Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Measurement models of nanowire semiconductor structures based on re-usable sub-structures

Measurement models of nanowire semiconductor structures based on re-usable sub-structures

Номер патента: WO2019178424A1
Опубликовано: 19-09-2019
Автор(ы): Alexander Kuznetsov, Houssam Chouaib
Принадлежит: KLA-TENCOR CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Measurement Models Of Nanowire Semiconductor Structures Based On Re-Useable Sub-Structures

Номер патента: US20190286787A1. Автор: Alexander Kuznetsov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor device models including re-usable sub-structures

Номер патента: US9553033B2. Автор: Leonid Poslavsky,Torsten Kaack,Qiang Zhao,Jonathan Iloreta,Matthew A. Laffin,Lie-Quan Lee. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device models including re-usable sub-structures

Номер патента: CN105917454A. Автор: 赵强,L·波斯拉夫斯基,J·伊洛雷塔,M·A·拉芬,T·卡阿卡,李列泉. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-08-31.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200271595A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Visualization of Three-Dimensional Semiconductor Structures

Номер патента: US20200393386A1. Автор: Thaddeus G. Dziura,Andrei Veldman,Jonathan Iloreta,Houssam Chouaib,Yin Xu,Liequan Lee,John Hench,Aaron J. ROSENBERG,Antonio GELLINEAU,Kaiwen Xu,Abhi Gunde. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor profile measurement based on a scanning conditional model

Номер патента: WO2023043859A1. Автор: Stilian Ivanov Pandev. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor profile measurement based on a scanning conditional model

Номер патента: EP4327081A1. Автор: Stilian Ivanov Pandev. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Measuring critical dimensions of a semiconductor structure

Номер патента: US8798966B1. Автор: Andrei Veldman,Edward Ratner,Daniel Wack,Yaoming Shi,John Hench. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Methods and systems for semiconductor metrology based on polychromatic soft x-ray diffraction

Номер патента: WO2019014283A1. Автор: Michael Friedmann,Oleg KHODYKIN,Andrei Shchegrov,Alexander Kuznetsov,Daniel Wack,Nikolay ARTEMIEV. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Method and system for measuring structure based on spectrum

Номер патента: EP4310444A1. Автор: Jaehoon Jeong,Sunghee Lee,Jaeyoon Kim,Wooyoung CHEON,QHwan KIM,Hyeonkyun Noh,Ami MA,Kyubaik Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-24.

Method and system for measuring structure based on spectrum

Номер патента: US20240028814A1. Автор: Jaehoon Jeong,Sunghee Lee,Jaeyoon Kim,Wooyoung CHEON,QHwan KIM,Hyeonkyun Noh,Ami MA,Kyubaik Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20210172995A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20240192262A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US11959958B2. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory cells and logic cells having transistors with different numbers of nanowires or 2d material strips

Номер патента: EP3158577A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Method and system for building thermal model of power lithium-ion battery based on electrochemical mechanism

Номер патента: US20230093142A1. Автор: Xi Zhang,Chong Zhu,Bangjun Guo. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor structure inspection using a high atomic number material

Номер патента: US20240266232A1. Автор: Xiaomeng Chen,Pei-Hsuan Lee,Hung-Ming Chen,Kuang-Shing Chen,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure inspection using a high atomic number material

Номер патента: US11984365B2. Автор: Xiaomeng Chen,Pei-Hsuan Lee,Hung-Ming Chen,Kuang-Shing Chen,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Quantum mechanical machine vision system and arithmetic operation method based on orbital qubit

Номер патента: US10482387B2. Автор: Do Yeol Ahn. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2019-11-19.

Process perturbation to measured-modeled method for semiconductor device technology modeling

Номер патента: EP1290718A1. Автор: Roger S. Tsai. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2003-03-12.

Process perturbation to measured-modeled method for semiconductor device technology modeling

Номер патента: WO2001084600A8. Автор: Roger S Tsai. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Process perturbation to measured-modeled method for semiconductor device technology modeling

Номер патента: EP1290718A4. Автор: Roger S Tsai. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Implementation method of molecular omics data structure based on data independent acquisition mass spectra

Номер патента: US20220284989A1. Автор: ZiQing Li,Tiannan Guo,Zhongzhi Luan,Fangfei Zhang,Shaoyang Yu,Zelin Zang. Владелец: Westlake University. Дата публикации: 2022-09-08.

Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization

Номер патента: EP4066172A1. Автор: Wei Lu,Stilian PANDEV,Dzmitry Sanko. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-10-05.

Measurement recipe optimization based on probabilistic domain knowledge and physical realization

Номер патента: WO2021113063A1. Автор: Wei Lu,Stilian PANDEV,Dzmitry Sanko. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2021-06-10.

Synaptic array structure based on cmos integration technology and method of fabricating the synaptic array structure

Номер патента: US20240136359A1. Автор: Min Kyu Park,Joon Hwang,Jong-ho Lee,Ryunhan GU,Won Mook KANG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-04-25.

Synaptic array structure based on cmos integration technology and method of fabricating the synaptic array structure

Номер патента: US20240234426A9. Автор: Min Kyu Park,Joon Hwang,Jong-ho Lee,Ryunhan GU,Won Mook KANG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20200035570A1. Автор: Yung-Yao Lee,Wei-Hsiang Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Simulation evaluation model of high voltage ride through capability, simulation evaluation method based on the same and storage medium

Номер патента: US11288422B2. Автор: Wen Du,Ling Yuan,Yan Ding,Qian Wang,Xuefeng Lin,Lei Pan,Yanping Li,Fa Xie,Jingchun CHU,Wenchao CHEN,Chong JIAO. Владелец: Guodian United Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Measurements Of Semiconductor Structures Based On Spectral Differences At Different Process Steps

Номер патента: US20240186191A1. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Qiang Zhao,Dawei Hu,Yih Chang,Ming Di. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Measurements of semiconductor structures based on spectral differences at different process steps

Номер патента: WO2024118857A1. Автор: Xi Chen,TIANHAO Zhang,Qiang Zhao,Dawei Hu,Yih Chang,Ming Di. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Model based optical measurements of semiconductor structures with anisotropic dielectric permittivity

Номер патента: WO2018044572A1. Автор: Qiang Zhao,Zhengquan Tan,Andrei Shchegrov,Houssam Chouaib. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-03-08.

Automated root cause analysis for defect detection during fabrication processes of semiconductor structures

Номер патента: US12045969B2. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Christian Wojek,Eugen Foca,Ramani Pichumani,Joaquin CORREA,Abhilash SRIKANTHA. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Root cause analysis for fabrication processes of semiconductor structures

Номер патента: US20210097673A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Christian Wojek,Eugen Foca,Ramani Pichumani,Joaquin CORREA,Abhilash SRIKANTHA. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2021-04-01.

Methods And Systems For Semiconductor Metrology Based On Wavelength Resolved Soft X-Ray Reflectometry

Номер патента: US20210063329A1. Автор: Alexander Kuznetsov,Chao CHANG. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Gamma ray detector structure based on p-i-n junction of perovskite and calibration method

Номер патента: US20240186442A1. Автор: Wei Lei,Ying Zhu,Jianming Zhou. Владелец: Suzhou Yixian Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

An infrared detector with multi-layer structure based on cmos process

Номер патента: US20240243160A1. Автор: Hui Pan,Pei Wu,Guangjie ZHAI,Guangqiang ZHAI. Владелец: Beijing North Gaoye Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US20220229087A1. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method and device for measuring dimension of semiconductor structure

Номер патента: US11656245B2. Автор: ZHENG Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Light engine based on silicon photonics tsv interposer

Номер патента: US20230299008A1. Автор: LIANG Ding,Radhakrishnan L. Nagarajan. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method and apparatus for estimating internal state of battery by using electrochemical model of battery

Номер патента: US20240241182A1. Автор: Changyoon CHUN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for estimating internal state of battery by using electrochemical model of battery

Номер патента: EP4400853A1. Автор: Changyoon CHUN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method and apparatus for diagnosing battery abnormalities by using electrochemical model of battery

Номер патента: EP4401193A1. Автор: Hwasu KIM,Changyoon CHUN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method and apparatus for diagnosing battery abnormalities by using electrochemical model of battery

Номер патента: US20240241183A1. Автор: Hwasu KIM,Changyoon CHUN. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for determining the traceability of gemstones based on gemstone modeling

Номер патента: EP4378169A1. Автор: Abraham Kerner,Akiva Caspi,Shilo Stoper. Владелец: Sarine Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Method and system for detecting an applicance based on users' feedback information

Номер патента: US8930396B2. Автор: Shiao-Li Tsao,Yi-Sheng Lai. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-01-06.

Offline modelling of radio base station environments for real-world deployment

Номер патента: WO2022242872A1. Автор: Jaeseong JEONG,Ezeddin AL HAKIM,Filippo VANNELLA,Albin LARSSON FORSBERG. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor Device Models Including Re-Usable Sub-Structures

Номер патента: US20150199463A1. Автор: Poslavsky Leonid,Kaack Torsten,Zhao Qiang,Iloreta Jonathan,Lee Lie-Quan,Laffin Matthew A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Method and arrangement for developing a three dimensional model of an environment

Номер патента: US20180059247A1. Автор: Leif Haglund,Johan Bejeryd,Johan Borg,Ingmar Andersson,Folke Isaksson,Per CARLBOM. Владелец: Vricon Systems AB. Дата публикации: 2018-03-01.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Environmental sensing method based on model evolution

Номер патента: US20240256738A1. Автор: Xin Tong,Yihan Zhang,Zhaoyang Zhang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-01.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Photolithography alignment mark structures, semiconductor structures, and fabrication method thereof

Номер патента: US9620458B2. Автор: BoXiu CAI,Yi Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Photolithography alignment mark structures and semiconductor structures

Номер патента: US20170170129A1. Автор: BoXiu CAI,Yi Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Laser dicing system and method for dicing semiconductor structure

Номер патента: US20220319888A1. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Simulation evaluation model of high voltage ride through capability, simulation evaluation method based on the same and storage medium

Номер патента: ZA201907434B. Автор: Wen Du,Ling Yuan,Yan Ding,Qian Wang,Xuefeng Lin,Lei Pan,Yanping Li,Fa Xie,Jingchun CHU,Wenchao CHEN,Chong JIAO. Владелец: Guodian United Power Tech Company Ltd. Дата публикации: 2021-02-24.

Measurement model based on uplink signals with reciprocity to downlink beam

Номер патента: WO2022204627A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Rajat Prakash,Xiaoxia Zhang,Taesang Yoo,Marwen Zorgui,Mohammed Hirzallah,Roohollah AMIRI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-29.

Measurement model based on uplink signals with reciprocity to downlink beam

Номер патента: US20230336950A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Rajat Prakash,Xiaoxia Zhang,Taesang Yoo,Marwen Zorgui,Mohammed Ali Mohammed HIRZALLAH,Roohollah AMIRI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Measurement model based on uplink signals with reciprocity to downlink beam

Номер патента: EP4314860A1. Автор: Srinivas YERRAMALLI,Rajat Prakash,Xiaoxia Zhang,Taesang Yoo,Marwen Zorgui,Mohammed Hirzallah,Roohollah AMIRI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Stress properties measurement method, device, and system correlated based on stress gradients on multiple regions

Номер патента: US12066343B2. Автор: Yousuke Irie. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380191A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Generating a real-time video stream of a user face based on oblique real-time 3d sensing

Номер патента: US20240169475A1. Автор: Nimrod Sandlerman,Roi Ginat. Владелец: Endless Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Automated and dynamic location identification and geofencing based on gps data

Номер патента: US20210258722A1. Автор: Ryan Leonard MILLER. Владелец: Omnitracs LLC. Дата публикации: 2021-08-19.

System for accurate 3d modeling of gemstones

Номер патента: US20190325248A1. Автор: Abraham Kerner,Akiva Caspi,Shilo Stoper. Владелец: Sarine Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230377644A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093478A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12089501B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and computing system for performing motion planning based on image information generated by a camera

Номер патента: US20240017417A1. Автор: Xutao Ye,Puttichai Lertkultanon,Rosen Nikolaev Diankov. Владелец: Mujin Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for vehicle following control based on real-time calculation of dynamic safe following distance

Номер патента: US20210001851A1. Автор: DENG Pan,Yijun XIA. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-07.

Optically controlled millimeter range switch for structures based on waveguide with pin walls on basis of printed board

Номер патента: RU2665335C1. Автор: Михаил Николаевич Макурин,Антон Сергеевич Лукьянов,Артем Юрьевич Никишов,Елена Александровна Шепелева. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-08-29.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Detecting a landing page that violates an online system policy based on a structural similarity between the landing page and a web page violating the policy

Номер патента: US20190066009A1. Автор: Jiun-Ren Lin,Daniel Olmedilla de la Calle. Владелец: Facebook Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Edge device and method for detecting specific object based on specific model

Номер патента: US11983942B2. Автор: Kuan-Ting Lai,Ti-Wen Tang,Chin-Kuei Hsu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Systems and methods for generating scalable personalized recommendations based on dynamic and customized content selections and modeling of the content selections

Номер патента: US20230028389A1. Автор: Haripriya Srinivasaraghavan,Zhiqun Wang,Praveen Kumar Bandaru,Vamshi Gillipalli,Yogalakshmi Narayanasamy,Sirisha Sripathi,Abhishek A. Desai. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2023-01-26.

Building a model based on responses from sensors

Номер патента: US12045694B2. Автор: Ravi Tejwani,Hui Wu,Jenna Reinen,Patrick Watson,Aldis Sipolins,Marco Cavallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus and methods for providing recommendations based on environmental data

Номер патента: US20170310775A1. Автор: Hong Li,Tobias M. Kohlenberg,Rita H. Wouhaybi,Igor Tatourian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Systems and methods for over-the-air update scheduling of smart devices based on signal quality and device availability metrics

Номер патента: US20220278913A1. Автор: Boyu Wang,Reza Fardid. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2022-09-01.

Systems and methods for over-the-air update scheduling of smart devices based on signal quality and device availability metrics

Номер патента: US20230085224A1. Автор: Boyu Wang,Reza Fardid. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2023-03-16.

Image-Based Infrastructure-as-Code Processing Based on Predicted Context

Номер патента: US20240028308A1. Автор: Yee Shian Lee,Brain Vito CHIN,Julia GUSAKOVA. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Microprocessor including a model of an enterprise

Номер патента: EP4398163A2. Автор: Dimitris Lyras, Konstantinos Dimopoulos. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Generating model for controlling actuators based on time-series sensor data

Номер патента: US12047402B2. Автор: Kazuya KAKIZAKI. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Envelope tracking system with modeling of a power amplifier supply voltage filter

Номер патента: US12051999B2. Автор: Serge Francois Drogi,Florinel G. Balteanu,Shayan Farahvash. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Data model of a messaging service

Номер патента: US20220029940A1. Автор: Zihao Wang. Владелец: ByteDance Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Creating a non-riggable model of a face of a person

Номер патента: US20230070853A1. Автор: Yuval Gronau,Michael Rabinovich,Ran Oz,Amir Bassan-Eskenazi,Osnat Goren-Peyser,Tal Perl,Erez Posner. Владелец: TRUE MEETING INC. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US20230225136A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure integrated with magnetic tunneling junction

Номер патента: US11930645B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20210098272A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: Globawafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: EP4035202A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Cleave systems having spring members for cleaving a semiconductor structure and methods for cleaving such structures

Номер патента: US20230031395A1. Автор: Justin Scott KAYSER. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Automated spatial indexing of images based on floorplan features

Номер патента: US12056816B2. Автор: Michael Ben Fleischman,Philip DECAMP,Jeevan Kalanithi,Thomas Friel ALLEN. Владелец: Open Space Labs Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Automated spatial indexing of images based on floorplan features

Номер патента: US20200357170A1. Автор: Michael Ben Fleischman,Philip DECAMP,Jeevan Kalanithi,Thomas Friel ALLEN. Владелец: Open Space Labs Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Automated spatial indexing of images based on floorplan features

Номер патента: US20200027267A1. Автор: Michael Ben Fleischman,Philip DECAMP,Jeevan Kalanithi,Thomas Friel ALLEN. Владелец: Open Space Labs Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Automated spatial indexing of images based on floorplan features

Номер патента: US20220292768A1. Автор: Michael Ben Fleischman,Philip DECAMP,Jeevan Kalanithi,Thomas Friel ALLEN. Владелец: Open Space Labs Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for designing receiver coil based on arbitrary target shape

Номер патента: US20230153482A1. Автор: Gentjan Qama,Jon Zeynel Tuna. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Probabilistic state tracking with multi-head measurement model

Номер патента: WO2022209184A1. Автор: Stefano Di Cairano,Karl Berntorp,Marcus Greiff,Kyeong Jin Kim. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-10-06.

Probabilistic state tracking with multi-head measurement model

Номер патента: EP4315808A1. Автор: Stefano Di Cairano,Karl Berntorp,Marcus Greiff,Kyeong Jin Kim. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for generating an animation model of a head based on a speech signal and an electronic computing device which implements it

Номер патента: RU2721180C1. Автор: Алексей Брониславович Данилевич,Иван Викторович ГЛАЗИСТОВ,Илья Игоревич Кротов,Жакшылык Нурланович Нурланов,Иван Олегович КАРАЧАРОВ,Александр Владиславович СИМУТИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-05-18.

Generation of a surface mesh from a voxel model of a three-dimensional environment

Номер патента: US20240212284A1. Автор: Guillaume Gris,Philip Ulrich TRETTNER. Владелец: Novaquark. Дата публикации: 2024-06-27.

Managing conversations, awareness and availability on multi-device messaging systems based on modeling device usage over time

Номер патента: WO2015021935A1. Автор: Christian B. Kau,Jeffrey S. Pierce,Jerald T. Schoudt,Christine M. Robson. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-02-19.

Method and electronic device for generating partial virtual model of objects

Номер патента: US20230162440A1. Автор: Vipul Gupta,Rahul Agrawal,Nitesh Goyal,Kalgesh Singh,Abhinav GABA,Govind MAHESHWARI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Systems and methods for object dimensioning based on partial visual information

Номер патента: US20230410276A1. Автор: Jason Trachewsky,Kinh Tieu,Carlo Dal Mutto,Tony Zuccarino,Francesco Peruch,Chase Garber. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Method, apparatus and computer program for generating sports game highlight video based on winning probability

Номер патента: US20230267736A1. Автор: Raymond Tang,Samuel Green. Владелец: Hawk Eye Innovations Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for obtaining a three-dimensional model of an inspection site

Номер патента: US20220247993A1. Автор: David LaRose,Michael Jason RAMSAY,Daniel David WILLIAMS,Anil HARISH. Владелец: Carnegie Robotics LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Generating digital models of crop yield based on crop planting dates and relative maturity values

Номер патента: US20220338427A1. Автор: Ying Xu,Erik Andrejko. Владелец: Climate LLC. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of encoding video and device for encoding video based on coding units defined according to tree structure, and method of decoding video and device for decoding video based on coding units defined according to tree structure

Номер патента: RU2597471C2. Автор: Дзунг-Хие МИН,Воо-Дзин ХАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of encoding video and device for encoding video based on coding units defined according to tree structure, and method of decoding video and device for decoding video based on coding units defined according to tree structure

Номер патента: RU2598586C2. Автор: Дзунг-Хие МИН,Воо-Дзин ХАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-09-27.

Data-driven probabilistic modeling of wireless channels using conditional variational auto-encoders

Номер патента: EP4229557A1. Автор: Max Welling,Joseph Binamira Soriaga,Arash BEHBOODI,Tribhuvanesh Orekondy,Simeng ZHENG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Generating panorama images based on attention information

Номер патента: WO2014100447A1. Автор: Bradley Horowitz. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Gridding model of eight-element primary color wide-gamut hsb color space and discrete color spectrum construction method therefor

Номер патента: EP3809378A1. Автор: Yuan Xue,Lei Zhang,Guoqing Zhang,Yuping Wang,Yuexing Liu,Kailing Chen,Zundong LIU,Zhichao GAO. Владелец: Yuyue Home Textile Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-21.

