void-Free Hybrid Bonding

Номер патента: US20240222313A1. Автор: Roy R. Yu,Katsuyuki Sakuma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates

Номер патента: US09595434B2. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Kyoungseob Kim,Kyoung Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods of packaging and dicing semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09559005B2. Автор: Chung-Shi Liu,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yu-Peng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Composite semiconductor device, print head and image forming apparatus

Номер патента: US20090322852A1. Автор: Hiroshi Hamano,Masumi Koizumi,Masumi Taninaka,Kazuya Ohkawa,Shinya Jyumonji. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Structures and processes for void-free hybrid bonding

Номер патента: WO2024139188A1. Автор: Roy R. Yu,Katsuyuki Sakuma. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US9105580B2. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110115080A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor device including semiconductor construct installed on base plate, and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140287555A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220230920A1. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Process for manufacturing a semiconductor wafer, a semiconductor wafer, process for manufacturing a semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6043114A. Автор: Eiichi Yamada,Tatsumi Shirasu,Norio Suzuki,Shogo Kiyota,Manabu Kitano,Yoshihiko Sakurai,Takashi Naganuma,Hisashi Arakawa,Hiroto Kawagoe,Yuji Sugino. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-03-28.

Substrate processing apparatus, program for controlling the same, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09443748B2. Автор: Makoto Shirakawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND GaN-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20110057197A1. Автор: Hideki Osada,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-10.

Substrate processing system, method of managing the same and method of manufacturing semiconductor device with the same

Номер патента: US9859175B2. Автор: Bum-soo Kim,Masayuki Tomoyasu,Kiwook Song,Kye Hyun Baek,Eunwoo LEE,Jong Seo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Systems and Methods for Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20150170912A1. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09543154B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010027028A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410962B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US11410963B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-09.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200212000A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12080678B2. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid fin cut etching processes for products comprising tapered and non-tapered FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09735060B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Stock/transfer vessel for semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20030194844A1. Автор: Tatsuya Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20210074671A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200211999A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods and systems for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20210091037A1. Автор: Wei Zhou,Mark E. Tuttle,Bret K. Street,Benjamin L. McClain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Hybrid fin cut etching processes for products comprising tapered and non-tapered finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170213767A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Substrate processing system and substrate processing method

Номер патента: US11854840B2. Автор: Yuji Takimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Process for forming thick oxides on SI or SIC for semiconductor devices

Номер патента: TW200509319A. Автор: Zhi He,Davide Chiola. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Multi-chambered substrate processing equipment having sealing structure between chambers thereof, and method of assembling such equipment

Номер патента: US20070114440A1. Автор: Kyoung-Seok Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

HYBRID FIN CUT ETCHING PROCESSES FOR PRODUCTS COMPRISING TAPERED AND NON-TAPERED FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170213767A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Method for production of silicon carbide layer, gallium nitride semiconductor device and silicon substrate

Номер патента: TW200735183A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for production of silicon carbide layer, gallium nitride semiconductor device and silicon substrate

Номер патента: US8216367B2. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-07-10.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, HEATING APPARATUS, CEILING HEAT INSULATOR, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221532A1. Автор: KOSUGI Tetsuya,UENO Masaaki,MURATA Hitoshi,TAKEWAKI Motoya. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2015-08-06.

SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, METHOD OF MANAGING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20160372386A1. Автор: Baek Kye Hyun,SONG Kiwook,KIM Bum-Soo,TOMOYASU Masayuki,LEE EUNWOO,HONG JONG SEO. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Composition for porous film formation, porous film, process for producing the same, interlayer insulation film and semiconductor device

Номер патента: WO2004044074A1. Автор: Masaru Sasago,Fujio Yagihashi,Yoshitaka Hamada,Hideo Nakagawa. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2004-05-27.

Process for manufacturing a multi-layer lead frame

Номер патента: US5231756A. Автор: Akira Kobayashi,Norihiro Masuda,Mitsuharu Shimizu,Masakuni Tokita,Shinichi Yamakawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and aggregate type semiconductor device

Номер патента: EP0798780A3. Автор: Shinji OKI Electric Industry Co. Ltd. Ohuchi,Yasushi OKI Electric Industry Co. Ltd. Shiraishi,Hiroshi OKI Electric Industry Co. Ltd. Kawano,Etsuo OKI Electric Industry Co. Ltd. Yamada. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-13.

Composition for porous film formation, porous film, process for producing the same, interlayer insulation film and semiconductor device

Номер патента: EP1566417B1. Автор: Masaru Sasago,Hideo Nakagawa,M. New Functional Materials Res. Center IWABUCHI,F. New Functional Materials Res. Cen. YAGIHASHI,Y. New Functional Materials Research Cen. HAMADA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-24.

Process for making an alumina film for use in a semiconductor device

Номер патента: FI120118B. Автор: Yong-Sik Yu,Chan Lim,Kyong-Min Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2009-06-30.

Process for plugging defects in a dielectric layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100257948B1. Автор: 구옌 비히-옌,제이. 토빈 필립. Владелец: 비센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 2000-06-01.

Back-grinding processes for semiconductor wafers, controlling systems thereof, and methods for reducing defects thereof

Номер патента: TWI424487B. Автор: Wei Yu Chen,Chung Shi Liu,Chen Fa Lu,Chiang Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2014-01-21.

HARDMASK COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20150041959A1. Автор: UH Dong Seon,Kim Sang Kyun,KIM Mi Young,KIM Jong Seob,KIM Do Hyeon,KOH Sang Ran,LIM Sang Hak,YUN Hui Chan. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Process for the epitaxial coating of semiconductor wafers and semiconductor wafer

Номер патента: DE102015225663A1. Автор: Christian HÄGER,Katharina MAY,Christof Weber. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954053B2. Автор: Yuichi Onozawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Work-in-progress substrate processing methods and systems for use in the fabrication of integrated circuits

Номер патента: US09632499B2. Автор: William Fosnight,Detlef Pabst,Chinmay Oza,Gero Grau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

System for Processing Semiconductor Substrate by Using Laser and Method of the Same

Номер патента: US20080015728A1. Автор: Daejin Kim,HyunJung Kim,Jekil Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Production method for semiconductor device

Номер патента: US09947761B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Substrate processing apparatus and substrate processing method

Номер патента: US20240100647A1. Автор: Boun Yoon,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor substrate, semiconductor device and manufacturing method of semiconductor substrate

Номер патента: US20160315220A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150287775A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Wei Ni,Toshiharu Marui,Kenta Emori. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030148572A1. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09876070B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Wei Ni,Toshiharu Marui,Kenta Emori. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Cooled pin lifter paddle for semiconductor substrate processing apparatus

Номер патента: US09859145B2. Автор: Andreas Fischer,Dean Larson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: RU2447540C2. Автор: Сигехиро МОРИКАВА,Юити ИНАБА,Юдзи ГОТО. Владелец: Санио Семикондактор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Rotating shaft sealing device and processing apparatus for semiconductor substrate using the same

Номер патента: US11764102B2. Автор: Hee Jang Rhee. Владелец: Sealink Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09564334B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Kenichi Iguchi,Tsunehiro Nakajima,Masaaki TACHIOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor Device Including a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160035842A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-02-04.

Pad design for circuit under pad in semiconductor devices

Номер патента: US20140035089A1. Автор: Wei Zheng,YIN Qian,Duli Mao,Howard E. Rhodes,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Keh-Chiang Ku. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09466689B2. Автор: Takashi Yoshimura,Masayuki Miyazaki,Hiroshi TAKISHITA,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230378252A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US9472632B2. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including a trench in a semiconductor substrate and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140042593A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213310A1. Автор: Luther-King Ngwendson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Laminated semiconductor substrate, laminated chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120025355A1. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Substrate stage and substrate processing apparatus including the same

Номер патента: US20240167162A1. Автор: Yihwan Kim,Minsung Kim,Byeongsang KIM,Sangchul Han,Sangyeon OH,Jihyeong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device including a superlattice and providing reduced gate leakage

Номер патента: US20210391426A1. Автор: Hideki Takeuchi,Yung-Hsuan Yang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150311203A1. Автор: Fenghua FU,Shicheng DING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274698A1. Автор: Takashi Yoshimura,Misaki Uchida,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Compound semiconductor substrate, epitaxial substrate, processes for producing compound semiconductor substrate and epitaxial substrate

Номер патента: EP1732110A3. Автор: Takayuki Nishiura,Osamu Ohama,Mitsutaka Tsubokura,Yusuke Horie. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device structure

Номер патента: US10163516B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Silicon semiconductor substrate and method for production thereof

Номер патента: EP1293591A2. Автор: Akiyoshi Tachikawa,Kazunori Ishisaka. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2003-03-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070218617A1. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170054000A1. Автор: Masanori Inoue,Yuji Kumagai,Shunji Takenoiri,Shuhei TATEMICHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180358438A1. Автор: Ryo Kanda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Low-leakage schottky diodes and method of making a power semiconductor device

Номер патента: US20230327027A1. Автор: Kyekyoon Kim,Palash SARKER,Frank P. KELLY. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-10-12.