Processing and/or transmitting 3d data associated with a 3d model of an interior environment

Номер патента: US20240193867A1. Автор: Daniel Ford,David Alan Gausebeck,Matthew Tschudy Bell,Gregory William Coombe. Владелец: Matterport Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for the compression of an aerial image using an image prediction based on a depth model of the terrain

Номер патента: WO2011068582A3. Автор: Patrick T. Baker,Geoffrey G. Hazel,David J. Fields,Anna O. Bilska-Wolak. Владелец: LOGOS TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

Method and device for reporting csi based on ai model in wireless communication system

Номер патента: US20240162957A1. Автор: Suhwook Kim,Juho Lee,Jungsoo JUNG,Wonjun KIM,Deokhui LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for spatially determining the series resistance of a semiconductor structure

Номер патента: US20120113415A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-05-10.

Automatic navigation based on traffic management vehicles and road signs

Номер патента: US12046137B1. Автор: Ankur Agarwal,Anurag Ganguli,Robert Joseph Dingli,Joseph Michael Martin. Владелец: PlusAI Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure bonding method, bonding equipment, memory, memory system

Номер патента: US20240170295A1. Автор: Yang Liu,Guoliang Chen,Mengyong Liu,Junqing HE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Stage-by-stage Measurement, Regulation and Distribution Method for Dynamic Characteristics of Multi-Stage Components of Large-Scale High-Speed Rotary Equipment Based on Multi-Biased Error Synchronous Compensation

Номер патента: US20200217738A1. Автор: Jiubin Tan,Chuanzhi SUN,Yongmeng LIU. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2020-07-09.

Stage-by-stage measurement, regulation and distribution method for dynamic characteristics of multi-stage components of large-scale high-speed rotary equipment based on multi-biased error synchronous compensation

Номер патента: US11385120B2. Автор: Jiubin Tan,Chuanzhi SUN,Yongmeng LIU. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-07-12.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Adhesive-layer structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220375778A1. Автор: Chih-Kai Huang,Yu-Yun Lo,Shiang-Ning YANG,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for processing semiconductor structure and device based on the same

Номер патента: TW201218316A. Автор: Masao Ishikawa,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-05-01.

System and method for tracking an expanded state of a moving object using an online adapted compound measurement model

Номер патента: WO2023074064A1. Автор: Gang Yao,Philip Orlik,Petros Boufounos,Pu Wang,Hassan Mansour,Karl BERNTOPP. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for reducing the size and nanowire length used in nanowire crossbars without reducing the number of nanowire junctions

Номер патента: US20060190896A1. Автор: Gregory Snider. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-08-24.

Apparatus, method and computer program product providing radial addressing of nanowires

Номер патента: WO2006084128A3. Автор: Andre Dehon,Charles M Lieber,Eric Rachlin,John E Savage. Владелец: John E Savage. Дата публикации: 2009-04-30.

Systems and methods for imposing physical actions, by endpoints, based on activities by users

Номер патента: US11709505B2. Автор: Simon O'regan,Femi Odunuga,Thomas Veraart. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Method for constructing and optimizing molecular structure model of lignite

Номер патента: US20230410953A1. Автор: Qing Cao,Bo Li,Lei Zhao,Gang Zhou,Hui Ma,Yingying HU,Qianqian ZHANG,Zhenjiang Yin,Jianjun Shen,Xiaofei Li,Shuai DU,Xinlei Jia,Qingtao Zhang,Jie Zang,Xueyang Xing,Mingming Fu,Lanjuan Xu. Владелец: BINZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-21.

Magnetic particle imaging reconstruction method based on neural network constrained by forward model

Номер патента: US20240062337A1. Автор: Jie TIAN,Pengfei HUANG,Hui Xie,Xueli Chen,Shouping Zhu,Duofang Chen,Shenghan REN. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2024-02-22.

Systems and methods for imposing physical actions, by endpoints, based on activities by users

Номер патента: US20230315125A1. Автор: Simon O'regan,Femi Odunuga,Thomas Veraart. Владелец: Mastercard International Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit devices with angled transistors formed based on angled wafers

Номер патента: EP4239679A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Integrated circuit devices with angled transistors formed based on angled wafers

Номер патента: US20230268382A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: WO2023101917A3. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-08-03.

Technology for creating a magnetically controlled memristor based on titanium dioxide nanotubes

Номер патента: RU2756135C1. Автор: Даир Каирович Палчаев,Муртазали Хулатаевич Рабаданов,Жарият Хаджиевна Мурлиева,Нариман Магомед-Расулович Алиханов,Руслан Мурадович Эмиров,Султанахмед Ханахмедович Гаджимагомедов,Аида Энверовна Рабаданова,Пайзула Магомедтагирович Сайпулаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2021-09-28.

Method for dynamic calibration and simultaneous closed-loop inversion of simulation models of fractured reservoirs

Номер патента: EP3938815A1. Автор: Marko Maucec,Babatunde Moriwawon,Otto E. Meza Camargo,Ali A. TAIBAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2022-01-19.

Method for dynamic calibration and simultaneous closed-loop inversion of simulation models of fractured reservoirs

Номер патента: WO2020185662A1. Автор: Marko Maucec,Babatunde Moriwawon,Otto E. Meza Camargo,Ali A. TAIBAN. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2020-09-17.

Stage-wise stochastic inversion identification method of aquifer structure based on deep learning

Номер патента: AU2021104794A4. Автор: Zhijie Yang,Zhenxue Dai,Chuanjun Zhan. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2021-09-30.

Displacement reconstruction method for lattice tower structure based on improved mode superposition

Номер патента: US12044601B2. Автор: Qing Zhang,Liang Ren,Xing FU,Hongnan Li. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for establishing the excitation force applied by the swell incident on a movable means of a wave energy system using a model of the drag force

Номер патента: AU2019215587A1. Автор: Hoai-Nam NGUYEN,Paolino TONA. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for predicting a geophysical model of a subterranean region of interest

Номер патента: US20230288589A1. Автор: Daniele Colombo,Diego Rovetta. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-09-14.

Geomechanical model of stresses on an orthorhombic media

Номер патента: US20170321531A1. Автор: Mehdi Eftekhari Far,John Andrew Quirein. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Vertical Nanowire Semiconductor Structures

Номер патента: US20150333122A1. Автор: Clement Merckling,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for identifying potential landslide hazard of reservoir bank based on rock mass degradation feature

Номер патента: NL2030786A. Автор: Zhang Yanjun,ZHANG Chenyang,Ye Runqing,Huang Bolin,Fu Xiaolin,Dai Zhenwei,Yin Yueping. Владелец: Wuhan Center China Geological Survey Central South China Innovation Center For Geosciences. Дата публикации: 2022-12-08.

Quantifying uncertainty in porosity compaction models of sedimentary rock

Номер патента: US20230129986A1. Автор: Wisam AlKawai. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-04-27.

Parameter estimating method based on correction of independence of error term, computer program for implementing the same method, and system configured to perform the same method

Номер патента: US20210293848A1. Автор: Si Hyung JOO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Systems and Methods for Multi-Dimensional Fluid Modeling of an Organism or Organ

Номер патента: US20210272700A1. Автор: Zain S. Dweik,Shane Cline. Владелец: Schlage Lock Co LLC. Дата публикации: 2021-09-02.

Systems and methods for multi-dimensional fluid modeling of an organism or organ

Номер патента: US11967434B2. Автор: Zain S. Dweik,Shane Cline. Владелец: Altair Engineering Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Procedural model of fiber and yarn deformation

Номер патента: US11853659B2. Автор: Carlos Castillo,Jorge Lopez,Miguel A. Otaduy,Carlos ALIAGA. Владелец: Seddi Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Systems and methods for predicting sample properties based on spectral measurements

Номер патента: US20230194424A1. Автор: Andreas Niemöller. Владелец: Bruker Optics GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of creating regenerable biosensor based on photonic crystal complex with affinity molecules

Номер патента: RU2618606C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Довженко,Регина Станиславовна Билан,Павел Сергеевич Самохвалов,Кирилл Владимирович Вохминцев,Алена Владимировна Суханова,Игорь Руфаилович Набиев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2017-05-04.

Nanowire semiconductor device having high-quality epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277682A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-09-27.

Random particle generation method based on particle size distribution

Номер патента: US20230251178A1. Автор: WEI Wei,Liang Zhao,Qilin Wang,Dayong Wang,Mengxin Li. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071939A1. Автор: Tsung-Ding Wang,Yu-Min LIANG,Hao-Cheng Hou,Jung-Wei CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure including one or more antenna structures

Номер патента: US11749625B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240006219A1. Автор: Kai Cheng,Kai Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

System and method of declarative modeling of a process for automation

Номер патента: US20210063986A1. Автор: Prakash MEHROTRA,Kapil MANSHANI. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230299189A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040406B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Counteracting Semiconductor Material Loss During Semiconductor Structure Formation

Номер патента: US20210351275A1. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Counteracting semiconductor material loss during semiconductor structure formation

Номер патента: US11996459B2. Автор: Hans Mertens,Yusuke Oniki,Kurt Wostyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

SIMULATION MODEL OF TRANSPORT AND PEDESTRIAN FLOWS MOVING IN URBAN CONDITIONS BASED ON AN AGENT-ORIENTED APPROACH

Номер патента: RU2014148080A. Автор: Николай Иванович Ильинский,Филипп Викторович Ремизов,Сергей Александрович Алюшин. Владелец: Ооо "Логос - Агентные Технологии". Дата публикации: 2016-09-10.

Method and system for generating imagery mapping modeling of goblet

Номер патента: US11393140B2. Автор: Zheng Liu,Yun Wang,Guosheng HU,Ming SHAO,Hongdou WANG. Владелец: CHINA ACADEMY OF ART. Дата публикации: 2022-07-19.

Reconstructing three-dimensional models of objects from real images based on depth information

Номер патента: US11900558B2. Автор: Radomir Mech,Marissa Ramirez de Chanlatte,Matheus Gadelha,Thibault GROUEIX. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Robust optimization design method for mechanical arm based on hybrid interval and bounded probabilistic uncertainties

Номер патента: US20210264078A1. Автор: Jin Cheng,Wei Lu,Zhenyu Liu,Jianrong TAN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-08-26.

SIMULATION EVALUATION MODEL OF HIGH VOLTAGE RIDE THROUGH CAPABILITY, SIMULATION EVALUATION METHOD BASED ON THE SAME AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20200082043A1. Автор: Li Yanping,Lin Xuefeng,WANG Qian,Ding Yan,PAN Lei,Du Wen,CHU Jingchun,YUAN Ling,CHEN Wenchao,JIAO Chong,XIE Fa. Владелец: GUODIAN UNITED POWER TECHNOLOGY COMPANY LTD.. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for determining optimum depth of charge immersion and constructing model of upper part of the section based on drilling data during seismic survey

Номер патента: RU2740509C1. Автор: Антон Тимурович Семашев,Игорь Александрович Яшин,Александр Семёнович Акуленко. Владелец: Александр Семёнович Акуленко. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for rapid reconstruction of woven composite material microstructure based on topological features

Номер патента: US11830112B2. Автор: Dan Zhang,Aijun Li,Jingchao YUAN,Meihua Shi. Владелец: Shaoxing Research Institute Of Shanghai University. Дата публикации: 2023-11-28.

A kind of modeling of personalized foot and shoe-pad method for customizing based on computer vision

Номер патента: CN105551086B. Автор: 徐涛,孙琨,陶晓斌,陶文兵,梁福禄. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-01-02.

Image reconstruction method based on a trained non-linear mapping

Номер патента: US11846608B2. Автор: Marcel Arditi,Jean-Philippe Thiran,Adrien BESSON,Dimitris Perdios,Florian Martinez. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing horizontal-gate-all-around devices with different number of nanowires

Номер патента: US20190312121A1. Автор: Georgios Vellianitis,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of measuring structure displacement based on fusion of asynchronous vision measurement data of natural target and acceleration data of structure, and system for the same

Номер патента: US20240202898A1. Автор: Ki Young Kim,Hoon Sohn,Zhanxiong MA,Jae Mook CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Photocatalytic device based on rare-earth elements: methods of manufacture and use

Номер патента: US20190386105A1. Автор: Craig A. Grimes,Kevin KREISLER. Владелец: FLUX PHOTON Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of estimating surface profile parameters based on probabilistic-statistical classification of the profilogram spectrum

Номер патента: RU2708500C1. Автор: Ирина Николаевна Паламарь,Сергей Сергеевич Юлин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П.А. Соловьева". Дата публикации: 2019-12-09.

Method for manufacturing a plurality of nanowires

Номер патента: US20160111719A1. Автор: Marko Lemke,Uwe Rudolph,Stefan Tegen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-21.

Point cloud denoising method based on deep learning for aircraft part

Номер патента: US11514555B2. Автор: Jun Wang,Dawei Li,Dening LU. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2022-11-29.

Apparatus and method for three-dimensional modelling of a shaft

Номер патента: EP4121715A1. Автор: Koen Beyers,Bram PLANCKE. Владелец: Spacepal. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for calculating surface area of terrain based on aspect constraints

Номер патента: AU2020100543A4. Автор: Peng XIE,Yanfang Liu,Yaolin LIU,Jingzhong Li,Mingyang Tang. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2020-05-28.

Point cloud denoising method based on deep learning for aircraft part

Номер патента: US20210327032A1. Автор: Jun Wang,Dawei Li,Dening LU. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2021-10-21.

Dynamically generating scenery for a virtual reality driving session based on route information

Номер патента: US20240247941A1. Автор: Chih-Hsiang Chow,Andrew CHOUMAN. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Retraining neural network model based on sensor data filtered for corner case

Номер патента: EP4423669A1. Автор: Ephram Chemali,Nikhil Sudhindra NAKHATE,Ashar ALAM. Владелец: Atieva Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Metal circuit structure based on FPC and method of making the same

Номер патента: US12089331B2. Автор: Sui-Ho Tsai,Cheng-Neng Chen,Yun-Nan Wang,Chiao-Hui Wang. Владелец: Aplus Semiconductor Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Color coded topographer and method of determining a mathematical model of a corneal surface

Номер патента: EP2640258A1. Автор: Michiel Herman Mensink. Владелец: I-Optics Bv. Дата публикации: 2013-09-25.

Recognition method and system for apple mouldy core based on hyperspectral imaging

Номер патента: ZA202302136B. Автор: WEI YANG,Jie TIAN,Qiuxia Hu. Владелец: Xi’An Aeronautical Inst. Дата публикации: 2023-09-27.

Providing a model of a vehicle to a rider at an accurate orientation

Номер патента: US20200342764A1. Автор: Wei Hao,Kapil Gupta,Aaron Matthew Rogan,Houtan Shirani-Mehr. Владелец: Uber Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for detecting population density of cryptolestes ferrugineus based on co2 release rate

Номер патента: US20240219362A1. Автор: Yan Chen,Pei'an Tang,Xueyou Wu,Kangxu Wang,Shengyuan Sun. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF FINANCE AND ECONOMICS. Дата публикации: 2024-07-04.

Wind turbine tower drum inclination detection method based on ground 3d laser scanning technology

Номер патента: NL2032789A. Автор: Zhao Yue,Yang Zhenyin,ZHAO Zhixiang,Lv Baoxiong,Xu Liyuan,Cao Junheng. Владелец: Powerchina Northwest Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Digital predistortion with neural-network-assisted physical modeling of envelope features

Номер патента: US12040753B2. Автор: Tao Yu,Christopher Mayer. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Wind turbine tower drum inclination detection method based on ground 3d laser scanning technology

Номер патента: NL2032789B1. Автор: Zhao Yue,Yang Zhenyin,ZHAO Zhixiang,Lv Baoxiong,Xu Liyuan,Cao Junheng. Владелец: Powerchina Northwest Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

CONVOLUTIONAL NEURAL NETWORK BASED ON CHANNEL-SPECIFIC CONVOLUTION FOR HIGH-SPEED OBJECT RECOGNITION OF 3D LiDAR

Номер патента: US20230280467A1. Автор: Tae Hyoung Park. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of CBNU. Дата публикации: 2023-09-07.

Evaluation of animal products based on customized models

Номер патента: EP2710527A1. Автор: Dany GARANT. Владелец: AGRIDIGIT INC. Дата публикации: 2014-03-26.

Fire test system and method for tunnel structure based on real-time fusion of numerical and physical spaces

Номер патента: US20210208554A1. Автор: Tong Zhang,Yi Shen,Zhiguo YAN,Hehua ZHU,Wenqi DING. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Unmanned aerial vehicle navigation map construction system and method based on three-dimensional image reconstruction technology

Номер патента: US11354856B2. Автор: Xiao Cao,Yongduan Song. Владелец: Star Institute of Intelligent Systems. Дата публикации: 2022-06-07.

Fault characterization method and system for precise navigation of deep oil and gas based on image fusion

Номер патента: US11860326B1. Автор: Yongyou YANG,Wenxiu ZHANG,Fei Tian,Jiangyun Zhang,Wenhao Zheng. Владелец: Institute of Geology and Geophysics of CAS. Дата публикации: 2024-01-02.

Inverse identification method of aquifer structure based on octave convolution residual network

Номер патента: AU2021102281A4. Автор: Zhenxue Dai,Chuanjun Zhan. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230397400A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046280B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus and methods for providing electrical converter control parameters based on the minimisation of the H-infinity norm

Номер патента: US12074534B2. Автор: Sean Kelly,Andre Paulo Canelhas,Masoud BAZARGAN,Sajjad Fekriasl. Владелец: Power Nova Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Sampling-phase acquisition based on channel-impulse-response estimation

Номер патента: US20140254043A1. Автор: Yu Liao,Haitao Xia,Haotian Zhang. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

System and method of building a three-dimensional model of a partially obstructed surface area

Номер патента: US20230147587A1. Автор: Mike Jay Meier. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240268124A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Subdomain-based training techniques for predictive models of fluid systems

Номер патента: WO2024119115A1. Автор: Soham Sheth. Владелец: Geoquest Systems B.V.. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11756997B2. Автор: Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Estimation of anomalies using a three-dimensional model of an environment

Номер патента: US20240242425A1. Автор: Siavash Haghighat Khajavi. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2024-07-18.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US10121855B2. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US20180337232A1. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170194429A1. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170194431A1. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Stacked nanowire semiconductor device

Номер патента: US10153340B2. Автор: Michael A. Guillorn,William L. Nicoll,Hanfei Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-11.

Field Effect Transistor Based on Vertically Integrated Gate-All-Round Multiple Nanowire Channels

Номер патента: US20200303519A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-09-24.

Junctionless transistor based on vertically integrated gate-all-round multiple nanowire channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US10665671B2. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Junctionless Transistor Based on Vertically Integrated Gate-All-Round Multiple Nanowire Channels and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20170236901A1. Автор: Byung-Hyun Lee,Yang-Kyu Choi,Min-ho Kang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-17.

Etch masks based on template-assembled nanoclusters

Номер патента: EP1678075A1. Автор: Simon Anthony Brown,James Gordon Unit 5 477 Madras Street PARTRIDGE. Владелец: Nano Cluster Devices Ltd. Дата публикации: 2006-07-12.

Method of manufacturing a light emission device based on light emitting diodes

Номер патента: US8841151B2. Автор: Adrien Gasse,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-09-23.

Method of forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361165A1. Автор: Liuyang ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for processing three-dimensional (3d) silicon-based transfer structure based on photosensitive composite, and device manufactured thereby

Номер патента: US20240321588A1. Автор: Liang Zhou,Ziqi Zhang,Chengrui Zhang,Junfa MAO. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including groups of nanowires of different semiconductor materials and related methods

Номер патента: US20150236050A1. Автор: Nicolas Loubet,James Kuss. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375879A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230386892A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4303910A1. Автор: Ning Xi,Shijie BAI,Peimeng WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Preparation method of aluminum nitride composite structure based on two-dimensional (2d) crystal transition layer

Номер патента: US20240141549A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-02.