Process for fabricating a semiconductor device having an insulating layer formed over a semiconductor substrate

Номер патента: US7223677B2. Автор: Martin L. Green,Martin Michael Frank,Glen David Wilk,Yves Chabal. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-05-29.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220351973A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20140167043A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Internal pressure control apparatus and substrate processing apparatus including the same

Номер патента: US20240304427A1. Автор: Tae-hyun Kim,Sang Ki Nam,Sung Ho Jang,Seul Gi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150187795A1. Автор: Satoru Kameyama. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: US09960044B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09941273B2. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure and formation method of semiconductor device structure with gate stack

Номер патента: US09837487B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with buried metal layer

Номер патента: US09673107B2. Автор: Yun Ik Son,Min Soo Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device assessment apparatus

Номер патента: US09551745B2. Автор: Kinya Yamashita,Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Process for preparing of semiconductor device and pattern-forming coating solution used for this process

Номер патента: US5087551A. Автор: Satoshi Takechi,Yuko Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: EP3712953A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US20200303505A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US11349000B2. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230307532A1. Автор: Yoshihisa Suzuki,Hiroshi TAKISHITA,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11049785B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Substrate Processing Method and Solvent Used for Same Method

Номер патента: US20180323076A1. Автор: Akifumi YAO,Masaki Fujiwara,Soichi Kumon,Hidehisa Nanai. Владелец: Central Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device, manufacturing method, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407692A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190214462A1. Автор: Takashi Yoshimura,Takahiro Tamura,Yuichi Onozawa,Hiroshi TAKISHITA,Akio Yamano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Integrated cobalt silicide process for semiconductor devices

Номер патента: US20010001298A1. Автор: William Murphy,Marc Cantell,Kirk Peterson,Prabhat Tiwari,Jerome Lasky,Ronald Line. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-05-17.

Method for Forming a Semiconductor Device and a Semiconductor Device

Номер патента: US20170229539A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282576A1. Автор: Sangjin Kim,Jongsu Kim,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20010034098A1. Автор: Hitomi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200135847A1. Автор: Akira KIYOI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20140315352A1. Автор: Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-23.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20130309831A1. Автор: Da YANG,Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Structure and process for photonic packages

Номер патента: US12135454B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia,Kuo-Chiang Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having a surface with ripples

Номер патента: US09972689B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Holger Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having symmetric and asymmetric active fins

Номер патента: US09929155B2. Автор: Jong-Mil Youn,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for forming a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US09911808B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philipp Seng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09679976B2. Автор: Masamune TAKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09608113B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09490178B2. Автор: Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor substrate heating device, semiconductor device and temperature control method

Номер патента: US20240213080A1. Автор: YU Han,Xinglong Chen,Yuanbin SUN,Yunhe JIANG. Владелец: Shenyang Kingsemi Co ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices including polar insulation layer capped by non-polar insulation layer

Номер патента: US9362367B2. Автор: John R. Williams,Leonard C. Feldman,Ayayi C. Ahyi,Yogesh K. Sharma,Tamara F Isaacs-Smith. Владелец: Rutgers State University of New Jersey. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20190385852A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Christian Krueger,Michael Kokot. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Monolithic conductive columns in a semiconductor device and associated methods

Номер патента: US20230260964A1. Автор: Wei Zhou,Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Bret K. Street. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290845A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yasunori Agata. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

High voltage semiconductor device including field shaping layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20130196480A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Min-Suk Kim,Yong-Cheol Choi. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11107691B2. Автор: Hideya Yamadera,Toru Ikeda,Tomohiko Mori,Narumasa Soejima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190206860A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI,Kazuki KAMIMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Ion implantation method in semiconductor device

Номер патента: US20050176224A1. Автор: JUNG Myung Jin,Kim Dae Kyeun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20090200575A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Holder for a semiconductor substrate, and method of manufacturing a semiconductor device using such a holder

Номер патента: US20010040329A1. Автор: Johannes H. Tyveleijn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: WO2007112171A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Frescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor Device Including Insulating Layer of Cubic System or Tetragonal System

Номер патента: US20120168904A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Sung-Hae Lee,Ki-Vin Im,Ki-yeon Park,Sang-Yeol Kang,Jun-noh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240339495A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices including an etch stop pattern and a sacrificial pattern with coplanar upper surfaces and a gate and a gap fill pattern with coplanar upper surfaces

Номер патента: US09966432B2. Автор: Boun Yoon,Sangjine Park,Jeongnam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911733B2. Автор: Hiroshi Miyata,Souichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09899270B2. Автор: Chao Zhao,Huilong Zhu,Qiuxia Xu,Huajie Zhou,Gaobo Xu,Qingqing Liang,Dapeng Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09728654B2. Автор: Syoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379482A1. Автор: Hung-Pin Chang,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09589824B2. Автор: Kunihito Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20060086990A1. Автор: Kazumi Kurimoto,Makoto Misaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-27.

High-voltage semiconductor device

Номер патента: US10784369B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240120423A1. Автор: Tetsuya Okada,Kikuo Okada,Remi Hagiwara. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device Having a Trench at Least Partially Filled with a Conductive Material in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20170148887A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Substrate processing system for processing substrates with an electronics module located behind a door in a front wall of the substrate processing system

Номер патента: US12051602B2. Автор: Jeroen de Jonge. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-30.

Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch

Номер патента: US20210082866A1. Автор: Chen Yu Chen,Eugene Chen,Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Bottle-neck recess in a semiconductor device

Номер патента: US10020397B2. Автор: Syun-Ming Jang,Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Shih-Hao Lo,Eric Peng,Ying Hao Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10504791B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

High- voltage semiconductor device

Номер патента: US20190334031A1. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20220344229A1. Автор: Hiroyuki Nakano,Yuri Kunishige. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US12057497B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230223443A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Finfet semiconductor device with isolated channel regions

Номер патента: US20160093739A1. Автор: Ajey Poovannummoottil Jacob,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor devices to reduce stress on a metal interconnect

Номер патента: US7501706B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12051591B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190123182A1. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20020034843A1. Автор: Florin Udrea,Gehan Amaratunga. Владелец: Cambridge Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20150104942A1. Автор: Toshiyuki Sasaki,Mitsuhiro Omura,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12107123B2. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240371642A1. Автор: Takashi Yoshimura,Yoshiharu Kato,Toru AJIKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09978723B2. Автор: Yoshitaka Tadaki,Naohiro Takazawa. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09887101B2. Автор: So Tanaka,Ryosuke Kubota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench at least partially filled with a conductive material in a semiconductor substrate

Номер патента: US09842904B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Reinhard Ploss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09837493B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chien-Hung Chen,Yu-Ru Yang,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee,Shih-Hsien Huang,Cheng-Tzung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor substrate and semiconductor device including the same

Номер патента: US09818824B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Composite substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812345B2. Автор: Yuji Hori,Akiyoshi Ide,Sugio Miyazawa,Tomoyoshi Tai,Ryosuke Hattori,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09786772B2. Автор: yu Enomoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device in which said processing method is used

Номер патента: US09779968B2. Автор: Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Buffer station for thermal control of semiconductor substrates transferred therethrough and method of transferring semiconductor substrates

Номер патента: US09673071B2. Автор: Keith Freeman Wood,Matthew Jonathon Rodnick. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601541B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09520286B2. Автор: Masaru Shinomiya,Ken Sato,Hirokazu Goto,Hiroshi Shikauchi,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto. Владелец: Shanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09461036B2. Автор: Hisamitsu Suzuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US09431270B2. Автор: Haruo Nakazawa,Masaaki Ogino,Hidenao Kuribayashi,Hideaki Teranishi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of forming an epitaxial semiconductor layer in a recess and a semiconductor device having the same

Номер патента: US20160079362A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20170358530A1. Автор: Yukio Takahashi,Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US7871896B2. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-01-18.

Method and system for manufacturing semiconductor device having less variation in electrical characteristics

Номер патента: US20090308536A1. Автор: Hikaru Kokura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Method and system for manufacturing semiconductor device having less variation in electrical characteristics

Номер патента: US7595261B2. Автор: Hikaru Kokura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9082699B2. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Satoshi Suzuki,Keiichi Sasaki,Masanobu Ohmura,Tomohiro Migita,Takatoshi Nakahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of forming the same

Номер патента: US20240234405A9. Автор: Seungchul Lee,Yijyun Ke. Владелец: PanJit International Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20080258244A1. Автор: Masakazu Goto,Shigeru Kawanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393333A1. Автор: Fumio Wada,Jun Fujita,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US9799521B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping concentrations

Номер патента: US9306011B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180240914A1. Автор: Tatsuji Nagaoka. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US7687362B2. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

ALD process for capacitor dielectric

Номер патента: US7303973B2. Автор: Hiroshi Sakuma,Kenichi Koyanagi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device, power module and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210296308A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Precision trench formation through oxide region formation for a semiconductor device

Номер патента: US20110081767A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue,Tomohiro Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Substrate processing apparatus

Номер патента: US20240142886A1. Автор: Dongjin Lee,Inho Choi,Injae Lee,Dohyun Jung,SungHyup KIM,Jeonggil KIM,Jonggu LEE,Dongsik JEONG,Daegeun YOON,Yebin Nam,Sungyong Bae,Euishin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210126092A1. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor substrate with oxide single crystal heterostructures, manufacturing method thereof and electronic device using the same

Номер патента: US20230010061A1. Автор: Byung Chul Lee,Ji-Won Choi,Jin Sang Kim,Seong Keun Kim,Jungho YOON,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Jae-Hoon Han,Hyun-Cheol SONG,Ruiguang Ning. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200249188A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Junko Izumitani,Hideaki Ooe,Masutaro Nemoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240006343A1. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20120090535A1. Автор: Takashi Nakao,Hiroshi Itokawa,Tsutomu Sato,Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Masahiko Murano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing capacitor for semiconductor device

Номер патента: US20070020869A1. Автор: Chang Han. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8329570B2. Автор: Masahiro Fukuda,Masatoshi Nishikawa,Ken Sugimoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-11.

Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing

Номер патента: US12051589B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,David Charles Smith,Richard Wise,Arpan Pravin Mahorowala,Patrick A van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating semiconductor device having metal conducting layer

Номер патента: US20030190800A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Si-Young Choi,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device having areas with different conductivity types and different doping

Номер патента: US20160189964A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-30.

Doping method and semiconductor device fabricated using the method

Номер патента: EP1396880A3. Автор: Toshihiko Nat. Inst. of A. I. S. & T. Kanayama,Takehide Nat. Inst. of A. I. S. & T. Miyazaki,Hidefumi NEC Corporation Hiura. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2006-07-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7541295B2. Автор: Akiko Nomachi,Hideaki Harakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device with increased channel length and width and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080185663A1. Автор: Young Ho Lee,Dong Sun Sheen,Seok Pyo Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11264240B2. Автор: Haruo Nakazawa,Kenichi Iguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7880301B2. Автор: Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20190326118A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070231957A1. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290837A1. Автор: Koichi Nishi,Takahiro Nakatani,Masanori Tsukuda,Fumihito MASUOKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High voltage semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11682726B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US12080794B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Chang-Po Hsiung,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254051A1. Автор: Yukio Tsuzuki,Makoto Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282845A1. Автор: Kota OHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer

Номер патента: EP1902472B1. Автор: Robert John Stephenson,Robert Mears,Scott A. Kreps,Marek Hytha,Ilija Dukovski,Kalipatnam Vivek Rao,Xiangyang Huang,Samed Halilov,Jean Austin Chan S.F. Yiptong. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-21.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12062586B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weil Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having adjacent IGBT and diode regions with a shifted boundary plane between a collector region and a cathode region

Номер патента: US09960165B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Manufacturing method of semiconductor device, supporting substrate, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20140073070A1. Автор: Hiroshi Tsujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Power semiconductor device having an electrode with an embedded material

Номер патента: US20230343871A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Günter Denifl,Michael Stadtmueller,Oliver Blank,Stefan Karner,Saurabh Roy,Germano Galasso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-10-26.

Solid state image pickup device and manufacturing method thereof and semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7427789B2. Автор: Masafumi Muramatsu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-09-23.

Power semiconductor device having a strain-inducing material embedded in an electrode

Номер патента: US20220406937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Günter Denifl,Michael Stadtmueller,Oliver Blank,Stefan Karner,Saurabh Roy,Germano Galasso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2022-12-22.

Power semiconductor device having a strain-inducing material embedded in an electrode

Номер патента: US11728427B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Günter Denifl,Michael Stadtmueller,Oliver Blank,Stefan Karner,Saurabh Roy,Germano Galasso. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230253273A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Mill-Jer Wang,Chi-Chang Lai,Tang-Jung CHIU,Chia-Heng TSAI,Weii LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with a reduced band gap and process

Номер патента: US20100044720A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Joachim Krumrey,Christian Foerster. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Curable resin composition and cured product thereof, encapsulating agent, and optical semiconductor device

Номер патента: US09447277B2. Автор: Akihiro Kuwana,Shigeaki Kamuro,Nobuhiko Harada. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Amorphous siliceous powder, process for production thereof, resin composition, and semiconductor encapsulation material

Номер патента: KR101530745B1. Автор: 야스히사 니시,슈지 사사키,히로시 무라타. Владелец: 덴키 가가쿠 고교 가부시기가이샤. Дата публикации: 2015-06-22.

Amorphous siliceous powder, process for production thereof, resin composition, and semiconductor encapsulation material

Номер патента: CN102066254B. Автор: 村田弘,佐佐木修治,西泰久. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-06-11.

Amorphous siliceous powder, process for production thereof, resin composition, and semiconductor encapsulation material

Номер патента: WO2009154186A1. Автор: 修治 佐々木,西　泰久,村田　弘. Владелец: 電気化学工業株式会社. Дата публикации: 2009-12-23.

Precursor composition for porous membrane, process for preparation of the precursor composition, porous membrane, process for production of the porous membrane, and semiconductor device

Номер патента: KR101105622B1. Автор: 히로후미 다나카,가즈오 고무라,노부토시 후지이,다카히로 나카야마. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2012-01-18.

Precursor composition for porous membrane, process for preparation of the precursor composition, porous membrane, process for production of the porous membrane, and semiconductor device

Номер патента: WO2007142000A1. Автор: Takahiro Nakayama,Hirofumi Tanaka,Nobutoshi Fujii,Kazuo Kohmura. Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2007-12-13.

Amorphous siliceous powder, method for production thereof, resin composition, and semiconductor sealing material

Номер патента: TWI457282B. Автор: Hiroshi Murata,Yasuhisa Nishi,Syuji Sasaki. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2014-10-21.

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT

Номер патента: DE602008006652D1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Satoru Mitani,Ryoko Miyanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

CURABLE RESIN COMPOSITION AND CURED PRODUCT THEREOF, ENCAPSULATING AGENT, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150126700A1. Автор: Kamuro Shigeaki,Kuwana Akihiro,Harada Nobuhiko. Владелец: Daicel Corporation. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor device including semiconductor element mounted on another semiconductor element

Номер патента: US20050167834A1. Автор: Shigeru Yamada,Yasushi Shiraishi,Shinji Ohuchi. Владелец: Shinji Ohuchi. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of forming a solder interconnection capable of sustained high power levels between a semiconductor device and a supporting substrate

Номер патента: US4360142A. Автор: Charles Carpenter,Joseph F. Fugardi,Lawrence V. Gregor,Peter S. Grosewald,Morton D. Reeber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-11-23.

Epoxy-silicone hybrid resin composition, process for the preparation thereof and light-emitting semiconductor device

Номер патента: KR101252301B1. Автор: 쯔또무 가시와기,긴야 고다마. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2013-04-08.

Frame for semiconductor device and manufacture thereof, and manufacture of semiconductor device using frame therefor

Номер патента: JPH11297921A. Автор: 章能 澤井,Akiyoshi Sawai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-10-29.

GaN Single Crystal Substrate and Method of Manufacturing Thereof and GaN-based Semiconductor Device and Method of Manufacturing Thereof

Номер патента: US20140061668A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Uematsu Koji,NAKAHATA Seiji,Osada Hideki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-06.

Process for preparing very pure substances, preferably for use as semiconductors, device for its production and products conforming to those obtained

Номер патента: FR1125207A. Автор: . Владелец: Siemens and Halske AG. Дата публикации: 1956-10-26.

TERMINAL LAND FRAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND RESIN-ENCLOSED SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: JP3916352B2. Автор: 幸雄 山口. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Process for producing a group-III nitride crystal and process for producing a light-emitting semiconductor element or a semiconductor device comprising a group-III nitride crystal

Номер патента: US9428386B2. Автор: Kenji Fujito,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Novel compound, process for producing the compound, organic semiconductor material, and organic semiconductor device

Номер патента: WO2010058692A1. Автор: 和男 瀧宮. Владелец: 国立大学法人広島大学. Дата публикации: 2010-05-27.

Solid-state image-pickup element, manufacture thereof, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11111957A. Автор: Takeshi Matsuda,Masaru Sugimoto,大 杉本,健 松田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-04-23.

Process for manufacturing discrete semiconductors or integrated circuits, and semiconductor or integrated circuit obtained by said process

Номер патента: CH531791A. Автор: Ronzi Giancarlo. Владелец: Soc Gen Semiconduttori Spa. Дата публикации: 1972-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09721915B2. Автор: Kazuyuki Sugahara,Jun Fujita,Hiroaki Okabe,Motoru YOSHIDA,Kazuyo Endo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Lateral-optical-mode-controlled high-power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240291234A1. Автор: Wu Zhao,Jun Wang,Shaoyang TAN,Xinsheng LIAO,Bangguo WANG,Wuling LIU. Владелец: Everbright Institute Of Semiconductor Photonics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device provided with photodiode, manufacturing method thereof, and optical disc device

Номер патента: US20140319643A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Hiroshi Yumoto,Tomokazu Mukai,Shuji Yoneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor device and process for fabricating the same

Номер патента: US09887147B2. Автор: Masamichi Ishihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and electronic appliance

Номер патента: US09818784B2. Автор: Toshihiko Miyazaki,Koichi Baba,Hiroaki Ammo,Takashi Kubodera. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11189723B2. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: WO2020116449A1. Автор: Toshiaki Iwafuchi,Ikue Mitsuhashi. Владелец: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor devices and methods for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4406012A1. Автор: Georg Seidemann,Martin Ostermayr,Walther Lutz,Joachim Assenmacher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240371993A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US11961921B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Power semiconductor devices and a method for forming a power semiconductor device

Номер патента: US10497694B2. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-03.

Power Semiconductor Devices and a Method for Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180315744A1. Автор: Joachim Mahler,Guenther KOLMEDER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semi-conductor device with test element group for evaluation of interlayer dielectric and process for producing the same

Номер патента: US20020009815A1. Автор: Satoshi Shimizu,Tsuyoshi Sugihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190237545A1. Автор: Kenji Suzuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device structure with conductive bumps

Номер патента: US20240258259A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Power semiconductor device having adjustable output capacitance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110215374A1. Автор: Wei-Chieh Lin,Guo-Liang Yang,Shian-Hau Liao. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20080157351A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: EP4030489A1. Автор: Masaki Shiraishi,Tomoyasu Furukawa,So Watanabe,Tomoyuki Miyoshi,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Semiconductor device and dc-to-dc converter

Номер патента: US20110156678A1. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20050247975A1. Автор: Jea-Hee Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor device, preparation method, power conversion circuit and vehicle

Номер патента: EP4407691A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080006861A1. Автор: Katsuhiro Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070290240A1. Автор: Noriaki Suzuki,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20240321829A1. Автор: Nobuyuki Momo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: EP4447109A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and DC-to-DC converter

Номер патента: US09780659B2. Автор: Hiroshi Saito,Yuichi Goto,Ryo Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09741843B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09673340B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof

Номер патента: US09666750B2. Автор: Alfred A. Zinn,Andrew Fried,Sidney Hu. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device integrating a voltage divider and process for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09461104B2. Автор: Vincenzo Palumbo,Mirko Venturato. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2016-10-04.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor devices

Номер патента: US09337185B2. Автор: Frank Pfirsch,Carsten Schaeffer,Dorothea Werber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US20130228856A1. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056273A1. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230207635A1. Автор: ATSUSHI Watanabe,Tatsuji Nagaoka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20140167044A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device integration with an amorphous region

Номер патента: US20240105683A1. Автор: Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert Gauthier, Jr.,Xiang Xiang Lu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8551864B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-08.

Semiconductor device comprising counter-doped regions

Номер патента: US20200266287A1. Автор: Lei Fang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: EP4125138A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240266379A1. Автор: Kosuke Nakanishi,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09991349B2. Автор: Ryota Senda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having milti-height structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947759B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Yung-Lung Hsu,Chiang-Ming Chuang,Yu-Shih Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US09786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US09761506B2. Автор: Takukazu Otsuka,Brandon PASSMORE,Bryon Western,Zach COLE. Владелец: Cree Fayetteville Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device having termination region with laterally heterogeneous insulating films

Номер патента: US09620600B2. Автор: Takao Noda,Ryoichi Ohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090206366A1. Автор: Masahiko Niwayama,Yoshimi Shimizu,Kazuyuki Sawada,Yuji Harada,Saichirou Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244680A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200287009A1. Автор: Toru Anezaki,Fumitaka Ohno. Владелец: United Semiconductor Japan Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220189895A1. Автор: Masaru Morita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131798A1. Автор: Takashi Nakano,Takuya Okuno,Syunsuke HARADA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160013176A1. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Autoconfiguration of hardware components of various modules of a substrate processing tool

Номер патента: WO2021141665A1. Автор: Bridget Hill,Scott Baldwin,Raymond Chau,Rainer UNTERGUGGENBERGER,Thomas A. STUBBLEBINE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: AU2024204737A1. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: EP3846204A1. Автор: Eiji Sato,Akira Yamazaki,Hajime Yamagishi,Takayuki SEKIHARA,Makoto HAYAFUCHI,Syunsuke ISHIZAKI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-07.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: WO2016042330A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Limited. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: US20020060353A1. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US9171777B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20030205791A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9231104B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transitor

Номер патента: US8901645B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Autoconfiguration of hardware components of various modules of a substrate processing tool

Номер патента: US12073224B2. Автор: Bridget Hill,Scott Baldwin,Raymond Chau,Rainer UNTERGUGGENBERGER,Thomas A. STUBBLEBINE. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: EP4404278A2. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor device with heavily doped shallow region and process for fabricating the same

Номер патента: EP1207562A3. Автор: Akio Matsuoka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160141356A1. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20160260678A1. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230275148A1. Автор: WEI Liu,LEI Liu,Yuanlin Yuan,Yi Gong. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor devices including bit line contact plug and peripheral transistor

Номер патента: US9786600B2. Автор: Jin-Young Kim,Nam-Gun Kim,Sung-il Cho,Bong-Soo Kim,Hyun-Chul Yoon,Kwan-Sik Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods for forming a bonded semiconductor substrate including a cooling mechanism

Номер патента: US20120161275A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor devices having a fuse and methods of cutting a fuse

Номер патента: US20110212613A1. Автор: Jeong-Kyu Kim,Kun-Gu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20070152274A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

High voltage semiconductor devices

Номер патента: EP3195369A1. Автор: Peter Ward,Florin Udrea,Tanya Trajkovic,Neophytos LOPHITIS. Владелец: Anvil Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2017-07-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US12087760B2. Автор: Derrick Johnson,Yupeng Chen,Mark Griswold,Ralph N. Wall. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347586A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Solar cell, preparation method thereof and photovoltaic module

Номер патента: US20240355941A1. Автор: WEI Liu,Daming Chen,Yunyun HU. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, photoelectric conversion system, movable object

Номер патента: US20240339477A1. Автор: Nobuaki Kakinuma,Akira Oseto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Stacked semiconductor device with connection pad shield

Номер патента: US20240355765A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Stacked semiconductor device with connection pad disposed between connection pad shields

Номер патента: US20240355858A1. Автор: Rui Wang,Takayuki Goto,Kazufumi Watanabe. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09984990B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09935235B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having semiconductor elements on semiconductor substrate

Номер патента: US09876107B2. Автор: Shinichiro Yanagi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865638B2. Автор: Doo Won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09741634B2. Автор: Yoichi Nogami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09640612B2. Автор: Shoji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09607927B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09577078B1. Автор: Samuel C. Pan,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH,yu-bin Zhao. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09570433B2. Автор: Markus Zundel,Markus Dinkel,Uwe Schmalzbauer,Vanessa Capodieci. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, semiconductor integrated circuit device, and electronic device

Номер патента: US09543228B2. Автор: Nobumasa Hasegawa,Kouichi Kanda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging element, and semiconductor device

Номер патента: US09484368B2. Автор: Hiroyuki Kawashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09437731B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US12027578B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20140159041A1. Автор: Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor substrate, semiconductor device, method of producing semiconductor substrate, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20090039396A1. Автор: Shinji Uya. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and electronic equipment

Номер патента: US20240258357A1. Автор: Takeo Onishi,Kodai KANEYASU. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230261096A1. Автор: Yoshihiro Ikura,Kaname MITSUZUKA,Yuki Karamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Imaging apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment

Номер патента: US20230005978A1. Автор: Yuki Miyanami,Nao Yoshimoto,Shigehiro Ikehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20030057503A1. Автор: Tatsuo Yoneda,Bungo Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US11751411B2. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230041048A1. Автор: Dong Wang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Qiankun HOU. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Compound semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20060131607A1. Автор: Hisashi Yamada,Takenori Osada,Noboru Kukuhara. Владелец: Sumika Epi Solution Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device having a transistor cell region and a termination region with needle-shaped field plate structures

Номер патента: US20210066459A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and formation method thereof

Номер патента: US20230013070A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yuhan ZHU,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Fabrication method of semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20220301948A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device

Номер патента: US9607961B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090206398A1. Автор: Haruo Nakazawa,Manabu Takei,Noriyuki Iwamuro,Akio Sugi,Koh Yoshikawa,Kouta Takahashi. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the device

Номер патента: US20020025630A1. Автор: Masao Tanimoto,Seichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120068176A1. Автор: Shingo KOZAKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor device manufacturing method comprising first conductive layer with increased roughness in array region

Номер патента: US12108594B2. Автор: Jingwen Lu,Bingyu ZHU,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Power semiconductor device including a diode area

Номер патента: US20240332407A1. Автор: Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Thomas Hunger,Aleksander HINZ,Natalie Charlotte Segercrantz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device comprising a photodetector with reduced dark current

Номер патента: US12136679B2. Автор: Yi-Chen Chen,Chen-Hao Chiang,Shih-Wei Lin,Eugene I-Chun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371856A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Optical semiconductor element, optical semiconductor device, optical transmission system, and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US12119417B2. Автор: Kenichi Ono,Satoshi Inada,Akemi Murakami,Tsutomu Otsuka,Junichiro Hayakawa,Takeshi MINAMIRU. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure with fuse and resistor and method for preparing the same

Номер патента: US20240371857A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09927499B2. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837516B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09793343B2. Автор: Yuichi Onozawa,Hiroki Wakimoto,Eri OGAWA,Misaki TAKAHASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Bi-directional punch-through semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09679998B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Bo Qin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09607961B2. Автор: Tomohiko Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09564527B2. Автор: Tadahiro Imada,Toshihiro Ohki,Masato Nishimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming a high electron mobility semiconductor device and structure therefor

Номер патента: US09543291B2. Автор: Peter Moens,Jaume Roig Guitart. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09450085B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Image pickup apparatus, semiconductor device, and electronic device including a buried portion disposed adjacent to a bonding portion, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419040B2. Автор: Hirotaka Yoshioka,Kenta Ikeda,Kenta Nojima,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09331042B2. Автор: Daisuke Sakurai,Kazuya Usirokawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US20080064148A1. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and manufacturing process thereof

Номер патента: US7326996B2. Автор: Hideki Takahashi,Mitsuru Kaneda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269294A1. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046671B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor substrate processing apparatus and the method thereof

Номер патента: US20230203654A1. Автор: Todd Dunn,Taku Omori,Cheuk Li,Aadil Vora,Paridhi GUPTA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388615A1. Автор: Hidetoshi Tanaka. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Power semiconductor device

Номер патента: US20130341718A1. Автор: Hye-mi Kim,Min-Suk Kim,Sun-Hak Lee,Jin-Woo Moon. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Insulated-gate semiconductor device for a rectifier

Номер патента: US6649985B1. Автор: Ikuo Nishimoto,Tatsuya Ueno. Владелец: Azbil Corp. Дата публикации: 2003-11-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100219460A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8294190B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US20150262955A1. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274699A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Device with Needle-Shaped Field Plate Structures

Номер патента: US20200127102A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140217465A1. Автор: Akitaka SOENO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20020098615A1. Автор: Hiroyuki Doi,Katsujirou Arai,Takuo Akashi,Hirotsugu Honda,Naritsugu Yoshii. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20030178683A1. Автор: Masahiro Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Trench-type semiconductor device structure