A system and method for designing kaplan turbine-based on advanced blade design of hydro-powered turbine

Номер патента: US20230351075A1. Автор: Anil Ramchandra Acharya,Siddharth Suhas Kulkarni,Reena Singh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230021267A1. Автор: QIAO LI,Zhi Yang,Yue Zhuo,Wentao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Air combat maneuvering method based on parallel self-play

Номер патента: US11794898B2. Автор: Bo Li,Zhipeng Yang,Xiaoguang Gao,Kaifang WAN,Zhigang GAN,Shiyang LIANG,Kaiqiang YUE. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure, method for manufacturing same

Номер патента: US20230010014A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Youming Liu,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

On-die formation of single-crystal semiconductor structures

Номер патента: US20230276635A1. Автор: Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Sameer Chhajed,Jeffery Brandt Hull. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric thick-layer structures based on lead perovskites and method for their production

Номер патента: EP1080053A1. Автор: Marija Kosec,Janez Holc,Silvo Drnovsek. Владелец: INSTITUT JOZEF STEFAN. Дата публикации: 2001-03-07.

Method and system for formally analyzing the motion planning of a robotic arm based on conformal geometric algebra

Номер патента: US20180365349A1. Автор: Rui Wang,Yong Guan,Sha Ma,Xiaojuan Li,Liming Li,Zhiping Shi,Zhenzhou SHAO,Qianying ZHANG. Владелец: Capital Normal University. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200343348A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

System and methods for correcting build parameters in an additive manufacturing process based on a thermal model and sensor data

Номер патента: EP3914409A1. Автор: Subhrajit Roychowdhury,Alexander Chen,Xiaohu PING,Brian Barr,JR. Justin GAMBONE,Thomas CITRINITI. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200411361A1. Автор: ZHANG CHENGLONG,CUI Long. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Modelling of electric vehicle charging and driving usage behavior with vehicle-based clustering

Номер патента: US20240217389A1. Автор: Gianina Alina Negoita,Matthew Yen,William Paxton. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Probabilistic modelling of electric vehicle charging and driving usage behavior with hidden markov model-based clustering

Номер патента: US20240217388A1. Автор: Gianina Alina Negoita,Matthew Yen,William Paxton. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Parallel computing method for man-machine coordinated steering control of smart vehicle based on risk assessment

Номер патента: US11760349B2. Автор: BIN Li,LIN Zhang,HONG Chen,Qiang MENG,Yanjun HUANG. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-19.

Water droplet rejection for capacitive micromachined ultrasonic transducer (cmut) touch sensing based on spatial distribution of cmut receivers

Номер патента: US20240264703A1. Автор: Erhard Landgraf,Emanuel Stoicescu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for controlling axial length of ellipsoidal shells based on liquid volume loading

Номер патента: US20210130016A1. Автор: Shijian YUAN,Xiaolei Cui. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230068654A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Manufacturing method for semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11978637B2. Автор: Enhao CHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20220037338A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Systems and methods for semi-discrete modeling of delamination migration in composite laminate materials

Номер патента: EP4181008A2. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US20170256390A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Systems and methods for semi-discrete modeling of delamination migration in composite laminate materials

Номер патента: EP4181008A3. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-06-21.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US11791163B1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230335407A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Manufacturing method for epitaxial substrate, epitaxial substrate and semiconductor structure

Номер патента: US20240145628A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150076603A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240178063A1. Автор: Ming Hsun Wu,Hsueh-Han Lu,Yao Ching CHIU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Mask pattern and method for manufacturing same, semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220319849A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027456B2. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US11289477B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure with low defect

Номер патента: US20180026034A1. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222262A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor Structure with Metal Ion Capture Layer

Номер патента: US20230335603A1. Автор: Chao-Chi Chen,Bo-Wei Chen,yi ting Liao,Shi Sheng Hu,Shun Chi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234323A1. Автор: Shih-Ping Lee,Mao-Hsing Chiu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US20160284603A1. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10439066B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Miccroelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4160664A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230420434A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor structure, method for forming same and layout structure

Номер патента: US20230018639A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure, formation method, and operation method

Номер патента: US20240250087A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220238708A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20220052192A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11804548B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210134737A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure implementing series-connected transistor and resistor and method for forming the same

Номер патента: US20220005734A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190355849A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067480A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756920B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN,Zheng-Xun Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268099A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014276A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US12080596B2. Автор: JISONG Jin,Abraham Yoo. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11373902B2. Автор: Po-Chin Chang,Zi-Wei FANG,Pinyen Lin,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11749745B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor Structure Formed Using a Sacrificial Structure

Номер патента: US20080054481A1. Автор: Sean Lian,Bailey Jones,Simon Molloy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-06.

Semiconductor structure having raised via contacts and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220367368A1. Автор: Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Jye-Yen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094758B2. Автор: Yi Liu,Ching-Hwa Tey,Guo-Hai Zhang,Tien-Tsai HUNG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240312791A1. Автор: Kai Jen,Hsiang-Po LIU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US12087834B2. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20200295158A1. Автор: YANG Hu,Jun Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of producing semiconductor structures by liquid phase epitaxy with high uniformity on thickness of epitaxial layers

Номер патента: RU2638575C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Никита Игоревич Шумакин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеГа Эпитех". Дата публикации: 2017-12-14.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Active electronic devices based on gallium nitride and its alloys grown on silicon substrates with buffer layers of SiCAIN

Номер патента: US20040129200A1. Автор: John Kouvetakis,Ignatius Tsong,John Tolle,Radek Roucka. Владелец: Arizona Board of Regents of ASU. Дата публикации: 2004-07-08.

Shipbuilding simulation method, simulation program, and simulation system based on unified database, and quality database construction method of ship

Номер патента: US20230409776A1. Автор: Tomoyuki Taniguchi,Kohei Matsuo,Masahito TAKEZAWA,Masaru HIRAKATA. Владелец: National Institute of Maritime Port and Aviation Technology. Дата публикации: 2023-12-21.

Step-type stacked chip packaging structure based on resin spacer and preparation process

Номер патента: US20210035873A1. Автор: Guohong Yang. Владелец: Suzhou Dream Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and preparation method

Номер патента: US20240021484A1. Автор: Mengmeng Wang,Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20230326998A1. Автор: QIAOMING Cai,LISHA MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Ic structure base and inner e/c material on raised insulator, and methods to form same

Номер патента: US20210242335A1. Автор: Jagar Singh,Alexander M. Derrickson,Alexander L. Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240079232A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12027478B2. Автор: Feng-Wei Kuo,Wen-Shiang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240222457A1. Автор: Yu-Jen Liu,Wei-Cheng Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for forming a vertical electrical connection in a layered semiconductor structure

Номер патента: US20140084474A1. Автор: Vincent Mevellec,Dominique SUHR. Владелец: Alchimer SA. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor structure and preparation method of semiconductor structure

Номер патента: US20230238273A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3968371A1. Автор: Zhen Zhou,Er Xuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220223720A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shin-Hung Li,Ta-wei Chiu,Ruei-Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240234497A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20220278054A1. Автор: Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor structure having a thermal shunt below a metallization layer and integration schemes

Номер патента: US20220238409A1. Автор: Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Alvin Joseph,MARK David LEVY. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Mask structure, semiconductor structure and methods for manufacturing same

Номер патента: US12027369B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230378053A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure having self-aligned insulating feature and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240234545A1. Автор: Yi-Hsien Chen,Yi-Ren CHEN,Chun-Ting Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294933A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20220102290A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230369460A1. Автор: Chun-Wei Yu,Shao-Wei Wang,Wei-Chung Sun,Kuang-Hsiu Chen,Kuan Hsuan Ku,Chao Nan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor structure implementing sacrificial material

Номер патента: IL157828A. Автор: Yehiel Gotkis,Rodney Kistler,David Wei. Владелец: David Wei. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230411160A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Yu-Hsiang Liao,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12051699B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor structure with increased space and volume between shaped epitaxial structures

Номер патента: US20160005657A1. Автор: Bharat Krishnan,Jinping Liu,Jody A. FRONHEISER,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230387189A1. Автор: Szu-Yu Wang,Ching I Li,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20170271206A1. Автор: Hung-Chih Yu,Chien-Mao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US20190295964A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190006369A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160204197A1. Автор: Chia-Ching Lin,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang,Shih-Hung Tsai,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou,Rai-Min Huang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240258238A1. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Hailong Yu,Xuezhen JING,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210343581A1. Автор: Hongmin WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210398943A9. Автор: Takashi Kubo,Masaru Haraguchi,Jun Gu,Wenliang Chen,Chun Yi LIN,Chien An Yu. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200168614A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US11552171B2. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230154831A1. Автор: Yonghui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US9502260B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and production method thereof

Номер патента: US20210005706A1. Автор: Bin Lu,Jian Shen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12074163B2. Автор: Wu Feng DENG,De Biao HE,Chang Yong Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: US20230223252A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: University of Turku . Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240047581A1. Автор: Chih-Wei Wu,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yen-Cheng Lai,Shao-Hua Hsu,Wei-Yeh TANG,Chun-Chan HSIAO,Chih-Long Chiang,Po-Hsiang Chuang,Mao-Lin Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Manufacturing method of nitride semiconductor structure

Номер патента: US20230162975A1. Автор: Yu-Chi CHIAO,Yung-Li Huang,Chun I Chu,Sheng Wei Chou. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4412422A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method, semiconductor structure, and vacuum processing system

Номер патента: WO2021198559A1. Автор: Pekka Laukkanen,Juha-Pekka Lehtiö,Marko Punkkinen,Kalevi Kokko,Mikhail KUZMIN,Zahra Jahanshah Rad. Владелец: TURUN YLIOPISTO. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US20180033686A1. Автор: Yi-Wei Chiu,Chih-ching Cheng,Fang-Yi WU,Chia-Hsin TAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Light-emitting device based on nitride of group iii element, having low-stress light-emitting layer (versions)

Номер патента: RU2457581C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-07-27.

Optically active composition and light-emitting combined device based on said composition

Номер патента: RU2425433C2. Автор: Николай Валентинович Щербаков,Владимир Семенович Абрамов,Александр Валерьевич Шишов,Наум Петрович Сочин. Владелец: ЗАО "Лайт Энджинс Корпорейшн". Дата публикации: 2011-07-27.

Method for protein nanowire synthesis and tunable control of nanowire length

Номер патента: US20210070811A1. Автор: Gemma Reguera,Krista Marie Cosert. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for protein nanowire synthesis and tunable control of nanowire length

Номер патента: US20240132549A1. Автор: Gemma Reguera,Krista Marie Cosert. Владелец: Michigan State University MSU. Дата публикации: 2024-04-25.

Augmented reality incident projection based on vehicle movements

Номер патента: US20240278797A1. Автор: Sarbajit K. Rakshit,Jeremy R. Fox,Martin G. Keen,Tushar Agrawal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Parked car classification based on a velocity estimation

Номер патента: US20230351766A1. Автор: Chao FANG,Arjun BHARGAVA,Kuan-Hui Lee,Charles Christopher Ochoa. Владелец: Toyota Research Institute Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Mesastructural photodiode based on heteroepitaxial structure of ingaas / alinas / inp

Номер патента: RU2627146C1. Автор: Константин Олегович Болтарь,Михаил Васильевич Седнев,Наталья Ивановна Яковлева. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2017-08-03.

Design method of polymeric seawater desalination membrane based on graph neural network

Номер патента: US20240062039A1. Автор: Zhe KONG,Tianyu Li,Lijun Liang,Xuanchao MA. Владелец: Hangzhou Dianzi University Shangyu Institute. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing a wind turbine tower structure based on wind direction

Номер патента: US20220032496A1. Автор: Norman Arnold Turnquist,Biao Fang,Pascal Meyer,Gregory Edward Cooper. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-02-03.

Vehicle battery controller based on a reduced order model

Номер патента: US20200122581A1. Автор: Bin Wu,Ying Liu,Yifan Tang. Владелец: SF Motors Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Detection, tracking and 3d modeling of objects with sparse rgb-d slam and interactive perception

Номер патента: EP3782119A1. Автор: Radu Ioan CORCODEL,Diogo Rodrigues Marcal DE ALMEIDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Numerical modeling of laser perforating process

Номер патента: US20190257729A1. Автор: Yanhui HAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-08-22.

Computer-implemented method, one or more non-transitory computer readable storage media and computer-implemented system for numerical modeling of laser perforating process in a given rock sample

Номер патента: EP3752315A1. Автор: Yanhui HAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-12-23.

Computer-implemented method, one or more non-transitory computer readable storage media and computer-implemented system for numerical modeling of laser perforating process in a given rock sample

Номер патента: WO2019161351A1. Автор: Yanhui HAN. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor structure comprising a stress sensitive element and method of measuring a stress in a semiconductor structure

Номер патента: GB2430306A. Автор: Ehrenfried Zschech,Eckhard Langer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2007-03-21.

Semiconductor structure with flared mesa burying layers

Номер патента: US4935936A. Автор: Richard E. Hobbs,Andrew W. Nelson,W. John Devlin,Charles G. Lenton. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1990-06-19.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237339A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240222261A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method for semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4358140A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US20230262957A1. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063187A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for manufacturing a plurality of semiconductor structures and system in package

Номер патента: US12048142B2. Автор: Lin Ma,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor Structure and Method for Operating the Same

Номер патента: US20120292689A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Designed-based interconnect structure in semiconductor structure

Номер патента: US20160064322A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chun-Kuang Chen,Chih-Ming Lai,Tsong-Hua Ou,Chih-Liang Chen,Yung-Sung Yen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shu-Hui Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Versatile system for limiting electric field degradation of semiconductor structures

Номер патента: US20050258494A1. Автор: Greg Baldwin,PR Chidambaram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230028636A1. Автор: Zongzheng LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor structure employing conductive paste on lead frame

Номер патента: US20210305143A1. Автор: Chih-Yen Chen,Francois Hebert,Hsin-Chang Tsai,Chun-Yi Wu,Chia-Ching HUANG,Chih-Jen Hsiao,Wei-Chan Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure, memory structure and fabrication methods thereof

Номер патента: US20220415898A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230352351A1. Автор: Ling-Sung Wang,Kun-Ei Chen,Chen-Chieh Chiang,Hsueh-Han Lu,Pei-Lum MA,Kun Da Jhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240321942A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Micro spectrum chip based on units of random shapes

Номер патента: US20240047494A1. Автор: Xue Feng,Wei Zhang,Fang Liu,Jiawei YANG,Yidong Huang,Kaiyu Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-08.

Enhanced graphene structure based on weak coupling, graphene film, and photoelectric device

Номер патента: US20220204348A1. Автор: Li Peng,CHAO Gao,Yingjun Liu,Wenzhang Fang,Lingfei LI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220208994A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for preparing semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: EP4050653A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Graphene structure and graphene membrane based on weak coupling enhancement, and photoelectric device

Номер патента: EP4049970A1. Автор: Li Peng,CHAO Gao,Yingjun Liu,Wenzhang Fang,Lingfei LI. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-08-31.

Miniature spectrum chip based on units of different shapes, and method for generating micro-nano structure array in miniature spectrum chip

Номер патента: AU2021323773B2. Автор: Xue Feng,Wei Zhang,Fang Liu,Jiawei YANG,Yidong Huang,Kaiyu Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with crack-blocking three-dimensional structure

Номер патента: WO2021165801A1. Автор: Frederic Voiron,Larry BUFFLE. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240222486A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20230301120A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure having deep trench capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240047383A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220108946A1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120326261A1. Автор: Chung-Yu Hung,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure

Номер патента: US20140264439A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240164088A1. Автор: Yen-Ho CHU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure

Номер патента: US12040352B2. Автор: Lin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12040296B2. Автор: Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20220262752A1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Zhi-Rui Sheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US20200168825A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12048138B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: US20220052191A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413532A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor structure and associated fabricating method

Номер патента: US20170194439A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor structures for galvanic isolation

Номер патента: US11764273B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure

Номер патента: US20160079346A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230402540A1. Автор: Lijie Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230012587A1. Автор: Yi Tang,Xiaojie Li,Jianfeng Xiao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US10446463B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20220045186A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240292606A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240274726A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Chia-hao Lee,Chen-Dong Tzou,Yun-Kai LAI. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure, method for manufacturing same and memory

Номер патента: US20230014198A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093605A1. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure with stacked capacitors

Номер патента: US12068361B2. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240268120A1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258250A1. Автор: Yu-Tang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure

Номер патента: US20210135051A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang,Hsin-Chiao Fang. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240194755A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20230230976A1. Автор: Chia-Cheng Chen,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Chia-Ling Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Gate all around semiconductor structure with diffusion break

Номер патента: US12089423B2. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Timothy Vasen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure, device with such structure and method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2617281C2. Автор: Оливье ГРАВРАН,Александр ФЕРРОН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-04-24.

Miniature spectrum chip based on units of different shapes, and method for generating micro-nano structure array in miniature spectrum chip

Номер патента: US20230326946A1. Автор: Xue Feng,Wei Zhang,Fang Liu,Jiawei YANG,Yidong Huang,Kaiyu Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods And Systems For Measurement Of Semiconductor Structures Based On Derivative Measurement Signals

Номер патента: US20240151770A1. Автор: Derrick Shaughnessy,Zhengquan Tan,Houssam Chouaib. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods and systems for measurement of semiconductor structures based on derivative measurement signals

Номер патента: WO2024091424A1. Автор: Derrick Shaughnessy,Zhengquan Tan,Houssam Chouaib. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatus and method for providing indexing and search service based on important sentence

Номер патента: US20230105610A1. Автор: Hyun Kim,Min-ho Kim,Hyun-Ki Kim,Jeong Heo,Hyung-Jik LEE,Mi-Ran Choi,Myung-Gil Jang,Soo-Jong Lim,Yong-Jin BAE,Joon-Ho LIM,Ji-Hee RYU,Kyung-Man BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods And Systems For Data Driven Parameterization And Measurement Of Semiconductor Structures

Номер патента: US20230169255A1. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Antonio Arion Gellineau,Sungchol Yoo. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: WO2023101917A2. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods and systems for data driven parameterization and measurement of semiconductor structures

Номер патента: EP4341676A2. Автор: Stilian Ivanov Pandev,Arvind Jayaraman,Proteek Chandan Roy,Hyowon Park,Sungchul Yoo,Antonio GELLINEAU. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for defining metropolitan area based on regional inter-city flow intensity measurement model

Номер патента: US20190333177A1. Автор: Junyan YANG,Yuzhuo Wang. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-31.

Non-contact insulation monitoring method and system for circuit breakers based on array spatial electric field

Номер патента: LU504920B1. Автор: Hao Chen,Tao Jiang,Yu Zou,Rui Zhang,Xiaoxin Wu,Zongyao TANG,Haihua Zhang,Honghua XU,Qilong Qian,Songnan Lu,Jingran Xu. Владелец: State Grid Nanjing Power Supply Company. Дата публикации: 2024-02-16.

Method for training binding affinity measurement model, and binding affinity measurement method

Номер патента: EP4401008A1. Автор: Shaoyong XU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Apparatus and method for providing indexing and search service based on important sentence

Номер патента: US11880421B2. Автор: Hyun Kim,Min-ho Kim,Hyun-Ki Kim,Jeong Heo,Hyung-Jik LEE,Mi-Ran Choi,Myung-Gil Jang,Soo-Jong Lim,Yong-Jin BAE,Joon-Ho LIM,Ji-Hee RYU,Kyung-Man BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-01-23.

Predictive modeling of interconnect modules for advanced on-chip interconnect technology

Номер патента: WO2010011448A2. Автор: Yu Cao,Xia Li,Wei Zhao,Seung H. Kang,Shiqun Gu,Matthew Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-28.

Productivity measurement, modeling and illustration system

Номер патента: US11010703B2. Автор: Kallol Basu,Sunil Balugari,Ramesh K. V.,Satyendra SHINDE. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Method and system for converting hierarchical data structure based on schema to planar data structure

Номер патента: RU2378690C2. Автор: Майкл Дж. МАККОРМАК,Чэд РОТШИЛЛЕР,Рамакришнан НАТАРАДЖАН. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2010-01-10.