Номер патента: US20090166702A1. Автор: Hung-Chang Liao,Ming-Cheng Chang,Shian-Jyh Lin,Neng Tai Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor wafer, semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device, circuit board, and electronic apparatus

Номер патента: US20050023669A1. Автор: Takayoshi Obinata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20100219508A1. Автор: Kenichi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20130119472A1. Автор: Koichi Shimazaki,Shoji Nakanishi,Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Optical semiconductor device

Номер патента: US20240290804A1. Автор: Yuta Saito,Rina TAKEDA. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and junction edge region thereof

Номер патента: US12100742B2. Автор: Wenfang Du. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12087765B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes and light scattering structures

Номер патента: US12113138B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Allen SULFRIDGE,Andrew Eugene PERKINS. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240339534A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US20240371900A1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices for image sensing

Номер патента: US12136638B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Chin-Chia Kuo,Tung-Ting Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09978857B2. Автор: Hajime Tsuyuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device, method for manufacturing same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway carriage

Номер патента: US09960259B2. Автор: Naoki Watanabe,Naoki Tega,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09935099B2. Автор: Su Xing,Zhibiao Zhou,Chen-Bin Lin,Chung-Yuan Lee,Chi-Chang Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrated Schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US09876073B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having mesh-patterned wirings

Номер патента: US09871027B2. Автор: Eiji Kondo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device structure and manufacturing method

Номер патента: US09806046B2. Автор: Chun-Jen Chen,Yi-Chen Liu,Yi-Jen LAI,Hsi-Kuei Cheng,Yung-Sheng Liu,Li-Guo LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09799648B2. Автор: Atsushi Narazaki,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09735267B1. Автор: Yi-Hsien Lin,Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated Schottky diode in high voltage semiconductor device

Номер патента: US09620584B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Lingpeng Guan,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09620508B2. Автор: Hiroshi Kumano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234587A9. Автор: Ching-Chung Chen,Hsiao-Ying Yang,Chung-Ren Lao,Hsing-Chao Liu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20210125943A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271400A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Matsuo Kishi,Takaaki Hioka,Mika Ebihara,Miei TAKAHAMA (nee SATO). Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20220406902A1. Автор: Ke-Feng Lin,Chen-An Kuo,Ze-Wei Jhou,Po-Chun Lai,Yi-Chieh Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20200052065A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20170301753A1. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Semiconductor device and power amplifier circuit

Номер патента: US20180269206A1. Автор: Shigeru Yoshida,Kaoru Ideno,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12040399B2. Автор: Tohru Kawai,Atsushi Amo,Eiji Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device and manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20160225722A1. Автор: Takayoshi Honda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device with conductive elements formed over dielectric layers and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240250130A1. Автор: Humayun Kabir,Ibrahim Khalil,Bernhard Grote,Bruce McRae Green. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20230215946A1. Автор: Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20220069011A1. Автор: Jinwoo Lee,Wonjun Lee,Zhe Wu,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim,Segab Kwon,Seunggeun Yu,Jabin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device structure comprising source and drain protective circuits against electrostatic discharge (esd)

Номер патента: US20220415828A1. Автор: Jian-Hsing Lee,Shao-Chang Huang,Hwa-Chyi Chiou,Chih-Hsuan Lin,Karuna NIDHI,Yu-Kai Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Power semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20100140657A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Solar cell, manufacturing method thereof, and photovoltaic module

Номер патента: US20230079799A1. Автор: Jingsheng Jin,Linan Zhang,Jiahua Qu. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110065247A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020081831A1. Автор: Tadashi Igarashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of fabricating specimen for analyzing defects of semiconductor device

Номер патента: US5840205A. Автор: Doo-Jin Park,Jeong-Hoi Koo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090065802A1. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050212057A1. Автор: Shigeru Kusunoki,Norifumi Tokuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US10903312B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US9735229B2. Автор: Katsumi Nakamura,Ze Chen. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20210083089A1. Автор: Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US12074194B2. Автор: Daisuke Shinohara,Kanako Komatsu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device

Номер патента: US5914527A. Автор: John J. Freeman,O. Melville Clark,Arlene Bennett. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 1999-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US10586861B2. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20040232485A1. Автор: Masashi Suzuki,Masao Yamane,Hitoshi Akamine,Tetsuaki Adachi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor device and preparation method therefor, power conversion circuit, and vehicle

Номер патента: EP4407701A1. Автор: Fei Hu,Kimimori Hamada. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240274707A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ruei-Jhe Tsao,Che-Hua CHANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a semiconductor device with memory cells, high voltage devices and logic devices on a substrate using a dummy area

Номер патента: US20230262975A1. Автор: Nhan Do,Serguei Jourba,Xian Liu,Leo XING,Zhuoqiang Jia. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240282817A1. Автор: Yuuki Oda,Tohru SHIRAKAWA,Atsushi ONOGAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Ceramic material, method for production and use thereof and component therewith

Номер патента: AU2001268929A1. Автор: Harald SCHÖPF. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2001-12-03.

Process for preparing silicium hydrides; use thereof and device used therefor

Номер патента: CA1256269A. Автор: Christian Larquet,Philippe Cornut,Dominique Belot,Jean-Yves Rade,Jean-Francois Piffard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1989-06-27.

PROCESSES FOR MANUFACTURING A VARIETY OF SEMICONDUCTOR LASERS AND SEMICONDUCTOR LASERS

Номер патента: DE102021103484A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-08-18.

PROCESSES FOR MANUFACTURING A VARIETY OF SEMICONDUCTOR LASERS AND SEMICONDUCTOR LASERS

Номер патента: DE102020130017A1. Автор: Sven GERHARD. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-19.

Process for fabricating a non-volatile memory cell in a semiconductor device

Номер патента: US5633186A. Автор: Ko-Min Chang,William J. Taylor, Jr.,Danny P. C. Shum. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Hybrid structure for ultra-widebandterahertz generation and reception with semiconductor devices

Номер патента: AU2023254411A1. Автор: Luis Enrique Garcia Muñoz,Guillermo CARPINTERO DEL BARRIO,Alejandro Rivera Lavado,Muhsin ALI. Владелец: Universidad Carlos III de Madrid. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device, method and apparatus for manufacturing semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240275133A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US20170102343A1. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Apparatus for measuring semiconductor device

Номер патента: US10281412B2. Автор: Choon-Shik LEEM,Yeon-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-07.

Novel compound, process for producing the compound, organic semiconductor material, and organic semiconductor device

Номер патента: KR20110075024A. Автор: 카즈오 타키미야. Владелец: 고쿠리츠다이가쿠호진 히로시마다이가쿠. Дата публикации: 2011-07-05.

Novel compound, process for producing the compound, organic semiconductor material, and organic semiconductor device

Номер патента: KR101399770B1. Автор: 카즈오 타키미야. Владелец: 고쿠리츠다이가쿠호진 히로시마다이가쿠. Дата публикации: 2014-05-27.

Polymerisation catalysts, methods for production and use thereof and polyolefin products obtained using same

Номер патента: RU2509088C2. Автор: Франсис С. РИКС,Райнер КОЛЬБ,Донмин ЛИ,Сесар А. ГАРСИА-ФРАНКО. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз, Ллк. Дата публикации: 2014-03-10.

Composition for immune response stimulation (variants), methods for production and using thereof and method for immune response stimulation using the same

Номер патента: RU2316347C2. Автор: Майкл ХОТОН,Стефен Р. КОУТС,Дерек О`ХЭЙГАН,Ю-Лиан ФОНГ. Владелец: Чирон Корпорейшн. Дата публикации: 2008-02-10.

Mixtures of aryl oxabicyclooctane derivatives, mixtures of phenyl norbornane derivatives, processes for preparing same, perfumery uses thereof and intermediates used in said processes

Номер патента: US5281576A. Автор: Anubhav P. S. Narula,John J. De Virgilio. Владелец: International Flavors and Fragrances Inc. Дата публикации: 1994-01-25.

Foamable pvc resin formulation, process for foaming, and product thereof

Номер патента: CA1100698A. Автор: Jagadish C. Goswami. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1981-05-05.

Foamable PVC resin formulation, process for foaming, and product thereof

Номер патента: US4031045A. Автор: Jagadish Chandra Goswami. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Mixed pyridine-2,4- and -2,5-dicarboxamides, a process for preparing them, the use thereof and pharmaceuticals based on these compounds

Номер патента: CA2063177A1. Автор: Martin Bickel,Manfred Volz,Ekkehard Baader,Volkmar Gunzler-Pukall. Владелец: Volkmar Gunzler-Pukall. Дата публикации: 1992-09-19.

Process for producing cinnamylaldehyde derivatives, use thereof and the like

Номер патента: EP1283197B1. Автор: Kenichi Amino Science Laboratories MORI,Shinji Amino Science Laboratories FUJITA,Nao Amino Science Laboratories FUNAKOSHI,Tadashi Amino Science Laboratories TAKEMOTO. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Pyridine-2,4- and 2,5-dicarboxylic acid derivatives, a process for their preparation, the use thereof, and medicaments based on these compounds

Номер патента: CA1315471C. Автор: Dietrich Brocks,Volkmar Günzler,Harald Burghard,Hartmut Hanauske-Abel. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1993-03-30.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and an electronic system including the same

Номер патента: US20240324231A1. Автор: Jeehoon HAN,Jae-Bok Baek,Juseong MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and process for same

Номер патента: US20030008457A1. Автор: Hiromi Makimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Process for manufacturing semiconductor device including lamp annealing

Номер патента: US6784058B2. Автор: Hiromi Makimoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-31.

Olive oil-based product, method for production the same (variants) and ester mixture

Номер патента: RU2259750C2. Автор: Юха ОРТЕ,Ингмар ВЕСТЕР. Владелец: Райсио Бенекол Ой. Дата публикации: 2005-09-10.

Diamino-1 ,3,5-triazines n-substituted with bicyclic radicals, process for their preparation, compositions thereof, and their use as herbicides and plant growth regulators

Номер патента: EP2007738A1. Автор: Dieter Feucht,Christopher Rosinger,Hansjörg Dietrich,Martin Hills,Heinz Kehne,Kiemens Minn. Владелец: Bayer CropScience AG. Дата публикации: 2008-12-31.

Diamino-1,3,5-triazines n-substituted with bicyclic radicals, process for their preparation, compositions thereof, and their use as herbicides and plant growth regulators

Номер патента: CA2649021A1. Автор: Dieter Feucht,Christopher Rosinger,Martin Hills,Heinz Kehne,Klemens Minn,Hansjoerg Dietrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Thermoplastic molding compositions, preparation and use thereof and process for the production of molded articles from ceramic powders

Номер патента: US6054506A. Автор: John Huggins. Владелец: GE Bayer Silicones GmbH and Co KG. Дата публикации: 2000-04-25.

Method for production of enhanced traceable immunizing drinking water and other liquid and gas products, devices for production and use thereof, and use of the enhanced products for immunizing living beings

Номер патента: AU2001252525A1. Автор: Zamir Tribelsky,Michael Ende. Владелец: Atlantium Ltd. Дата публикации: 2001-11-12.

Styrene-based resin composition and process for producing molding products thereof

Номер патента: US5034441A. Автор: Takashi Sumitomo,Akikazu Nakano. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-23.

Polysulfonyloxyurethane* salt thereof* process for manufacture thereof* bridging binder thereof and use as binder

Номер патента: JPS51113825A. Автор: Rangushiyoo Burutsukusu Jiyon,Batsujiareeku Richiyaado. Владелец: Imperial Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1976-10-07.

Process for curing bacon, product thereof and composition therefor

Номер патента: US4543260A. Автор: Eugene Brotsky. Владелец: Stauffer Chemical Co. Дата публикации: 1985-09-24.

A substrate processing apparatus, a gas dispersion unit, a manufacturing method of a semiconductor device, and a recording medium

Номер патента: TWI519672B. Автор: Shuhei SAIDO. Владелец: Hitachi Int Electric Inc. Дата публикации: 2016-02-01.

Low-dust powdered fire retardant composition, method for production and use thereof, and flameproof polymer moulding material

Номер патента: EP1396521A1. Автор: Harald Dr. Bauer,Martin Dr. Sicken,Sebastian Dr. Hörold,Werner Dr. Krause. Владелец: Clariant GmbH. Дата публикации: 2004-03-10.

Rustproofing process for iron and product thereof

Номер патента: US1553908A. Автор: Leslie H Marshall. Владелец: Ohio Brass Co. Дата публикации: 1925-09-15.

Reinforcing fiber base material for preforms, process for the production of laminates thereof, and so on

Номер патента: CA2635855C. Автор: Tomoyuki Shinoda,Satoru Nagaoka,Nobuo Asahara. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2014-05-20.

Process for forming a pattern using a resist composition having a siloxane-bond structure

Номер патента: US5554465A. Автор: Hisashi Watanabe. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Crystalline lactitol monohydrate and a process for the preparation thereof, use thereof, and sweetening agent

Номер патента: US5672589A. Автор: Heikki Olavi Heikkila,Juha Veikko Nurmi. Владелец: Suomen Xyrofin Oy. Дата публикации: 1997-09-30.

Crystalline lactitol monohydrate and a process for the preparation thereof, use thereof, and sweetening agent

Номер патента: US5516763A. Автор: Heikki O. Heikkila,Juha V. Nurmi. Владелец: Suomen Xyrofin Oy. Дата публикации: 1996-05-14.

Pharmaceutical composition comprising one or more orally administered dose units, and processes for preparing it, for use thereof, and for treating a medical condition or disorder in an individual in whom treatment with a cyclooxygenase-2 inhibitor is indicated

Номер патента: BR9908030A. Автор: Danchen Gao,Anthony J Hlinak,Ahmad M Mazhary,Margaret B Woodhull Vaughn. Владелец: Searle & Co. Дата публикации: 2000-11-28.

Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10335236A. Автор: Yuji Kudo,祐司 工藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

phosphonite, use thereof, transition metal complex, process for the preparation and use thereof, and processes for adding cyanoic acid to an olefinic double bond in the presence of a catalyst, and for the isomerization of organic nitriles in the presence of a catalyst.

Номер патента: BR0212966B1. Автор: Robert Baumann,Ferenc Molnar,Wolfgang Siegel,Gerd Haderlein,Tim Jungkamp,Michael Bartsch,Dagmar Pascale Kunsmann-Keitel,Marco Altmayer. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-27.

Transferase and amylase, process for producing the enzymes,use thereof, and gene coding for the same

Номер патента: EP0764720B1. Автор: Masaru Ouyou Kaihatsu Center KATO,Yutaka Ouyou Kaihatsu Center MIURA,Masako Ouyou Kaihatsu Center KETTOKU,Akihiro Kiban Gijutsu Kenkyusho IWAMATSU,Kazuo Ouyou Kaihatsu Center KOBAYASHI,Toshihiro Kiban Gijutsu Kenkyusho KOMEDA. Владелец: Kirin Brewery Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-14.

Novel transferase and amylase, process for producing the enzymes, use thereof, and gene coding for the same

Номер патента: US20040175814A1. Автор: Kazuo Kobayashi,Masaru Kato,Yutaka Miura,Akihiro Iwamatsu,Toshihiro Komeda,Masako Kettoku. Владелец: Kirin Brewery Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Crystalline hydrate of 6-hydroxy-3-(4-[2-(piperidine-1-yl)ethoxy]phenoxy)-2-(4-methoxyphenyl)benzo[b]thiophene hydrochloride, process for obtaining, pharmaceutical composition containing thereof and application for inhibition of the pathologic states and activation choline acetyltransferase

Номер патента: MD2336F2. Автор: Wayne Douglas Luke,Julie Kay Bush,Preston Charles Conrad,Merlyn Gerard Flom. Владелец: Lilly Co Eli. Дата публикации: 2003-12-31.

Aligner, optical cleaning method thereof and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH10335235A. Автор: Yuji Kudo,祐司 工藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 1998-12-18.

Macrocyclic carbonates, processes for preparing same, organoleptic uses thereof and intermediates used in said process

Номер патента: US4490544A. Автор: Marie R. Hanna,Manfred H. Vock,Augustinus G. Van Loveren,Wilhelmus J. Wiegers,Domenick Luccarelli, Jr.,David R. Bowen. Владелец: International Flavors and Fragrances Inc. Дата публикации: 1984-12-25.

Copolymer of ethylene and aromatic vinyl compound, process for its preparation, molded articles thereof and composition comprising the copolymer

Номер патента: DE19711339B4. Автор: Toru Machida Arai,Akihiko Machida Nakamura,Shigeru Machida SUZUKI,Toshiaki Machida Otsu,Akio Machida Okamoto. Владелец: Denki Kagaku Kogyo KK. Дата публикации: 2008-09-11.

Reinforcing fiber base material for preforms, process for the production of laminates thereof, and so on

Номер патента: EP1990169A4. Автор: Tomoyuki Shinoda,Satoru Nagaoka,Nobuo Asahara. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2013-01-23.

Metallic effect pigments, process for their preparation and use thereof and powder coating

Номер патента: DE102007061701A1. Автор: Hans-Jörg Dr. Kremitzl. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2009-06-25.

Metallic effect pigments, process for their preparation and use thereof and powder coating

Номер патента: DE102008031901A1. Автор: Alfred Bubat,Wolfgang Griesel,Hans-Jörg Dr. Kremitzl,Phu Qui Dr. Nguyen. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2010-01-14.

Process for producing fluoropolymer and derivative thereof, and use of fluoropolymer derivative

Номер патента: WO2002079274A1. Автор: Takashi Okazoe,Kazuya Oharu,Masao Unoki,Takashige Maekawa,Daisuke Shirakawa. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2002-10-10.

COMPOSITION COMPRISING A FIBROUS MATERIAL, A STAGE POLYMER AND A (METH) ACRYLIC POLYMER, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, USE THEREOF, AND COMPOSITE COMPRISING THE SAME

Номер патента: FR3053044B1. Автор: Pierre Gerard,Raber Inoubli,Pierre ESCALE,Philippe Hajji. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2019-11-01.

Reinforcing fiber base material for preforms, process for the production of laminates thereof, and so on

Номер патента: CA2635855A1. Автор: Tomoyuki Shinoda,Satoru Nagaoka,Nobuo Asahara. Владелец: Nobuo Asahara. Дата публикации: 2007-09-07.

ENZYME BIOSENSOR FOR DIRECT MEASUREMENT OF AT LEAST ONE BIOCHEMICAL PARAMETER OF THE SKIN, PROCESS FOR PREPARING THE ENZYMATIC MEMBRANE THEREOF AND MEASURING METHOD THEREFOR

Номер патента: FR2640643B1. Автор: Dominique Bernard,Michel Kermici,Michel Prunieras. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1991-03-29.

COMPOSITION COMPRISING A FIBROUS MATERIAL, A STAGE POLYMER AND A (METH) ACRYLIC POLYMER, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, USE THEREOF, AND COMPOSITE COMPRISING THE SAME

Номер патента: FR3053044A1. Автор: Pierre Gerard,Raber Inoubli,Pierre ESCALE,Philippe Hajji. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2017-12-29.