System and method for segmenting normal organ and/or tumor structure based on artificial intelligence for radiation treatment planning

Номер патента: US20210103756A1. Автор: Ji Min Lee,Hee Jung Kim,Hyung Joo Cho,Sung Joon Ye. Владелец: SAMSUNG LIFE PUBLIC WELFARE FOUNDATION. Дата публикации: 2021-04-08.

Systems and methods for data structure storage and combination based on data structure content

Номер патента: US10990352B1. Автор: Bob Martin,Margaret B. Artz. Владелец: Optum Inc. Дата публикации: 2021-04-27.

Defect detection for semiconductor structures on a wafer

Номер патента: US20230260105A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Philipp Huethwohl. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2023-08-17.

Controlling a repositionable structure system based on a geometric relationship between an operator and a computer-assisted device

Номер патента: EP4419984A1. Автор: Paul G. GRIFFITHS,Allen C. Thompson,Katherine Li,Olga GREENBERG,Mohammad Sina Parastegari,Keith J. WATZA,Jason A. GLASSER. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Network for structure-based text-to-image generation

Номер патента: US20240185493A1. Автор: Nilesh Jain,Peixi Xiong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for predicting drilling mud absorption zones when drilling wells based on three-dimensional geomechanical model and tectonic model of deposit

Номер патента: RU2719792C2. Автор: Олег Юрьевич Калинин,Сергей Владимирович Лукин,Юрий Викторович Овчаренко,Алексей Александрович Вашкевич,Владислав Вячеславович Жуков,Оксана Александровна Захарова,Андрей Сергеевич Бочков,Антон Юрьевич Хомутов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпромнефть Научно-Технический Центр" (ООО "Газпромнефть НТЦ"). Дата публикации: 2020-04-23.

Die yield assessment based on pattern-failure rate simulation

Номер патента: WO2020162979A1. Автор: John L. Sturtevant,Young Chang Kim,Christopher Clifford,Andrew BURBINE. Владелец: MENTOR GRAPHICS CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-13.

Simulation model of traffic and pedestrian flows in urban conditions based on agent-oriented approach

Номер патента: RU2601133C2. Автор: Николай Иванович Ильинский,Филипп Викторович Ремизов,Сергей Александрович Алюшин. Владелец: Ооо "Логос - Агентные Технологии". Дата публикации: 2016-10-27.

Method of recognizing named entities in network text based on elimination of probability ambiguity in neural network

Номер патента: RU2722571C1. Автор: Бин ЛЮ,Ян Чжоу,Чжаою ХАНЬ,Чжонцю ВАН. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2020-06-01.

Method of predicting protein-ligand docking structure based on quantum mechanical scoring

Номер патента: US8886505B2. Автор: Art Eunsung CHO. Владелец: QUANTUM BIO SOLUTIONS Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Methods and systems for performing tasks based on a global model

Номер патента: US12032992B2. Автор: Calder Phillips-Grafflin. Владелец: Toyota Research Institute Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Personalized comment recommendation method based on link prediction model of graph bidirectional aggregation network

Номер патента: US20230185865A1. Автор: Zhao Li,Yinglong WANG,Muchen WANG,Minglei Shu,Tianlei GAO. Владелец: Shandong Institute of Artificial Intelligence. Дата публикации: 2023-06-15.

Method and apparatus for simulating posture of flexible cable based on spring-mass model combining bending and torsion

Номер патента: US10685151B2. Автор: Jianhua Liu,Shaoli Liu,Xiaoyu Ding,Jiashun Liu,Naijing Lv,Haili Lin,Jiangtao Ma. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2020-06-16.

System for data structure clustering based on variation in data attribute performance

Номер патента: US20220012269A1. Автор: Michael Long,Michael Herron. Владелец: Premier Healthcare Solutions Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

System for data structure clustering based on variation in data attribute performance

Номер патента: US20200387526A1. Автор: Michael Long,Michael Herron. Владелец: Premier Healthcare Solutions Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Workflow management based on recognition of content of documents

Номер патента: US20230141849A1. Автор: Claudio Fadda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Predicting identity-of-interest data structures based on incident-identification data

Номер патента: US12062103B2. Автор: Raja Sekhar Kommoju,Raja Pratap Kondamari. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for generating multidimensional data structures based on fantasy sports account activity

Номер патента: US20190378374A1. Автор: Jordan Mendell,Frank LO,Alexander John KRUSZ,Brendan Thompson GROVE,Rick Sawyer. Владелец: Draftkings Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Autonomous mining method of industrial big data based on model sets

Номер патента: US12045263B2. Автор: Ye Ke,GUO Xie,Qinghua Zhang,Shaolin Hu,Qiliang GUO,Chenglin Wen,Wenzhuo CHEN,Gaowei LEI. Владелец: Guangdong University of Petrochemical Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for establishing transistor statistical model based on artificial neural network system

Номер патента: US20240273274A1. Автор: Yu Li,Ru Huang,Runsheng Wang,Lining ZHANG,Wu DAI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for additive manufacturing of a component with a topology optimized support structure based on a thermo-mechanical process simulation

Номер патента: EP4287060A1. Автор: Timo Heitmann,Till Weinkauf,Enrique ESCOBAR,Alexandre HIRICOIU. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Inversion method for effective stimulated reservoir volume of shale gas based on flowback data

Номер патента: GB2606473A. Автор: Song Yi,LIN Ran,Zhao Jinzhou,WU JIANFA,Ren Lan,Fu Yongqiang,Tang Dengji. Владелец: SOUTHWEST PETROLEUM UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-09.

Systems and methods for adjusting a transcript based on output from a machine learning model

Номер патента: US20240095449A1. Автор: Saurabh Tahiliani,Prakash Ranganathan. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for modeling phase transition of superconductivity based on anti-hermitian operator

Номер патента: WO2024103617A1. Автор: QIANG LI. Владелец: Tian, Duoxian. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for calculating terminal voltage of lithium battery based on electrochemical model, apparatus, and medium

Номер патента: US20240175927A1. Автор: QIAN LI,Xiao Yan,Siyuan Chen,Danfei Gu,Mingchen Jiang,Enhai Zhao,Liangchang Wei. Владелец: Shanghai MS Energy Storage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for classifying multi-granularity breast cancer genes based on double self-adaptive neighborhood radius

Номер патента: US11837329B2. Автор: Yi Zhang,Ming Li,YU Geng,Ying Sun,Haipeng Wang,Hengrong Ju,Weiping Ding,Chun Cheng,Jialu DING,Jiashuang HUANG,Tingzhen QIN,Xinjie SHEN. Владелец: Nantong University. Дата публикации: 2023-12-05.

Method and apparatus for tuning trajectory model of ball

Номер патента: US20140163915A1. Автор: Jong Sung Kim,Il Kwon Jeong,Seong Min Baek,Myung Gyu KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for programming energy storage devices in power-gas coupling system based on reliability constraints

Номер патента: US11562445B2. Автор: XIA Yan,Sheng Wang,Bin Sun,Yi Ding,Ning Luo,Peng Wu,Zhenming Liu,Qingsheng Li,Xueyong TANG,Xianggang HE,Xiaocong SUN,Minglei BAO,Yongyuan LUO,Jindi HU. Владелец: Guizhou Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Medical Prediction Method and System Based on Semantic Graph Network

Номер патента: US20220277858A1. Автор: Chun Xu,Jianqiang Li,Qing Zhao,Dezhong Xu. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-09-01.

Chip security analysis method based on petri net

Номер патента: US20220083655A1. Автор: Zili Wang,Cheng GAO,Daming Yang,Jiaoying Huang,Chengcheng Fu. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for programming energy storage devices in power-gas coupling system based on reliability constraints

Номер патента: US20220122198A1. Автор: XIA Yan,Sheng Wang,Bin Sun,Yi Ding,Ning Luo,Peng Wu,Zhenming Liu,Qingsheng Li,Xueyong TANG,Xianggang HE,Xiaocong SUN,Minglei BAO,Yongyuan LUO,Jindi HU. Владелец: Guizhou Power Grid Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Multidimensional risk profiling for improved quantification and modeling of optimal alternative selection strategies

Номер патента: US20210082052A1. Автор: David M. Berns. Владелец: Modern Allocator Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Model-based system engineering analysis tool for digital modeling of systems of systems

Номер патента: US20230334192A1. Автор: Judith S. DAHMANN,Nathan NORWOOD,Allison KHAW. Владелец: Mitre Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Evaluation Model Construction and Prediction Method Based on Subtropical Forest Fire Intensity

Номер патента: NL2034139B1. Автор: Wu Zhiwei. Владелец: Univ Jiangxi Normal. Дата публикации: 2024-05-31.

Method and apparatus for multi-label class classification based on coarse-to-fine convolutional neural network

Номер патента: US20240296329A1. Автор: Jin Ho Park,Joon Ki Paik,Hee Gwang KIM,Min Woo SHIN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chung Ang University. Дата публикации: 2024-09-05.

Generating synthetic data based on time series predictions and plural machine learning models

Номер патента: US20240111815A1. Автор: Austin Walters,Jeremy Goodsitt. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for improving organization performance using sipoc to define the balanced scorecard learning and growth perspective strategic objectives for strategic and key internal processes based on a business intelligence server

Номер патента: US20180075389A1. Автор: Mohammed Ali ALGHAMDI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-15.

Caching of text analytics based on topic demand and memory constraints

Номер патента: US20240095270A1. Автор: Gandhi Sivakumar,Vijay Ekambaram,Smitkumar Narotambhai MARVANIYA,Luke Peter Macura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Accelerating inferences performed by ensemble models of base learners

Номер патента: US20230016368A1. Автор: Charalampos Pozidis,Jan van Lunteren. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Method and system for modularized modeling of equipment entities in simulation field based on meta-model

Номер патента: US20230418994A1. Автор: XIAO YANG,Hao Dong,LIN Gao,Wenjun Li,Xuelin Yang,Fan Zhou,Shumeng Wang,Xuefei WU. Владелец: Aerospace Internet Of Things Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Dynamic generation and modification of a design model of a building for a construction project

Номер патента: US20210365602A1. Автор: Cameron Gifford. Владелец: Angl LLC. Дата публикации: 2021-11-25.

System and method for generating a proposal based on a request for proposal (rfp)

Номер патента: US20200057799A1. Автор: Kyle D. Dent,Filip Masri. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for constructing general probability model of harmonic emission level for industrial load

Номер патента: US20230267246A1. Автор: YING Wang,Mengjie Yu,Xianyong Xiao,Yunzhu Chen,Wengxi HU. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2023-08-24.

Predicting method of transcription factor binding sites based on weighted multi-granularity scanning

Номер патента: US20230386605A1. Автор: Tao Lin,Yu Zhang,Zhendong Liu,Yunxiang LIU,Xiangdong Mao,Dongyan Li. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-30.

Lumped-parameter estimation and uncertainty quantification for surrogate modeling of physical systems

Номер патента: US20230022751A1. Автор: Morad Behandish,Saman Mostafavi,Randi Wang. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for retrieving data object based on spatial-temporal database

Номер патента: US20190266138A1. Автор: Wei Lin. Владелец: Beijing Wellintech Co ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Construction method for a constitutive model of the bond-slip behavior of gfrp bars in ecc

Номер патента: LU507686B1. Автор: Yu Zheng,Yongjian Hu,Lifei Zhang,bo Di,Yitong Cai. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2024-09-05.

Segmentation of anatomical structure based on model

Номер патента: RU2721078C2. Автор: Джулиан Чарльз НОЛАН,Мэттью Джон ЛОУРЕНСОН,Юрген ВЕЗЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2020-05-15.

Methods and systems for three dimensional modeling of infrastructure elements

Номер патента: US20180315255A1. Автор: Alexander PAZ-CRUZ. Владелец: Nevada System of Higher Education NSHE. Дата публикации: 2018-11-01.

Systems and methods for improved parametric modeling of structures

Номер патента: CA3103845A1. Автор: John Caleb Call,Bryce Porter,Ángel Guijarro MELÉNDEZ,Ismael Aguilera MARTIN DE LOS SANTOS,Corey D. Reed,Jeffery D. LIWIS. Владелец: Geomni Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Generating and analyzing material structures based on material parameters and machine learning models

Номер патента: US20240220683A1. Автор: Gianina Alina Negoita,Wesley TESKEY. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and apparatus for estimating disturbance of control system based on input/output data

Номер патента: US20230029159A1. Автор: Jaeho Lee,Yongsoon Eun,Juseung LEE. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-01-26.

Delayed power system stability analysis method based on low-order eigd

Номер патента: EP3690771A1. Автор: HUA Ye,Yutian Liu,Qianying MU. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2020-08-05.

Dynamic arrangement of vehicles based on load capacity of smart crossing

Номер патента: US20240185710A1. Автор: Sarbajit K. Rakshit,Sudheesh S. Kairali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Numerical Simulation Method for the Overflowing of River Channel Structures Based on Finite Volume Method

Номер патента: US20230169243A1. Автор: Liping Ma,Dawei Zhang,Juan LV,Dongya SUN,Qin JU,Jingming Hou,Donglai Li. Владелец: China Institute of Water Resources and Hydropower Research. Дата публикации: 2023-06-01.

System and method for analyzing a survivability of a structure based on proximate objects

Номер патента: US20240029172A1. Автор: Eric Haefli. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2024-01-25.

System and method for analyzing a survivability of a structure based on proximate objects

Номер патента: US20220245730A1. Автор: Eric Haefli. Владелец: State Farm Mutual Automobile Insurance Co. Дата публикации: 2022-08-04.

Two-dimensional model of triangular sectors for use in generating a mesh for finite element analysis

Номер патента: WO2015130411A1. Автор: Robert E. Grip. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2015-09-03.

Systems and methods for automatically generating 3d wireframe cad models of aircraft

Номер патента: WO2005043421A1. Автор: Michael K. Fox,Michael D. Galuska,Brian H. Seong. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2005-05-12.

System and method for partitioning cad models of parts into simpler sub-parts for analysis of physical characteristics of the parts

Номер патента: WO2009137209A1. Автор: Steven J. Manson,Raymond C. Laning. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2009-11-12.

Routing storage structure based on directional grid points and routing method thereof

Номер патента: US8473889B2. Автор: Ji-Yun XIA. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Computational framework for modeling of physical process

Номер патента: US20230205955A1. Автор: Liang Min,Xiao Chen,Yijun Xu,Can Huang,Charanraj Thimmisetty,Charles Tong,Lamine Mili. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for noninvasive imaging of cardiac electrophysiological based on low rank and sparse constraints

Номер патента: US20190209035A1. Автор: Lin Fang,Huafeng LIU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2019-07-11.

Modeling of Non-Quasi-Static Effects During Hot Carrier Injection Programming of Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110282639A1. Автор: Keith Green,Borna Obradovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Classification relating to atrial fibrillation based on electrocardiogram and non-electrocardiogram features

Номер патента: US12064215B2. Автор: Christopher VILLONGCO. Владелец: Vektor Medical Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Routing storage structure based on directional grid points and routing method thereof

Номер патента: US20130104094A1. Автор: Ji-Yun XIA. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Kinematic modeling of biochemical pathways

Номер патента: US20220036964A1. Автор: Frank Russo,Andreas HOENSELAAR. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Model validation based on sub-model performance

Номер патента: US20230205668A1. Автор: Ashwin Chhetri,Rahul Jain V,Uttam Ramamurthy,Pankaj Saxena. Владелец: Cerner Innovation Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

System and method for partitioning cad models of parts into simpler sub-parts for analysis of physical characteristics of the parts

Номер патента: EP2289010A1. Автор: Steven J. Manson,Raymond C. Laning. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-03-02.

Method for deriving fault diagnosis rules of blast furnace based on deep neural network

Номер патента: US20210365784A1. Автор: Chunjie Yang,Xiaoke Huang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-11-25.

Method and Apparatus for Expressing High Availability Cluster Demand Based on Probability of Breach

Номер патента: US20090049332A1. Автор: MING Chen,Andrew Neil Trossman,Thomas Juergen Lumpp,Juergen Peter Schneider. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-19.

Method and Apparatus for Expressing High Availability Cluster Demand Based on Probability of Breach

Номер патента: US20100064167A1. Автор: MING Chen,Andrew Neil Trossman,Thomas Juergen Lumpp,Juergen Peter Schneider. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Method and apparatus for expressing high availability cluster demand based on probability of breach

Номер патента: US20060253725A1. Автор: MING Chen,Juergen Schneider,Andrew Trossman,Thomas Lumpp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-11-09.

Model Validation Based On Sub-Model Performance

Номер патента: US20240248828A1. Автор: Ashwin Chhetri,Rahul Jain V,Uttam Ramamurthy,Pankaj Saxena. Владелец: Cerner Innovation Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Data structure formation method and system based on multilayer graph

Номер патента: RU2739473C1. Автор: Виталий Алексеевич ШАРАНУЦА,Алексей Александрович БУЛАВИН. Владелец: Публичное Акционерное Общество "Сбербанк России" (Пао Сбербанк). Дата публикации: 2020-12-24.

Method, apparatus and device for measuring semiconductor structure

Номер патента: US20220277129A1. Автор: Xin Huang,Shih-shin Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Automatic component insertion and constraint based on previous-use data

Номер патента: EP2758902A1. Автор: Hailong Li,Mark G. Gibson. Владелец: Dassault Systemes SolidWorks Corp. Дата публикации: 2014-07-30.

Computer simulation of physical processes including modeling of laminar-to-turbulent transition

Номер патента: EP2920740A1. Автор: Yanbing Li,Raoyang Zhang,Hudong Chen,Ilya Staroselsky,Rupesh KOTAPATI,Richard SHOCK. Владелец: Exa Corp. Дата публикации: 2015-09-23.

Method for classifying the type of a vibrational mode and real-world object designed based on a classification comprising such a method

Номер патента: EP4047502A1. Автор: Andrii Kleshchonok,Gülce Cesur,Yury Dzerin,Maximilian Gowarzewski. Владелец: VOLKSWAGEN AG. Дата публикации: 2022-08-24.

Method for joint modeling of mean and dispersion

Номер патента: US8340945B2. Автор: Ramesh Natarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Systems And Methods For Integrated, Model, And Role-Based Management Of A Microgrid Based On Real-time Power Management

Номер патента: US20160246904A1. Автор: Kevin Meagher,Branislav Radibratovic. Владелец: Power Analytics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Decision tree data structure based processing system

Номер патента: US20240257249A1. Автор: David John Geddes,Arjun Parmar. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for browsing hierarchically based node-link structures based on an estimated degree of interest

Номер патента: CA2365222C. Автор: Stuart K. Card,David Nation. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Computing system with direct invalidation in a hierarchical cache structure based on at least one designated key identification code

Номер патента: US20230161704A1. Автор: Lei Yi,Weilin Wang,Yingbing Guan. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Source code structural inference based on indentation

Номер патента: US11853732B1. Автор: Albert Ziegler,Johan Sebastian Heesemann ROSENKILDE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Iterative test generation based on data source analysis

Номер патента: US20160292064A1. Автор: Hiroaki Yoshida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Cognitive Building of Medical Condition Base Cartridges Based on Gradings of Positional Statements

Номер патента: US20200185103A1. Автор: Corville O. Allen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Computing system with write-back and invalidation in a hierarchical cache structure based on at least one designated key identification code

Номер патента: US11971821B2. Автор: Lei Yi,Weilin Wang,Yingbing Guan. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Computing system with write-back and invalidation in a hierarchical cache structure based on at least one designated key identification code

Номер патента: US20230161703A1. Автор: Lei Yi,Weilin Wang,Yingbing Guan. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Reclustering of database tables based on peaks and widths

Номер патента: US20210200737A1. Автор: Thierry Cruanes,Jiaqi YAN,Prasanna Rajaperumal,William Waddington,Jeffrey Rosen,Abdul Munir. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Source code structural inference based on indentation

Номер патента: WO2023249765A1. Автор: Albert Ziegler,Johan Sebastian Heesemann ROSENKILDE. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Source code structural inference based on indentation

Номер патента: US20230409300A1. Автор: Albert Ziegler,Johan Sebastian Heesemann ROSENKILDE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Dynamic user dashboard based on artificial intelligence techniques

Номер патента: US20230394164A1. Автор: Shibi Panikkar,Naga Navya Nandini Nidhi Pavuluri. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-12-07.

Applying range-based filtering during query execution based on utilizing an inverted index structure

Номер патента: US20240111745A1. Автор: Greg R. Dhuse,Matthew Ashbeck,Anna Veselova,Benjamin Daniel Rabe,Richard George Wendel, III,Hassan Farahani. Владелец: Ocient Holdings LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Symbolic access of industrial device systems and methods based on an off-premise gateway device

Номер патента: US11994843B2. Автор: David C. Mazur,Robert J. Miklosovic,Jonathan Alan Mills,Rob A. Entzminger,Todd A. Wiese,Roberto S. MARQUES,Ryan Coon,Marius G. Chis. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Control of an automated test equipment based on temperature

Номер патента: US20230384361A1. Автор: Anton Thoma,Jens EDELMANN. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and platform for pre-trained language model automatic compression based on multilevel knowledge distillation

Номер патента: US20220198276A1. Автор: Hongsheng Wang,Enping WANG,Zailiang YU. Владелец: Zhejiang Lab. Дата публикации: 2022-06-23.

Reclustering of database tables based on peaks and widths

Номер патента: US20200356543A1. Автор: Thierry Cruanes,Jiaqi YAN,Prasanna Rajaperumal,William Waddington,Jeffrey Rosen,Abdul Munir. Владелец: Snowflake Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Distributed-memory parallel processing of finite elements based on contact pair splitting

Номер патента: US20240086582A1. Автор: yong-cheng Liu,Grama Bhashyam,Yongyi Zhu,Jeff Beisheim. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Hybrid model of fine-grained locking and data partitioning

Номер патента: US12013818B2. Автор: Vinay DEVADAS,Aditya Kulkarni,Matthew Curtis-Maury. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Evolutionary models of multiple sequence alignments to predict offspring fitness prior to conception

Номер патента: US20160034635A1. Автор: Nigel Delaney,Ari SILVER,Lee SILVER. Владелец: GenePeeks Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Automated discourse phrase discovery for generating an improved language model of a digital assistant

Номер патента: WO2019133856A2. Автор: David Patterson,Vladimir Dobrynin,Niall ROONEY. Владелец: Aiqudo, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Method and model of the universe

Номер патента: WO2007011588A3. Автор: James D Ahrens. Владелец: James D Ahrens. Дата публикации: 2009-05-07.

Method and model of the universe

Номер патента: WO2007011588A2. Автор: James D. Ahrens. Владелец: Ahrens James D. Дата публикации: 2007-01-25.

Automated discourse phrase discovery for generating an improved language model of a digital assistant

Номер патента: WO2019133856A3. Автор: David Patterson,Vladimir Dobrynin,Niall ROONEY. Владелец: Aiqudo, Inc.. Дата публикации: 2019-08-08.

Directory structure-based reading of configuration ROM

Номер патента: US20020129231A1. Автор: Mark JOHNSON,Stephen Jay,Srinivas Madhur,Diana Klashman. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Directory structure-based reading of configuration rom

Номер патента: WO2002073426A3. Автор: Mark R Johnson,Srinivas Madhur,Stephen A Jay,Diana C Klashman. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Directory structure-based reading of configuration rom

Номер патента: EP1410187A2. Автор: Mark R. Johnson,Stephen A. Jay,Diana C. Klashman,Srinivas Madhur. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Directory structure-based reading of configuration rom

Номер патента: WO2002073426A2. Автор: Mark R. Johnson,Stephen A. Jay,Diana C. Klashman,Srinivas Madhur. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-09-19.

Sequentially Constructive Model of Computation

Номер патента: US20140075419A1. Автор: Stephen R. Mercer,Reinhard von Hanxleden,Michael Mendler. Владелец: National Instruments Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

System and methods for modeling capabilities within system models of industrial systems

Номер патента: EP4332697A1. Автор: Christopher E. Stanek,Paul R. D'Mura,Lorenzo P. Majewski,James M. Geer II. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Computing device and method for updating a model of a building

Номер патента: US20240070336A1. Автор: Pavel Ivanov,Lauri Aarne Johannes Wirola,Henri Jaakko Julius NURMINEN,Marko Tapio Luomi. Владелец: Here Global BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Distributed-memory parallel processing of finite elements based on contact pair splitting

Номер патента: US20200218790A1. Автор: yong-cheng Liu,Grama Bhashyam,Yongyi Zhu,Jeff Beisheim. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Distributed-memory parallel processing of finite elements based on contact pair splitting

Номер патента: US11797727B2. Автор: yong-cheng Liu,Grama Bhashyam,Yongyi Zhu,Jeff Beisheim. Владелец: Ansys Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for subscriber-based adaptation of production-implemented machine learning models of a service provider using a training application

Номер патента: US20230162088A1. Автор: Steve Woodward,Stefan Larson,Shaun Becker. Владелец: DryvIQ Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Modeling of Ferroelectric Capacitors to Include Local Statistical Variations of Ferroelectric Properties

Номер патента: US20100299115A1. Автор: Keith R. Green,Scott R. Summerfelt,Borna Obradovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-11-25.

Method, apparatus, and program for generating a simulation model of a space

Номер патента: US20150142393A1. Автор: Sven Van Den Berghe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Dynamically trained models of named entity recognition over unstructured data

Номер патента: US12050871B2. Автор: Sudipto Shankar Dasgupta,Kamesh Raghavendra. Владелец: Zuora Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

System and method to improve graphic user interface content layout based on usage information

Номер патента: US20210149690A1. Автор: Parminder Singh Sethi,Madhuri Dwarakanath. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for predicting remaining useful life (rul) of aero-engine based on automatic differential learning deep neural network (adldnn)

Номер патента: US20230141864A1. Автор: Yi Qin,Jun Luo,Huayan Pu,Quan QIAN,Sheng Xiang. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2023-05-11.

System, Method, and, Computer Products for One-Dimensional Hydrologic and Hydraulic Modeling of Stream Networks

Номер патента: US20230376641A1. Автор: Kranti Kumar Bandi,Brendan Allen Barnes. Владелец: Interstate Bakeries Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Modeling of liquid-gas meniscus dynamics for arbitrary nozzle geometries

Номер патента: US20240211655A1. Автор: Morad Behandish,Christoforos Somarakis,Svyatoslav Korneev,Adrian Lew,Soren Taverniers. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Tooth disease classification method based on federated learning (fl)

Номер патента: US20230334668A1. Автор: Xiaodong Li,Zhengsheng YU,Zhaozhe GONG. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2023-10-19.

Generating test data from samples using natural language processing and structure-based pattern determination

Номер патента: EP3249547A1. Автор: Sanjay PODDER,Neville Dubash,Janardan Misra,Rashmi Singh,Milind Savagaonkar,Venkat SURYA. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2017-11-29.

Knowledge point structure-based search apparatus

Номер патента: US20180300336A1. Автор: Hong Tan,Zhengfang Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-10-18.

Persistent memory storage engine device based on log structure and control method thereof

Номер патента: US20210019257A1. Автор: Jiwu SHU,Youmin Chen,Bohong ZHU,Youyou Lu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-01-21.

Predicting potential incident event data structures based on multi-modal analysis

Номер патента: US11983186B2. Автор: Bhabesh Acharya,Prajosh Thaykandy,Raja Sekhar Kommoju,Raja Pratap Kondamari. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for optimizing furniture structure based on grey Taguchi method

Номер патента: GB2624726A. Автор: HUANG KAI,Yang Yang,ZHANG Zhongfeng,Wang Yufan,Yang Xinyang,Zhang Jijuan. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2024-05-29.

Die yield assessment based on pattern-failure rate simulation

Номер патента: EP3906495A1. Автор: John L. Sturtevant,Young Chang Kim,Christopher Clifford,Andrew BURBINE. Владелец: Siemens Industry Software Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

Intelligent layout design method of curvilinearly stiffened structures based on image feature learning

Номер патента: US20220138582A1. Автор: Peng Hao,Gang Li,BO Wang,Yunfeng Shi,Kunpeng Zhang,Yutong Wang,Dachuan LIU,Yuhui DUAN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-05-05.

Systems and methods for managing, distributing and deploying a recursive decisioning system based on continuously updating machine learning models

Номер патента: US12039424B2. Автор: Alex Muller. Владелец: Savvi Ai Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method and model of big data processing and forming oriented to value-adding of data asset

Номер патента: LU506478B1. Автор: Ying Lu,Rong Xie,Wenhao Huang,Haotong Zhang,Deyu Qi,zijiang Zhu,Fengmin Yao. Владелец: South China Business College Of Guangdong Univ Of Foreign Studies. Дата публикации: 2024-06-28.

Systems and methods for managing, distributing and deploying a recursive decisioning system based on continuously updating machine learning models

Номер патента: US20240249201A1. Автор: Alex Muller. Владелец: Savvi Ai Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Tailoring a multi-channel help desk environment based on machine learning models

Номер патента: US20230053913A1. Автор: Thiago Bianchi,Carlos Demetrio de Souza,Edinar Lopes de Aquino Junior,Adriana Pellegrini Furnielis,Andre Barros Venancio. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Containerized modeling of device updates or modifications via digital twins

Номер патента: EP4345616A1. Автор: Chris Softley,Michael J. Anthony,Tim S. Biernat,David C. Mazur,Patrick E. Ozimek,Jonathan Alan Mills,Rob A. Entzminger,Nathaniel S. Sandler,Jr. Bruce T. McCleave. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Automatic modeling of online learning propensity for target identification

Номер патента: US20210241320A1. Автор: Gungor Polatkan,Mahesh S. Joshi,Deepak Kumar Dileep Kumar,Sneha S. Chaudhari. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Method and system for modeling of a differential bus device

Номер патента: WO2006057872A3. Автор: Mahesh Siddappa. Владелец: Mahesh Siddappa. Дата публикации: 2007-05-18.

Method and system for modeling of a differential bus device

Номер патента: WO2006057872A2. Автор: Mahesh Siddappa. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-06-01.

Ergonomic evaluation method and simulation system based on virtual-real fusion

Номер патента: US20240289934A1. Автор: Luyang Li,Mei Wang,Qianqian Huang,Haigen YANG,Erhan DAI. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2024-08-29.

Discontinuity modeling of computing functions

Номер патента: US20240281577A1. Автор: Yuting YANG,Adam Finkelstein,Connelly Stuart Barnes,Andrew Bensley Adams. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Instruction cache management based on temporal locality

Номер патента: US10846228B2. Автор: Benjamin C. Serebrin,Kim Hazelwood. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2020-11-24.

Memory efficient scalable distributed static timing analysis using structure based self-aligned parallel partitioning

Номер патента: US11922106B2. Автор: Qiuyang Wu,Abhishek NANDI,Yogesh Dilip SAVE. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Structure-based multi-intent email classification

Номер патента: US11893051B2. Автор: Emmanuel Munguia Tapia,Abhishek MUKHERJI,Anshuma Chandak. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and methods for generating multidimensional data structures based on fantasy sports account activity

Номер патента: US11798357B2. Автор: Jordan Mendell,Frank LO,Alexander John KRUSZ,Brendan Thompson GROVE,Rick Sawyer. Владелец: Draftkings Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Techniques for controlling spatial structure of nucleic acid structures based on lattice-free, three dimensional junction coordinates

Номер патента: US10289799B2. Автор: Mark Bathe,Do-nyun Kim,Keyao PAN. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-05-14.

Rapid and accurate modeling of a building construction structure including estimates, detailing, and take-offs using artificial intelligence

Номер патента: US20220391627A1. Автор: Benjamin John Powles,Stephen James THOMAS,Shaveer Rajan Mirpuri. Владелец: BuildingestimatesCom Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Tissue microenvironment analysis based on tiered classification and clustering analysis of digital pathology images

Номер патента: US20220108123A1. Автор: Rohit Bhargava,Shachi Mittal. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for generating multidimensional data structures based on fantasy sports account activity

Номер патента: US20240046743A1. Автор: Jordan Mendell,Frank LO,Alexander John KRUSZ,Brendan Thompson GROVE,Rick Sawyer. Владелец: DK Crown Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for identifying modal parameters of engineering structures based on fast stochastic subspace identification

Номер патента: US20240070224A1. Автор: Shuai Li,Jie Wang,Yufeng Zhang,Xiangdong Qian,Maosen CAO,Dragoslav SUMARAC,Qingyang Wei,Emil MANOACH. Владелец: Jiangsu Dongjiao Intelligent Control Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure-based multi-intent email classification

Номер патента: US20230195772A1. Автор: Emmanuel Munguia Tapia,Abhishek MUKHERJI,Anshuma Chandak. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Generating and analyzing material structures based on neural networks

Номер патента: US20230401361A1. Автор: Gianina Alina Negoita,Wesley TESKEY. Владелец: Volkswagen Group of America Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Techniques for Controlling Spatial Structure of Nucleic Acid Structures Based on Lattice-free, Three Dimensional Junction Coordinates

Номер патента: US20160103951A1. Автор: Mark Bathe,Do-nyun Kim,Keyao PAN. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-04-14.

Data-structure based dynamic program targeting control

Номер патента: US20200133754A1. Автор: Bruce A. Liikanen,Larry J. Koudele,Michael Sheperek,James P. CROWLEY,Stuart A. Bell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Learning method and device for alzheimer prediction model based on domain adaptation

Номер патента: US20240221946A1. Автор: Hyunjung Shin,Chang Hyung HONG,Sang Joon SON,Hyun Woong Roh,Sunghong Park. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for transmitting optical signals using externally supplied light beam

Номер патента: US6757095B2. Автор: Ken A. Nishimura. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-06-29.

Semiconductor structure and method for transmitting optical signals using externally supplied light beam

Номер патента: US20030201444A1. Автор: Ken Nishimura. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-10-30.

Methods And Systems For Model-less, Scatterometry Based Measurements Of Semiconductor Structures

Номер патента: US20240085321A1. Автор: LIANG Yin,Jeremy Smith,John Hench,Boxue Chen,Hyowon Park,Christopher Liman,Tianhan Wang,Akshay Krishna. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods and systems for model-less, scatterometry based measurements of semiconductor structures

Номер патента: WO2024054388A1. Автор: LIANG Yin,Jeremy Smith,John Hench,Boxue Chen,Hyowon Park,Christopher Liman,Tianhan Wang,Akshay Krishna. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and techniques for measuring model sensitivity and feature importance of machine learning models

Номер патента: US20240242116A1. Автор: Akshay Rangesh,Chingiz Tairbekov. Владелец: GM Cruise Holdings LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Calibration Of Parametric Measurement Models Based On In-Line Wafer Measurement Data

Номер патента: US20240102941A1. Автор: David Wu,Song Wu,Emily Chiu,Brian C. Lin,Tianrong ZHAN,Andrew Lagodzinski. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for tracking an expanded state of a moving object using a compound measurement model

Номер патента: US11914023B2. Автор: Gang Yao,Karl Berntorp,Philip Orlik,Petros Boufounos,Pu Wang,Hassan Mansour. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

System and method for tracking an expanded state of a moving object using a compound measurement model

Номер патента: EP4143604A1. Автор: Gang Yao,Karl Berntorp,Philip Orlik,Petros Boufounos,Pu Wang,Hassan Mansour. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

System and method for tracking an expanded state of a moving object using a compound measurement model

Номер патента: WO2022234695A1. Автор: Gang Yao,Karl Berntorp,Philip Orlik,Petros Boufounos,Pu Wang,Hassan Mansour. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Calibration of parametric measurement models based on in-line wafer measurement data

Номер патента: WO2024072660A1. Автор: David Wu,Song Wu,Emily Chiu,Brian C. Lin,Tianrong ZHAN,Andrew Lagodzinski. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2024-04-04.

A method for three-dimensional reconstruction of ultra-thin multilayer graphic micro-nano structures based on fusion of light field information

Номер патента: NL2037345A. Автор: Wu Miao,Xie Zhongye,Ding Wenxia. Владелец: Univ Dongguan Technology. Дата публикации: 2024-04-18.

Deep generative modeling of smooth image manifolds for multidimensional imaging

Номер патента: US20220222781A1. Автор: MATHEWS Jacob,Qing ZOU. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 2022-07-14.

Non-contact image-based blood pressure measurement method and system based on advanced visual intelligence

Номер патента: US20240108235A1. Автор: Jong-Ha Lee,Dae Jin Jang,Beomjoon Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Keimyung University. Дата публикации: 2024-04-04.

High-Performance Supercapacitors Based on Metal Nanowire Yarns

Номер патента: US20180090283A1. Автор: Ian W. Hunter,Seyed M. Mirvakili. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-29.

High-Performance Supercapacitors Based on Metal Nanowire Yarns

Номер патента: US20160064156A1. Автор: Ian W. Hunter,Seyed M. Mirvakili. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for placement of prospecting, exploration and production wells on oil and gas fields based on multi-variant three-dimensional geological models

Номер патента: RU2578733C2. Автор: Иван Сергеевич Путилов,Денис Владимирович Потехин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг" (ООО "ЛУКОЙЛ-Инжиниринг"). Дата публикации: 2016-03-27.

Method for determining the spatial position of a vehicle based on gnss-ins using a single antenna

Номер патента: RU2662462C1. Автор: Цян ЖЭНЬ,Сюэфэн ШЭНЬ,Гуанъян ДУН,Сянхуэй ЧЭ,Гуанцзе ЦАО,Жуй ТУ. Владелец: Шанхай Хуацэ Навигейшн Текнолоджи Лтд.. Дата публикации: 2018-07-26.

Monitoring of a structure based on dynamic models of its parameters

Номер патента: WO2023058075A1. Автор: Elisabetta Fersini,Antonio Candelieri. Владелец: UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA. Дата публикации: 2023-04-13.

Monitoring of a structure based on dynamic models of its parameters

Номер патента: EP4413346A1. Автор: Elisabetta Fersini,Antonio Candelieri. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for automatic selection of optimum parameters of plants growing based on methods of machine learning

Номер патента: RU2723189C1. Автор: Артем Антонович НИКИТИН,Дмитрий Германович ШАДРИН,Илья Александрович ФАСТОВЕЦ,Мария Алексеевна ПУКАЛЬЧИК,Иван Валерьевич ОСЕЛЕДЕЦ. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2020-06-09.

Prediction Model of Curative Efficacy of Immune Checkpoint Inhibitor for Primary Liver Cancer Based on Body Compositions and Construction Method Thereof

Номер патента: LU504206B1. Автор: Li Liu,Lushan Xiao,Ruining Li. Владелец: Nanfang Hospital Southern Medical Univ. Дата публикации: 2023-11-14.

Method and system for predicting a binding affinity of protein structures based on deep learning

Номер патента: US20240221863A1. Автор: Joel Joseph,Sudhanshu Kumar,Ansh Gupta. Владелец: Innoplexus AG. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of building a three-dimensional model of an object and methods of longitudinal study of the object

Номер патента: WO2024157262A1. Автор: Vardit Eckhouse,Saar WOLLACH,Iddo GOREN. Владелец: Cherry Imaging Ltd.. Дата публикации: 2024-08-02.

Method for calculating theoretical power of a wind farm based on extrapolation of anemometer tower data

Номер патента: US20160025070A1. Автор: LIANG Lu,Qiang Zhou,Ming Ma,Long Zhao,Ning-Bo Wang,Qing-Quan Lv,Yan-Hong Ma,Guang-Tu Liu,Huai-Sen Jia,Zi-Fen Han,Ding-Mei Wang,Jian-Mei Zhang. Владелец: Wind Power Technology Center of Gansu Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Bird recognition method based on deep learning

Номер патента: AU2021100097A4. Автор: Alok Kumar Srivastava,Lalit Mohan Goyal,Sunny Behal,Anu Saini,Surender. Владелец: Goyal Lalit Mohan Dr. Дата публикации: 2021-04-01.