Precipitation silicic acid, process for the preparation thereof, use thereof, and vulcanisable rubber compositions and vulcanisates containing the same

Номер патента: TWI276606B. Автор: Oleg Stenzel,Hans-Detlef Luginsland,Stefan Uhrlandt,Andre Wehmeier. Владелец: Degussa. Дата публикации: 2007-03-21.

Process for preparing 5-aminodihydropyrrole, intermediate thereof and process for preparing said intermediate

Номер патента: CA2138065A1. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Kunihiko Fujita. Владелец: Kunihiko Fujita. Дата публикации: 1995-06-16.

SIC FIBERS WITH SURFACE COATING, PROCESSES FOR THEIR PREPARATION, REINFORCED CERAMIC THEREOF AND PROCESS FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: FR2617201A1. Автор: Minoru Fukazawa,Motohiro Yamamoto,Kanji Sugihara,Tohru Kida. Владелец: Tokai Carbon Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-30.

FLUIDIFYING ADDITIVE FOR CHARCOAL DISPERSIONS IN WATER, PROCESS FOR PREPARING THE SAME, USE THEREOF, AND PROCESS FOR PREPARING CHARCOAL DISPERSIONS IN WATER USING THE ADDITIVE

Номер патента: FR2623197A1. Автор: CARNIANI Carlo,Armando Marcotullio,Aldo Prevedello,Carlo Carniani,Elio Donati,Donati Elio,Marcotullio Armando,Prevedello Aldo. Владелец: Eni Tecnologie SpA. Дата публикации: 1989-05-19.

Substituted isoxazoles, pharmaceutical preparations containing such compounds, processes for their preparation and use thereof, and intermediates

Номер патента: NO312066B1. Автор: Xiangdong Xu,John J Talley,David L Brown,Roland S Rogers,Jeffery S Carter,Matthew J Graneto,Srinivasan Nagarajan,Paul Waddell Collins,Richard Mathias Weier,Michael Allan Stealey,Karen Seibert,Richard Partis. Владелец: Searle & Co. Дата публикации: 2002-03-11.

Reinforcing fiber base material for preforms, process for the production of laminates thereof, and so on

Номер патента: CN101389457B. Автор: 筱田知行,长冈悟,浅原信雄. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2014-07-02.

Condensation and addition polymers with n,n'-oligomethylen bridged bis-tetramethylpiperidinyloxy groups, processes for producing thereof, the use thereof and compositions thereof

Номер патента: HUT75178A. Автор: Alexander Aumueller,Hubert Trauth. Владелец: Basf Ag. Дата публикации: 1997-04-28.

Diphenyl ethers,processes for their preparation,herbicidal compositions thereof and methods for use

Номер патента: ZA805885B. Автор: W BUCK,R Sehring. Владелец: Celamerck Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 1982-05-26.

Process for producing aromatic polyesters having an increased degree of polymerisation, these aromatic polyesters, process for producing molded articles composed thereof, and these molded articles

Номер патента: DE3064375D1. Автор: Makoto Ogasawara,Shunichi Matsumura,Hiroo Inata. Владелец: Teijin Ltd. Дата публикации: 1983-09-01.

PROCESS FOR PREPARING 2-SUBSTITUTED TRANS-HEXAHYDROPYRIDOINDOLS, PROCESS FOR PREPARING PHARMACEUTICAL PREPARATIONS USING THEREOF AND PREPARATIONS SO FORMED.

Номер патента: NL7703898A. Автор: . Владелец: ENDO LAB. Дата публикации: 1977-10-11.

Substituted alkylamine derivatives of 6,11-dihydro-11-oxodibenz (b,e)-oxepins, a process for the preparation and intermediates thereof and their use as medicaments

Номер патента: EP0119540B1. Автор: Lawrence Leo Martin,Linda Louise Setescak. Владелец: Hoechst Roussel Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 1990-08-22.

New 20-amino-substituted steroids, a process for their preparation and intermediates thereof and pharmaceutical preparations thereof

Номер патента: DE69513870T2. Автор: Daniel Philibert,Armelle Bonfils. Владелец: Hoechst Marion Roussel. Дата публикации: 2000-08-03.

Amide derivative, process for the preparation and use thereof, and pharmaceutical composition.

Номер патента: NO318892B1. Автор: John Graham Cumming. Владелец: Astrazeneca Ab Global Ip. Дата публикации: 2005-05-18.

NOVEL DERIVATIVES OF ALPHA-METHYLENE 4 - [(PHENOXY) METHYL] 5-THIAZOLACETIC ACID, PROCESS FOR THEIR PREPARATION AND INTERMEDIATES THEREOF AND APPLICATION THEREOF AS FUNGICIDES

Номер патента: FR2675142A1. Автор: Brayer Jean-Louis,Demoute Jean-Pierre,Mourioux Gilles. Владелец: Roussel Uclaf SA. Дата публикации: 1992-10-16.

Reinforcing fiber base material for preforms, process for the production of laminates thereof, and so on

Номер патента: WO2007099825A1. Автор: Tomoyuki Shinoda,Satoru Nagaoka,Nobuo Asahara. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2007-09-07.

Substituted pyridine-2, 4-dicarboxylic acid derivatives, processes for their preparation, the use thereof and medicaments based on these compounds

Номер патента: IE62536B1. Автор: Martin Bickel,Ekkehard Baader,Dietrich Brocks,Stephan Henke,Volkmar Guenzler,Hartmut Hanauske Abel. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1995-02-08.

RETROREFLECTIVE, ELONGATED, FILAMENTOUS PRODUCT, PROCESS FOR MAKING THE SAME, USES THEREOF AND PRODUCTS MADE THEREFROM

Номер патента: US20180127915A1. Автор: NOWAK Pascal,BOUCHET Anne,NIGRO Bruno,BONVENTRE Francesca. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Process for devulcanizing vulcanized fluoroelastomers, fluoroelastomers thereof and their use

Номер патента: US20140378562A1. Автор: Viola Gian Tommaso,Cervellati Alessandro. Владелец: DOTT. VIOLA & PARTNERS CHEMICAL RESEARCH S.R.L.. Дата публикации: 2014-12-25.

Glutamic acid compounds, process for producing the production intermediates thereof, and novel intermediates therefor

Номер патента: JP4196832B2. Автор: 健一 森,正 竹本,滋 河原,裕右 網野,直 船越. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2008-12-17.

Glutamic acid compounds, process for producing the production intermediates thereof, and novel intermediates therefor

Номер патента: JP4905426B2. Автор: 健一 森,正 竹本,滋 河原,裕右 網野,直 船越. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Glutamic acid compounds, process for producing the production intermediates thereof, and novel intermediates therefor

Номер патента: JPWO2003059865A1. Автор: 健一 森,正 竹本,滋 河原,裕右 網野,直 船越,森　健一,竹本　正. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2005-05-19.

Process for producing guanidine derivatives, intermediates thereof and their production

Номер патента: KR100460828B1. Автор: 마사또 고노베,야스오 가미야,히데끼 우네메,히또시 이시즈까. Владелец: 스미카 다케다 노야쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-02-28.

POLYMER COMPOSITION, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, USE THEREOF AND OBJECT CONTAINING THE SAME

Номер патента: KR20190055147A. Автор: 실뱅 뀌뤼에,세드릭 루아,베누아 앙드레,장-미셸 뜨레미용. Владелец: 아르끄마 프랑스. Дата публикации: 2019-05-22.

Impervious covering, processes for the joining or fixing thereof and apparatus employing such processes

Номер патента: EP0314548A3. Автор: Patrice Huygen,Maurice Henri Jean Laurent. Владелец: Axter SA. Дата публикации: 1991-10-16.

(METH) ACRYLIC COMPOSITION COMPRISING PARTICLES, PROCESS FOR THE PREPARATION THEREOF, USE THEREOF AND OBJECT COMPRISING SAME

Номер патента: FR3054549B1. Автор: Sylvain QUERUEL,Cédric ROY. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2020-03-27.

PROCESS FOR CULTURING MITES, NUTRITIVE PREPARATION THEREOF, AND PREPARATION OF ALLERGENIC EXTRACTS FROM THESE MITES

Номер патента: FR2821623B1. Автор: Thierry Batard,Claude Andre. Владелец: Stallergenes SA. Дата публикации: 2003-05-30.

Imidazo[1,2-a]quinolin derivatives, process for their preparation, pharmaceutical compositions thereof and intermediates

Номер патента: HU0105406A2. Автор: Péter ARÁNYI,Sándor BÁTORI,Zoltán Kapui,Katalin URBÁN-SZABÓ,Géza Timári,László BALÁZS,NAGY Lajos T.,Maria Balogh,Kinga Boer,Endre Mikus,Katalin Gerber,Judit Szeredi. Владелец: Sanofi-Synthelabo. Дата публикации: 2003-10-28.

4-benzoylisoxazole compositions, process for preparing thereof, herbicide containing thereof and their use

Номер патента: VN274A1. Автор: Susan Mary Cramp,Simon Neil Pettit,Philip Henry Gaunt Smith,Tibor Musil. Владелец: Rhone Poulenc Agriculture. Дата публикации: 1996-09-25.

Bispidine derivatives, process for their preparation, pharmaceutical compositions thereof and intermediates

Номер патента: HU0102307A2. Автор: Magnus Polla,Eva-Lotte Lindstedt,Gert Strandlund,Kurt-Jurgen Hoffmann,Magnus Bjorsne,Christer Alstermark,Annika Björe,Marianne Frantsi,Torbjörn Halvarsson. Владелец: Astrazeneca Ab,. Дата публикации: 2001-12-28.