Measurement platform that automatically determines wear of machine components based on images

Номер патента: US20190392569A1. Автор: Nolan Finch,Lingyu Ma. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Enhanced pose generation based on conditional modeling of inverse kinematics

Номер патента: US20210312689A1. Автор: Elaheh Akhoundi,Fabio Zinno. Владелец: Electronic Arts Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Autoregression image abnormity detection method of enhancing latent space based on memory

Номер патента: US12100200B2. Автор: Xing Xu,Ke Jia,Tian Wang,Fumin Shen,Hengtao SHEN. Владелец: Chengdu Koala Uran Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and system for tooth wear detection on a virtual model of teeth

Номер патента: WO2024188879A1. Автор: Jens Peter TRÄFF. Владелец: 3Shape A/S. Дата публикации: 2024-09-19.

Immunogen design based on b-cell line differentiation using humanised animals

Номер патента: RU2664187C2. Автор: Джордж Д. ЯНКОПУЛОС,Эндрю Дж. МЕРФИ,Джон МАКВИРТЕР,Линн МАКДОНАЛЬД,Каган ГУРЕР,Бартон ХЭЙНС,Гамэтт КИЛСОИ,Исраэл ЛОВИ,Арис И. БЭРЭС,Каролина А. МИЭР. Владелец: Дьюк Юниверсити. Дата публикации: 2018-08-15.

Method and device for enhanced seismic imaging based on one-way wave equation

Номер патента: US20200209419A1. Автор: Min Zhou. Владелец: China Petroleum and Chemical Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Computing integral transforms based on physics informed neural networks

Номер патента: WO2024003092A1. Автор: Niraj Kumar,Vincent Emanuel ELFVING,Evan Philip. Владелец: Qu&Co R&D B.V.. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for classification of basal cell carcinoma based on confocal microscopy

Номер патента: WO2023249552A1. Автор: Li Lin,Jun Xie,Steven Tien Guan THNG,Sai Yee CHUAH,Wai-Kin Adams Kong. Владелец: National Skin Centre (Singapore) Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Image enhancement based on removal of image degradations by learning from multiple machine learning models

Номер патента: WO2024058804A9. Автор: Peyman Milanfar,Sungjoon Choi,Mauricio DELBRACIO,Hossein TALEBI. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Dual uv overlay display method based on 3d model on web side

Номер патента: LU502860B1. Автор: Haifeng Zhou. Владелец: Beijing Mimu Digital Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Condition-based maintenance method and system for subsea tree system based on remaining useful life prediction

Номер патента: AU2021104410A4. Автор: RUI He,Honghui Wang,Qiang FENG,Yanping Zhang,Yonghong Liu,Baoping CAI,Yuandong WANG,Xincheng Li,Weifeng Ge,Guijie LIU,Qibing WU,Qilin WU,Xiaolu Wu,Zhexian Zou. Владелец: CNOOC Safety and Technology Services Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Method, apparatus, and storage medium for three-dimensional reconstruction of buildings based on missing point cloud data

Номер патента: US20240257462A1. Автор: Bin Zhang,Jiangping Chen,Bohua WANG,Zizhu LIANG. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for Determining Number of Simultaneous Stopes in Unmanned Mining Based on Shortest Operation Time

Номер патента: LU500864B1. Автор: Yujun Wang,Hongzhen Niu,Xiuwen Chi. Владелец: Univ Wuhan Tech. Дата публикации: 2022-05-17.

System, apparatus and method for calibrating simulation model of one or more assets

Номер патента: EP4220485A1. Автор: Akash MITTAL,Vinay Ramanath,Till Heinzerling,Aswin VENUGOPAL,Manuel Mettenleiter. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for judgment of cheddar grade based on identification characteristic flavor composition

Номер патента: US20200080976A1. Автор: Li Tan,Jing Wang,Baoguo Sun,Bei Wang,Yanping Cao,Zhennai Yang. Владелец: Beijing Technology and Business University. Дата публикации: 2020-03-12.

Method and system for optimizing a manufacturing process based on a surrogate model of a part

Номер патента: EP4167034A1. Автор: Eric John Ruggiero,James Tallman,Pradeep SALAPAKKAM. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-04-19.

Parking lot management and control method based on object activity prediction, and electronic device

Номер патента: US20230222844A1. Автор: Geni Xue. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Systems and methods for generating augmented reality content based on distorted three-dimensional models

Номер патента: US20220092857A1. Автор: Daniel Beauchamp,Juho Mikko Haapoja,Byron Leonel Delgado,Maas Mansoor Ali Lalani,Stephan Leroux. Владелец: Shopify Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

System and method for roadside assistance provider selection based on demand

Номер патента: US20240257166A1. Автор: Kristopher Mark Valas,Swathi Polavarapu,William John Benjamin,Quoc Bao Vo. Владелец: Allstate Insurance Co. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for estimating tooth wear type on a virtual model of teeth

Номер патента: WO2024188887A1. Автор: Jens Peter TRÄFF. Владелец: 3Shape A/S. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for operational identification of marine targets by their information fields based on neuro-fuzzy models

Номер патента: RU2763125C1. Автор: Валерий Александрович Пятакович,Олег Адольфович Алексеев,Наталья Владиславовна Пятакович,Алина Валерьевна Филиппова. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2021-12-27.

System for operational identification of marine targets by their information fields based on neuro-fuzzy models

Номер патента: RU2763384C1. Автор: Валерий Александрович Пятакович. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2021-12-28.

Method and system for generating and/or repairing a surface model of a geometric structure

Номер патента: EP2764498A2. Автор: Jeffrey A. Schweitzer,Eric J. Voth,Carlos Carbonera. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2014-08-13.

Method and system for generating and/or repairing a surface model of a geometric structure

Номер патента: WO2013081655A2. Автор: Jeffrey A. Schweitzer,Eric J. Voth,Carlos Carbonera. Владелец: St. Jude Medical, Atrial Fibrillation Division, Inc.. Дата публикации: 2013-06-06.

Determining three-dimensional (3d) object data models based on object movement

Номер патента: WO2014014562A1. Автор: Ryan Hickman,James R. Bruce,Arshan Poursohi,James J. Kuffner,Anthony Gerald Francis. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2014-01-23.

Determining three-dimensional (3d) object data models based on object movement

Номер патента: EP2836987A1. Автор: Ryan Hickman,James R. Bruce,Arshan Poursohi,James J. Kuffner,Anthony Gerald Francis. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2015-02-18.

Job-shop batch scheduling method based on d3qn and genetic algorithm

Номер патента: US20240211825A1. Автор: Yanping Xu,Hua Zhang,Zhiqiang Wang,Yifan Wu,Guojun Dai,Tingcong Ye. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2024-06-27.

Sequence recommendation method based on extracting and modeling of complex multi-mode user interests

Номер патента: GB2626220A. Автор: Zhang Xin,Chen Jianjiang,Wang Dongjing,Yu Dongjin,Xiang Zhengzhe. Владелец: Hdu Binjiang Res Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Wind turbine tower drum curvature detection method based on static 3d laser scanning

Номер патента: NL2032790B1. Автор: Zhao Yue,ZHAO Zhixiang,ZHAO Yanling,Lv Baoxiong,Cao Junheng,Lv Zhongliang. Владелец: Powerchina Northwest Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2023-05-23.

Method and apparatus for providing film stress measurements based on substrate displacement

Номер патента: US20020066310A1. Автор: Anton Jachim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Methods and systems for 3D modeling of a human subject having hair based on 2D imagery

Номер патента: US12051155B2. Автор: Denny Breitenfeld,Ching-Kit CHAN,Solmaz Hajmohammadi. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and system for generating a multi-dimensional surface model of a geometric structure

Номер патента: EP2798544A1. Автор: JIANG Qian,Eric J. Voth,Daniel R. Starks,Carlos Carbonera,Vasily Vylkov. Владелец: St Jude Medical Atrial Fibrillation Division Inc. Дата публикации: 2014-11-05.

Control of a physical system based on inferred state

Номер патента: US11620517B2. Автор: Max Welling,Volker Fischer,Victor Garcia Satorras,Zeynep Akata. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-04.

Wind turbine tower drum curvature detection method based on static 3d laser scanning

Номер патента: NL2032790A. Автор: Zhao Yue,ZHAO Zhixiang,ZHAO Yanling,Lv Baoxiong,Cao Junheng,Lv Zhongliang. Владелец: Powerchina Northwest Eng Corp Ltd. Дата публикации: 2022-09-23.

Method and system for testing a classification machine learning (ml) model of a tenant of a service provider, in a cloud-based environment

Номер патента: US20240281672A1. Автор: Amir Shachar,Sunny THOLAR,Ori Snir. Владелец: Actimize Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Image processing apparatus that generates model of object, image processing method, and storage medium storing program thereof

Номер патента: US20220230393A1. Автор: Shogo Sato,Naohito Nakamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Monte Carlo modeling of thorium blanket field calibrators

Номер патента: US11175432B2. Автор: James E. Galford. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Method for building image reading model based on capsule endoscope, device, and medium

Номер патента: US20240188791A1. Автор: Tianyi Yangdai. Владелец: ANX IP Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Data processing system for quantifying geologic growth history of subsurface oil field structures based on structural growth indications

Номер патента: US20190235110A1. Автор: Schuman Wu. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-08-01.

Quantifying geologic growth history of subsurface oil field structures based on structural growth indications with instructions from data storage device

Номер патента: US20190235111A1. Автор: Schuman Wu. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-08-01.

Simulating models of relative risk forecasting in a network system

Номер патента: US20230419221A1. Автор: Jason C. Sheppard,Jennifer Dick,Mark Vasudevan. Владелец: Truist Bank. Дата публикации: 2023-12-28.

High-efficiency end-fire 3d optical phased array based on multi-layer platform

Номер патента: WO2021178398A1. Автор: Ya Sha YI,Da Chuan WU. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-09-10.

Developing a three-dimensional quality factor model of a subterranean formation based on vertical seismic profiles

Номер патента: US20210286097A1. Автор: Husain Salman Nasser,Ali Ahmed Shaikh SULAIMAN. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2021-09-16.

Traditional Ancient Village Propagation System and Method Based on Multimedia Digital Technology

Номер патента: LU101695B1. Автор: Hao Yang,Benjian Li,Yuhui Gui,Lingting Bai. Владелец: Univ Guilin Technology. Дата публикации: 2020-09-21.

Method for learning a target object by extracting an edge from a digital model of the target object, and a method for augmenting a virtual model on a real object corresponding to the digital model of the target object using the same

Номер патента: US20240127456A1. Автор: Thorsten Korpitsch. Владелец: Virnect Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus and method for matching the real surgical image with the 3D-based virtual simulated surgical image based on POI definition and phase recognition

Номер патента: US11986248B2. Автор: Seung Bum Hong,Sung Jae Kim,Min Kook CHOI,Nak Jun SUNG,Ye Jin HAN. Владелец: Hutom Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

High-efficiency end-fire 3d optical phased array based on multi-layer platform

Номер патента: WO2021178398A9. Автор: Ya Sha YI,Da Chuan WU. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-11-04.

Sound source modeling of drones and the synthesis in indoor environments towards acoustics-based indoor localization

Номер патента: US20230366697A1. Автор: Alexander Bronstein,Tom Hirshberg. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Patient-customized electrode arrays based on patient-specific cochlear information, and designing/selecting methods and applications of same

Номер патента: WO2018200447A1. Автор: Robert F. Labadie,Benoit M. Dawant,Jack H. Noble. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-01.

Fit prediction based on feature detection in image data

Номер патента: US20240249477A1. Автор: Mayank Bhargava,Idris Syed Aleem. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Merging three-dimensional models based on confidence scores

Номер патента: WO2013166023A1. Автор: Tilman Reinhardt,Brett Allen,Aleksey Golovinskiy,Michael Hongnai LIN. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

Neural architecture search method based on knowledge distillation

Номер патента: US20220156596A1. Автор: Kwan Woo Park. Владелец: AImatics Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Generating digital models of relative yield of a crop based on nitrate values in the soil

Номер патента: EP3389354A1. Автор: Ying Xu,Ankur Gupta,Lijuan Xu. Владелец: Climate Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

3d modeling based on neural light field

Номер патента: US20230306675A1. Автор: Zeng Huang,Huan WANG,Sergey Tulyakov,Kyle Olszewski,Jian Ren,Menglei Chai. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Model of Brand Health

Номер патента: US20230214860A1. Автор: Munir Tolga AKCURA. Владелец: OZYEGIN UNIVERSITESI. Дата публикации: 2023-07-06.

Neural architecture search method based on knowledge distillation

Номер патента: US12051004B2. Автор: Kwan Woo Park. Владелец: AImatics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

3d modeling based on neural light field

Номер патента: US20240273809A1. Автор: Zeng Huang,Huan WANG,Sergey Tulyakov,Kyle Olszewski,Jian Ren,Menglei Chai. Владелец: Snap Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Digital modeling of probabilistic crop yields for implementing agricultural field trials

Номер патента: US12052943B1. Автор: Gardar Johannesson,Hunter MERRILL. Владелец: Climate LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Visual presentation of gingival line generated based on 3D tooth model

Номер патента: US12064311B2. Автор: Yingjie Li,Chao Shi,Yun Gao,Andrey BUSHEV. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for implementing actions based on activity data acquired during a point of sale function

Номер патента: US20200019914A1. Автор: Dean Frederick Herring,Susan Winter Brosnan,Daniel Robert Goins,Patricia Stephany Hogan,Jessica S. K. Snead. Владелец: Toshiba Global Commerce Solutions Holdings Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

High-efficiency end-fire 3D optical phased array based on multi-layer platform

Номер патента: US12061407B2. Автор: Ya Sha YI,Da Chuan WU. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-08-13.

Determination of task urgency based on acoustic features of audio data

Номер патента: WO2022164646A1. Автор: Elnaz NOURI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for predicting oxygen load in iron and steel enterprises based on production plan

Номер патента: US11755976B2. Автор: Wei Wang,FENG Jin,Jun Zhao,Guanghui Yang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2023-09-12.

Flow field measurement device and method for scale model of natural gas hydrate reservoir

Номер патента: US11746647B2. Автор: Yu Zhang,Yi Wang,Gang Li,Xiaosen Li,Zhaoyang Chen,Zhiming XIA. Владелец: Guangzhou Institute of Energy Conversion of CAS. Дата публикации: 2023-09-05.

Computer modeling of project management process

Номер патента: US20090319323A1. Автор: Ilya M. Fishman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-24.

Petrophysical Modeling of a Subterranean Formation

Номер патента: US20240319404A1. Автор: Majed Fareed Kanfar,Christon Achong,Nerio Jose Quintero Tudares,Fatima Alkaba. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Determination of task urgency based on acoustic features of audio data

Номер патента: US12080286B2. Автор: Elnaz NOURI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Determination of task urgency based on acoustic features of audio data

Номер патента: EP4285362A1. Автор: Elnaz NOURI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-06.

Computer-based modelling of ligand/receptor structures

Номер патента: WO2002016930A3. Автор: Mohammad Michel Afshar,Stephen David Morley. Владелец: Stephen David Morley. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for diagnosing multiple cracks in cantilever beam structure based on natural frequency

Номер патента: AU2021103704A4. Автор: Xuejun Li,Hongguang Li,Shuaiping Guo,Dalian YANG,Yibao Zhang. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for detecting a pomelo flesh mass edible ratio based on x-ray images

Номер патента: US20240233110A1. Автор: LIN Li,Yibin Ying,Yuchen Zhang,Huirong Xu. Владелец: Zhejiang Kepler Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Device of providing content recommendation information based on relationship learning model of rendering information and method of operating same

Номер патента: US20240212021A1. Автор: Ju Sung LEE,Jong Seon HONG. Владелец: Archidraw Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Adaptative modeling of surface noise during remote distance measurement

Номер патента: AU2001292507A1. Автор: Martin Svensson,Niklas Persson,Fredrik Neregard. Владелец: SAAB AB. Дата публикации: 2002-04-22.

Systems and methods for generating patient models based on ultrasound images

Номер патента: US20240164758A1. Автор: Meng Zheng,ABHISHEK Sharma,Ziyan Wu,Shanhui Sun,Benjamin PLANCHE,Arun Innanje. Владелец: Shanghai United Imaging Intelligence Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Developing a hybrid model of a biochemical fermentation process

Номер патента: US20240018451A1. Автор: Junichi Hirota,Parth Shah,Joseph Kwon,Costas KRAVARIS,Mohammed Ziyan SHERIFF,Mohammed Saad Faizan BANGI,Chiranjivi BOTRE. Владелец: Kaneka Americas Holding Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Optimizing communication channels for user communications based on improved channel attributions

Номер патента: US20240177190A1. Автор: Parmita Biswas,Anoop Kumar Gopinatha,Manish Pasrija. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Updates on context modeling of occupancy coding for point cloud coding

Номер патента: US12080035B2. Автор: WEN Gao,Xiang Zhang,Shan Liu. Владелец: Tencent America LLC. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of acoustic-emission control of defects in composite structures based on carbon

Номер патента: RU2674573C1. Автор: Людмила Николаевна Степанова,Сергей Иванович Кабанов,Илья Сергеевич Рамазанов,Валентина Викторовна Чернова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2018-12-11.

Process independent temperature sensor based on oscillator

Номер патента: US20130156069A1. Автор: Woo Seok Yang,Jongdae Kim,Seok Ju Yun,Jong-Kee Kwon,Tae Moon Roh,Young-Deuk Jeon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-06-20.

A method and apparatus for refining a model of an anatomical structure in an image

Номер патента: US20210279886A1. Автор: Rolf Jurgen Weese,Jochen Peters,Frank Michael WEBER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2021-09-09.

Detecting Internal Cavity of Timber Structures Based on Machine Hearing

Номер патента: AU2021105530A4. Автор: Cheng Yuan,Lin Chen,Haibei XIONG,Qingzhao Kong. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-14.

A method and apparatus for refining a model of an anatomical structure in an image

Номер патента: EP3491622A1. Автор: Rolf Jurgen Weese,Jochen Peters,Frank Michael WEBER. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2019-06-05.

A method for monitoring a structure based on measurements of a plurality of sensors

Номер патента: EP2815221A1. Автор: Ilya Mokhov,Alexey Kozionov,Alexander Pyayt. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2014-12-24.

A method for monitoring a structure based on measurements of a plurality of sensors

Номер патента: WO2013144066A1. Автор: Ilya Mokhov,Alexey Kozionov,Alexander Pyayt. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2013-10-03.

Training method and training device for defect detection model of battery cell

Номер патента: EP4343691A1. Автор: Zhiyu Wang,Guannan JIANG,Annan Shu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Method for constructing input-output model of environmental resources of river basins

Номер патента: AU2021100703A4. Автор: BIN Li,Hiroyuki Shibusawa. Владелец: Jiaxing University. Дата публикации: 2021-04-22.

Method, system, and computer program for generating 3d models of dentures in occlusion conditions

Номер патента: US20240144598A1. Автор: Xavier Ripoche,Pascal NARCISSE,Luc GILLIBERT,Jean-Pascal JACOB. Владелец: Carestream Dental LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Automated configuration of factories based on the configuration of products to be manufactured

Номер патента: WO2017013108A1. Автор: Andreas Falkner,Deepak Dhungana,Alois Haselböck. Владелец: SIEMENS AG ÖSTERREICH. Дата публикации: 2017-01-26.

System and method for management of inference models of varying complexity

Номер патента: US20240177179A1. Автор: Jehuda Shemer,Tomer Kushnir,Ofir Ezrielev. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-05-30.

Updating a model of a subterranean structure using decomposition

Номер патента: WO2009092065A1. Автор: David E. Nichols,Konstantin Osypov,Can Enren Yarman. Владелец: Geco Technology B.V.. Дата публикации: 2009-07-23.

Structural-based inhibitors of the glutathione binding site in aldose reductase, methods of screening therefor and methods of use

Номер патента: WO2008002678A3. Автор: Satish K Srivastava,Kota V Ramana. Владелец: Kota V Ramana. Дата публикации: 2008-10-16.

Structural-based inhibitors of the glutathione binding site in aldose reductase, methods of screening therefor and methods of use

Номер патента: EP2032145A2. Автор: Satish K. Srivastava,Kota V. Ramana. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2009-03-11.

Structural-based inhibitors of the glutathione binding site in aldose reductase, methods of screening therefor and methods of use

Номер патента: US20100016404A1. Автор: Satish K. Srivastava,Kota V. Ramana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Structural-based inhibitors of the glutathione binding site in aldose reductase, methods of screening therefor and methods of use

Номер патента: US8551997B2. Автор: Satish K. Srivastava,Kota V. Ramana. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2013-10-08.

Automated configuration of factories based on the configuration of products to be manufactured

Номер патента: EP3289537A1. Автор: Andreas Falkner,Deepak Dhungana,Alois Haselböck. Владелец: Siemens AG Oesterreich. Дата публикации: 2018-03-07.

System and method for validation and correction of real-time sensor data for a plant using existing data-based models of the same plant

Номер патента: WO2020040764A1. Автор: Chao Yuan,Amit Chakraborty,Arindam Dasgupta,Feipeng Zhao,Charles A. CARLSON JR.. Владелец: Siemens Corporation. Дата публикации: 2020-02-27.

A system and method for constructing mathematical models of technological processes and training these models

Номер патента: WO2021015709A1. Автор: Mikhail Andreevich SUPRUNOV,Dmitry Nikolaevich SHALUPKIN,Sergey Yurievich DEVYATKOV,Evgenii Dmitrievich BUNIN. Владелец: Chemical Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

Structural-based inhibitors of the glutathione binding site in aldose reductase, methods of screening therefor and methods of use

Номер патента: US20060110814A1. Автор: Satish Srivastava,Aurni Bhatnagar,Kota Ramana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-25.

Invertible models of cardiac function

Номер патента: WO2024163167A1. Автор: Nathan Bays,Brian SCHRIVER. Владелец: Valo Health, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Pixel-based AI modeling of player experience for gaming applications

Номер патента: US12076645B2. Автор: Lars Henriksen,Christoffer Holmgård Pedersen,Benedikte Mikkelsen,Julian Togelius,Georgios N. Yannakakis,Sebastian Risi. Владелец: Modl AI ApS. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and system of non-destructive monitoring constructions of structures and method and system for monitoring the location of structures based on such a method

Номер патента: RU2683871C2. Автор: Андрей Александрович Якшин,Михаил Викторович Чиркин,Алексей Владимирович Молчанов. Владелец: Алексей Владимирович Молчанов. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for identifying stratigraphic structures in red soil area based on shallow seismic refraction wave method

Номер патента: AU2022203535B2. Автор: Chen Zhong,Xiaodong Song,Ganlin Zhang,Huayong WU,Yongcun ZHAO. Владелец: Institute of Soil Science of CAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Identifying a retinal layer structure based on a tomography image

Номер патента: WO2011114686A1. Автор: Kenji Morita,Yuta Nakano. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2011-09-22.

Method for identifying stratigraphic structures in red soil area based on shallow seismic refraction wave method

Номер патента: AU2022203535A1. Автор: Chen Zhong,Xiaodong Song,Ganlin Zhang,Huayong WU,Yongcun ZHAO. Владелец: Institute of Soil Science of CAS. Дата публикации: 2023-06-08.

Automated discovery and design process based on black-box optimization with mixed inputs

Номер патента: US20230394354A1. Автор: Dzung Tien Phan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods and Framework for evaluating and modeling of contextual exchange, contextual collaboration and sensational awareness

Номер патента: US20130073505A1. Автор: Nick Mehrdad Loghmani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-21.

Systems and methods for partitioning models of anatomical structures into functional segments

Номер патента: WO2023129742A1. Автор: Yuchen Xie,Jin Young Hong,Junning Li. Владелец: INTUITIVE SURGICAL OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2023-07-06.

Cognitive assessment system based on eye movement

Номер патента: US20220395206A1. Автор: Chia-Yang Chang,Shao-Yi Chien,Kuei-An Li,Sung-En Chien. Владелец: Ganzin Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Positioning individual three-dimensional model teeth based on two-dimensional images

Номер патента: US12076205B2. Автор: Tim Wucher,Jordan KATZMAN,Jared Lafer,Ramsey Jones,Ryan Amelon,Martin Chobanyan. Владелец: SDC US Smilepay SPV. Дата публикации: 2024-09-03.

Establishing a contour of a structure based on image information

Номер патента: US11922634B2. Автор: Olivier Ecabert,Carsten Meyer,Reinhard Kneser,Juergen Weese,Jochen Peters. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-03-05.

Infrared detector having multi-layer structure based on cmos process

Номер патента: EP4345429A1. Автор: Hui Pan,Pei Wu,Guangjie ZHAI,Guangqiang ZHAI. Владелец: Beijing North Gaoye TechnologyCo Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Generating templates using structure-based matching

Номер патента: US20240127577A1. Автор: Oliver Brdiczka,Ionut Mironica,Alexandru Vasile Costin,Vlad-Constantin Lungu-Stan. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Customized robotic installation based on measurements collected on site

Номер патента: SG11201900690SA. Автор: Marek Michalowski,Jeff Linnell,Kendra Byrne,Eli Reekmans,Jonathan Proto,Brandon Kruysman,Anthony Jules. Владелец: X Dev Llc. Дата публикации: 2019-02-27.

Customized robotic installation based on measurements collected on site

Номер патента: WO2018022837A1. Автор: Marek Michalowski,Jeff Linnell,Kendra Byrne,Eli Reekmans,Jonathan Proto,Brandon Kruysman,Anthony Jules. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2018-02-01.

Servo control method and system for multi-joint hydraulic manipulator based on adaptive sliding mode

Номер патента: US20240272593A1. Автор: Yong Fan,Xin Ma,Shuai ZAN,Yibin Li,Teng CHEN,Xuewen Rong,Guoteng Zhang. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2024-08-15.

Auxiliary support method based on variable stiffness supernumerary robotic limbs

Номер патента: US20240033899A1. Автор: Jianxi ZHANG,Aiguo SONG,Hong Zeng,Huayu ZHANG. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-01.

Online and real-time estimation of robot behaviour by combining a known part of a robot model with an estimation of the unknown part of the same robot model based on incremental sparse spectrum gaussian process estimation

Номер патента: NL2025945B1. Автор: Henricus Joannes Janssen Niels. Владелец: Avular BV. Дата публикации: 2022-03-04.

Systems, Devices, and Methods for Generating a Model of a Vascular Network, and for Analyzing and/or Treatment Planning Related to Thereof

Номер патента: US20210041853A1. Автор: Vahid Serpooshan,Holly Bauser-Heaton,Martin L. Tomov. Владелец: Childrens Healthcare of Atlanta Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for forming memristive structures based on composite oxides with nanoparticle agglomerate

Номер патента: RU2767721C1. Автор: Владимир Петрович Жалнин,Вадим Анатольевич Шахнов,Андрей Игоревич Власов,Константин Александрович Муравьев,Александр Александрович Расюк,Олег Вячеславич Косьянов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Московский Государственный Технический Университет Имени Н.Э. Баумана (Национальный Исследовательский Университет)". Дата публикации: 2022-03-18.

Method of creating medical template based on information about digital representation of body part

Номер патента: RU2369354C2. Автор: Алексей Юрьевич Ремов. Владелец: Алексей Юрьевич Ремов. Дата публикации: 2009-10-10.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: WO2023202993A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-26.

A semiconductor structure and a microfluidic system thereof

Номер патента: EP4265333A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-25.

Method of predicting protein-ligand docking structure based on quantum mechanical scoring

Номер патента: US20110246166A1. Автор: Art Eunsung CHO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-06.

Sensor and method for industrial machinery monitoring based on sensor data processing by a machine learning algorithm

Номер патента: CA3211657A1. Автор: Jean-Samuel Chenard,Hsin-Yun Yao. Владелец: Soralink Solutions. Дата публикации: 2024-04-07.

Systems and methods for radiation treatment planning based on a model of planning strategies knowledge including treatment planning states and actions

Номер патента: US20200353286A1. Автор: Yang Sheng,Yaorong Ge,Fangfang Yin,Chunhao WANG,Qingrong Wu,Jiahan Zhang,Manisha Palta. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for speech recognition based on language adaptivity and related apparatus

Номер патента: US12033621B2. Автор: QI Chen,Lin Luo,Min Luo,Yulu ZHANG,Dan Su,Tianxiao FU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for controlling an agricultural tool towed by a pivotally attached vehicle based on future path prediction

Номер патента: EP4167708A1. Автор: Andrew Thomas MEYER,John M. Zietz. Владелец: Vaderstad Industries Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

System and method for controlling an agricultural tool towed by a pivotally attached vehicle based on future path prediction

Номер патента: CA3182879A1. Автор: Andrew Thomas MEYER,John M. Zietz. Владелец: Vaderstad Industries Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Distilling to a Target Device Based on Observed Query Patterns

Номер патента: US20240290324A1. Автор: Matthew Sharifi,Victor Carbune. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Prediction of meal and/or exercise events based on persistent residuals

Номер патента: EP4088286A1. Автор: Jason O'connor,Yibin Zheng,Joon Bok Lee. Владелец: Insulet Corp. Дата публикации: 2022-11-16.

Prediction of meal and/or exercise events based on persistent residuals

Номер патента: WO2021141941A1. Автор: Jason O'connor,Yibin Zheng,Joon Bok Lee. Владелец: INSULET CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Method and apparatus for integrated modeling, simulation and analysis of chemical and biological systems having a sequence of reactions, each simulated at a reaction time determined based on reaction kinetics

Номер патента: WO2007005931A2. Автор: Joseph F. HICKLIN,Ricardo E. Paxson. Владелец: THE MATHWORKS, INC.. Дата публикации: 2007-01-11.

Method and apparatus for integrated modeling, simulation and analysis of chemical and biological systems having a sequence of reactions, each simulated at a reaction time determined based on reaction kinetics

Номер патента: EP1910902A2. Автор: Joseph F. HICKLIN,Ricardo E. Paxson. Владелец: MathWorks Inc. Дата публикации: 2008-04-16.

Prediction of meal and/or exercise events based on persistent residuals

Номер патента: US12036389B2. Автор: Jason O'connor,Yibin Zheng,Joon Bok Lee. Владелец: Insulet Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Systems and methods for controlling industrial devices based on modeled target variables

Номер патента: US20200103878A1. Автор: Wei Dai,Bijan Sayyarrodsari,Alexander B. Smith,Kadir Liano,Yash P. Puranik. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Distilling to a target device based on observed query patterns

Номер патента: EP4405944A1. Автор: Matthew Sharifi,Victor Carbune. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-07-31.

Prediction of meal and/or exercise events based on persistent residuals

Номер патента: US20240307618A1. Автор: Jason O'connor,Yibin Zheng,Joon Bok Lee. Владелец: Insulet Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Therapy program modification based on a therapy field model

Номер патента: EP2310087A1. Автор: Martin T. Gerber,John C. Rondoni. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2011-04-20.

Therapy program modification based on a therapy field model

Номер патента: US11986631B2. Автор: Martin T. Gerber,John C. Rondoni. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2024-05-21.

Adaptive cooperative path following control method for usv-uav based on 3d mapping guidance

Номер патента: LU501833B1. Автор: Guoqing Zhang. Владелец: Univ Dalian Maritime. Дата публикации: 2022-10-12.

Generative model of phase space

Номер патента: EP4401827A1. Автор: Jens Olof Sjolund,Carl Axel Håkan NORDSTRÖM. Владелец: ELEKTA AB. Дата публикации: 2024-07-24.

Therapy program modification based on a therapy field model

Номер патента: US20240238519A1. Автор: Martin T. Gerber,John C. Rondoni. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and apparatus for discriminative training of acoustic models of a speech recognition system

Номер патента: EP1226574A1. Автор: Jean-Guy Dahan,Etienne Barnard. Владелец: SpeechWorks International Inc. Дата публикации: 2002-07-31.

Method and apparatus for discriminative training of acoustic models of a speech recognition system

Номер патента: AU1458401A. Автор: Jean-Guy Dahan,Etienne Barnard. Владелец: SpeechWorks International Inc. Дата публикации: 2001-05-14.

Method and apparatus for discriminative training of acoustic models of a speech recognition system

Номер патента: WO2001033551A1. Автор: Jean-Guy Dahan,Etienne Barnard. Владелец: Speechworks International, Inc.. Дата публикации: 2001-05-10.

Systems and methods for administering spinal cord stimulation based on temporal patterns of electrical stimulation

Номер патента: EP2968944A1. Автор: Tianhe ZHANG,Warren M. Grill. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2016-01-20.

Kinematic modeling of biochemical pathways

Номер патента: EP4169022A1. Автор: Frank Russo. Владелец: X Development LLC. Дата публикации: 2023-04-26.

Time-varying kinetic modeling of high temporal-resolution dynamic pet data for multiparametric imaging

Номер патента: WO2019136469A1. Автор: Guobao Wang. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2019-07-11.

Efficient adaptation of spoken language understanding based on automatic speech recognition using multi-task learning

Номер патента: US20240304179A1. Автор: Euisung KIM,Vijendra Raj Apsingekar,Taeyeon Ki,Cindy Sushen Tseng,Divya NEELAGIRI,Aditya Jajodia. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Efficient adaptation of spoken language understanding based on automatic speech recognition using multi-task learning

Номер патента: WO2024184835A1. Автор: Euisung KIM,Vijendra Raj Apsingekar,Taeyeon Ki,Cindy Sushen Tseng,Divya NEELAGIRI,Aditya Jajodia. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for establishing comparative transcriptomics database of animal models of coronavirus infections

Номер патента: NL2030705B1. Автор: Wei Qiang,Wu Yue,KONG QI,QIN Chuan,XUE Jing,Gao Ran,BAO Linlin,Xiang Zhiguang. Владелец: Inst Of Laboratory Animal Sciences Cams. Дата публикации: 2022-10-07.

Method for establishing comparative transcriptomics database of animal models of coronavirus infections

Номер патента: NL2030705A. Автор: Wei Qiang,Wu Yue,KONG QI,QIN Chuan,XUE Jing,Gao Ran,BAO Linlin,Xiang Zhiguang. Владелец: Inst Of Laboratory Animal Sciences Cams. Дата публикации: 2022-07-08.

Construction method for classification model of resistant hypertension group based on metabolic biomarkers and application thereof

Номер патента: LU505705B1. Автор: Wenqing Yang,Yunlun Li. Владелец: Univ Shandong Traditional Chinese Medicine. Дата публикации: 2024-06-06.

Evolutionary models of multiple sequence alignments to predict offspring fitness prior to conception

Номер патента: WO2015195655A1. Автор: Nigel Delaney,Lee M. Silver,Ari Julian SILVER. Владелец: GenePeeks, Inc.. Дата публикации: 2015-12-23.

Generating a model of the airway of a sleeping subject

Номер патента: US20240066244A1. Автор: Nicolaas Petrus Willard,Angela GRASSI,Joachim Johannes KAHLERT,Pedro Miguel Ferreirados Santos Da Fonseca. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2024-02-29.

Measurement of fabrication parameters based on moiré interference pattern components

Номер патента: WO2023222342A1. Автор: Xiang Hu,Yu-Jen FAN. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2023-11-23.

Techniques for controlling spatial structure of nucleic acid structures based on lattice-free, three dimensional junction coordinates

Номер патента: WO2016054613A1. Автор: Mark Bathe,Do-nyun Kim,Keyao PAN. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2016-04-07.

Predicting adverse health risk based on ct scan images and ai-enabled cardiovascular structure volumetry

Номер патента: US20240120105A1. Автор: Morteza Naghavi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for determining a drug combination via a blocking model of a multi-site-targeted protein and applications thereof

Номер патента: US20230187019A1. Автор: Lee-Wei Yang,Kun-Lin Tsai. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-06-15.

Spectral phase modeling of the prototype waveform components for a frequency domain interpolative speech codec system

Номер патента: EP1095370A1. Автор: Gaguk Zakaria,Kumar Swaminathan,Bangalore R. Udaya Bhaskar,Srinivas Nandkumar. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2001-05-02.

Modifying word structure based on reading comprehension levels using machine learning

Номер патента: US20230410677A1. Автор: Reinaldo Gamaliel Rivera Colon,Ronald Lee Ratcliffe, Jr.,Jennifer Merten. Владелец: Truist Bank. Дата публикации: 2023-12-21.

Quantisation based on modelling of transfer speed distortion, for cabac coders

Номер патента: RU2475999C2. Автор: Марта КАРЧЕВИЧ,Янь Е. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2013-02-20.

Selectively storing identifiers based on media type indicator

Номер патента: US20220174105A1. Автор: Jennifer L. Smith,Jeff Littlejohn,Bobbi Denise Schuster,Keyin Hsu. Владелец: iHeartMedia Management Services Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

A type of a smart home management structure based on instant messaging (im)

Номер патента: WO2017034385A1. Автор: Li Zhong,Hao Lin. Владелец: Linkdood Technologies Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-02.

Machine learning model to determine a proper subset of a multimedia file for a viewer based on their interest

Номер патента: US12047650B1. Автор: Arjun Cholkar,Hooman Mahyar,ShivaKumar Krishnamurthy,Rafael Soltanovich. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Power supply conversion topology of multiphase switch capacitor resonant cavity conversion circuit with full-wave output rectification and power supply conversion structures based on power supply conversion topology

Номер патента: US20230091474A1. Автор: Hui Zhao,Yiran Chen. Владелец: Nanjing Efficient Power For Intelligent Computing Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Three-dimensional display method based on web-side quadrilateral connection technology

Номер патента: LU502859B1. Автор: Haifeng Zhou. Владелец: Beijing Mimu Digital Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US12082397B2. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

A storage network structure based on the peterson graph and data read- write method thereof

Номер патента: SG160285A1. Автор: Jinlin Wang,Lingfang Wang,Jiali You,Xiangdong Qi,Tingyi Li. Владелец: Beijing Acell Technology Co Lt. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof, three-dimensional memories, and memory systems

Номер патента: US20240172439A1. Автор: Wei Xu,QI Hao,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure with improved capacitance of bit line

Номер патента: US20140054535A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor structure forming method and semiconductor structure

Номер патента: EP4195253A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-14.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Context modeling of side information for reduced secondary transforms in video

Номер патента: US20230145133A1. Автор: LI ZHANG,Kai Zhang,Hongbin Liu,Yue Wang,Kui FAN. Владелец: ByteDance Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for manufacturing semiconductor structures

Номер патента: WO2024138233A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268112A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure for 3d memory and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4412423A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Dynamic removal of mac table entries based on a mac table fullness level

Номер патента: US20160234134A1. Автор: Paul M. Curtis,Michael A. TSUKERNIK. Владелец: VERIZON PATENT AND LICENSING INC. Дата публикации: 2016-08-11.

Broadcast signal transmission method for signaling transmission structure based on combination of layered division multiplexing and multiple-input multiple-output, and apparatus using the same

Номер патента: US20230283323A1. Автор: Sung-Ik Park,Nam-Ho Hur,Bo-Mi Lim,Hoi-Yoon JUNG,Hae-Chan KWON,Sung-Jun Ahn. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of Updating a Thermal Model of an Electric Motor

Номер патента: US20240213905A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Zlatko KOLONDJOVSKI,Panagiotis Kakosimos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of updating a thermal model of an electric motor

Номер патента: WO2022263199A1. Автор: Olli Alkkiomäki,Zlatko KOLONDJOVSKI,Panagiotis Kakosimos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor structure manufacturing method and semiconductor structure

Номер патента: US20230403841A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240276708A1. Автор: Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096619B2. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096616B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method to select cell in hierarchical cellular structure based on cell quality

Номер патента: RU2450488C1. Автор: Сунг-дук ЧУН,Йоунг-Дае ЛИ,Сунг-дзун ПАРК,Сеунг-Дзуне ЙИ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD FOR OBTAINING FRAME STRUCTURES BASED ON SiO2-Al2O3

Номер патента: RU2761822C1. Автор: Игорь Николаевич Пягай,Алина Азатовна Шайдулина,Дмитрий Игоревич Артюшевский,Ростислав Робертович Коноплин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский горный университет». Дата публикации: 2021-12-13.