Substituted isoxazoline-containing aromatic compounds, processes for their preparation, herbicidal compositions thereof and uses thereof

Номер патента: JP2023500353A. Автор: リエン、レイ,ポン、シュエカン,ホア、ロンバオ,チャオ、トー,ツイ、チー. Владелец: Qingdao Kingagroot Chemical Compound Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Silicone hydrogel, process for its preparation, molded part thereof and uses

Номер патента: DE102013221209B4. Автор: Stefano Bruzzano,Joachim Storsberg. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2019-09-26.

Impervious covering, processes for the joining or fixing thereof and apparatus employing such processes

Номер патента: EP0314548A2. Автор: Patrice Huygen,Maurice Henri Jean Laurent. Владелец: Gerland SA. Дата публикации: 1989-05-03.

Lysin derivatives; process for preparing the same; use thereof and compositions containing the same

Номер патента: CA2168411A1. Автор: Michel Philippe,Thierry Bordier. Владелец: Thierry Bordier. Дата публикации: 1996-08-01.

Substituted carboxylic ceto-acids, process for the preparation thereof, use thereof and medicinal compositions containing them

Номер патента: EP0038343B1. Автор: Horst Wolf,Gerhard Ludwig,Erich Rapp,Ekkehard Kraas. Владелец: Byk Gulden Lomberg Chemische Fabrik GmbH. Дата публикации: 1984-12-27.

Lysin derivatives; process for preparing the same; use thereof and compositions containing the same

Номер патента: CA2168412A1. Автор: Michel Philippe,Thierry Bordier. Владелец: Thierry Bordier. Дата публикации: 1996-08-01.

(METH) ACRYLIC COMPOSITION COMPRISING PARTICLES, PROCESS FOR THE PREPARATION THEREOF, USE THEREOF AND OBJECT COMPRISING SAME

Номер патента: FR3054549A1. Автор: Sylvain QUERUEL,Cédric ROY. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2018-02-02.

Thiazole derivatives, process for the preparation thereof, use thereof and pharmaceutical compositions containing them

Номер патента: HUP9803040A3. Автор: . Владелец: Hoffmann La Roche. Дата публикации: 2001-04-28.

Thiazole derivatives, process for the preparation thereof, use thereof and pharmaceutical compositions containing them

Номер патента: HUP9803041A3. Автор: . Владелец: Hoffmann La Roche. Дата публикации: 2001-04-28.

6-fluoro-3-<3-(1-heterocyclo)propyl>-1,2-benzisoxazoles a process for their preparation pharmaceutical compositions thereof and their use as medicaments

Номер патента: PT75728A. Автор: . Владелец: Hoechst Roussel Pharma. Дата публикации: 1982-11-01.

6-fluoro-3-(3-(1-heterocyclo) propyl)-1,2-benzisoxazoles,a process for their preparation,pharmaceutical compositions thereof and their use as medicaments

Номер патента: IL66868A0. Автор: . Владелец: Hoechst Roussel Pharma. Дата публикации: 1982-12-31.

6-fluoro-3-(3-(heterocyclo)propyl)-1,2-benzisoxazoles,a process for their preparation,pharmaceutical compositions thereof and their use as medicaments

Номер патента: ZA827814B. Автор: Joseph Thomas Klein,Larry Davis. Владелец: Hoechst Roussel Pharma. Дата публикации: 1983-08-31.

6-fluoro-3-<3-(1-heterocyclo)propyl>-1,2-benzisoxazoles a process for their preparation pharmaceutical compositions thereof and their use as medicaments

Номер патента: PT75728B. Автор: . Владелец: Hoechst Roussel Pharma. Дата публикации: 1985-11-11.

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240310739A1. Автор: Jaehong Lee,Ho Young Kim,Sunghwan Kim,Kyoungwhan OH,Jaekyung PARK,Yohan CHOE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Composition for synthesis of oxygen compounds of iron with oxidation states (+4), (+5) and (+6), method for production thereof and method for use thereof

Номер патента: RU2600346C1. Автор: Алексей Владимирович Макунин,Денис Александрович Панкратов,Александр Геннадьевич Малин. Владелец: Денис Александрович Панкратов. Дата публикации: 2016-10-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09834435B1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Jung-Huei Peng,Yeong-Jyh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Tetrazolyl hydroxyimine derivative, method for purification thereof and method for production thereof

Номер патента: RU2581828C2. Автор: Кэйитиро МАЦУДА,Масаюки МАЦУСИТА,Каору НОДА,Сатоси КАДЗИТА. Владелец: Ниппон Сода Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-20.

Catalyst, method for production thereof and method for single-step synthesis of propylene from ethylene

Номер патента: RU2594888C1. Автор: Александр Валентинович Лавренов,Евгений Анатольевич Булучевский,Луиза Фаридовна Сайфулина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем переработки углеводородов Сибирского отделения Российской академии наук (ИППУ СО РАН). Дата публикации: 2016-08-20.

Catalyst for oxidation of methane, process for production thereof and method for application thereof

Номер патента: RU2715732C2. Автор: Питер Танев ТАНЕВ,Марио ЗОРХОЛЬЦ. Владелец: Шелл Интернэшнл Рисерч Маатсхаппий Б.В.. Дата публикации: 2020-03-03.

Titanium slab for hot rolling produced by electron-beam melting furnace, process for production thereof, and process for rolling titanium slab for hot rolling

Номер патента: US09962760B2. Автор: Kazuhiro Takahashi,Takashi Oda,Takeshi Shiraki,Norio Yamamoto,Hisamune Tanaka,Yoshihiro Fujii,Yoshimasa Miyazaki. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7914958B2. Автор: Hirofumi Inoue,Ryoichi Inanami,Shinji Mikami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Substrate stage, substrate processing system using the same, and method for processing substrate

Номер патента: US11747741B2. Автор: Heng-Hsin Liu,Shang-Chieh Chien,Li-Jui Chen,Yu-Chih Huang,Yu-Huan Chen,Ya-An PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US09896329B2. Автор: Bernhard WINKLER,Mirko Vogt,Thoralf Kautzsch,Heiko Froehlich,Maik Stegemann,Steffen Bieselt,Alessia Scire,Andre Roeth. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-02-20.

Saccharide polycondensation product, method for production thereof and use thereof

Номер патента: RU2562839C2. Автор: Норихиса ХАМАГУТИ,Хитоси ТАКАГУТИ,Йосинори ФУДЗИМОТО,Ютака КИМОТО,Хироказу ХИРАИ,Масаясу ТАКАДА. Владелец: Нихон Секухин Како Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Oxopicolinamide derivative, a method for production thereof and pharmaceutical use thereof

Номер патента: RU2742771C2. Автор: Фанлун ЯН,Вэйкан ТАО,Фэн Хэ,Ган ЧЭНЬ,Вэйминь ВАН,Сяодун ЛИ. Владелец: Цзянсу Хэнжуй Медицин Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-02-10.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

A method for the removal of an imaging layer from a semiconductor substrate stack

Номер патента: WO2004027518A3. Автор: John Biafore,Tim S Andreyka,Karin Schlicht,Mario Reybrouck. Владелец: Arch Spec Chem Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Process for production and apparatus used for process of semiconductor device

Номер патента: JPS5286059A. Автор: Yoshiharu Horikoshi,Yoshitaka Furukawa. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-07-16.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, PROGRAM FOR CONTROLLING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120258570A1. Автор: . Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Exposure conditions detecting method and device thereof, and manufacture of semiconductor device

Номер патента: JPH11288879A. Автор: Hisafumi Iwata,尚史 岩田,Tetsuji Yokouchi,哲司 横内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-10-19.

Benzopyran derivatives, process for their preparation and use thereof and preparations containing the compounds

Номер патента: CA2053962A1. Автор: Wolfgang Stenzel,Ben Armah,Gerd Rühter,Theo Schotten,Dieter Muster. Владелец: Beiersdorf Lilly GmbH. Дата публикации: 1993-04-23.

Carbamic acid derivative, process for producing the same, intermediate thereof, and pesticidal agent containing the same as an active ingredient

Номер патента: JP3306876B2. Автор: 憲忠 松尾,博 岸田,公利 梅田,典保 坂本,博明 藤本. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-24.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure and Process for the Formation of TSVs

Номер патента: US20120001334A1. Автор: Kuo Chen-Cheng,Ching Kai-Ming,Chen-Shien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OXYGEN PLASMA CONVERSION PROCESS FOR PREPARING A SURFACE FOR BONDING

Номер патента: US20120003813A1. Автор: Usenko Alex,Chuang Ta Ko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GRAPHENE PROCESSING FOR DEVICE AND SENSOR APPLICATIONS

Номер патента: US20120003438A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION METHOD IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003809A1. Автор: KIM Young Deuk. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Production Process for a Microneedle Arrangement and Corresponding Microneedle Arrangement and Use

Номер патента: US20120004614A1. Автор: Schatz Frank,Stumber Michael. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

High-temperature semiconductor device and process of its manufacture

Номер патента: RU2166221C1. Автор: В.А. Ильин,А.А. Петров,А.В. Афанасьев. Владелец: Центр Технологий Микроэлектроники (Цтм). Дата публикации: 2001-04-27.

FAT-BASED CONFECTIONERY MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003359A1. Автор: Walker John Howard,Couzens Patrick. Владелец: NESTEC S.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Semiconductor device manufacturing process

Номер патента: RU2256980C1. Автор: А.Г. Мустафаев,А.М. Кумахов. Владелец: Кабардино-Балкарский государственный университет. Дата публикации: 2005-07-20.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.