Growth of Nanowires

Номер патента: US20240141542A1. Автор: Olav Birlem,Florian DASSINGER,Sebastian Quednau,Farough ROUSTAIE. Владелец: Nanowired Gmbh. Дата публикации: 2024-05-02.

Galvanic Growth of Nanowires on a Substrate

Номер патента: US20240141531A1. Автор: Olav Birlem,Florian DASSINGER,Sebastian Quednau,Farough ROUSTAIE. Владелец: Nanowired Gmbh. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of non-catalytic formation and growth of nanowires

Номер патента: US7781317B2. Автор: Peidong Yang,Minjuan Zhang,Melissa Fardy,Joshua Goldberger,Allon Hochbaum,Oded Rabin. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Laser system for dicing semiconductor structure and operation method thereof

Номер патента: US20220314369A1. Автор: Peng Chen,Houde Zhou,Liquan Cai. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of creating porous luminescent structures based on phosphors embedded in photonic crystal

Номер патента: RU2700875C2. Автор: Дмитрий Сергеевич Довженко,Константин Евгеньевич Мочалов,Владимир Александрович Олейников,Игорь Леонидович Мартынов,Геннадий Евгеньевич Котковский,Александр Александрович Чистяков,Дарья Олеговна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии науки (ИБХ РАН). Дата публикации: 2019-09-23.

Device and Method for the User-Friendly and Reliable Galvanic Growth of a Plurality of Nanowires

Номер патента: US20240191383A1. Автор: Olav Birlem,Florian DASSINGER,Sebastian Quednau,Farough ROUSTAIE. Владелец: Nanowired Gmbh. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods for allocation of charging rates based on vehicle characteristics

Номер патента: US20220379765A1. Автор: Jeffrey Kinsey,Ramsey Meyer,Bradford CRIST. Владелец: Volta Charging LLC. Дата публикации: 2022-12-01.

Structure based on superplastic forming/diffusion binding for reducing noise from air flow

Номер патента: RU2637276C2. Автор: Макс Р. РАНИАН,Дэниел Дж. САНДЕРС,Ларри Д. ХЕФТИ,Дэвид Р. ПАПЕНФАСС,Джек В. МОЛДИН,Луис Р. ЛЕОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2017-12-01.

Chitosan porous structure-based magnetically actuated microrobot

Номер патента: US20220305243A1. Автор: Jong Oh Park,Eun Pyo CHOI,Gwang Jun Go,Ami Yoo,Yeong Jun CHANG,Chang Sei Kim,Hyeong Woo SONG. Владелец: Biot Korea Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Modeling of reservoir stimulation treatment

Номер патента: EP1381754A1. Автор: Murtaza Ziauddin,Joel Robert. Владелец: Sofitech NV. Дата публикации: 2004-01-21.

Adjustable deforming composite structure based on hydrogen-induced expansion effect and preparation method therefor

Номер патента: US20220325703A1. Автор: Yong Liu,Chengshang ZHOU,Zhongyuan DUAN. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-10-13.

Electronic Control System Based on Three-Dimensional (3D) Concrete Printing

Номер патента: US20240165847A1. Автор: Chao Zhang,Jianjun Li,Yulong Wang,Xiang Sun,Dinghui LI,Bohang WU. Владелец: Hebei Shengzhuo Building Equipment Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bionic fish single-degree-of-freedom modular structure based on cam mechanism

Номер патента: US20220266966A1. Автор: Zhibin Song,Zhongru FU. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-08-25.

Flat-pressing manufacturing method of bionic adhesive structure based on micro through-hole nickel-based mold

Номер патента: US11478976B2. Автор: Zhendong DAI,Chunxia Zhao,Yuanhua Qiao,Keju JI,Yiqiang TANG,Peiyun GAN. Владелец: Nanjing Adhesion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Flat-pressing manufacturing method of bionic adhesive structure based on micro through-hole nickel-based mold

Номер патента: US20220048239A1. Автор: Zhendong DAI,Chunxia Zhao,Yuanhua Qiao,Keju JI,Yiqiang TANG,Peiyun GAN. Владелец: Nanjing Adhesion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming thick-walled shell structures based on polymeric composite materials

Номер патента: RU2634446C2. Автор: Вячеслав Вячеславович Соколов,Сергей Алексеевич Гусев,Николай Александрович Шабалкин,Галина Васильевна Лункина,Виктория Сергеевна Сергеева,Виктор Юрьевич Гусев,Александр Николаевич Сосин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный центр двойных технологий "Союз" (ФГУП "ФЦДТ "Союз"). Дата публикации: 2017-10-30.

Multilayer structure based on polyamides and graft polyamide block copolymers

Номер патента: RU2271934C2. Автор: Мартен БОМЕР,Себастьян МИШНО,Тибо МОНТАНАРИ,Мартен БОМЕР (FR),Себасть н МИШНО (FR),Тибо МОНТАНАРИ (FR). Владелец: Атофина. Дата публикации: 2006-03-20.

Nanocomposite magnetic material based on a polyconjugated polymer and a mixture of magnetic nanoparticles and a method for production thereof

Номер патента: RU2768158C1. Автор: Света Жираслановна Озкан,Галина Петровна Карпачева,Александр Иванович Костев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2022-03-23.

Structure based on polyethylene

Номер патента: RU2592540C2. Автор: Кендзи КОУНО,Риодзи ОТАКИ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2016-07-20.

Partitioning 3d models of components

Номер патента: US20240190080A1. Автор: Oriol BORRELL CARBONELL,Lluis PARE BARNIOL,Daniel Alejandro POVEDA PI. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240286889A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Structure based on polyethylene

Номер патента: RU2615411C2. Автор: Кентаро ИСИИ,Томонори КАТОУ,Кендзи КОУНО,Хироси КОБАЯСИ. Владелец: Мицубиси Гэс Кемикал Компани, Инк.. Дата публикации: 2017-04-04.

Medical device based on bioceramics, its use as a synthetic bone graft and process for the preparation thereof

Номер патента: WO2023235954A1. Автор: Alberto Blay,Jamil AWAD SHIBLI,Samy Tunchel,Luiz Antônio Saska Junior,Elaine YOSHIKO MATSUBARA,Sybele SASKA SPECIAN,Livia PILATTI MENDES DA SILVA,Leticia JORDÃO MARQUES DE OLIVEIRA. Владелец: M3 Health Indústria E Comércio De Produtos Médicos, Odontológicos E Correlatos S.A.. Дата публикации: 2023-12-14.

Bioengineered structure based on bacterial alginate and probiotic bacteria and method for production thereof

Номер патента: RU2740380C1. Автор: Антон Павлович Бонарцев,Вера Владимировна Воинова,Гарина Александровна Бонарцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2021-01-13.

Gene-therapeutic dna-vector based on the gene-therapeutic dna-vector vtvaf17, carrying the target gene selected from a group of genes bdnf, vegfa, bfgf, ngf, gdnf, nt3, cntf, igf1, to increase expression level of said target genes, method for production and use thereof, a strain escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bdnf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-vegfa, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-bfgf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-ngf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-gdnf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-nt3, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-cntf, or escherichia coli scs110-af/vtvaf17-igf1, carrying a gene-therapeutic dna vector, method for production thereof, a method for industrial production of a gene-therapeutic dna vector

Номер патента: RU2732479C2. Автор: Наталиа Савелиева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Прорывные Инновационные Технологии". Дата публикации: 2020-09-17.

Powder material based on iron for stages of submersible centrifugal pumps

Номер патента: RU2605718C2. Автор: Алексей Борисович Шипачёв. Владелец: "Центр Разработки Нефтедобывающего Оборудования" ("Црно"). Дата публикации: 2016-12-27.

Method of fabricating porous ceramic structures based on calcium phosphates, alumina or zirconia

Номер патента: EP2212261A2. Автор: Claudia Marina Souto Ranito Lourenço. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-04.

Nootropic composition based on polypeptide complexes isolated from neuronal progenitor cells under heat shock and method for production thereof

Номер патента: RU2752906C2. Автор: Константин Никитич Ярыгин,Андрей Витальевич Макаров,Сергей Львович Киселев,Лариса Петровна Некрасова,Тимур Хайсамудинович Фатхудинов,Вадимович Гольдштейн Дмитрий,Татьяна Борисовна Бухарова,Дарья Дмитриевна Наместникова,Олег Владимирович Махнач,Диана Ирековна Салихова,Георгий Евгеньевич Леонов,Виктория Олеговна Мокроусова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Медико-генетический научный центр имени академика Н.П. Бочкова". Дата публикации: 2021-08-11.

Vectors based on adeno-associated viruses for treating mucopolysaccharidoses

Номер патента: RU2744593C2. Автор: ТУБЕРТ Мария Фатима БОШ,АУРИГОТ Вирджиния АРЕБА,МАЛЛОЛ Сандра МОТАС. Владелец: Университат Аутонома Де Барселона. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of processing porous implants based on metal materials

Номер патента: RU2699337C2. Автор: Сергей Владимирович Беликов,Юрий Николаевич Логинов,Степан Игоревич Степанов. Владелец: Акционерное Общество "Наука И Инновации". Дата публикации: 2019-09-04.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Photoelectric converter based on nonplanar semiconductor structure

Номер патента: RU2399118C1. Автор: Борис Михайлович Синельников,Лев Васильевич Кожитов,Петр Арсеньевич Данов,Владимир Васильевич Митин,Мухамед Данильевич Бавижев,Артём Михайлович Косарев,Константин Павлович Шварёв,Владимир Дмитриевич Соклаков,Сергей Моисеевич Эфрос. Владелец: ОАО "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 2010-09-10.

Method for process state classification of a biogas digester based on process variables of a biogas plant

Номер патента: WO2024115429A1. Автор: Miriam Estefânia RODRIGUES FERNANDES RABAÇAL,Bruna AZEVEDO,Marcel STADELMANN. Владелец: HITACHI ZOSEN INOVA AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for suppressing the blockage of miniature joule-thomson cryocooler based on photothermal effect

Номер патента: US20210389033A1. Автор: Haishan CAO. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for suppressing the blockage of miniature Joule-Thomson cryocooler based on photothermal effect

Номер патента: US11561035B2. Автор: Haishan CAO. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-24.

Combined therapy based on tumour-targeted immunocytokines containing variant il-2, and antibodies to human pd-l1

Номер патента: RU2710354C2. Автор: Пабло УМАНА,Кристиан Клайн,Валерия Г. Николини. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-12-25.

Anti-inflammatory pharmaceutical compositions based on bacterial strain

Номер патента: RU2616899C1. Автор: Александр Николаевич Суворов,Елена Игоревна Ермоленко,Галина Геннадиевна Алехина,Валерий Николаевич Даниленко,Елена Ульриховна Полуэктова,Анатолий Васильевич Ратькин,Ксения Михайловна Климина. Владелец: Автономная Некоммерческая Организация "Научно-исследовательский центр биотехнологии антибиотиков и других биологически активных веществ "БИОАН" (АНО "НИЦ "БИОАН"). Дата публикации: 2017-04-18.

Pharmaceutical composition based on bis-(n-monosuccinyl-l-seryl-l-lysine) hexamethylenediamide (gsb-106)

Номер патента: RU2697254C1. Автор: Сергей Борисович Середенин,Татьяна Александровна Гудашева,Полина Юрьевна Поварнина,Таисия Леоновна Гарибова,Константин Викторович Алексеев,Евгения Викторовна Блынская,Сергей Викторович Минаев,Виктория Владимировна Буева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт фармакологии имени В.В. Закусова". Дата публикации: 2019-08-13.

Based on mechanical properties probe visualisation

Номер патента: RU2521689C2. Автор: Мейр БАР-ТАЛ,Даниел ОСАДЧИ. Владелец: Байосенс Уэбстер, Инк.. Дата публикации: 2014-07-10.

Method and System for Pore-Scale Modeling of a Multi-Phase Hydrocarbon Extraction Process

Номер патента: US20230349289A1. Автор: Merouane Khammar. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2023-11-02.

Method and system for pore-scale modeling of a multi-phase hydrocarbon extraction process

Номер патента: CA3194681A1. Автор: Merouane Khammar. Владелец: Canada Minister of Natural Resources. Дата публикации: 2023-09-30.

Honeycomb structure based on lignocellulosic materials and process for producing the same

Номер патента: WO2008085054A1. Автор: Arjen Boersma,Michael Fritz Sailer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for Determining Control Model Parameters of a Control Model of an Axial Piston Pump

Номер патента: US20240287971A1. Автор: Adrian Trachte,Christoph Zimmer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

System of watering vertical gardens based on hygroscopic material

Номер патента: RU2623737C1. Автор: Сергей Александрович Руденко,Мария Александровна Руденко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Элайвотек". Дата публикации: 2017-06-29.

Sensorimotor function evaluation system based on precision grip kinetics

Номер патента: AU2022201229A1. Автор: NA Wei,Ke Li,Guanglin Li,Jianhong Zhang,Leitong LIN. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2022-09-08.

Designing modulators for alpha-1, 3 galactosyltransferases based on a structural model

Номер патента: WO2001083717A3. Автор: Mohan Rao,Igor Tvaroska. Владелец: Igor Tvaroska. Дата публикации: 2002-08-08.

Real time modeling of analyte transport concentration

Номер патента: EP3518764A1. Автор: Andrew DeHennis,Xiaoxiao Chen. Владелец: Senseonics Inc. Дата публикации: 2019-08-07.

Methods and systems for training eeg signal denoising models of eeg collection devices

Номер патента: US20240306998A1. Автор: CHAO Chen,Jiawei Zhang. Владелец: Sichuan Neosource Biotektronics Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Structure based on protein pair of barnase-barstar and method of its production

Номер патента: RU2480524C2. Автор: Сергей Михайлович Деев,Олег Анатольевич Стремовский,Татьяна Александровна Здобнова,Максим Петрович Никитин,Сергей Васильевич Лукаш. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт биоорганической химии им. академии М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН. Дата публикации: 2013-04-27.

Assembloid - 3d mimetic tissue structure based on patient- derived multiple cell types and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210079358A1. Автор: Sungjune JUNG,Kunyoo SHIN,Eunjee KIM. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-03-18.

Creating a digital dental model of a patient's teeth using interproximal information

Номер патента: US11957532B2. Автор: Eric Kuo,Bob Grove. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Use of small molecule based on indotricarbocyanine structure in preparation of medicines for tumor photothermal therapy

Номер патента: EP4098280A1. Автор: Huiming CAI. Владелец: Nanjing Nuoyuan Medical Devices Co ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Use of small molecule based on indotricarbocyanine structure in preparation of medicines for tumor photothermal therapy

Номер патента: US20220387591A1. Автор: Huiming CAI. Владелец: Nanjing Nuoyuan Medical Devices Co ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

METHOD FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND DEVICE BASED ON THE SAME

Номер патента: US20120068347A1. Автор: ISOBAYASHI Atsunobu,Ishikawa Masao. Владелец: TOSHIBA AMERICA ELECTRONIC COMPONENTS, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Method of making semiconductor device structures based on blank substrate cloning (versions)

Номер патента: RU2546858C1. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-04-10.

Method for determination of load initial position for manipulator of parallel structure based on strain-measuring data

Номер патента: RU2569878C1. Автор: Юрий Анатольевич Валюкевич,Андрей Владимирович Алепко,Дмитрий Михайлович Яковенко,Иван Иванович Наумов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-11-27.

Process of manufacture of semiconductor structures based on compounds aiii bv by method of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2031477C1. Автор: И.Н. Арсентьев,Л.С. Вавилова. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1995-03-20.

Method for vacuum sputtering of structures for electronic devices, method of controlling dopant concentration when growing said structures and resistive source of vapour of sputtering material and dopant for realising said control method, and method for vacuum sputtering of silicon-germanium structures based on use of said vapour source

Номер патента: RU2511279C1. Автор: Виктор Павлович Кузнецов,Максим Викторович Кузнецов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Нижегородский Государственный Университет Им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2014-04-10.

Ordered arrays of nanowires of photochromic ferromagnets, method of their production, membrane to preserve magnetic information and application of ordered arrays of nanowires of photochromic ferromagnets as light-sensitive magnetic media

Номер патента: RU2445256C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Сергей Михайлович Алдошин (RU),Наталия Алексеевна Санина (RU),Роман Борисович Моргунов (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2012-03-20.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method for tank indexing for capacity assessment based on filling depth

Номер патента: RU2442112C1. Автор: Алексей Юрьевич Второв. Владелец: Алексей Юрьевич Второв. Дата публикации: 2012-02-10.

Method of troubleshooting in discrete dynamical systems based on a change in position input

Номер патента: RU2579543C1. Автор: Сергей Викторович Шалобанов,Сергей Сергеевич Шалобанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Thermal conductivity analysis model of graphene composites based on neural network analysis

Номер патента: AU2021101038A4. Автор: Fei Peng,Chuyuan GUO,Jiuzhou Yan. Владелец: Xian Aolanpate Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Method creating astatic systems for controlling objects with uncertain parameters based on built-in models and modal invariance

Номер патента: RU2570127C1. Автор: Евгений Николаевич Кисин,Владимир Леонидович Похваленский,Егор Александрович Евдокимчик,Владимир Борисович Чемоданов,Валерий Дмитриевич Елисеев,Анна Валерьевна Котельникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" (МАИ). Дата публикации: 2015-12-10.

Transistor with metal-oxide-semiconductor structure on silicon-on-insulator substrate

Номер патента: RU2477904C1. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков,Андрей Александрович Глушко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2013-03-20.

METHOD OF FORMING MEMRISTOR BASED ON SOLID-STATE ALLOY Si:Me AND MEMRISTOR STRUCTURE BASED ON SOLID-STATE ALLOY Si:Me

Номер патента: RU2540237C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Александрович Матвеев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2015-02-10.

Petrophysical modeling of a subterranean formation

Номер патента: WO2024197014A1. Автор: Majed Fareed Kanfar,Christon Achong,Nerio Jose Quintero Tudares,Fatima Alkaba. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2024-09-26.

Structure based on pneumatic curb

Номер патента: RU2568461C2. Автор: Сергей Дмитриевич Николенко,Игорь Викторович Михневич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный архитектурно-строительный университет". Дата публикации: 2015-11-20.

Fast-erected structure based on pneumatic curb

Номер патента: RU2415237C1. Автор: Дмитрий Александрович Казаков,Сергей Дмитриевич Николенко,Игорь Викторович Михневич. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Воронежский государственный архитектурно-строительный университет ГОУ ВПО ВГАСУ. Дата публикации: 2011-03-27.

Method of protecting silicon structures based on lead-silicate glass

Номер патента: RU2702411C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Азамат Ибрагимович Муртазалиев,Айшат Расуловна Шахмаева,Таджидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрктдинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2019-10-08.

Automated system for reconstruction of 3d distribution of neurons based on series of images brain sections

Номер патента: RU2504012C1. Автор: Вячеслав Евгеньевич Анциперов,Михаил Вениаминович Угрюмов,Елена Александровна Козина,Олег Валерианович Евсеев,Юрий Владимирович Обухов,Анна Алексеевна Колачева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-10.

Intermodulation standard component based on diode structure

Номер патента: AU2022368367B2. Автор: Ke Shi,Yi Zhou,Yongkun LIU,Zhonghua Liu,Kai Zhu,Kuan Lu,Chaochao XU. Владелец: Jiangsu Hengxin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2445722C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-03-20.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Halbach structure-based variable magnetic field generator

Номер патента: RU2466491C2. Автор: Дмитрий Бенедиктович Копелиович,Юрий Петрович Мельников. Владелец: ООО "Перспективные магнитные технологии и консультации". Дата публикации: 2012-11-10.

Device for liquid phase epitaxy of multilayer semiconductor structures

Номер патента: RU2515316C1. Автор: Виталий Львович Крюков,Леонид Александрович Меерович,Александр Михайлович Николаенко,Сергей Станиславович Стрельченко,Константин Анатольевич Титивкин,Евгений Витальевич Крюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех". Дата публикации: 2014-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.